用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路、應(yīng)用該電路的設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，包括輸入端、輸出端、低通濾波器、晶體三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、基極電阻以及晶體二極管。其中，所述晶體二極管用作開(kāi)關(guān)元件；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其漏極與源極之間電壓增大時(shí)，所述輸出端的輸出電壓保持恒定；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管用于控制該輸出電壓值的大小；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其處于飽和狀態(tài)時(shí)，所述輸出端的輸出電壓隨輸入電壓線性增大。在所述矯正電路的作用下，所述核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的搜索頻率隨著搜索電壓均勻變化，使所述核磁共振測(cè)場(chǎng)儀在搜索待測(cè)磁場(chǎng)時(shí)更精確、鎖定該待測(cè)磁場(chǎng)時(shí)更可靠。本申請(qǐng)還提供一種應(yīng)用該電路的設(shè)備。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路、應(yīng)用該電路的設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本申請(qǐng)涉及壓控振蕩器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路。本申請(qǐng)同時(shí)涉及一種壓控振蕩器以及一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀。
【背景技術(shù)】
[0002]壓控振蕩器(VCO,voltage-controlled oscillator)是指輸出頻率與輸入控制電壓有對(duì)應(yīng)關(guān)系的振蕩電路。壓控振蕩器是集成電路中非常重要的基本電路之一，被廣泛地應(yīng)用于各種電路當(dāng)中。振蕩頻率是衡量壓控振蕩器性能的主要參數(shù)之一，壓控振蕩器的振蕩頻率是由諧振電路中的電感和電容決定的，大多數(shù)情況下，壓控振蕩器中采用變?nèi)荻O管對(duì)壓控振蕩器的振蕩頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0003]變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)電容隨外加反向偏壓變化而變化的原理制成的半導(dǎo)體二極管。目前主要應(yīng)用于LC調(diào)諧電路、電子調(diào)諧、調(diào)幅、調(diào)頻、自動(dòng)頻率控制、RC濾波電路等，在倍頻器和變頻器中也都有應(yīng)用。并且變?nèi)荻O管具有調(diào)節(jié)容易、細(xì)度高、易于構(gòu)成自動(dòng)調(diào)諧系統(tǒng)等一系列優(yōu)點(diǎn)。
[0004]核磁共振測(cè)場(chǎng)儀是一種利用核磁共振原理測(cè)量磁場(chǎng)的儀器，包括壓控振蕩器和頻率搜索鎖定電路兩個(gè)部分；頻率搜索鎖定電路包括頻率搜索電路和頻率鎖定電路。頻率搜索電路的核心是鋸齒波發(fā)生器，將產(chǎn)生的鋸齒波電壓作為壓控振蕩器中變?nèi)荻O管的偏置電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)核磁共振信號(hào)的搜索；頻率鎖定電路用于將核磁共振信號(hào)鎖定；當(dāng)所述頻率搜索電路搜索到共振信號(hào)時(shí)，該頻率搜索電路斷開(kāi)，所述頻率鎖定電路將共振點(diǎn)鎖定。
[0005]利用現(xiàn)有技術(shù)提供的核磁共振測(cè)場(chǎng)儀在搜索以及鎖定共振信號(hào)時(shí)存在明顯缺陷。
[0006]首先，變?nèi)荻O管電容與偏置電壓之間具有非線性特性，變?nèi)荻O管的偏置電壓較小時(shí)，電容較大，且電容隨偏置電壓的變化率較大；偏置電壓較大時(shí)，電容及其變化率均隨之減小。
[0007]其次，正是由于變?nèi)荻O管電容與偏置電壓的非線性關(guān)系，使得壓控振蕩器的振蕩頻率不能隨變?nèi)荻O管的偏置電壓均勻變化，在壓控振蕩器的振蕩頻率達(dá)到共振頻率時(shí)，如果壓控振蕩器的振蕩頻率變化太快，就會(huì)導(dǎo)致頻率搜索電路無(wú)法鎖定共振點(diǎn)，給核磁共振測(cè)場(chǎng)儀搜索共振頻率以及鎖定共振點(diǎn)帶來(lái)困難。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題。本申請(qǐng)另外提供一種壓控振蕩器以及一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀。
[0009]本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，包括:輸入端、輸出端、低通濾波器、晶體三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、基極電阻以及晶體二極管；
[0010]其中，所述輸入端與低通濾波器的輸入側(cè)相連接，所述低通濾波器的輸出側(cè)與所述晶體三極管的發(fā)射極相連接；
[0011]所述晶體三極管的基極與基極電阻相連接，所述晶體三極管的集電極與第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連接，并且所述晶體三極管的集電極與輸出端相連接；
[0012]所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極與晶體三極管的發(fā)射極相連接，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和晶體三極管的集電極相連接，且所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與漏極短接；
