使用建模、反饋和阻抗匹配來(lái)控制蝕刻速率的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及使用建模、反饋和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率，說(shuō)明了實(shí)現(xiàn)蝕刻速率的方法。該方法包含接收與處理等離子體室中的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量。該方法還包含經(jīng)由模型來(lái)傳送所述計(jì)算的變量，以在模型的輸出處產(chǎn)生所述計(jì)算的變量的值，識(shí)別與該值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率；并且基于所述計(jì)算的處理速率來(lái)識(shí)別預(yù)先確定的處理速率。該方法還包含：基于所述預(yù)先確定的處理速率識(shí)別要在輸出實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的變量；以及識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的實(shí)部和虛部關(guān)聯(lián)的特征。該方法包含控制可變電路組件以實(shí)現(xiàn)特征，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量。
【專利說(shuō)明】使用建模、反饋和阻抗匹配來(lái)控制蝕刻速率

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)施方式涉及使用建模、反饋和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率。

【背景技術(shù)】
[0002]在一些等離子體處理系統(tǒng)中，使用射頻(RF)產(chǎn)生器來(lái)產(chǎn)生RF信號(hào)。RF信號(hào)被供應(yīng)至等離子體室，以在該室內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
[0003]等離子體被用于多種多樣的操作，例如清潔晶片，在晶片上沉積氧化物，蝕刻氧化物，蝕刻晶片等。為了實(shí)現(xiàn)晶片產(chǎn)量，重要的是控制等離子體的均一性。
[0004]在該背景下出現(xiàn)了本公開(kāi)說(shuō)明的實(shí)施方式。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本公開(kāi)的實(shí)施方式提供使用建模、反饋和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率的裝置、方法和計(jì)算機(jī)程序。應(yīng)該理解的是這些實(shí)施方式能夠以多種方式實(shí)現(xiàn)，例如處理、裝置、系統(tǒng)、設(shè)備、或者計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的方法。下文說(shuō)明若干實(shí)施方式。
[0006]在一些實(shí)施方式中，在例如300毫米(mm)晶片蝕刻反應(yīng)器、200mm晶片蝕刻反應(yīng)器等蝕刻反應(yīng)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)晶片上均一性控制。影響蝕刻均一性的一些要素包含由與RF產(chǎn)生器的操作的基頻關(guān)聯(lián)的諧波頻率創(chuàng)建的駐波、以及由互調(diào)失真(MD)頻率創(chuàng)建的駐波。
[0007]在各種實(shí)施方式中，等離子體系統(tǒng)的一部分的模型由處理器產(chǎn)生。在模型的輸出處確定變量?；谧兞縼?lái)確定參數(shù)，例如蝕刻速率、沉積速率、伽馬等。將計(jì)算的參數(shù)與預(yù)先確定的參數(shù)比較，以確定在計(jì)算的參數(shù)與預(yù)先確定的參數(shù)之間是否存在匹配。當(dāng)確定為沒(méi)有匹配時(shí)，改變阻抗匹配電路內(nèi)的可變電容器的電容和/或阻抗匹配電路內(nèi)的可變電感器的電感，以實(shí)現(xiàn)匹配。當(dāng)實(shí)現(xiàn)匹配時(shí)，等離子體室內(nèi)的等離子體的均一性增強(qiáng)。
[0008]在若干實(shí)施方式中，說(shuō)明了實(shí)現(xiàn)蝕刻速率的方法。該方法包含接收與處理等離子體室中的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量。等離子體室通過(guò)射頻(RF)傳輸線耦結(jié)至阻抗匹配電路。阻抗匹配電路通過(guò)RF電纜耦結(jié)至RF產(chǎn)生器。該方法還包含:經(jīng)由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)傳送計(jì)算的變量，以在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處產(chǎn)生計(jì)算的變量的值；識(shí)別與計(jì)算的變量的值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率；以及基于計(jì)算的處理速率來(lái)識(shí)別要實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的處理速率。該方法還包含:基于預(yù)先確定的處理速率識(shí)別要在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的變量；以及識(shí)別與預(yù)先確定的變量的實(shí)部關(guān)聯(lián)的第一特征。