一種微波集成放大器電路及其制作方法【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種微波集成放大器電路及其制作方法，其中，所述微波集成放大器電路包括：氮化鎵高電子遷移率晶體管和與其連接的振蕩穩(wěn)定電路，其中，氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路具有同一襯底和在襯底上的同一外延結(jié)構(gòu)，且通過(guò)位于外延結(jié)構(gòu)中的隔離區(qū)進(jìn)行隔離。本發(fā)明的振蕩穩(wěn)定電路中的電阻和電容的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容且可以一同形成，這樣可以降低制作的復(fù)雜性，節(jié)約成本；此外，本發(fā)明不僅可以提高放大器電路的穩(wěn)定性，起到抑制振蕩的作用，而且還可以減小放大器電路的面積和成本，甚至可以降低后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)難度；另外，還可以避免引線電感的影響，從而有利于提高放大器電路的增益等性能?！緦?zhuān)利說(shuō)明】一種微波集成放大器電路及其制作方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明涉及微電子【
技術(shù)領(lǐng)域：
】，尤其涉及一種微波集成放大器電路及其制作方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]采用晶體管器件的微波放大器可以稱(chēng)為晶體管放大器。在晶體管器件中，基于氮化嫁（GaN)材料的高電子遷移率晶體管（HighElectronMobilityTransistor，簡(jiǎn)稱(chēng)HEMT)由于氮化鎵材料禁帶寬度大，因而具有電子飽和漂移速度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)熱性能好等特點(diǎn)，在高溫、高頻、高電壓和大功率的應(yīng)用方面有明顯的優(yōu)勢(shì)，在無(wú)線通訊及雷達(dá)系統(tǒng)應(yīng)用等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，近年來(lái)成為新的研究和應(yīng)用熱點(diǎn)。[0003]圖la是現(xiàn)有技術(shù)的晶體管放大器的電路示意圖。參見(jiàn)圖la，對(duì)于晶體管放大器A1，最大可用增益（MaximumAvailableGain，簡(jiǎn)稱(chēng)MAG)和最大穩(wěn)定增益（MaximumStableGain，簡(jiǎn)稱(chēng)MSG)是衡量其增益的兩個(gè)重要指標(biāo)。圖lb是圖la中的晶體管放大器的增益隨頻率變化的曲線圖，在頻率越低時(shí)晶體管放大器A1的增益越大，所以在低頻段晶體管放大器A1更易發(fā)生振蕩?；诘壊牧系奈⒉ǚ糯笃?，也存在圖lb所示的低頻振蕩的問(wèn)題。為了解決此問(wèn)題，參見(jiàn)圖lc，在PCB板（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）B2上的功率放大器模塊中，通常會(huì)在晶體管放大器A2的輸入端串聯(lián)一個(gè)由電阻R和電容C并聯(lián)構(gòu)成的振蕩穩(wěn)定電路B1。圖Id是圖lc中串聯(lián)振蕩穩(wěn)定電路后的晶體管放大器的增益隨頻率變化的曲線圖，由于振蕩穩(wěn)定電路B1對(duì)于低頻信號(hào)成為電阻狀態(tài)，對(duì)于高頻信號(hào)成為短路狀態(tài)，從而可以增加晶體管放大器A2的穩(wěn)定性。[0004]然而，在晶體管放大器A2外部的PCB板B2上使用振蕩穩(wěn)定電路B1也存在一些問(wèn)題，首先，振蕩穩(wěn)定電路B1所需的電子元件，如電阻R和電容C等，增加了功率放大器模塊的面積和成本，甚至增加了后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)和制作的難度；其次，晶體管放大器A2封裝時(shí)要使用引線與管殼相連，然后再與振蕩穩(wěn)定電路B1相連，引線相當(dāng)于電感，由于額外增加了電感，所以不利于放大器增益等性能的提高。[0005]為了解決上述問(wèn)題，常用的方法是把震蕩穩(wěn)定電路所需的電阻和電容制作在晶體管放大器內(nèi)部，其電阻一般采用摻雜法和薄膜淀積法來(lái)制作，電容多采用薄膜電容。但是目前該方法還不成熟，仍存在一些問(wèn)題，首先，摻雜法制作電阻一般采用離子注入法，工藝比較復(fù)雜，除了需要優(yōu)化注入條件外，還需要高溫退火來(lái)激活摻雜劑，不僅與氮化鎵高電子遷移率晶體管的工藝不兼容，還可能?chē)?yán)重降低其性能；其次，薄膜淀積法制作電阻需要專(zhuān)用的濺射設(shè)備和特殊的濺射材料，如TaN、NiCr或其它合金材料，與氮化鎵高電子遷移率晶體管的工藝也不兼容，增加了工藝復(fù)雜性和成本；第三，薄膜電容制作時(shí)需先淀積一層絕緣介質(zhì)層，再淀積一層導(dǎo)體作下電極，然后再淀積一層電介質(zhì)，最后再淀積頂層電極，對(duì)介質(zhì)的種類(lèi)和厚度要求比較高，與氮化鎵高電子遷移率晶體管的工藝也不兼容，需要單獨(dú)來(lái)制作，增加了工藝復(fù)雜性和成本?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種微波集成放大器電路及其制作方法。[0007]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種微波集成放大器電路，包括：[0008]氣化嫁1?電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路，其中，所述氣化嫁1?電子遷移率晶體管和所述振蕩穩(wěn)定電路具有同一襯底和位于所述襯底上的同一外延結(jié)構(gòu)，且通過(guò)位于所述外延結(jié)構(gòu)中的隔離區(qū)進(jìn)行隔離；[0009]所述外延結(jié)構(gòu)至少包括氮化物溝道層、位于所述氮化物溝道層上的氮化物勢(shì)壘層和位于所述氮化物溝道層和所述氮化物勢(shì)壘層的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道；[0010]所述氮化鎵高電子遷移率晶體管還包括柵極、源極和漏極，其中，所述柵極位于所述氮化物勢(shì)壘層上，所述源極和所述漏極與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸；[0011]所述振蕩穩(wěn)定電路還包括第一電極、第二電極和第三電極，所述第一電極和所述第二電極與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸，所述第三電極位于所述氮化物勢(shì)壘層上且與所述第二電極和所述柵極連接；[0012]其中，所述第一電極、所述第二電極和所述導(dǎo)電溝道形成電阻，所述第一電極、所述導(dǎo)電溝道、所述氮化物勢(shì)壘層和所述第三電極形成第一電容，并聯(lián)連接的至少一個(gè)所述電阻和所述第一電容對(duì)形成所述振蕩穩(wěn)定電路。[0013]進(jìn)一步地，所述振蕩穩(wěn)定電路還包括第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層位于所述氮化物勢(shì)壘層和所述第三電極之間；[0014]所述第一電極、所述導(dǎo)電溝道、所述氮化物勢(shì)壘層、所述第一介質(zhì)層和所述第三電極形成第二電容。[0015]進(jìn)一步地，所述振蕩穩(wěn)定電路還包括：第二介質(zhì)層和第四電極，所述第二介質(zhì)層位于所述第三電極上以及所述第一電極和所述第二電極之間且未被所述第三電極覆蓋的氮化物勢(shì)壘層上，所述第四電極位于所述第一電極和所述第二介質(zhì)層上；[0016]所述第三電極、所述第二介質(zhì)層和所述第四電極形成第三電容。[0017]進(jìn)一步地，所述隔離區(qū)用于隔離所述氮化鎵高電子遷移率晶體管中的導(dǎo)電溝道和所述振蕩穩(wěn)定電路中的導(dǎo)電溝道。[0018]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電溝道為二維電子氣。[0019]進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。[0020]進(jìn)一步地，所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極和所述第四電極的材料均為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。