一種振蕩器和電子終端的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種振蕩器和電子終端，其中，振蕩器包括斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊、窗口電壓設(shè)置模塊、比較模塊和邏輯控制模塊。本發(fā)明由斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊接收邏輯控制模塊產(chǎn)生的第一方波信號(hào)，并根據(jù)第一方波信號(hào)產(chǎn)生相同頻率的斜坡信號(hào)發(fā)送給比較模塊，并為窗口電壓設(shè)置模塊提供同步電流，窗口電壓設(shè)置模塊設(shè)定高、低閾值電壓輸出給比較模塊；比較模塊將產(chǎn)生的斜坡信號(hào)與高、低閾值電壓進(jìn)行比較，產(chǎn)生與斜坡信號(hào)頻率一致的第一占空比的第二方波信號(hào)輸出給邏輯控制模塊；邏輯控制模塊將第二方波信號(hào)整形為第一方波信號(hào)輸出，并反饋給斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊控制斜坡信號(hào)的頻率，使斜坡信號(hào)的頻率與第一方波信號(hào)保持一致，從而提高了振蕩器輸出頻率的穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】一種振蕩器和電子終端
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路設(shè)計(jì)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種振蕩器和電子終端。
【背景技術(shù)】
[0002]振蕩器是一種用來(lái)產(chǎn)生重復(fù)電子訊號(hào)(通常是正弦波或方波)的電子元件，它能將直流電轉(zhuǎn)換為具有一定頻率交流電信號(hào)輸出。振蕩器自其誕生以來(lái)就一直在通信、電子、航海、航空等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用，作為集成電路系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛的模塊之一，它可產(chǎn)生固定頻率的信號(hào)，是PWM (Pulse Width Modulation，脈沖寬度調(diào)制)調(diào)制系統(tǒng)、鎖相環(huán)系統(tǒng)、數(shù)模混合系統(tǒng)等必不可少的子電路模塊。
[0003]現(xiàn)有振蕩器多數(shù)采用普通的張弛結(jié)構(gòu)，利用恒定電流使內(nèi)置或外置電容充放電的模式工作，此類發(fā)明的主要缺點(diǎn)有:1、振蕩器電路出于功耗考慮，一般工作電壓需限制在5V以下，由于受到輸入電壓范圍的限制，振蕩器產(chǎn)生的斜坡信號(hào)的電壓范圍也相應(yīng)受到限制，基本被限制在5V以內(nèi)，無(wú)法在中高壓(5V以上)范圍應(yīng)用；2、普通張弛結(jié)構(gòu)的振蕩器由于內(nèi)部MOS管和電容受其工藝、溫度等因素影響較大，導(dǎo)致振蕩器的輸出頻率隨工藝、溫度等因素的影響變化較大，穩(wěn)定性較差；3、由于工作電壓需限制在5V以下，在許多高壓供電的場(chǎng)合必須需要額外加入降壓式的穩(wěn)壓結(jié)構(gòu)，例如加入LD0(Low Dropout Regulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)、內(nèi)部電壓源等結(jié)構(gòu)，這樣不僅增加了電路的復(fù)雜性，而且芯片面積和成本也較聞。
[0004]因此，有必要對(duì)現(xiàn)有振蕩器進(jìn)行改進(jìn)和創(chuàng)新。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種振蕩器，能提高振蕩器輸出頻率的穩(wěn)定性。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案:
一種振蕩器，其包括:斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊、窗口電壓設(shè)置模塊、比較模塊和邏輯控制模
塊；
所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊接收邏輯控制模塊產(chǎn)生的第一方波信號(hào)，并根據(jù)所述第一方波信號(hào)產(chǎn)生相同頻率的斜坡信號(hào)發(fā)送給比較模塊，并為窗口電壓設(shè)置模塊提供同步電流，所述窗口電壓設(shè)置模塊設(shè)定與所述斜坡信號(hào)進(jìn)行比較的高、低閾值電壓輸出給比較模塊；所述比較模塊將產(chǎn)生的斜坡信號(hào)與所述高、低閾值電壓進(jìn)行比較，產(chǎn)生與所述斜坡信號(hào)頻率一致的第一占空比的第二方波信號(hào)輸出給邏輯控制模塊；所述邏輯控制模塊將比較模塊產(chǎn)生的第一占空比的第二方波信號(hào)整形為第二占空比的第一方波信號(hào)輸出，并反饋給斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊控制斜坡信號(hào)的頻率，使斜坡信號(hào)的頻率與第一方波信號(hào)保持一致。
[0007]所述的振蕩器中，所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊包括第一分壓?jiǎn)卧?、等比例電流鏡單元、充放電控制單元、第一放大單元和充放電單元；
所述第一放大單元根據(jù)所述第一分壓?jiǎn)卧姆謮褐诞a(chǎn)生的電流由等比例電流鏡單元復(fù)制給充放電控制單元，并給窗口電壓設(shè)置模塊提供同步電流；所述充放電控制單元根據(jù)所述電流給充放電單元充電產(chǎn)生斜坡上升信號(hào)、及使第充放電單元放電產(chǎn)生斜坡下降信號(hào)，輸出給比較模塊。
[0008]所述的振蕩器中，所述等比例電流鏡單元包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管，第一 PMOS管的柵極、第二 PMOS管的柵極和第三PMOS管的柵極均連接所述第一放大單元中的第一 NMOS管的漏極，第一 PMOS管的源極、第二 PMOS管的源極和第三PMOS管的源極均連接VCC供電端，第一 PMOS管的漏極連接第一 NMOS管的漏極，第二 PMOS管的漏極連接第二 NMOS管的漏極、柵極和第三NMOS管的柵極，第二 NMOS管的源極、第三NMOS管的源極均接地，第三NMOS管的漏極連接所述充放電控制單元和窗口電壓設(shè)置模塊。