第一特征是阻抗匹配電路內(nèi)的第一可變電路組件。該方法包含:控制第一可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)第一特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)預(yù)先確定的變量的實(shí)部；以及識(shí)別與預(yù)先確定的變量的虛部關(guān)聯(lián)的第二特征。第二特征是阻抗匹配電路內(nèi)的第二可變電路組件。該方法包含將信號(hào)發(fā)送給第二可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)第二特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)預(yù)先確定的變量的虛部。
[0009]在一些實(shí)施方式中，說(shuō)明了主機(jī)控制器。該主機(jī)控制器包含:用于存儲(chǔ)復(fù)變量的存儲(chǔ)器設(shè)備；和耦結(jié)至存儲(chǔ)器設(shè)備的主機(jī)處理器。主機(jī)處理器用于接收與處理等離子體室內(nèi)的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量；經(jīng)由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型傳送計(jì)算的變量，以在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處產(chǎn)生計(jì)算的變量的值；以及識(shí)別與計(jì)算的變量的值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率。該主機(jī)處理器進(jìn)一步用于:基于計(jì)算的處理速率，識(shí)別要實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的處理速率；基于預(yù)先確定的處理速率，識(shí)別在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的預(yù)先確定的變量；以及識(shí)別與預(yù)先確定的變量的實(shí)部關(guān)聯(lián)的第一特征。第一特征是阻抗匹配電路內(nèi)的第一可變電路組件。主機(jī)處理器用于將信號(hào)發(fā)送給第一可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)第一特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)預(yù)先確定的變量的實(shí)部；以及識(shí)別與預(yù)先確定的變量的虛部關(guān)聯(lián)的第二特征。第二特征是阻抗匹配電路內(nèi)的第二可變電路組件。該方法包含將信號(hào)發(fā)送給第二可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)第二特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)預(yù)先確定的變量的虛部。
[0010]在若干實(shí)施方式中，說(shuō)明了其上存儲(chǔ)有可執(zhí)行程序的非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。程序指示處理器執(zhí)行下面的操作。所述操作包含接收與處理等離子體室中的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量。所述操作還包含:經(jīng)由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)傳送計(jì)算的變量，以在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處產(chǎn)生計(jì)算的變量的值；識(shí)別與計(jì)算的變量的值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率；以及基于計(jì)算的處理速率來(lái)識(shí)別要實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的處理速率。所述操作還包含:基于預(yù)先確定的處理速率，識(shí)別要在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的變量；以及識(shí)別與預(yù)先確定的變量的實(shí)部關(guān)聯(lián)的第一特征。第一特征是阻抗匹配電路內(nèi)的第一可變電路組件。所述操作包含:將信號(hào)發(fā)送給第一可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)第一特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)預(yù)先確定的變量的實(shí)部；以及識(shí)別與預(yù)先確定的變量的虛部關(guān)聯(lián)的第二特征。第二特征是阻抗匹配電路內(nèi)的第二可變電路組件。該操作包含將信號(hào)發(fā)送給第二可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)第二特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)預(yù)先確定的變量的虛部。