[0021]進(jìn)一步地，所述第二介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。[0022]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種微波集成放大器電路的制作方法，包括：[0023]在襯底上形成外延結(jié)構(gòu)，其中，所述外延結(jié)構(gòu)至少包括氮化物溝道層、位于所述氮化物溝道層上的氮化物勢(shì)壘層和位于所述氮化物溝道層和所述氮化物勢(shì)壘層的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道；[0024]在所述外延結(jié)構(gòu)中形成隔離區(qū)，以隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路；[0025]形成與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸的所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極、漏極和所述振蕩穩(wěn)定電路的第一電極、第二電極；[0026]在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與所述柵極連接的所述振蕩穩(wěn)定電路的第三電極，其中，所述第三電極與所述第二電極連接。[0027]進(jìn)一步地，形成與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸的所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極、漏極和所述振蕩穩(wěn)定電路的第一電極、第二電極之后，在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與所述柵極連接的所述振蕩穩(wěn)定電路的第三電極之前，還包括：[0028]在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述振蕩穩(wěn)定電路的第一介質(zhì)層。[0029]進(jìn)一步地，在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與所述柵極連接的所述振蕩穩(wěn)定電路的第三電極之后，還包括：[0030]在所述第三電極上以及所述第一電極和所述第二電極之間且未被所述第三電極覆蓋的氮化物勢(shì)壘層上形成第二介質(zhì)層；[0031]在所述第一電極和所述第二介質(zhì)層上形成第四電極。[0032]進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。[0033]進(jìn)一步地，所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極和所述第四電極的材料均為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。[0034]進(jìn)一步地，所述第二介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。[0035]進(jìn)一步地，所述隔離區(qū)通過(guò)對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子注入來(lái)形成；或者[0036]所述隔離區(qū)通過(guò)對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕來(lái)形成。[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供的微波集成放大器電路及其制作方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠產(chǎn)生的有益效果如下：[0038]1、設(shè)計(jì)和制作出了與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容的振蕩穩(wěn)定電路中的電阻，工藝簡(jiǎn)單，不需要離子注入和高溫退火，也不需要專(zhuān)用的濺射設(shè)備和特殊的濺射材料，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本；[0039]2、設(shè)計(jì)和制作出了與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容的振蕩穩(wěn)定電路中的電容，不需要單獨(dú)來(lái)制作，在制作氮化鎵高電子遷移率晶體管時(shí)可以一同形成該電容，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本；[0040]3、通過(guò)將氮化鎵高電子遷移率晶體管和與其工藝兼容的且具有同一外延結(jié)構(gòu)的振蕩穩(wěn)定電路集成在同一芯片中并形成微波集成放大電路，這樣在微波集成放大器電路外部的PCB板上就不用設(shè)置額外的振蕩穩(wěn)定電路，不僅可以提高放大器電路的穩(wěn)定性，起到抑制振蕩的作用，而且還可以大大減小放大器電路的面積和成本，甚至可以降低后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)難度；[0041]4、由于氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路直接在芯片內(nèi)部連接，還可以避免引線電感的影響，從而有利于提高放大器電路的增益等性能?！緦?zhuān)利附圖】【附圖說(shuō)明】[0042]圖la是現(xiàn)有技術(shù)的晶體管放大器的電路示意圖；[0043]圖lb是圖la中的晶體管放大器的增益隨頻率變化的曲線圖；[0044]圖lc是現(xiàn)有技術(shù)中振蕩穩(wěn)定電路與晶體管放大器串聯(lián)連接的電路不意圖；[0045]圖Id是圖lc中串聯(lián)振蕩穩(wěn)定電路后的晶體管放大器的增益隨頻率變化的曲線圖；[0046]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0047]圖2b是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)俯視示意圖；[0048]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0049]圖4a是本發(fā)明實(shí)施例一提供的微波集成放大器電路中的振蕩穩(wěn)定電路的電路示意圖；[0050]圖4b是圖4a的簡(jiǎn)化電路示意圖；[0051]圖5a是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0052]圖5b是本發(fā)明實(shí)施例二提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0053]圖5c是本發(fā)明實(shí)施例二提供的又一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0054]圖5d是本發(fā)明實(shí)施例二提供的再一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0055]圖6a是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0056]圖6b是本發(fā)明實(shí)施例三提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0057]圖7a是本發(fā)明實(shí)施例三提供的微波集成放大器電路中振蕩穩(wěn)定電路的電路示意圖；[0058]圖7b是圖7a的等效電路示意圖；[0059]圖8a是本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0060]圖8b是本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0061]圖8c是本發(fā)明實(shí)施例四提供的又一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0062]圖8d是本發(fā)明實(shí)施例四提供的再一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0063]圖9是本發(fā)明實(shí)施例五提供的微波集成放大器電路的制作方法的流程圖；[0064]圖10a_圖10d是本發(fā)明實(shí)施例五提供的微波集成放大器電路的制作方法的各階段的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0065]圖11是本發(fā)明實(shí)施例六提供的微波集成放大器電路的制作方法的流程圖；[0066]圖12a是圖11中步驟S505所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0067]圖12b是圖11中步驟S506所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】[0068]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。