[0009]所述的振蕩器中，所述充放電控制單元包括第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四PMOS管的柵極、第五PMOS管的柵極、第四NMOS管的柵極和第五NMOS管的柵極連接邏輯控制模塊，第四PMOS管的源極和第五PMOS管的源極連接第三PMOS管的漏極，第四PMOS管的漏極接地,第五PMOS管的漏極和第五NMOS管的漏極均通過(guò)所述第一電容接地；所述第四NMOS管的漏極連接VCC供電端，第四NMOS管的源極和第五NMOS管的源極連接第三NMOS管漏極。
[0010]所述的振蕩器中，所述窗口電壓設(shè)置模塊包括第二分壓?jiǎn)卧?、第三分壓?jiǎn)卧?、第二放大單元、第一開關(guān)控制單元和第二開關(guān)控制單元，所述第二放大單元的第一輸入端連接所述第二分壓?jiǎn)卧?，第二放大單元的第二輸入端連接第三分壓?jiǎn)卧牡谝欢?，第二放大單元的輸出端連接第二開關(guān)控制單元，第三分壓?jiǎn)卧牡诙藶榇翱陔妷涸O(shè)置模塊的高電壓輸出端、連接比較模塊的高窗口電壓輸入端，第三分壓?jiǎn)卧牡谌藶榇翱陔妷涸O(shè)置模塊的低電壓輸出端、連接比較模塊的低窗口電壓輸入端和第二開關(guān)控制單兀，所述第一開關(guān)控制單元的控制端連接振蕩器的外部信號(hào)使能端，第一開關(guān)控制單元的源極端連接斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊，第一開關(guān)控制單元的的漏極端連接第三分壓?jiǎn)卧牡诙恕?br> [0011 ] 所述的振蕩器中，所述窗口電壓設(shè)置模塊還包括用于防止高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端之間的信號(hào)串?dāng)_的抗干擾單元，所述抗干擾單元串聯(lián)在比較模塊的高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端之間。
[0012]所述的振蕩器中，所述窗口電壓設(shè)置模塊還包括用于提高第二放大單元和第二開關(guān)控制單元的穩(wěn)定性的頻率補(bǔ)償單元，所述頻率補(bǔ)償單元串聯(lián)在第二放大單元的輸出端和第二開關(guān)控制單元的漏極端之間。
[0013]所述的振蕩器中，所述比較模塊包括第一比較器和第二比較器，所述第一比較器的正相輸入端為比較模塊的高窗口電壓輸入端、連接窗口電壓設(shè)置模塊的高電壓輸出端、第二比較器的正相輸入端為比較模塊的低窗口電壓輸入端、連接窗口電壓設(shè)置模塊的低電壓輸出端，第一比較器的反相輸入端和第二比較器的反相輸入端為比較模塊的斜坡信號(hào)輸入端、均連接斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊的第二輸出端，第一比較器的輸出端和第二比較器的輸出端均連接邏輯控制模塊。
[0014]所述的振蕩器中，所述邏輯控制模塊包括RS鎖存器、第一反相器和第二反相器，所述RS鎖存器的第一輸入端連接第一比較器的輸出端、RS鎖存器的第二輸入端連接第二比較器的輸出端，所述RS鎖存器的輸出端通過(guò)第一反相器連接第二反相器，所述第二反相器的輸出端為振蕩器的輸出端，該第二反相器的輸出端連接所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊。
[0015]本發(fā)明的另一目的在于提供一種電子終端，包括主板，在所述主板上設(shè)置有上述的振蕩器。
[0016]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的振蕩器，由所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊接收邏輯控制模塊產(chǎn)生的第一方波信號(hào)，并根據(jù)所述第一方波信號(hào)產(chǎn)生相同頻率的斜坡信號(hào)發(fā)送給比較模塊，并為窗口電壓設(shè)置模塊提供同步電流，所述窗口電壓設(shè)置模塊設(shè)定與所述斜坡信號(hào)進(jìn)行比較的高、低閾值電壓輸出給比較模塊；所述比較模塊將產(chǎn)生的斜坡信號(hào)與所述高、低閾值電壓進(jìn)行比較，產(chǎn)生與所述斜坡信號(hào)頻率一致的第一占空比的第二方波信號(hào)輸出給邏輯控制模塊；所述邏輯控制模塊將比較模塊產(chǎn)生的第一占空比的第二方波信號(hào)整形為第二占空比的第一方波信號(hào)輸出，并反饋給斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊控制斜坡信號(hào)的頻率，使斜坡信號(hào)的頻率與第一方波信號(hào)保持一致，從而提高了振蕩器輸出頻率的穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0018]圖2為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例的電路原理圖。
[0019]圖3為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊的結(jié)構(gòu)框圖。
[0020]圖4為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊的電路圖。
[0021]圖5為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中窗口電壓設(shè)置模塊的結(jié)構(gòu)框圖。
[0022]圖6為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中窗口電壓設(shè)置模塊的電路圖。
[0023]圖7為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中比較模塊和邏輯控制模塊的電路圖。