[0011]上述實(shí)施方式的一些優(yōu)點(diǎn)包含在離子體室內(nèi)實(shí)現(xiàn)均一水平的等離子體等。通過(guò)控制已在阻抗匹配電路內(nèi)的電路組件來(lái)實(shí)現(xiàn)均一水平。作為結(jié)果，沒(méi)有與實(shí)現(xiàn)均一性關(guān)聯(lián)的額外成本或者該成本最小化。在一些實(shí)施方式中，通過(guò)在等離子體室內(nèi)增加電路組件來(lái)實(shí)現(xiàn)均一性。增加電路組件所消耗的成本和時(shí)間不高。控制電路組件來(lái)實(shí)現(xiàn)均一性。
[0012]上述實(shí)施方式的其他優(yōu)點(diǎn)包含控制阻抗匹配電路的一個(gè)電路元件以控制變量的實(shí)部；以及控制阻抗匹配電路的另一個(gè)電路元件以控制變量的虛部。控制變量不同部分的分開(kāi)控制幫助實(shí)現(xiàn)均一性。例如，通過(guò)控制虛部來(lái)實(shí)現(xiàn)均一性的輕微改變；并且通過(guò)控制實(shí)部來(lái)實(shí)現(xiàn)均一性的巨大改變。
[0013]其他方面可以從下面的結(jié)合附圖的具體說(shuō)明得知。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]實(shí)施方式可以最好地通過(guò)參考結(jié)合附圖的下面的說(shuō)明來(lái)理解。
[0015]圖1是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型和阻抗匹配電路來(lái)控制的速率的系統(tǒng)的框圖。
[0016]圖2是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率或者沉積速率的等離子體系統(tǒng)的框圖。
[0017]圖3是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率或者沉積速率的等離子體系統(tǒng)的框圖。
[0018]圖4是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率或者沉積速率的等離子體系統(tǒng)的框圖。
[0019]圖5是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，被用于示出基于在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處測(cè)得的復(fù)電壓和電流，來(lái)確定阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的電容和電感值的表格的圖。
[0020]圖6是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，用于控制電路元件的控制系統(tǒng)的框圖。
[0021]圖7是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，圖1至4的系統(tǒng)的主機(jī)控制器的圖。
[0022]圖8是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，繪制出在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的節(jié)點(diǎn)處的阻抗與在對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)的RF傳輸線上的點(diǎn)處的RF供應(yīng)信號(hào)的諧波頻率的關(guān)系曲線的曲線圖。
[0023]圖9是依據(jù)本公開(kāi)中說(shuō)明的實(shí)施方式的，繪制出對(duì)于不同水平的蝕刻速率控制的蝕刻襯底的蝕刻速率與襯底的半徑的關(guān)系的曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]下面的實(shí)施方式說(shuō)明使用建模、反饋和阻抗匹配電路來(lái)控制蝕刻速率的系統(tǒng)和方法?？梢灾獣缘氖沁@些實(shí)施方式可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或者全部的情況下實(shí)踐。在其他實(shí)例中，沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明周知的處理操作，以避免不必要地模糊這些實(shí)施方式。
[0025]圖1是使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A和阻抗匹配電路134來(lái)控制例如蝕刻速率、沉積速率之類的速率、伽馬的改變等的系統(tǒng)130的實(shí)施方式的框圖。系統(tǒng)130包含RF產(chǎn)生器132、主機(jī)控制器210、阻抗匹配電路134和等離子體室122。RF產(chǎn)生器132的示例包含2兆赫(MHz) RF產(chǎn)生器、27MHz RF產(chǎn)生器和60MHz RF產(chǎn)生器。
[0026]RF產(chǎn)生器132包含本地控制器212、傳感器214和射頻(RF)電源216。在各種實(shí)施方式中，傳感器214是用于校準(zhǔn)RF產(chǎn)生器132并符合美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)標(biāo)準(zhǔn)的電壓和電流探頭。例如，用于校準(zhǔn)RF產(chǎn)生器132的傳感器214是NIST可追溯的。NIST標(biāo)準(zhǔn)對(duì)傳感器214提供了由NIST標(biāo)準(zhǔn)指明的精度的程度。傳感器214耦結(jié)至RF產(chǎn)生器132的輸出172。