[0069]實(shí)施例一[0070]本發(fā)明實(shí)施例一提供一種微波集成放大器電路。圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖2a，所述微波集成放大器電路包括：氣化嫁1?電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20,其中，所述氣化嫁1?電子遷移率晶體管10和所述振蕩穩(wěn)定電路20具有同一襯底1和位于所述襯底上的同一外延結(jié)構(gòu)2,且通過(guò)位于所述外延結(jié)構(gòu)2中的隔離區(qū)31進(jìn)行隔離；所述外延結(jié)構(gòu)2至少包括氮化物溝道層2a、位于所述氮化物溝道層2a上的氮化物勢(shì)壘層2b和位于所述氮化物溝道層2a和所述氮化物勢(shì)壘層2b的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道2c;所述氮化鎵高電子遷移率晶體管10還包括柵極11、源極（在圖中未示出）和漏極（在圖中未示出），其中，所述柵極11位于所述氮化物勢(shì)壘層2b上，所述源極和所述漏極與所述導(dǎo)電溝道2c為歐姆接觸；所述振蕩穩(wěn)定電路20還包括第一電極21、第二電極22和第三電極23,所述第一電極21和所述第二電極22與所述導(dǎo)電溝道2c為歐姆接觸，所述第三電極23位于所述氮化物勢(shì)壘層2b上且與所述第二電極22和所述柵極11連接；其中，所述第一電極21、所述第二電極22和所述導(dǎo)電溝道2c形成電阻，所述第一電極21、所述導(dǎo)電溝道2c、所述氮化物勢(shì)壘層2b和所述第三電極23形成第一電容。并聯(lián)連接的至少一個(gè)所述電阻和所述第一電容對(duì)形成所述振蕩穩(wěn)定電路20。[0071]為了進(jìn)一步示出微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)，下面給出其結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖2b是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。參見(jiàn)圖2b，所述微波集成放大器電路由氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20構(gòu)成，其中，所述氮化鎵高電子遷移率晶體管10包括柵極11、源極12和漏極13;所述振蕩穩(wěn)定電路包括第一電極21、第二電極22(在圖2b中用虛框示出）和第三電極23,并且氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20之間的連接通過(guò)柵極11與第三電極23的連接來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，在氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20以外的空白區(qū)域?yàn)楦綦x區(qū)，用于使振蕩穩(wěn)定電路20與氣化嫁1?電子遷移率晶體管10或者其他電路相隔尚。[0072]需要說(shuō)明的是，在圖2a中的用于隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20的隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入的方式來(lái)形成的，該隔離區(qū)31屬于高阻區(qū)。圖2a中的微波集成放大器電路僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例。在本發(fā)明的另一個(gè)具體示例中，隔離區(qū)31還可以通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕的方式來(lái)形成。圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖3,通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕，得到溝槽，該溝槽的空間結(jié)構(gòu)形成了隔離區(qū)31(圖3中用位于氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20之間的黑色虛框示出），該隔離區(qū)31屬于無(wú)源區(qū)。在圖3中，絕緣層32可以使導(dǎo)電溝道2c與柵極11和第三電極23之間連接的金屬隔離。上述兩種方式形成的隔離區(qū)31會(huì)圍繞在氮化鎵高電子遷移率晶體管10的周?chē)约罢袷幏€(wěn)定電路20的周?chē)?，這樣可以使振蕩穩(wěn)定電路20與氣化嫁1?電子遷移率晶體管10或者其他電路相隔離。還需要說(shuō)明的是，圖2a和圖3僅是本發(fā)明的兩個(gè)具體示例，在此并不對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限定。[0073]如上所述，所述振蕩穩(wěn)定電路20可以由并聯(lián)連接的至少一個(gè)并聯(lián)連接的電阻和第一電容對(duì)來(lái)形成。圖4a是本發(fā)明實(shí)施例一提供的微波集成放大器電路中的振蕩穩(wěn)定電路的電路示意圖。參見(jiàn)圖4a，振蕩穩(wěn)定電路20轉(zhuǎn)換成η個(gè)并聯(lián)連接的電阻（Rl、R2……、Rn)和第一電容（C1、C2……、Cn)對(duì)的電路，其中，η彡1。通過(guò)圖4a的振蕩穩(wěn)定電路20的電路圖可知，振蕩穩(wěn)定電路20可以解決氣化嫁1?電子遷移率晶體管10的振蕩穩(wěn)定性問(wèn)題。圖4b是圖4a的等效電路示意圖。參見(jiàn)圖4b，在圖4a中的η個(gè)并聯(lián)連接的電阻（R1、R2......、Rn)和第一電容（Cl、C2……、Cn)對(duì)的電路可以根據(jù)電阻和電容的串并聯(lián)連接關(guān)系原理等效成一個(gè)電阻R0與一個(gè)電容C0的并聯(lián)連接的電路，即通過(guò)調(diào)節(jié)這個(gè)等效電路的電阻R0的阻值以及電容C0的電容值，就可以解決氮化鎵高電子遷移率晶體管10的振蕩穩(wěn)定性問(wèn)題。[0074]此外，由于上述的電阻可以通過(guò)振蕩穩(wěn)定電路中的第一電極、第二電極和導(dǎo)電溝道來(lái)形成，因此，該電阻的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，工藝簡(jiǎn)單，不需要離子注入和高溫退火，也不需要專(zhuān)用的濺射設(shè)備和特殊的濺射材料，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本；由于上述的第一電容可以通過(guò)振蕩穩(wěn)定電路中的第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)壘層和第三電極來(lái)形成，因此，該第一電容的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，不需要單獨(dú)來(lái)制作，在制作氮化鎵高電子遷移率晶體管時(shí)可以一同形成該第一電容，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本。[0075]如上所述，由于氣化嫁商電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20具有同一襯底1和位于襯底1上的同一外延結(jié)構(gòu)2,并且氮化鎵高電子遷移率晶體管10所包括的柵極11、源極和漏極以及振蕩穩(wěn)定電路20所包括的第一電極21、第二電極22和第三電極23均以同一襯底1和同一外延結(jié)構(gòu)2為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)置，這表明氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20集成在冋一芯片中，或者，也可以說(shuō)，將振湯穩(wěn)定電路20集成在氣化嫁1?