[0024]圖8為本發(fā)明提供的振蕩器的應(yīng)用實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]本發(fā)明提供的振蕩器可以適用于任何需要振蕩器的集成電路系統(tǒng)上，尤其針對(duì)PWM調(diào)制系統(tǒng)、鎖相環(huán)系統(tǒng)、ADC (Analog-to-Digital Converter，模數(shù)轉(zhuǎn)換)系統(tǒng)、DC-DC(DC-DC converter,直流電壓變換)系統(tǒng)、LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等等,本發(fā)明也適用于集成電路以外的任何需要振蕩器的電子系統(tǒng)。
[0026]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0027]本發(fā)明提供的振蕩器是一種不受工作電壓限制、輸出頻率穩(wěn)定性高、輸出斜坡信號(hào)電壓范圍寬、且可以通過(guò)多種方式調(diào)節(jié)設(shè)定的振蕩器。在普通CMOS (ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝或BCD工藝(Bipolar、CMOS、DMOS,稱為BCD工藝，是一種單片集成工藝技術(shù))條件下，振蕩器不需外加電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上可以做到寬范圍電壓輸入及輸出，同時(shí)設(shè)計(jì)了獨(dú)特的同步電流結(jié)構(gòu)和窗口電壓中心值反饋結(jié)構(gòu)提聞了振蕩器的穩(wěn)定性。
[0028]請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。如圖1所示，本發(fā)明提供的振蕩器包括:斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10、窗口電壓設(shè)置模塊20、比較模塊30和邏輯控制模塊40。[0029]其中，所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10的輸入端連接邏輯控制模塊40的輸出端，斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10的第一輸出端通過(guò)窗口電壓設(shè)置模塊20連接比較模塊30的高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端、斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10的第二輸出端連接比較模塊30的斜坡信號(hào)輸入端。所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10用于接收邏輯控制模塊40產(chǎn)生的第一方波信號(hào)，并根據(jù)所述第一方波信號(hào)控制其內(nèi)部的電容充放電，產(chǎn)生與第一方波信號(hào)相同頻率的斜坡信號(hào)發(fā)送給比較模塊30，并為窗口電壓設(shè)置模塊20提供同步電流。
[0030]所述窗口電壓設(shè)置模塊20設(shè)定與所述斜坡信號(hào)進(jìn)行比較的高、低閾值電壓輸出給比較模塊30，通過(guò)窗口電壓設(shè)置模塊20設(shè)置此高、低閾值電壓來(lái)確定斜坡信號(hào)的高低點(diǎn)電壓。
[0031]所述比較模塊30的輸出端連接邏輯控制模塊40的輸入端，用于將產(chǎn)生的斜坡信號(hào)與所述高、低閾值電壓進(jìn)行比較，產(chǎn)生與所述斜坡信號(hào)頻率一致的第一占空比的第二方波信號(hào)輸出給邏輯控制模塊40，通過(guò)邏輯控制模塊40將比較模塊30產(chǎn)生的第一占空比的第二方波信號(hào)整形為第二占空比的第一方波信號(hào)輸出，并反饋給斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10控制斜坡信號(hào)的頻率，使斜坡信號(hào)的頻率與第一方波信號(hào)保持一致。
[0032]本實(shí)施例中，所述第二方波信號(hào)的占空比為1%-3%，斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10在充電時(shí)輸出高電平，放電時(shí)輸出低電平，充電時(shí)間為斜坡信號(hào)的上升部分，放電時(shí)間為斜坡信號(hào)的下降部分，并且充電時(shí)間越長(zhǎng)，放電時(shí)間越短，該第二方波信號(hào)再通過(guò)邏輯控制模塊40整形為占空比為50%的第一方波信號(hào)輸出。
[0033]請(qǐng)一并參閱圖2，其為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例的電路原理圖。斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10包括充電電流產(chǎn)生部分OPA和第一電容Cl，其中，所述第一電容Cl為充電電容，由充電電流產(chǎn)生部分OPA產(chǎn)生的充電電流為Ichagre，此電流為第一電容Cl充電，在結(jié)點(diǎn)VlI產(chǎn)生斜坡上升信號(hào)，第一電容Cl停止充電時(shí)，第一電容Cl通過(guò)充電電流產(chǎn)生部分OPA內(nèi)的NMOS管對(duì)地放電,放電電流為Idischarge,產(chǎn)生斜坡下降信號(hào),第一電容Cl放電完畢后再由充電電流Icharge進(jìn)行充電，此過(guò)程不斷循環(huán)產(chǎn)生不間斷的斜坡信號(hào)。為保持斜坡信號(hào)的穩(wěn)定，還可在充電電流產(chǎn)生部分OPA的輸出部分加入一級(jí)緩沖跟隨器Buffer，使結(jié)點(diǎn)V13、V14的信號(hào)穩(wěn)定跟隨結(jié)點(diǎn)Vll的斜坡信號(hào)。其中，緩沖跟隨器Buffer可采用現(xiàn)有的緩沖跟隨器電路，只要能使信號(hào)穩(wěn)定跟隨即可，本發(fā)明對(duì)此不作詳述。