[0013]所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極短接，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極與晶體二極管的陽(yáng)極相連接；
[0014]所述晶體二極管的陰極與所述基極電阻的另一端相連接；
[0015]晶體二極管用作開(kāi)關(guān)元件；
[0016]所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其漏極與源極之間電壓增大時(shí)，所述輸出端的輸出電壓保持恒定；以及
[0017]第一場(chǎng)效應(yīng)管用于控制該輸出電壓值的大?。?br>
[0018]所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其處于飽和狀態(tài)時(shí)，所述輸出端的輸出電壓隨輸入電壓線性增大。
[0019]可選的，所述低通濾波器包括濾波電容和電阻元件；
[0020]所述濾波電容的陽(yáng)極與所述電阻元件相連接，并且同時(shí)與所述低通濾波器的輸入側(cè)相連接，所述電阻元件的另外一端連接于所述低通濾波器的輸出側(cè)。
[0021]可選的，所述晶體三極管為PNP型晶體三極管。
[0022]可選的，所述PNP型晶體三極管選用型號(hào)為3CK4的PNP型晶體三極管。
[0023]可選的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0024]可選的，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管選用型號(hào)為3DJ6E的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0025]可選的，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0026]可選的，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管選用的型號(hào)為3DJ6G的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0027]本申請(qǐng)另外提供一種壓控振蕩器，包括:振蕩電路和上述的用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路；
[0028]其中，所述振蕩電路包括變?nèi)荻O管；
[0029]所述矯正電路的輸出端與所述變?nèi)荻O管的陰極相連接。
[0030]申請(qǐng)還提供一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀，其特征在于，包括:一種頻率自動(dòng)搜索鎖定電路和上述的一種壓控振蕩器。
[0031]可選的，所述頻率自動(dòng)搜索鎖定電路包括鋸齒波發(fā)生器；
[0032]所述鋸齒波發(fā)生器的輸出端與所述壓控振蕩器中矯正電路的輸入端相連接。
[0033]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0034]本申請(qǐng)一個(gè)方面提供了一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏置電壓特性的矯正電路，解決了現(xiàn)有技術(shù)核磁共振測(cè)場(chǎng)儀搜索以及鎖定共振信號(hào)時(shí)存在的困難；
[0035]另一方面，本申請(qǐng)所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，包括:輸入端、輸出端、低通濾波器、晶體三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、基極電阻以及晶體二極管；其中，所述輸入端與低通濾波器的輸入側(cè)相連接，所述低通濾波器的輸出側(cè)與所述晶體三極管的發(fā)射極相連接；所述晶體三極管的基極與基極電阻相連接，所述晶體三極管的集電極與第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連接，并且所述晶體三極管的集電極與輸出端相連接；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極與晶體三極管的發(fā)射極相連接，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和晶體三極管的集電極相連接，且所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與漏極短接；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極短接，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極與晶體二極管的陽(yáng)極相連接；所述晶體二極管的陰極與所述基極電阻的另一端相連接；晶體二極管用作開(kāi)關(guān)元件；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其漏極與源極之間電壓增大時(shí)，所述輸出端的輸出電壓保持恒定；第一場(chǎng)效應(yīng)管用于控制該輸出電壓值的大??；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其處于飽和狀態(tài)時(shí)，所述輸出端的輸出電壓隨輸入電壓線性增大。
[0036]所述矯正電路對(duì)加在壓控振蕩器當(dāng)中變?nèi)荻O管上的偏置電壓進(jìn)行調(diào)整，首先改變了核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的頻率自動(dòng)搜索鎖定電路的搜索電壓與搜索頻率(即:頻率自動(dòng)搜索電路當(dāng)中壓控振蕩器的振蕩頻率)之間的關(guān)系曲線，并且使所述頻率自動(dòng)搜索鎖定電路的搜索電壓與搜索頻率(即:頻率自動(dòng)搜索電路當(dāng)中壓控振蕩器的振蕩頻率)之間的關(guān)系曲線為近似線性曲線。其次，改變了壓控振蕩器使用手動(dòng)搜索時(shí)的輸入電壓與搜索頻率之間的關(guān)系曲線，使壓控振蕩器手動(dòng)搜索頻率時(shí)的輸入電壓與搜索頻率之間呈現(xiàn)近似線性關(guān)系曲線，即使核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的搜索頻率隨輸入電壓均勻變化。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0037]圖1是本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的框圖；