電子遷移率晶體管10的芯片中，并且通過(guò)柵極11與第三電極23的連接來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管10與振蕩穩(wěn)定電路20的連接。這樣通過(guò)將氮化鎵高電子遷移率晶體管和與其工藝兼容的且具有同一外延結(jié)構(gòu)的振蕩穩(wěn)定電路集成在同一芯片中并形成微波集成放大電路，在微波集成放大器電路外部的PCB板上就不用設(shè)置額外的振蕩穩(wěn)定電路，不僅可以提高放大器電路的穩(wěn)定性，起到抑制振蕩的作用，而且還可以大大減小放大器電路的面積和成本，甚至可以降低后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)難度；另外，由于氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路直接在芯片內(nèi)部連接，還可以避免引線電感的影響，從而有利于提高放大器電路的增益等性能。[0076]具體地，在微波集成放大器電路工作時(shí)，導(dǎo)電溝道2c可以使氮化鎵高電子遷移率晶體管10的源極和漏極之間導(dǎo)電以及可以使振蕩穩(wěn)定電路20的第一電極21和第二電極22之間導(dǎo)電，也可以說(shuō)，導(dǎo)電溝道2c可以使微波集成放大器電路能夠正常工作。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電溝道2c可以為二維電子氣（Two-DimensionalElectronGas，簡(jiǎn)稱(chēng)2DEG)。[0077]進(jìn)一步地，參見(jiàn)圖2a或者圖3,所述隔離區(qū)31用于隔離所述氮化鎵高電子遷移率晶體管10中的導(dǎo)電溝道2c和所述振蕩穩(wěn)定電路20中的導(dǎo)電溝道2c。如果氮化鎵高電子遷移率晶體管10中的導(dǎo)電溝道和振蕩穩(wěn)定電路20中的導(dǎo)電溝道連接在一起，則會(huì)使得氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20無(wú)法正常工作。由于隔離區(qū)31可以用于隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20,并使它們能夠獨(dú)立地正常工作，因此需要隔離區(qū)31將氮化鎵高電子遷移率晶體管10中的導(dǎo)電溝道和振蕩穩(wěn)定電路20中的導(dǎo)電溝道隔尚開(kāi)。[0078]可選地，所述第一電極21、第二電極22和所述第三電極23的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管10所使用的金屬中的一種或者多種的組合。由于第三電極23與氮化鎵高電子遷移率晶體管10的柵極11連接，優(yōu)選地，第三電極23可以與柵極11采用相同的金屬材料，在制作第三電極23和柵極11的過(guò)程中，可以一同形成，這樣可以簡(jiǎn)化工藝流程，降低成本。然而，第三電極23與柵極11也可以采用不同的金屬材料，本發(fā)明對(duì)此不作限定。[0079]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的微波集成放大器電路，除了上述的結(jié)構(gòu)外，還可以包括其他的結(jié)構(gòu)部分，例如：在襯底1和氮化物溝道層2a之間設(shè)置成核層、緩沖層、在氮化物勢(shì)壘層2b和氮化物溝道層2a之間設(shè)置氮化鋁層或者在氮化物勢(shì)壘層2b上設(shè)置氮化鎵帽層等。具有這些結(jié)構(gòu)的微波集成放大器電路均適用于本發(fā)明。[0080]本發(fā)明實(shí)施例一提供的微波集成放大器電路，通過(guò)將氮化鎵高電子遷移率晶體管和與其工藝兼容的且具有同一外延結(jié)構(gòu)的振蕩穩(wěn)定電路集成在同一芯片中并形成微波集成放大電路，其中，振蕩穩(wěn)定電路中的電阻的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，且工藝簡(jiǎn)單，不需要離子注入和高溫退火，也不需要專(zhuān)用的濺射設(shè)備和特殊的濺射材料，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本；振蕩穩(wěn)定電路中的第一電容的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，不需要單獨(dú)來(lái)制作，在制作氮化鎵高電子遷移率晶體管時(shí)可以一同形成該第一電容，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本。此外，在微波集成放大器電路外部的PCB板上就不用設(shè)置額外的振蕩穩(wěn)定電路，不僅可以提高放大器電路的穩(wěn)定性，起到抑制振蕩的作用，而且還可以大大減小放大器電路的面積和成本，甚至可以降低后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)難度；另外，由于氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路直接在芯片內(nèi)部連接，還可以避免引線電感的影響，從而有利于提高放大器電路的增益等性能。[0081]實(shí)施例二[0082]本發(fā)明實(shí)施例二還提供一種微波集成放大器電路。圖5a是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖5a，與圖2a不同的是，振蕩穩(wěn)定電路20還包括第一介質(zhì)層24,所述第一介質(zhì)層24位于所述氮化物勢(shì)壘層2b和所述第三電極23之間。圖5a僅僅是本實(shí)施例的一個(gè)具體的示例。圖5b是本發(fā)明實(shí)施例二提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖5b，與圖5a不同的是，第一介質(zhì)層24覆蓋了位于第一電極21和第二電極22之間的氮化物勢(shì)壘層2b。[0083]進(jìn)一步地，參見(jiàn)圖5a和圖5b，所述第一電極21、所述導(dǎo)電溝道2c、所述氮化物勢(shì)壘層2b、所述第一介質(zhì)層24和所述第三電極23形成第二電容。與實(shí)施例一相比，由于第二電容多了第一介質(zhì)層24,因此，第二電容的電容值大于第一電容的電容值，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以提1?振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。關(guān)于圖5a和圖5b中的振蕩穩(wěn)定電路對(duì)應(yīng)的電路圖以及相應(yīng)的等效電路圖與實(shí)施例一中的圖4a和圖4b相似，在此不再贅述。[0084]需要說(shuō)明的是，在圖5a和圖5b中的用于隔尚氣化嫁商電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20的隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入的方式來(lái)形成的，該隔離區(qū)31屬于高阻區(qū)。此外，隔離區(qū)31還可以通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕的方式來(lái)形成，參見(jiàn)圖5c和圖5d，其中，圖5c和圖5d分別與圖5a和圖5b對(duì)應(yīng)。通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕形成了隔離區(qū)31(圖5c和圖5d中用位于氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20之間的黑色虛框示出），該隔離區(qū)31屬于無(wú)源區(qū)。在圖5c和圖5d中，絕緣層32可以使導(dǎo)電溝道2c與柵極11和第三電極23之間連接的金屬隔離。上述兩種方式形成的隔離區(qū)31會(huì)圍繞在氮化鎵高電子遷移率晶體管10的周?chē)约罢袷幏€(wěn)定電路20的周?chē)?，這樣可以使振蕩穩(wěn)定電路20與氣化嫁1?電子遷移率晶體管10或者其他電路相隔尚。[0085]可選地，所述第一介質(zhì)層24的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。