[0034]在斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10中，充電電流產(chǎn)生部分OPA產(chǎn)生的充電電流Icharge還為窗口電壓設(shè)置模塊20提供同步電流，窗口電壓設(shè)置模塊20產(chǎn)生高窗口電壓VH和低窗口電壓VL，通過(guò)比較模塊30將斜坡信號(hào)與高窗口電壓VH和低窗口電壓VL比較輸出第一占空比的第二方波信號(hào)，邏輯控制模塊40主要將該第二方波信號(hào)調(diào)整為占空比為50%的第一方波信號(hào)作為輸出信號(hào)0UT，同時(shí)將占空比為50%的輸出信號(hào)OUT反饋至斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10的充電電流產(chǎn)生部分OPA控制充電電流Icharge和放電電流Idischarge的時(shí)間點(diǎn)，完成斜坡信號(hào)的充放電過(guò)程的控制。本發(fā)明提供的振蕩器工作時(shí)處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，并且產(chǎn)生頻率恒定的斜坡信號(hào)和方波信號(hào)，從而提高了振蕩器輸出頻率的穩(wěn)定性。
[0035]請(qǐng)參閱圖3和圖4，其中，圖3為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊的結(jié)構(gòu)框圖。圖4為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊的電路圖。
[0036]如圖3和圖4所示，所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10還包括第一分壓?jiǎn)卧?01、等比例電流鏡單元102、充放電控制單元103、第一放大單元104和充放電單元105，其中，第一分壓?jiǎn)卧?01、等比例電流鏡單元102、充放電控制單元103、第一放大單元104構(gòu)成充電電流產(chǎn)生部分OPA。
[0037]所述第一分壓?jiǎn)卧?01、第一放大單元104、等比例電流鏡單元102、充放電控制單元103和充放電單元105依次連接；所述充放電控制單元103連接邏輯控制模塊40和比較模塊30的斜坡信號(hào)輸入端；所述等比例電流鏡單元102還連接所述窗口電壓設(shè)置模塊20。
[0038]所述第一放大單元104根據(jù)所述第一分壓?jiǎn)卧?01的分壓值產(chǎn)生的電流由等比例電流鏡單元102復(fù)制給充放電控制單元103，并給窗口電壓設(shè)置模塊20提供同步電流；所述充放電控制單元103根據(jù)所述電流給充放電單元105充電產(chǎn)生斜坡上升信號(hào)、及使充放電單元105放電產(chǎn)生斜坡下降信號(hào)，輸出給比較模塊30的斜坡信號(hào)輸入端。
[0039]具體實(shí)施時(shí)，所述第一放大單元104包括第一運(yùn)算放大器0P11、第一電阻Rl和第一 NMOS管匪21。所述第一運(yùn)算放大器OPll的正相輸入端通過(guò)第二電阻R2連接VCC供電端(即輸入電壓VCC)、還通過(guò)第三電阻R3接地，所述第一 NMOS管匪21的反相輸入端連接第一 NMOS管匪21的源極、還通過(guò)第一電阻Rl接地，所述第一運(yùn)算放大器OPll的輸出端連接第一 NMOS管NM21的柵極。
[0040]所述等比例電流鏡單元102包括第一 PMOS管PM21、第二 PMOS管PM22、第三PMOS管PM23、第二 NMOS管匪22和第三NMOS管匪23，第一運(yùn)算放大器OPll根據(jù)所述第一分壓?jiǎn)卧?01的分壓值產(chǎn)生的電流121，通過(guò)等比例電流鏡單元102將第一運(yùn)算放大器OPll產(chǎn)生的電流復(fù)制為兩路，一路為122流入第二 PMOS管PM22、另一路為123流入第三PMOS管PM23。
[0041]其中，第一 PMOS管PM21的柵極、第二 PMOS管PM22的柵極和第三PMOS管PM23的柵極均連接第一 NMOS管NM21的漏極，第一 PMOS管PM21的源極、第二 PMOS管PM22的源極和第三PMOS管PM23的源極均連接VCC供電端，第一 PMOS管PM21的漏極連接第一 NMOS管NM21的漏極，第二 PMOS管PM22的漏極連接第二 NMOS管NM22的漏極、柵極和第三NMOS管NM23的柵極，第二 NMOS管NM22的源極、第三NMOS管NM23的源極均接地，第三NMOS管NM23的漏極連接所述充放電控制單元103和窗口電壓設(shè)置模塊20，為充放電控制單元103提供充電電流，并同步為窗口電壓設(shè)置模塊20提供同步電流Icharge。
[0042]所述充放電控制單元103包括第四PMOS管PM24、第五PMOS管PM25、第四NMOS管NM24和第五NMOS管NM25，由四PMOS管、第五PMOS管PM25、第四NMOS管NM24和第五NMOS管匪25,該充放電控制單兀103根據(jù)邏輯控制模塊40輸出第一方波信號(hào)控制第一電容Cl充放電。
[0043]其中，所述第四PMOS管PM24的柵極、第五PMOS管PM25的柵極、第四NMOS管NM24的柵極和第五NMOS管匪25的柵極連接邏輯控制模塊40，第四PMOS管PM24的源極和第五PMOS管PM25的源極連接第三PMOS管PM23的漏極，第四PMOS管PM24的漏極接地，第五PMOS管PM25的漏極和第五NMOS管匪25的漏極均通過(guò)所述第一電容Cl接地、還連接比較模塊30的斜坡信號(hào)輸入端；所述第四NMOS管匪24的漏極連接VCC供電端，第四NMOS管匪24的源極和第五NMOS管匪25的源極連接第三NMOS管匪23漏極。
[0044]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2至圖4，在斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10中，VCC供電端的電壓通過(guò)第二電阻R2和第三電阻R3的阻值比分壓產(chǎn)生，即VCCXR3/(R2+R3)提供給第一運(yùn)算放大器OPll正相輸入端VP，因此，本發(fā)明可以通過(guò)設(shè)置第二電阻R2和第三電阻R3的阻值比例，使得當(dāng)VCC供電端滿幅輸入時(shí)第一運(yùn)算放大器OPll仍然可以正常工作，從而使振蕩器不受工作電壓限制且輸出斜坡信號(hào)也滿足寬電壓范圍，實(shí)現(xiàn)了寬電壓范圍輸入及輸出，同時(shí)系統(tǒng)在低壓工作時(shí)也可以保持低功耗。