[0038]圖2是本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的I/O示意圖；
[0039]圖3是本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N壓控振蕩器的電路框圖；
[0040]圖4是本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N壓控振蕩器輸入電壓與頻率關(guān)系曲線圖；
[0041]圖5是本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的框圖；
[0042]圖6是本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的波形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本申請(qǐng)。但是本申請(qǐng)能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本申請(qǐng)內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本申請(qǐng)不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0044]本申請(qǐng)中提供了一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路；除此之夕卜，本申請(qǐng)另外提供一種壓控振蕩器以及一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀。
[0045]一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路對(duì)應(yīng)的實(shí)施例如下:
[0046]參照?qǐng)D1一圖2，其示出了本實(shí)施例提供的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路。包括:
[0047]圖1是本實(shí)施例提供的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的框圖；
[0048]圖2是本實(shí)施例提供的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的I/O示意圖。
[0049]參照?qǐng)D1，其示出了本實(shí)施例提供的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的框圖。
[0050]該矯正電路由低通濾波器110、晶體三極管120、第一場(chǎng)效應(yīng)管130、第二場(chǎng)效應(yīng)管140、基極電阻150、晶體二極管160、輸入端170以及輸出端180構(gòu)成。
[0051]低通濾波器110用于對(duì)輸入端170輸入的輸入電壓VI進(jìn)行濾波。
[0052]所述低通濾波器110包括濾波電容111和電阻元件112。
[0053]所述濾波電容111的陽(yáng)極連接于所述電阻元件112的一端，陰極接地；
[0054]所述電阻元件112的一端與所述濾波電容111的陽(yáng)極同時(shí)連接于所述低通濾波器10的輸入側(cè)，所述電阻元件112的另一端連接于所述低通濾波器110的輸出側(cè)。
[0055]晶體三極管120用于提供隨輸入端170的輸入電壓VI成正比的電流。
[0056]所述晶體三極管120的發(fā)射極連接于上述低通濾波器110的輸出側(cè)，基極通過(guò)基極電阻150接地，集電極連接于第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極。
[0057]本實(shí)施例中，所述晶體三極管120為PNP型晶體三極管，并且選用型號(hào)為3CK4的PNP型晶體三極管。
[0058]第一場(chǎng)效應(yīng)管130用于向第二場(chǎng)效應(yīng)管140提供一個(gè)很小的恒定電流。
[0059]所述第一場(chǎng)效應(yīng)管130的源極、漏極并聯(lián)與所述晶體三極管120的發(fā)射極、集電極，并且該第一場(chǎng)效應(yīng)管130的柵極短接與漏極。
[0060]本實(shí)施例中，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并且選用型號(hào)為3DJ6E的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0061]第二場(chǎng)效應(yīng)管140用于提供輸出端180的輸出電壓V0。
[0062]輸出端180的輸出電壓VO從所述第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極接出，并且所述第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極連接于所述晶體三極管120的集電極，源極連接于晶體二極管160的陽(yáng)極，柵極端接于源極。
[0063]本實(shí)施例中，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，并且選用型號(hào)為3DJ6G的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0064]晶體二極管160用作開(kāi)關(guān)元件。
[0065]所述晶體二極管160的陽(yáng)極連接于所述第二場(chǎng)效應(yīng)管140的源極，陰極接地。
[0066]本實(shí)施例中，所述晶體二極管160選用型號(hào)為2CK2的晶體二極管。