[0086]本發(fā)明實(shí)施例二提供的微波集成放大器電路，在本發(fā)明實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，在氮化物勢(shì)壘層和所述第三電極之間形成第一介質(zhì)層，且由第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)壘層、第一介質(zhì)層和第三電極形成第二電容，第二電容的電容值大于實(shí)施例一中的第一電容的電容值，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以提高振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。[0087]實(shí)施例三[0088]本發(fā)明實(shí)施例三還提供一種微波集成放大器電路。圖6a是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖2a和圖6a，在本發(fā)明實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例三中的振蕩穩(wěn)定電路20還包括：第二介質(zhì)層25和第四電極26,所述第二介質(zhì)層25位于所述第三電極23上以及所述第一電極21和所述第二電極22之間且未被所述第三電極23覆蓋的外延結(jié)構(gòu)2上，所述第四電極26位于所述第一電極21和所述第二介質(zhì)層25上。本實(shí)施例的微波集成放大器電路的剩余結(jié)構(gòu)及其相關(guān)的描述與本發(fā)明實(shí)施例一中的相似，在此不再贅述。[0089]需要說(shuō)明的是，在圖6a中的用于隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20的隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入的方式來(lái)形成的，該隔離區(qū)31屬于高阻區(qū)。圖6a中的微波集成放大器電路僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例。在本發(fā)明的另一個(gè)具體示例中，隔離區(qū)31還可以通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕的方式來(lái)形成。圖6b是本發(fā)明實(shí)施例三提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖6b，通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕形成了隔離區(qū)31(圖6b中用位于氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20之間的黑色虛框示出），該隔離區(qū)31屬于無(wú)源區(qū)。在圖6b中，絕緣層32可以使導(dǎo)電溝道2c與柵極11和第三電極23之間連接的金屬隔離。上述兩種方式形成的隔離區(qū)31會(huì)圍繞在氮化鎵高電子遷移率晶體管10的周?chē)约罢袷幏€(wěn)定電路20的周?chē)@樣可以使振蕩穩(wěn)定電路20與氣化嫁1?電子遷移率晶體管10或者其他電路相隔尚。[0090]圖7a是本發(fā)明實(shí)施例三提供的微波集成放大器電路中振蕩穩(wěn)定電路的電路示意圖。參見(jiàn)圖7a，振蕩穩(wěn)定電路20轉(zhuǎn)換成η個(gè)并聯(lián)連接的電阻（R1、R2……、Rn)和第一電容(C1、C2......、Cn)對(duì)和與所述η個(gè)并聯(lián)連接的電阻（R1、R2......、Rn)和第一電容（C1、C2......、Cn)對(duì)并聯(lián)連接的一個(gè)第三電容C'的電路，其中，η彡1。并且所述電阻由第一電極21、第二電極22和振蕩穩(wěn)定電路20中的導(dǎo)電溝道2c形成，所述第一電容由第一電極21、振蕩穩(wěn)定電路20中的導(dǎo)電溝道2c、振蕩穩(wěn)定電路20中的氮化物勢(shì)壘層2b和第三電極23形成，所述第三電容C'由第三電極23、第二介質(zhì)層25和第四電極26形成。圖7b是圖7a的等效電路示意圖。參見(jiàn)圖7b，在圖7a中的電路可以根據(jù)電阻和電容的串并聯(lián)連接關(guān)系原理等效成一個(gè)電阻R0和一個(gè)電容C0'的并聯(lián)連接的電路。[0091]與本發(fā)明實(shí)施例一中的圖4a相比，本實(shí)施例的圖7a中多了一個(gè)第三電容C'，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路20的電容值大小，從而可以提高振蕩穩(wěn)定電路20的靈活性。[0092]可選地，所述第四電極26的材料可以為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。這樣可以降低選擇第四電極26的材料的成本，從而降低生產(chǎn)成本。[0093]可選地，所述第二介質(zhì)層25的材料可以為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。這樣可以降低選擇第二介質(zhì)層25的材料的成本,從而降低生產(chǎn)成本。[0094]本發(fā)明實(shí)施例三提供的微波集成放大器電路，在本發(fā)明實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步地，通過(guò)在振蕩穩(wěn)定電路中增加介質(zhì)層和第四電極，并且第三電極、第二介質(zhì)層和第四電極形成一個(gè)第三電容，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以提高振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。[0095]實(shí)施例四[0096]本發(fā)明實(shí)施例四還提供一種微波集成放大器電路。圖8a是本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖8a，與圖6a不同的是，振蕩穩(wěn)定電路20還包括第一介質(zhì)層24,所述第一介質(zhì)層24位于所述氮化物勢(shì)壘層2b和所述第三電極23之間。圖8a僅僅是本實(shí)施例的一個(gè)具體的示例。圖8b是本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一種微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖8b，與圖8a不同的是，第一介質(zhì)層24覆蓋了位于第一電極21和第二電極22之間的氮化物勢(shì)壘層2b。[0097]進(jìn)一步地，參見(jiàn)圖8a和圖8b，所述第一電極21、所述導(dǎo)電溝道2c、所述氮化物勢(shì)壘層2b、所述第一介質(zhì)層24和所述第三電極23形成第二電容。與實(shí)施例三相比，由于第二電容多了第一介質(zhì)層24,因此，第二電容的電容值大于第一電容的電容值，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以進(jìn)一步地提商振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。關(guān)于圖8a和圖8b中的振蕩穩(wěn)定電路對(duì)應(yīng)的電路圖以及相應(yīng)的等效電路圖與實(shí)施例二中的圖7a和圖7b相似，在此不再贅述。[0098]需要說(shuō)明的是，在圖8a和圖8b中的用于隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20的隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入的方式來(lái)形成的，該隔離區(qū)31屬于高阻區(qū)。此外，隔離區(qū)31還可以通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕的方式來(lái)形成，參見(jiàn)圖8c和圖8d，其中，圖8c和圖8d分別與圖8a和圖8b對(duì)應(yīng)。通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕形成了隔離區(qū)31(圖8c和圖8d中用位于氮化鎵高電子遷移率晶體管10和振蕩穩(wěn)定電路20之間的黑色虛框示出），該隔離區(qū)31屬于無(wú)源區(qū)。在圖8c和圖8d中，絕緣層32可以使導(dǎo)電溝道2c與柵極11和第三電極23之間連接的金屬隔離。上述兩種方式形成的隔離區(qū)31會(huì)圍繞在氮化鎵高電子遷移率晶體管10的周?chē)约罢袷幏€(wěn)定電路20的周?chē)?，這樣可以使振蕩穩(wěn)定電路20與氣化嫁1?電子遷移率晶體管10或者其他電路相隔尚。