[0045]所述第一運(yùn)算放大器OPll和第一 NMOS管匪21構(gòu)成跟隨器，第一 NMOS管匪21的源極電壓反饋至第一運(yùn)算放大器OPll的反相輸入端，使第一運(yùn)算放大器OPll正常工作時(shí)，兩個(gè)輸入端的電壓VP和VN近似相等，即VP=VN,則第一電阻Rl這一路的電流為:VN/Rl，gpI21=VCCXR3/R1(R2+R3)。
[0046]由于等比例電流鏡單元102將第一運(yùn)算放大器OPll的輸出電流復(fù)制為兩路，即電流122和E23，因此電流122和E23只跟輸入電壓VCC相關(guān)(即VCC供電端的電壓)，通過(guò)設(shè)置第二電阻R2和第三電阻R3的阻值比，使VP點(diǎn)的電壓始終滿足第一運(yùn)算放大器OPll的共模輸入范圍，此時(shí)，即使VCC滿幅輸入,振蕩器也處于正常工作狀態(tài)，故實(shí)現(xiàn)不受輸入電壓范圍限制。
[0047]在充放電控制單元103中，信號(hào)EN21和信號(hào)EN22為邏輯控制模塊40提供，且兩者為反相的方波信號(hào)，即當(dāng)信號(hào)EN21為高電平時(shí)、信號(hào)EN22為低電平；當(dāng)信號(hào)EN21為低電平時(shí)、信號(hào)EN22為高電平，并且振蕩頻率由邏輯控制模塊40輸出的第一方波信號(hào)決定。本實(shí)施施中，當(dāng)信號(hào)EN21為低電平、信號(hào)EN22為高電平時(shí)，第五PMOS管PM25和第四NMOS管NM24同時(shí)導(dǎo)通，電流Icharge由等比例電流鏡單元102復(fù)制的123=122=121決定，此時(shí)第四PMOS管PM24和第五NMOS管匪25截止，Icharge即123流進(jìn)第一電容Cl中為第一電容Cl充電，產(chǎn)生斜坡上升信號(hào)；當(dāng)信號(hào)EN21為高電平、信號(hào)EN22為低電平時(shí)，第四PMOS管PM24和第五NMOS管NM25同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)第五PMOS管PM25和第四NMOS管NM24截止，第一電容Cl中的電流經(jīng)由第五NMOS管匪25對(duì)地放電，產(chǎn)生斜坡下降信號(hào)，并且將產(chǎn)生斜坡上升信號(hào)和產(chǎn)生斜坡下降信號(hào)輸出給比較模塊30。
[0048]請(qǐng)參閱圖1、圖2、圖5和圖6，其中，圖5為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中窗口電壓設(shè)置模塊20的結(jié)構(gòu)框圖。圖6為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中窗口電壓設(shè)置模塊20的電路圖。
[0049]如圖1、圖2、圖5和圖6所不，所述窗口電壓設(shè)置模塊20包括第二分壓?jiǎn)呜?01、第三分壓?jiǎn)卧?02、第二放大單元203、第一開關(guān)控制單元204和第二開關(guān)控制單元205，所述第二開關(guān)控制單元203的第一輸入端連接所述第二分壓?jiǎn)卧?01，第二開關(guān)控制單元203的第二輸入端連接第三分壓?jiǎn)卧?02的第一端I，第二放大單元203的輸出端連接第二開關(guān)控制單元205，第三分壓?jiǎn)卧?02的第二端2為窗口電壓設(shè)置模塊20的高電壓輸出端VH'、連接比較模塊30的高窗口電壓輸入端，第三分壓?jiǎn)卧?02的第三端3為窗口電壓設(shè)置模塊20的低電壓輸出端VL'、連接比較模塊30的低窗口電壓輸入端第二開關(guān)控制單元205。
[0050]所述第一開關(guān)控制單元204的控制端G連接振蕩器的外部信號(hào)使能端ENABLE，第一開關(guān)控制單元204的源極端S連接斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10的同步電流Icharge的輸出端(如圖4所示的第三PMOS管PM23的漏極)，第一開關(guān)控制單元204的漏極端D連接第三分壓?jiǎn)卧?02的第二端。
[0051]具體實(shí)施時(shí)，所述第二放大單元203包括第二運(yùn)算放大器0P12，第一開關(guān)控制單元205包括第六NMOS管匪26，所述第二開關(guān)控制單元包括開關(guān)管PM26。其中，所述開關(guān)管PM26為PMOS管，其柵極為第一開關(guān)控制單元204的控制端、漏極為第一開關(guān)控制單元204的漏極端、源極為第一開關(guān)控制單元204的源極端，由斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10提供產(chǎn)生的同步電流為開關(guān)管PM26的源極提供高電位，所述第二運(yùn)算放大器OP12和第六NMOS管匪26構(gòu)成反饋結(jié)構(gòu)，將穩(wěn)定跟隨第二運(yùn)算放大器0P12的反相輸入端的電壓。
[0052]所述第二分壓?jiǎn)卧?01包括第四電阻R4和第五電阻R5，第四電阻R4的一端連接VCC供電端、另一端連接第二運(yùn)算放大器0P12的正相輸入端、還通過(guò)第五電阻R5接地，所述第二運(yùn)算放大器0P12的反相輸入端連接第三分壓?jiǎn)卧?02的第一端I，第二運(yùn)算放大器0P12的輸出端連接第六NMOS管匪26的柵極。所述第三分壓?jiǎn)卧?02包括第六電阻R6和第七電阻R7，第六電阻R6的一端為第三分壓?jiǎn)卧?02的第二端2、連接開關(guān)管PM26的漏極和比較模塊30的高窗口電壓輸入端，第六電阻的另一端為第三分壓?jiǎn)呜?02的第一端1、連接第二運(yùn)算放大器0P12的反正輸入端和第七電阻的一端，第七電阻的另一端為第三分壓?jiǎn)卧?02的第三端3、連接第六NMOS管匪26的漏極管比較模塊30的低窗口電壓輸入端。
[0053]在窗口電壓設(shè)置模塊20中，VCC供電端的電壓(即輸入電壓VCC)通過(guò)第四電阻R4和第五電阻R5分壓得到Vref=VCCX R5/ (R4+R5)，結(jié)點(diǎn)電壓VM通過(guò)反饋結(jié)構(gòu)將Vref穩(wěn)定跟隨，故結(jié)點(diǎn)電壓Vref作為窗口電壓設(shè)置模塊20的中間電壓值。開關(guān)管PM26源極同步斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10中的電流I charge，通過(guò)第六電阻R6和第七電阻R7(R6=R7)的分壓得到VH=Vref+Icharge X R6 和 VL=Vref-1charge X R6,使窗 口 電壓范圍為 Vref 土 Icharge X R6。