[0027]在一些實(shí)施方式中，傳感器214位于RF產(chǎn)生器132之外。
[0028]本文使用的控制器是包含一個(gè)或一個(gè)以上的處理器和一個(gè)或一個(gè)以上的存儲(chǔ)器設(shè)備的控制器。處理器的示例包含中央處理單元(CPU)、微處理器、特定應(yīng)用集成電路(ASIC)和可編程邏輯設(shè)備(PLD)等。存儲(chǔ)器設(shè)備的示例包含只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、或者其組合。存儲(chǔ)器設(shè)備的其他示例包含閃存存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)磁盤(pán)的冗余陣列(RAID)、非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)、硬盤(pán)等。
[0029]在一些實(shí)施方式中，RF電源216包含驅(qū)動(dòng)器(未不出)和放大器(未不出)。例如信號(hào)產(chǎn)生器、RF信號(hào)產(chǎn)生器等驅(qū)動(dòng)器耦結(jié)至放大器，其進(jìn)一步耦結(jié)至RF電纜144。驅(qū)動(dòng)器連接至本地控制器212。
[0030]RF產(chǎn)生器132通過(guò)RF電纜144耦結(jié)至阻抗匹配電路134。在若干實(shí)施方式中，阻抗匹配電路134是一個(gè)或一個(gè)以上的電感器和/或一個(gè)或一個(gè)以上的電容器的電路。阻抗匹配電路134的每個(gè)組件，例如電感器、電容器等，串聯(lián)或者并聯(lián)連接到阻抗匹配電路134的另一個(gè)組件，或者作為阻抗匹配電路134的另一個(gè)組件的分流器。
[0031]阻抗匹配電路134通過(guò)RF傳輸線168連接至等離子體室122的卡盤(pán)218。在各種實(shí)施方式中，RF傳輸線168包含連接至匹配網(wǎng)絡(luò)134的阻抗的圓筒、例如通道等。在圓筒的空心內(nèi)放置有絕緣體和RF棒。RF傳輸線168還包含在一端耦結(jié)至圓筒的RF棒的RF匙體、例如RF帶等。RF匙體在另一端耦結(jié)至垂直放置的圓筒的RF棒，并且RF棒耦結(jié)至等離子體室122的卡盤(pán)218。
[0032]等離子體室122包含卡盤(pán)218、上電極220和其他部分(未示出)，例如圍繞上電極220的上電介質(zhì)環(huán)、圍繞上電介質(zhì)環(huán)的上電極延伸部、圍繞卡盤(pán)218的下電極的下電介質(zhì)環(huán)、圍繞下電介質(zhì)環(huán)的下電極延伸部、上等離子體禁區(qū)(PEZ)環(huán)、下PEZ環(huán)等。上電極220定位成與卡盤(pán)218相對(duì)，并面對(duì)卡盤(pán)218。工件120被支持在卡盤(pán)218的上表面222上。工件120的示例包含襯底、晶片、上面形成有集成電路的襯底、上面沉積有材料層的襯底、上面沉積有氧化物的襯底等。下電極和上電極220中的每個(gè)由金屬制成，該金屬如鋁、鋁合金、銅等?？ūP(pán)218可以是靜電卡盤(pán)(ESC)或者磁卡盤(pán)。上電極220耦結(jié)至例如接地電壓、零電壓、負(fù)電壓等參考電壓。
[0033]主機(jī)控制器224通過(guò)電纜227耦結(jié)至RF產(chǎn)生器132的本地控制器212，電纜227例如是便于并行傳輸數(shù)據(jù)的電纜、便于串行傳輸數(shù)據(jù)的電纜、或者通用串行總線(USB)電纜。
[0034]主機(jī)控制器224包含計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的示例包含RF電纜144和阻抗匹配電路134的模型，或者RF電纜144、阻抗匹配電路134、以及至少一部分RF傳輸線168的模型。RF傳輸線168的該部分從阻抗匹配電路134的輸出延伸至RF傳輸線168上的點(diǎn)。
[0035]等離子體系統(tǒng)130的部分的計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型具有與該部分類似的構(gòu)造和功能。例如，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A包含代表等離子體系統(tǒng)130的部分的電路組件的電路元件并且這些電路元件與電路組件具有相同連接關(guān)系。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)阻抗匹配電路134的可變電容器104串聯(lián)耦結(jié)于阻抗匹配電路134的電感器106時(shí)，作為可變電容器104的計(jì)算機(jī)軟件代表的可變電容器與作為電感器106的計(jì)算機(jī)軟件代表的電感器串聯(lián)耦結(jié)。作為另一個(gè)示例，當(dāng)阻抗匹配電路134的可變并聯(lián)電容器102以T形結(jié)構(gòu)與可變電容器104和RF電纜144耦結(jié)時(shí)，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的作為可變并聯(lián)電容器102的計(jì)算機(jī)軟件代表的可變并聯(lián)電容器以T形結(jié)構(gòu)與作為可變電容器104的計(jì)算機(jī)軟件代表的可變電容器以及作為RF電纜144的計(jì)算機(jī)軟件代表的RF電纜模型耦結(jié)。作為又一個(gè)示例，當(dāng)阻抗匹配電路134的第一電容器與阻抗匹配電路134的第二電容器并聯(lián)耦結(jié)時(shí)，作為第一電容器的計(jì)算機(jī)軟件代表的電容器與作為第二電容器的計(jì)算機(jī)軟件代表的電容器并聯(lián)耦結(jié)。作為另一個(gè)示例，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型與由該模型所代表的部分具有類似的特征，例如電容、電阻、電感、阻抗、復(fù)電壓和電流等。電感器106與RF傳輸線168串聯(lián)耦結(jié)，并且可變電容器104耦結(jié)至RF電纜144。