[0099]可選地，所述第一介質(zhì)層24的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。在實(shí)際制作過(guò)程中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料可以選擇相同的材料，也可以選擇不同的材料。[0100]本發(fā)明實(shí)施例四提供的微波集成放大器電路，在本發(fā)明實(shí)施例三的基礎(chǔ)上，在氮化物勢(shì)壘層和所述第三電極之間形成第一介質(zhì)層，且由第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)壘層、第一介質(zhì)層和第三電極形成第二電容，第二電容的電容值大于實(shí)施例三中的第一電容的電容值，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以進(jìn)一步地提高振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。[0101]實(shí)施例五[0102]本發(fā)明實(shí)施例五提供一種微波集成放大器電路的制作方法。圖9是本發(fā)明實(shí)施例五提供的微波集成放大器電路的制作方法的流程圖；圖l〇a_圖10d是本發(fā)明實(shí)施例五提供的微波集成放大器電路的制作方法的各階段的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見(jiàn)圖9和圖10a-圖l〇d，所述微波集成放大器電路的制作方法包括：[0103]S401、在襯底上形成外延結(jié)構(gòu)，其中，外延結(jié)構(gòu)至少包括氮化物溝道層、位于氮化物溝道層上的氮化物勢(shì)壘層和位于氮化物溝道層和氮化物勢(shì)壘層的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道。[0104]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖10a，在襯底1上形成外延結(jié)構(gòu)2,其中，外延結(jié)構(gòu)2至少包括氮化物溝道層2a、位于氮化物溝道層2a上的氮化物勢(shì)壘層2b和位于氮化物溝道層2a和氮化物勢(shì)壘層2b的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道2c。需要說(shuō)明的是，所述導(dǎo)電溝道2c可以?xún)?yōu)選為二維電子氣。[0105]具體地，在襯底1上依次形成的氮化物溝道層2a和氮化物勢(shì)壘層2b可以利用本領(lǐng)域公知的淀積或者外延生長(zhǎng)等技術(shù)來(lái)形成，其中，淀積包括但不限于物理氣相淀積（PhysicalVaporDeposition，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD)或者化學(xué)氣相淀積（ChemicalVaporDeposition，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)。[0106]S402、在外延結(jié)構(gòu)中形成隔離區(qū)，以隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路。[0107]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖l〇b，在外延結(jié)構(gòu)2中形成隔離區(qū)31，以隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路。具體地，所述隔離區(qū)31用于隔離所述氮化鎵高電子遷移率晶體管10中的導(dǎo)電溝道2c和所述振蕩穩(wěn)定電路20中的導(dǎo)電溝道2c。在圖10b中，所述隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入來(lái)形成的，該隔離區(qū)31屬于高阻區(qū)。所形成的隔離區(qū)31會(huì)圍繞在氮化鎵高電子遷移率晶體管的周?chē)约罢袷幏€(wěn)定電路的周?chē)?，這樣可以使振蕩穩(wěn)定電路與氣化嫁1?電子遷移率晶體管或者其他電路相隔尚。[0108]S403、形成與導(dǎo)電溝道為歐姆接觸的氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極、漏極和振蕩穩(wěn)定電路的第一電極、第二電極。[0109]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖l〇c，形成與導(dǎo)電溝道2c為歐姆接觸的氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極（在圖l〇c中未示出）、漏極（在圖10c中未示出）和振蕩穩(wěn)定電路的第一電極21、第二電極22。[0110]可選地，所述第一電極21和所述第二電極22的材料可以為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。這樣可以降低選擇第一電極21和第二電極22的材料的成本，從而降低生產(chǎn)成本。[0111]S404、在氮化物勢(shì)壘層上形成氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與柵極連接的振蕩穩(wěn)定電路的第三電極，其中，第三電極與第二電極連接。[0112]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖10d，在氮化物勢(shì)壘層2b上形成氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極11和與柵極11連接的振蕩穩(wěn)定電路的第三電極23,其中，第三電極23與第二電極22連接。[0113]可選地，所述第三電極23的材料可以為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。優(yōu)選地，第三電極23可以與氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極11采用相同的金屬材料，在制作第三電極23和柵極11的過(guò)程中，可以一同形成，這樣可以簡(jiǎn)化工藝流程，降低成本。然而，第三電極23與柵極11也可以采用不同的金屬材料，本發(fā)明對(duì)此不作限定。[0114]在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，在步驟S403之后和步驟S404之前，還包括：在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述振蕩穩(wěn)定電路的第一介質(zhì)層。再經(jīng)步驟S404所得到的微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)與圖5a或圖5b所示的微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)相似。其中，第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)壘層、第一介質(zhì)層和第三電極形成第二電容。進(jìn)一步地，第一介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。[0115]通過(guò)上述各步驟，以襯底1和位于襯底1上的外延結(jié)構(gòu)2為基礎(chǔ)，形成了氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極11、源極和漏極以及振蕩穩(wěn)定電路的第一電極21、第二電極22和第三電極23，其中，振蕩穩(wěn)定電路中的第一電極、第二電極和導(dǎo)電溝道形成電阻，該電阻的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，工藝簡(jiǎn)單，不需要離子注入和高溫退火，也不需要專(zhuān)用的濺射設(shè)備和特殊的濺射材料，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本；振蕩穩(wěn)定電路中的第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)魚(yú)層和第三電極形成第一電容（或者第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)魚(yú)層、第一介質(zhì)層和第三電極形成第二電容），該第一電容（第二電容）的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，不需要單獨(dú)來(lái)制作，在制作氮化鎵高電子遷移率晶體管時(shí)可以一同形成該第一電容（或者第二電容），降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本。