[0054]為降低靜態(tài)功耗，采用PMOS管作為開關(guān)管PM26來(lái)控制系統(tǒng)的工作狀態(tài)，當(dāng)ENABLE信號(hào)(該ENABLE信號(hào)由振蕩器的外部電路提供，可以是振蕩器的使能信號(hào)，起到類似于開關(guān)的作用)為低電平時(shí)開關(guān)管PM26導(dǎo)通，Icharge電流經(jīng)開關(guān)管PM26流入，使窗口電壓設(shè)置模塊20正常工作，當(dāng)ENABLE信號(hào)為高電平時(shí)開關(guān)管PM26截止，Icharge電流無(wú)法流入，窗口電壓設(shè)置模塊20處于靜態(tài)待機(jī)狀態(tài)，此時(shí)振蕩器的功耗為零。
[0055]在該窗口電壓設(shè)置模塊20中，由第二運(yùn)算放大器0P12和第六NMOS管匪26構(gòu)成的反饋結(jié)構(gòu)，可提高振蕩器的穩(wěn)定性，防止中間VM受到電源抖動(dòng)、溫度變化、工藝偏差等影響。第二運(yùn)算放大器0P12的正相輸入端由輸入電壓VCC通過(guò)第四電阻R4和第五電阻R5分壓得到，VM電壓通過(guò)此反饋結(jié)構(gòu)穩(wěn)定跟隨Vref電壓值。
[0056]當(dāng)溫度、工藝發(fā)生變化時(shí)，振蕩器內(nèi)部的MOS管、電容、電阻會(huì)發(fā)生變化導(dǎo)致Icharge變化，本發(fā)明設(shè)置同步電流I charge，其目的是使高、低窗口閾值電壓VH、VL都與Icharge產(chǎn)生關(guān)系，而斜坡信號(hào)也由Icharge對(duì)第一電容Cl充放電產(chǎn)生，因此，此同步電流使得Icharge對(duì)二者變化一致，從而對(duì)溫度、工藝等因素的影響降到最低，實(shí)現(xiàn)了振蕩器輸出頻率穩(wěn)定。
[0057]優(yōu)選地，在所述在比較模塊30的高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端之間串聯(lián)有抗干擾單兀206,用于用于防止高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端之間的信號(hào)串?dāng)_，進(jìn)一步提高振蕩器輸出頻率的穩(wěn)定性。其中，所述抗干擾單元206包括第二電容C2，所述第二電容C2的一端連接比較模塊30的高窗口電壓輸入端和第六電阻R6的一端,第二電容C2的另一端連接比較模塊30的低窗口電壓輸入端和第七電阻的另一端。
[0058]為了進(jìn)一步提高反饋結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，所述窗口電壓設(shè)置模塊20還包括用于提高第二放大單元203和第二開關(guān)控制單元205的穩(wěn)定性的頻率補(bǔ)償單元207，所述頻率補(bǔ)償單元207在第二放大單元203的輸出端和第二開關(guān)控制單元205的漏極端D之間，也即串聯(lián)在第二運(yùn)算放大器0P12的輸出端和第六NMOS管匪26的漏極之間。其中，頻率補(bǔ)償單元207包括第三電容C3和第八電阻R8，所述第三電容C3的一端連接第二運(yùn)算放大器0P12的輸出端和第六NMOS的柵極，第三電容C3的另一端通過(guò)第八電阻R8第六NMOS的漏極、第七電阻的另一端和比較模塊30。即使Icharge、第六電阻R6和第七電阻R7受到溫度變化、工藝偏差等因素的影響，由于VM點(diǎn)電壓始終強(qiáng)烈跟隨Vref，故VM點(diǎn)電壓可以始終穩(wěn)定在Vref，為窗口電壓設(shè)置模塊20提供精準(zhǔn)的中間電壓值。
[0059]在窗口電壓設(shè)置模塊20中，同步電流Icharge僅與輸入電壓VCC相關(guān),而窗口電壓設(shè)置模塊20的高電壓輸出端VH'輸出的電壓為:VH=Vref+IChargeXR6，低電壓輸出端VL'輸出的電壓為=VL=Vref-1chargeXR6，因此，窗口電壓設(shè)置模塊20的工作都不受輸入電壓范圍的限制，高電壓輸出端的電壓VH最高可達(dá)VCC，最低VL可低至OV。而窗口電壓設(shè)置模塊20設(shè)置的最高電壓VH和最低電壓VL的電壓范圍決定了輸出斜坡信號(hào)的電壓范圍，故本發(fā)明的振蕩器不僅可以在低壓場(chǎng)合應(yīng)用，也可以適用于中高壓場(chǎng)合應(yīng)用，應(yīng)用范圍更加寬廣。
[0060]請(qǐng)參閱圖1、圖2和圖7，其中，圖7為本發(fā)明提供的振蕩器較佳實(shí)施例中比較模塊30和邏輯控制模塊40的電路圖。所述比較模塊30包括第一比較器0P43和第二比較器0P44，該第一比較器0P43和第二比較器0P44均采用高分辨率的比較器。
[0061]所述第一比較器0P43的正相輸入端為比較模塊30的高窗口電壓輸入端、連接窗口電壓設(shè)置模塊20的高電壓輸出端，接入窗口高電壓信號(hào)；第二比較器0P44的正相輸入端為比較模塊30的低窗口電壓輸入端、連接窗口電壓設(shè)置模塊20的低電壓輸出端,接入窗口低電壓信號(hào)；第一比較器0P43的反相輸入端和第二比較器0P44的反相輸入端為比較模塊30的斜坡信號(hào)輸入端、均連接斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10的第二輸出端(具體連接第五NMOS管匪25的漏極)，接入斜坡信號(hào)；第一比較器0P43的輸出端和第二比較器0P44的輸出端均連接邏輯控制模塊40。當(dāng)斜坡上升信號(hào)達(dá)到VH時(shí)，引起第一比較器0P43輸出端翻轉(zhuǎn)，當(dāng)斜坡下降信號(hào)達(dá)到VL時(shí)，引起第二比較器0P44翻轉(zhuǎn)，通過(guò)兩個(gè)比較器產(chǎn)生兩個(gè)反相的低占空比的方波信號(hào)。
[0062]所述邏輯控制模塊40包括RS鎖存器RS1、第一反相器0P45和第二反相器0P46，所述RS鎖存器RSl的第一輸入端SI連接第一比較器0P43的輸出端、RS鎖存器RSl的第二輸入端S2連接第二比較器0P44的輸出端，所述RS鎖存器RSl的輸出端通過(guò)第一反相器0P45連接第二反相器0P46，所述第二反相器0P46的輸出端為振蕩器的輸出端，該第二反相器0P46的輸出端連接所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊10，通過(guò)該RS鎖存器RS1、第一反相器0P45和第二反相器0P46將低占空比的第二方波信號(hào)整形成占空比為50%的第一方波信號(hào)。