[0067]參照?qǐng)D2，其示出了本實(shí)施例提供的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的i/o不意圖。
[0068]曲線LI為沒(méi)有上述矯正電路時(shí)輸入端170的輸入電壓VI與輸出端180的輸出電壓VO關(guān)系曲線，此時(shí)，輸出電壓VO即輸入電壓VI,即:輸入電壓VI與輸出電壓VO關(guān)系曲線LI為直線；
[0069]曲線L2為本實(shí)施例所述一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路輸入端170的輸入電壓VI與輸出端180的輸出電壓VO關(guān)系曲線；
[0070]當(dāng)輸入端170輸入電壓VI較小(0〈VI〈V1)時(shí)，晶體二極管160未導(dǎo)通，并且所述晶體二極管160呈現(xiàn)高阻值狀態(tài)，此時(shí)，該輸出電壓VO近似等于輸入電壓VI，就形成了區(qū)域I內(nèi)曲線L2的形狀；
[0071]當(dāng)輸入端170輸入電壓VI值處于Vl和V2中間(V1〈VI〈V2)時(shí)，隨著該輸入電壓VI的增大，晶體二極管160被導(dǎo)通，第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極、源極兩端的電壓UDS也隨之增大，隨著第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極、源極兩端的電壓UDS的增大，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管140內(nèi)部的導(dǎo)電溝道逐漸變寬，漏極、源極兩端的電流IDS的值增大，此時(shí)，輸出電壓VO增加緩慢，就形成了區(qū)域2內(nèi)曲線L2的形狀；
[0072]另外，第一場(chǎng)效應(yīng)管130此時(shí)的作用是向第二場(chǎng)效應(yīng)管140提供一個(gè)很小的恒定電流，對(duì)區(qū)域2中曲線L2的高度起調(diào)節(jié)作用；
[0073]當(dāng)輸入端170輸入電壓VI較大(V2〈VI)時(shí)，隨著該輸入電壓VI的繼續(xù)增大，第二場(chǎng)效應(yīng)管140處于飽和狀態(tài)，即隨著所述第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極、源極兩端的電壓UDS的增大，流經(jīng)所述第二場(chǎng)效應(yīng)管140的漏極、源極兩端的電流IDS的值保持不變，此時(shí)，所述輸出電壓VO隨輸入電壓VI線性變化，就形成了區(qū)域3內(nèi)曲線L2的形狀。
[0074]—種壓控振蕩器對(duì)應(yīng)的實(shí)施例如下:
[0075]參照?qǐng)D3—圖4，其示出了本實(shí)施例提供的一種壓控振蕩器。包括:
[0076]圖3是本實(shí)施例提供的一種壓控振蕩器的電路框圖；
[0077]圖4是本實(shí)施例提供的一種壓控振蕩器輸入電壓與頻率關(guān)系曲線圖。
[0078]參照?qǐng)D3，其示出了本實(shí)施例提供的一種壓控振蕩器的電路框圖。
[0079]該壓控振蕩器包括矯正電路100以及振蕩電路200。
[0080]矯正電路100，此處所述矯正電路100是指上述一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路對(duì)應(yīng)的實(shí)施例中所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路。
[0081]振蕩電路200，所述振蕩電路200包括變?nèi)荻O管210、輸入端220、探頭電感線圈230、檢波放大電路240、主振蕩電路250以及頻率測(cè)量電路260。
[0082]矯正電路100的詳細(xì)介紹可參考上述實(shí)施例。
[0083]本實(shí)施例中，所述矯正電路的輸入端170輸入電壓VI為所述壓控振蕩器的輸入電壓 VIO ；
[0084]所述矯正電路100輸出端180連接于所述振蕩電路200的輸入端220，所述振蕩電路200的輸入端220與所述變?nèi)荻O管210的陰極相連接，則所述矯正電路100輸出端180的輸出電壓VO即為所述振蕩電路200的輸入電壓；更進(jìn)一步，所述矯正電路100輸出端180的輸出電壓VO即為所述振蕩電路200當(dāng)中變?nèi)荻O管210的偏置電壓VR。
[0085]參照?qǐng)D4，其示出了本實(shí)施例提供的一種壓控振蕩器輸入電壓與頻率關(guān)系曲線圖。
[0086]圖4是壓控振蕩器(Oscillator)輸入端170的輸入電壓VIO與振蕩頻率(Oscillation Frequency) FO 之間的關(guān)系曲線圖。
[0087]其中，圖中虛線所代表的是壓控振蕩器輸入端170的輸入電壓VIO與振蕩頻率(Oscillation Frequency) FO實(shí)際數(shù)據(jù)描繪的曲線；
[0088]實(shí)線代表的是壓控振蕩器輸入端170的輸入電壓VIO與振蕩頻率FO之間的關(guān)系曲線經(jīng)過(guò)線性擬合形成的曲線，即:壓控振蕩器輸入端170的輸入電壓VIO與振蕩頻率FO之間為近似線性關(guān)系曲線。
[0089]一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀對(duì)應(yīng)的實(shí)施例如下:
[0090]參照?qǐng)D5—圖6，其示出了本實(shí)施例提供的一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀。
[0091]其中，圖5是本實(shí)施例提供的一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的框圖；
[0092]圖6是本實(shí)施例提供的一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的波形示意圖。[0093]參照?qǐng)D5，其示出了本實(shí)施提供的一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀的框圖。
[0094]本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N核磁共振測(cè)場(chǎng)儀包括頻率自動(dòng)搜索鎖定電路以及上述的一種壓控振蕩器。