[0116]此外，由于氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路集成在同一芯片中，并且通過(guò)柵極11與第三電極23的連接來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管與振蕩穩(wěn)定電路的連接，以形成微波集成放大電路，因此，在微波集成放大器電路外部的PCB板上就不用設(shè)置額外的振蕩穩(wěn)定電路，不僅可以提高放大器電路的穩(wěn)定性，起到抑制振蕩的作用，而且還可以大大減小放大器電路的面積和成本，甚至可以降低后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)難度；另外，由于氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路直接在芯片內(nèi)部連接，還可以避免引線電感的影響，從而有利于提1?放大器電路的增益等性能。[0117]需要說(shuō)明的是，在上述制作微波集成放大器電路的過(guò)程中，步驟S402和步驟S403可以互換順序，仍可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的微波集成放大器電路。[0118]在本實(shí)施例中，上述的隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入來(lái)形成的。除此之外，隔離區(qū)31還可以通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕來(lái)形成，該隔離區(qū)31屬于無(wú)源區(qū)，所得到的微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖分別可以參見(jiàn)圖3、圖5c和圖5d。通過(guò)刻蝕的方式形成的隔離區(qū)31，為了使后續(xù)形成的柵極11和第三電極23之間的連接金屬與導(dǎo)電溝道2c隔離，在步驟S404之前，即形成柵極11和第三電極23之前，需要在刻蝕形成的隔離區(qū)31的內(nèi)壁上形成絕緣層32。該絕緣層32可以利用本領(lǐng)域公知的淀積或者外延生長(zhǎng)等技術(shù)來(lái)形成。[0119]本發(fā)明實(shí)施例五提供的微波集成放大器電路的制作方法，通過(guò)將氮化鎵高電子遷移率晶體管和與其工藝兼容的且具有同一外延結(jié)構(gòu)的振蕩穩(wěn)定電路集成在同一芯片中并形成微波集成放大電路，其中，振蕩穩(wěn)定電路中的電阻的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，且工藝簡(jiǎn)單，不需要離子注入和高溫退火，也不需要專(zhuān)用的濺射設(shè)備和特殊的濺射材料，降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本；振蕩穩(wěn)定電路中的第一電容（或者第二電容）的設(shè)計(jì)和制作與氮化鎵高電子遷移率晶體管工藝兼容，不需要單獨(dú)來(lái)制作，在制作氮化鎵高電子遷移率晶體管時(shí)可以一同形成該第一電容（或者第二電容），降低了工藝復(fù)雜性，節(jié)約了成本。此外，在微波集成放大器電路外部的PCB板上就不用設(shè)置額外的振蕩穩(wěn)定電路，不僅可以提高放大器電路的穩(wěn)定性，起到抑制振蕩的作用，而且還可以大大減小放大器電路的面積和成本，甚至可以降低后續(xù)微波匹配電路的設(shè)計(jì)難度；另外，由于氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路直接在芯片內(nèi)部連接，還可以避免引線電感的影響，從而有利于提1?放大器電路的增益等性能。[0120]實(shí)施例六[0121]本發(fā)明實(shí)施例六還提供了一種微波集成放大器電路的制作方法。圖11是本發(fā)明實(shí)施例六提供的微波集成放大器電路的制作方法的流程圖；圖12a是圖11中步驟S505所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖12b是圖11中步驟S506所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。由于圖11中的步驟S501到步驟S504與圖9中的步驟S401到步驟S404相同，因此，關(guān)于步驟S501到步驟S504可以參照本發(fā)明實(shí)施例五的相關(guān)描述以及相應(yīng)的圖10a-圖10d。[0122]參見(jiàn)圖11、圖12a和圖12b，所述微波集成放大器電路的制作方法包括：[0123]S501、在襯底上形成外延結(jié)構(gòu)，其中，外延結(jié)構(gòu)至少包括氮化物溝道層、位于氮化物溝道層上的氮化物勢(shì)壘層和位于氮化物溝道層和氮化物勢(shì)壘層的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道。[0124]S502、在外延結(jié)構(gòu)中形成隔離區(qū)，以隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路。[0125]S503、形成與導(dǎo)電溝道為歐姆接觸的氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極、漏極和振蕩穩(wěn)定電路的第一電極、第二電極。[0126]S504、在氮化物勢(shì)壘層上形成氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與柵極連接的振蕩穩(wěn)定電路的第三電極，其中，第三電極與第二電極連接。[0127]S505、在第三電極上以及第一電極和第二電極之間且未被第三電極覆蓋的氮化物勢(shì)壘層上形成第二介質(zhì)層。[0128]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖12a，在第三電極23上以及第一電極21和第二電極22之間且未被第三電極23覆蓋的氮化物勢(shì)壘層2b上形成第二介質(zhì)層25。其中，第三電極23、第二介質(zhì)層25和第四電極26形成第三電容，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以提1?振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。[0129]可選地，所述第二介質(zhì)層25的材料可以為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。這樣可以降低選擇第二介質(zhì)層25的材料的成本,從而降低生產(chǎn)成本。[0130]S506、在第一電極和第二介質(zhì)層上形成第四電極。[0131]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖12b，在第一電極21和第二介質(zhì)層25上形成第四電極26。同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)第一電極21與第四電極26連接。[0132]可選地，所述第四電極26的材料可以為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。這樣可以降低選擇第四電極26的材料的成本，從而降低生產(chǎn)成本。[0133]在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，在步驟S503之后和步驟S504之前，還包括：在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述振蕩穩(wěn)定電路的第一介質(zhì)層。再經(jīng)后續(xù)步驟得到的微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)與圖8a或圖8b所示的微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)相似。其中，第一電極、導(dǎo)電溝道、氮化物勢(shì)壘層、第一介質(zhì)層和第三電極形成第二電容。進(jìn)一步地，第一介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。在實(shí)際制作過(guò)程中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料可以選擇相同的材料，也可以選擇不同的材料。