[0063]本發(fā)明提供的振蕩器的輸出頻率與Icharge、第一電容的大小、窗口電壓范圍VH和VL因素相關(guān)，因此振蕩器可以通過(guò)這三種參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出頻率的的設(shè)定，它可運(yùn)用到需要振蕩器的任何電子設(shè)備上。因此本發(fā)明實(shí)施例還相應(yīng)提供一種電子終端，其包括主板，在所述主板上設(shè)置有振蕩器，由于上文已對(duì)該振蕩器進(jìn)行了詳細(xì)詳述，此處不再贅述。
[0064]為了更好的理解本發(fā)明，以下舉一應(yīng)用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的振蕩器和電子終端作詳細(xì)說(shuō)明:
請(qǐng)參閱圖8，其為本發(fā)明提供的振蕩器的應(yīng)用實(shí)施例的示意圖。圖8所示的系統(tǒng)為D類音頻功放系統(tǒng)，驅(qū)動(dòng)模組由高側(cè)驅(qū)動(dòng)管匪51和低側(cè)驅(qū)動(dòng)管匪52組成，用于驅(qū)動(dòng)經(jīng)調(diào)整的信號(hào)至負(fù)載；在該D類音頻功放系統(tǒng)中，由電感L51、第一濾波電容C51和第二 C52濾波電容組成濾波器，用于將方波信號(hào)還原為經(jīng)系統(tǒng)放大后的輸入信號(hào)，喇叭M51為實(shí)際負(fù)載；第一運(yùn)放0P51和第一積分電容C53構(gòu)成第一積分器、第二運(yùn)放0P52和第二積分電容C55構(gòu)成第二積分器，兩級(jí)積分器主要起信號(hào)放大作用；比較器0P53為PWM比較器，作用是將輸入級(jí)信號(hào)同振蕩器輸出的固定頻率的第一方波信號(hào)作比較，輸出占空比隨輸入信號(hào)變化的方波信號(hào)。
[0065]該D類音頻功放系統(tǒng)的工作原理為:第一運(yùn)放0P51的反相輸入端電壓Vbypass作為輸入信號(hào)，經(jīng)過(guò)兩級(jí)積分器接入比較器0P53的反相輸入端，本發(fā)明的振蕩器的輸出端作為固定頻率的第一方波信號(hào)接入比較器0P53的正相輸入端，通過(guò)PWM比較器輸出占空比變化的方波信號(hào)，經(jīng)過(guò)后級(jí)邏輯和驅(qū)動(dòng)部分反饋回第一運(yùn)放0P51正相輸入端，不斷與第一運(yùn)放0P51正相輸入端輸入信號(hào)做比較，及時(shí)調(diào)整系統(tǒng)輸出端的占空比，再經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)級(jí)輸出至負(fù)載，由此完成整個(gè)系統(tǒng)的工作過(guò)程，整個(gè)系統(tǒng)工作狀態(tài)下處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，實(shí)際上是輸出放大信號(hào)隨輸入信號(hào)不斷調(diào)整的系統(tǒng)。在該D類音頻功放系統(tǒng)中，振蕩器的工作電壓范圍和穩(wěn)定程度對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，本發(fā)明的振蕩器可以很好地滿足此應(yīng)用中的指標(biāo)。
[0066]另外，除此實(shí)施例外，本發(fā)明還適用于任何需要振蕩器的集成電路系統(tǒng)，例如PWM調(diào)制系統(tǒng)、鎖相環(huán)系統(tǒng)、數(shù)模混合系統(tǒng)等。
[0067]綜上所述，本發(fā)明提供的振蕩器和電子終端，在振蕩器中斜坡信號(hào)的頻率與第一方波信號(hào)保持一致，使第一方波信號(hào)的頻率隨斜坡信號(hào)的頻率變化，從而提高了振蕩器輸出頻率的穩(wěn)定性。
[0068]另夕卜，由于窗口電壓設(shè)置模塊與第一電容的充電電流均由輸入電壓VCC提供,輸入電壓VCC可達(dá)到滿幅輸入，整個(gè)振蕩器的工作不受工作電壓限制且輸出斜坡信號(hào)也可以滿足寬電壓范圍，實(shí)現(xiàn)了寬電壓范圍輸入及輸出，在普通CMOS工藝或BCD工藝條件下，振蕩器的工作不受工作電壓范圍限制，特別是當(dāng)?shù)陀?V供電時(shí)同樣實(shí)現(xiàn)低功耗，實(shí)現(xiàn)了振蕩器工作電壓高低壓兼容且未增加額外功耗。
[0069]同時(shí)，由于設(shè)置了同步電流和由第二運(yùn)算放大器和第六NMOS管構(gòu)成的反饋結(jié)構(gòu)，穩(wěn)定了窗口電壓設(shè)置模塊的中心電壓值，避免了振蕩器內(nèi)部的MOS管、電容、電阻等器件受到工藝、溫度等因素變化所影響，使振蕩器輸出頻率隨工藝、溫度偏差變化極小。
[0070]而且，本發(fā)明還可以通過(guò)調(diào)整Charge、第一電容的大小、窗口電壓范圍VH和VL等方式來(lái)調(diào)整斜坡信號(hào)的電壓范圍和振蕩器的輸出頻率，使得振蕩器的輸出頻率調(diào)節(jié)簡(jiǎn)便，使振蕩器可應(yīng)用于各種頻率的振蕩器的電子終端。