[0095]所述核磁共振測(cè)場(chǎng)儀測(cè)量磁場(chǎng)可以使用自動(dòng)模式和手動(dòng)模式。自動(dòng)模式是將頻率自動(dòng)搜索鎖定電路產(chǎn)生的調(diào)節(jié)電壓作為壓控振蕩器變?nèi)荻O管的偏置電壓，實(shí)現(xiàn)頻率自動(dòng)搜索和鎖定；手動(dòng)模式是直接手動(dòng)調(diào)節(jié)可調(diào)電位器，將可調(diào)電位器上的調(diào)節(jié)電壓作為壓控振蕩器變?nèi)荻O管的偏置電壓。
[0096]所述頻率自動(dòng)搜索鎖定電路包括頻率自動(dòng)搜索電路和頻率自動(dòng)鎖定電路。
[0097]所述頻率自動(dòng)搜索電路的核心是鋸齒波發(fā)生器。所述鋸齒波發(fā)生器用于產(chǎn)生鋸齒波電壓，并將該鋸齒波電壓作為輸出電壓輸出；所述鋸齒波電壓的輸出端連接于所述壓控振蕩器的輸入端(即:壓控振蕩器中一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路的輸入端170);
[0098]所述頻率自動(dòng)鎖定電路用于鎖定共振點(diǎn)。
[0099]當(dāng)所述頻率自動(dòng)搜索電路的頻率到達(dá)被測(cè)磁場(chǎng)時(shí)，出現(xiàn)核磁共振信號(hào),此時(shí),頻率自動(dòng)搜索電路斷開(kāi)，不再搜索，頻率自動(dòng)鎖定電路開(kāi)始工作，將共振點(diǎn)(即:出現(xiàn)核磁共振信號(hào)的點(diǎn))鎖定。
[0100]本申請(qǐng)雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本申請(qǐng)，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本申請(qǐng)權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，包括: 輸入端、輸出端、低通濾波器、晶體三極管、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、基極電阻以及晶體二極管； 其中，所述輸入端與低通濾波器的輸入側(cè)相連接，所述低通濾波器的輸出側(cè)與所述晶體三極管的發(fā)射極相連接； 所述晶體三極管的基極與基極電阻相連接，所述晶體三極管的集電極與第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連接，并且所述晶體三極管的集電極與輸出端相連接； 所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極與晶體三極管的發(fā)射極相連接，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和晶體三極管的集電極相連接，且所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與漏極短接； 所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極短接，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極與晶體二極管的陽(yáng)極相連接； 所述晶體二極管的陰極與所述基極電阻的另一端相連接； 晶體二極管用作開(kāi)關(guān)元件； 所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其漏極與源極之間電壓增大時(shí)，所述輸出端的輸出電壓保持恒定；以及 第一場(chǎng)效應(yīng)管用于控制該輸出電壓值的大小； 所述第二場(chǎng)效應(yīng)管用于在其處于飽和狀態(tài)時(shí)，所述輸出端的輸出電壓隨輸入電壓線性增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述低通濾波器包括濾波電容和電阻元件； 所述濾波電容的陽(yáng)極與所述電阻元件相連接，并且同時(shí)與所述低通濾波器的輸入側(cè)相連接，所述電阻元件的另外一端連接于所述低通濾波器的輸出側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述晶體三極管為PNP型晶體三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述PNP型晶體三極管選用型號(hào)為3CK4的PNP型晶體三極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管選用型號(hào)為3DJ6E的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路，其特征在于，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管選用的型號(hào)為3DJ6G的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
9.一種壓控振蕩器，其特征在于，包括:振蕩電路和權(quán)利要求1至5任一所述的用于改善變?nèi)荻O管電容與偏壓特性的矯正電路； 其中，所述振蕩電路包括變?nèi)荻O管； 所述矯正電路的輸出端與所述變?nèi)荻O管的陰極相連接。
10.一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀，其特征在于，包括:一種頻率自動(dòng)搜索鎖定電路和權(quán)利要求9所述一種壓控振蕩器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種核磁共振測(cè)場(chǎng)儀，其特征在于，所述頻率自動(dòng)搜索鎖定電路包括鋸齒波發(fā)生器； 所述鋸齒波發(fā) 生器的輸出端與所述壓控振蕩器中矯正電路的輸入端相連接。
【文檔編號(hào)】H03B5/08GK103888078SQ201410107982
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月21日
【發(fā)明者】韓冰, 張鐘華, 賀青, 王少華, 王永瑞, 李正坤, 魯云峰 申請(qǐng)人:中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院