[0134]在本實(shí)施例中，上述的隔離區(qū)31是通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行離子注入來(lái)形成的，該隔離區(qū)31屬于高阻區(qū)。除此之外，隔離區(qū)31還可以通過(guò)對(duì)外延結(jié)構(gòu)2進(jìn)行刻蝕來(lái)形成，該隔離區(qū)31屬于無(wú)源區(qū)，所得到的微波集成放大器電路的結(jié)構(gòu)剖面示意圖可以分別參見(jiàn)圖6b、圖8c和圖8d。通過(guò)刻蝕的方式形成的隔離區(qū)31，為了使后續(xù)形成的柵極11和第三電極23之間的連接金屬與導(dǎo)電溝道2c隔離，在步驟S504之前，即形成柵極11和第三電極23之前，需要在刻蝕形成的隔離區(qū)31的內(nèi)壁上形成絕緣層32。該絕緣層32可以利用本領(lǐng)域公知的淀積或者外延生長(zhǎng)等技術(shù)來(lái)形成。[0135]本發(fā)明實(shí)施例六提供的微波集成放大器電路的制作方法，在本發(fā)明實(shí)施例五的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步地，通過(guò)在振蕩穩(wěn)定電路中增加介質(zhì)層和第四電極，并且第三電極、第二介質(zhì)層和第四電極形成一個(gè)第三電容，這樣可以增大振蕩穩(wěn)定電路的電容值大小，從而可以提1?振蕩穩(wěn)定電路的靈活性。[0136]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定?！緳?quán)利要求】1.一種微波集成放大器電路，其特征在于，包括：氣化嫁1?電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路，其中，所述氣化嫁1?電子遷移率晶體管和所述振蕩穩(wěn)定電路具有同一襯底和位于所述襯底上的同一外延結(jié)構(gòu)，且通過(guò)位于所述外延結(jié)構(gòu)中的隔離區(qū)進(jìn)行隔離；所述外延結(jié)構(gòu)至少包括氮化物溝道層、位于所述氮化物溝道層上的氮化物勢(shì)壘層和位于所述氮化物溝道層和所述氮化物勢(shì)壘層的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道；所述氮化鎵高電子遷移率晶體管還包括柵極、源極和漏極，其中，所述柵極位于所述氮化物勢(shì)壘層上，所述源極和所述漏極與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸；所述振蕩穩(wěn)定電路還包括第一電極、第二電極和第三電極，所述第一電極和所述第二電極與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸，所述第三電極位于所述氮化物勢(shì)壘層上且與所述第二電極和所述柵極連接；其中，所述第一電極、所述第二電極和所述導(dǎo)電溝道形成電阻，所述第一電極、所述導(dǎo)電溝道、所述氮化物勢(shì)壘層和所述第三電極形成第一電容，并聯(lián)連接的至少一個(gè)所述電阻和所述第一電容對(duì)形成所述振蕩穩(wěn)定電路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述振蕩穩(wěn)定電路還包括第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層位于所述氮化物勢(shì)壘層和所述第三電極之間；所述第一電極、所述導(dǎo)電溝道、所述氮化物勢(shì)壘層、所述第一介質(zhì)層和所述第三電極形成第二電容。3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述振蕩穩(wěn)定電路還包括：第二介質(zhì)層和第四電極，所述第二介質(zhì)層位于所述第三電極上以及所述第一電極和所述第二電極之間且未被所述第三電極覆蓋的氮化物勢(shì)壘層上，所述第四電極位于所述第一電極和所述第二介質(zhì)層上；所述第三電極、所述第二介質(zhì)層和所述第四電極形成第三電容。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述隔離區(qū)用于隔離所述氮化鎵高電子遷移率晶體管中的導(dǎo)電溝道和所述振蕩穩(wěn)定電路中的導(dǎo)電溝道。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述導(dǎo)電溝道為二維電子氣。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極和所述第四電極的材料均為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波集成放大器電路，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。9.一種微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，包括：在襯底上形成外延結(jié)構(gòu)，其中，所述外延結(jié)構(gòu)至少包括氮化物溝道層、位于所述氮化物溝道層上的氮化物勢(shì)壘層和位于所述氮化物溝道層和所述氮化物勢(shì)壘層的界面的高電子遷移率的導(dǎo)電溝道；在所述外延結(jié)構(gòu)中形成隔離區(qū)，以隔離氮化鎵高電子遷移率晶體管和振蕩穩(wěn)定電路；形成與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸的所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極、漏極和所述振蕩穩(wěn)定電路的第一電極、第二電極；在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與所述柵極連接的所述振蕩穩(wěn)定電路的第三電極，其中，所述第三電極與所述第二電極連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，形成與所述導(dǎo)電溝道為歐姆接觸的所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極、漏極和所述振蕩穩(wěn)定電路的第一電極、第二電極之后，在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與所述柵極連接的所述振蕩穩(wěn)定電路的第三電極之前，還包括：在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述振蕩穩(wěn)定電路的第一介質(zhì)層。11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，在所述氮化物勢(shì)壘層上形成所述氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極和與所述柵極連接的所述振蕩穩(wěn)定電路的第三電極之后，還包括：在所述第三電極上以及所述第一電極和所述第二電極之間且未被所述第三電極覆蓋的氮化物勢(shì)壘層上形成第二介質(zhì)層；在所述第一電極和所述第二介質(zhì)層上形成第四電極。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極和所述第四電極的材料均為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的金屬中的一種或者多種的組合。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為制作所述氮化鎵高電子遷移率晶體管所使用的介質(zhì)材料中的一種或者多種的組合。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微波集成放大器電路的制作方法，其特征在于，所述隔離區(qū)通過(guò)對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子注入來(lái)形成；或者所述隔離區(qū)通過(guò)對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕來(lái)形成?！疚臋n編號(hào)】H03F1/30GK104113289SQ201410247142【公開(kāi)日】2014年10月22日申請(qǐng)日期:2014年6月5日優(yōu)先權(quán)日:2014年6月5日【發(fā)明者】張乃千申請(qǐng)人:蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司