[0071]可以理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種振蕩器，其特征在于，包括:斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊、窗口電壓設(shè)置模塊、比較模塊和邏輯控制模塊；所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊接收邏輯控制模塊產(chǎn)生的第一方波信號(hào)，并根據(jù)所述第一方波信號(hào)產(chǎn)生相同頻率的斜坡信號(hào)發(fā)送給比較模塊，并為窗口電壓設(shè)置模塊提供同步電流，所述窗口電壓設(shè)置模塊設(shè)定與所述斜坡信號(hào)進(jìn)行比較的高、低閾值電壓輸出給比較模塊；所述比較模塊將產(chǎn)生的斜坡信號(hào)與所述高、低閾值電壓進(jìn)行比較，產(chǎn)生與所述斜坡信號(hào)頻率一致的第一占空比的第二方波信號(hào)輸出給邏輯控制模塊；所述邏輯控制模塊將比較模塊產(chǎn)生的第一占空比的第二方波信號(hào)整形為第二占空比的第一方波信號(hào)輸出，并反饋給斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊控制斜坡信號(hào)的頻率，使斜坡信號(hào)的頻率與第一方波信號(hào)保持一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊包括第一分壓?jiǎn)卧?、等比例電流鏡單元、充放電控制單元、第一放大單元和充放電單元，所述第一分壓?jiǎn)卧?、第一放大單元? 所述第一放大單元根據(jù)所述第一分壓?jiǎn)卧姆謮褐诞a(chǎn)生的電流由等比例電流鏡單元復(fù)制給充放電控制單元，并給窗口電壓設(shè)置模塊提供同步電流；所述充放電控制單元根據(jù)所述電流給充放電單元充電產(chǎn)生斜坡上升信號(hào)、及使充放電單元放電產(chǎn)生斜坡下降信號(hào)，輸出給比較模塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩器，其特征在于，所述等比例電流鏡單元包括第一PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管，第一 PMOS管的柵極、第二 PMOS管的柵極和第三PMOS管的柵極均連接所述第一放大單元中的第一 NMOS管的漏極，第一PMOS管的源極、第二 PMOS管的源極和第三PMOS管的源極均連接VCC供電端，第一 PMOS管的漏極連接第一 NMOS管的漏極，第二 PMOS管的漏極連接第二 NMOS管的漏極、柵極和第三NMOS管的柵極，第二 NMOS管的源極、第三NMOS管的源極均接地，第三NMOS管的漏極連接所述充放電控制單元和窗口電壓設(shè)置模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振蕩器，其特征在于，所述充放電控制單元包括第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四PMOS管的柵極、第五PMOS管的柵極、第四NMOS管的柵極和第五NMOS管的柵極連接邏輯控制模塊，第四PMOS管的源極和第五PMOS管的源極連接第三PMOS管的漏極，第四PMOS管的漏極接地，第五PMOS管的漏極和第五NMOS管的漏極均通過(guò)所述第一電容接地；所述第四NMOS管的漏極連接VCC供電端，第四NMOS管的源極和第五NMOS管的源極連接第三NMOS管漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述窗口電壓設(shè)置模塊包括第二分壓?jiǎn)卧⒌谌謮簡(jiǎn)卧?、第二放大單元、第一開關(guān)控制單元和第二開關(guān)控制單元，所述第二放大單元的第一輸入端連接所述第二分壓?jiǎn)卧诙糯髥卧牡诙斎攵诉B接第三分壓?jiǎn)卧牡谝欢?，第二放大單元的輸出端連接第二開關(guān)控制單元，第三分壓?jiǎn)卧牡诙藶榇翱陔妷涸O(shè)置模塊的高電壓輸出端、連接比較模塊的高窗口電壓輸入端，第三分壓?jiǎn)卧牡谌藶榇翱陔妷涸O(shè)置模塊的低電壓輸出端、連接比較模塊的低窗口電壓輸入端和第二開關(guān)控制單元，所述第一開關(guān)控制單元的控制端連接振蕩器的外部信號(hào)使能端，第一開關(guān)控制單元的源極端連接斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊，第一開關(guān)控制單元的的漏極端連接第三分壓?jiǎn)卧腁-Ap ~.上山弟一觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的振蕩器，其特征在于，所述窗口電壓設(shè)置模塊還包括用于防止高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端之間的信號(hào)串?dāng)_的抗干擾單元，所述抗干擾單元串聯(lián)在比較模塊的高窗口電壓輸入端和低窗口電壓輸入端之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的振蕩器，其特征在于，所述窗口電壓設(shè)置模塊還包括用于提高第二放大單元和第二開關(guān)控制單元的穩(wěn)定性的頻率補(bǔ)償單元，所述頻率補(bǔ)償單元串聯(lián)在第二放大單元的輸出端和第二開關(guān)控制單元的漏極端之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述比較模塊包括第一比較器和第二比較器，所述第一比較器的正相輸入端為比較模塊的高窗口電壓輸入端、連接窗口電壓設(shè)置模塊的高電壓輸出端、第二比較器的正相輸入端為比較模塊的低窗口電壓輸入端、連接窗口電壓設(shè)置模塊的低電壓輸出端，第一比較器的反相輸入端和第二比較器的反相輸入端為比較模塊的斜坡信號(hào)輸入端、均連接斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊的第二輸出端，第一比較器的輸出端和第二比較器的輸出端均連接邏輯控制模塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的振蕩器，其特征在于，所述邏輯控制模塊包括RS鎖存器、第一反相器和第二反相器，所述RS鎖存器的第一輸入端連接第一比較器的輸出端、RS鎖存器的第二輸入端連接第二比較器的輸出端，所述RS鎖存器的輸出端通過(guò)第一反相器連接第二反相器，所述第二反相器的輸出端為振蕩器的輸出端，該第二反相器的輸出端連接所述斜坡信號(hào)產(chǎn)生模塊。
10.一種電子終端，其特征在于，包括主板，在所述主板上設(shè)置有如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的振蕩 器。
【文檔編號(hào)】H03L7/18GK103888137SQ201410099635
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年3月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月18日
【發(fā)明者】孫天奇, 陳璐, 楊智昌, 邵彥生 申請(qǐng)人:深圳創(chuàng)維－Rgb電子有限公司