[0036]在一些實(shí)施方式中，復(fù)電壓和電流包含電流的幅值、電壓的幅值、以及電流與電壓之間的相位。
[0037]等離子體系統(tǒng)的部分的示例包含RF電纜、或者耦結(jié)至RF電纜的阻抗匹配電路、或者耦結(jié)至阻抗匹配電路的RF傳輸線、或者耦結(jié)至RF傳輸線的卡盤(pán)、或者其組合。等離子體系統(tǒng)的部分的電路組件的示例包含電容器、電感器和電阻器。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的電路元件的不例包含電容器、電感器和電阻器。
[0038]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的電路元件與等離子體系統(tǒng)130的部分的電路組件具有類似的特征，例如電容、阻抗、電感、或者其組合等時(shí)，該電路元件代表該電路組件。例如,計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的電感器具有與電感器106的電感相同的電感。作為另一個(gè)示例，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的可變電容器具有與可變電容器104的電容相同的電容。作為又一個(gè)示例，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的可變電容器具有與可變電容器102的電容相同的電容。
[0039]計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型由主機(jī)控制器224的處理器產(chǎn)生。
[0040]主機(jī)控制器224的處理器包含用于在等離子體室122內(nèi)產(chǎn)生等離子體，并修正等離子體的例如阻抗、均一性等性質(zhì)的配方。在一些實(shí)施方式中，配方包含RF產(chǎn)生器132的操作功率和頻率。主機(jī)控制器224的處理器通過(guò)電纜227將操作功率和頻率發(fā)送給本地控制器212，以用于以該功率和頻率來(lái)操作RF產(chǎn)生器232。當(dāng)RF產(chǎn)生器232以該功率和頻率操作時(shí)，RF產(chǎn)生器232生成具有該功率和頻率的RF信號(hào)。
[0041]主機(jī)控制器224的配方226A包含在阻抗匹配電路134的輸出與卡盤(pán)218之間的RF傳輸線168上的該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的阻抗、例如期望阻抗等。該點(diǎn)位于阻抗匹配電路134的輸出處、或者RF傳輸線168上、或者卡盤(pán)222的輸入處。配方226A包含該點(diǎn)處的例如期望阻抗等阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)(例如關(guān)系、鏈接、一對(duì)一關(guān)系、一對(duì)一表格關(guān)系、表格內(nèi)的一對(duì)一關(guān)系等)以及該點(diǎn)處的阻抗。在一些實(shí)施方式中，配方包含表格的一部分或者表格。
[0042]在各種實(shí)施方式中，配方226A不包含該點(diǎn)處的阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)，而是包含計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的另一個(gè)變量的值與阻抗匹配電路134與上電極220之間的該點(diǎn)處的其他變量的值之間的對(duì)應(yīng)。其他變量的示例包含電壓、電流、蝕刻速率、伽馬、沉積速率、復(fù)電壓和電流等。
[0043]在一些實(shí)施方式中，要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗在該點(diǎn)處，并且計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A是RF產(chǎn)生器132的輸出172與RF傳輸線168上的點(diǎn)之間的等離子體系統(tǒng)130的部分的模型。例如，當(dāng)要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗在RF傳輸線168的RF帶的輸入處時(shí)，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A是RF電纜144、阻抗匹配電路134以及包含該通道的RF傳輸線168的一部分的模型。作為另一個(gè)示例，當(dāng)要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗在卡盤(pán)218的輸入處時(shí)，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A是RF電纜144、阻抗匹配電路134和RF傳輸線168的模型。
[0044]主機(jī)控制器224從主機(jī)控制器224的存儲(chǔ)器設(shè)備取回參數(shù)，例如頻率、功率等，并將所述參數(shù)提供給RF產(chǎn)生器132的本地控制器212。本地控制器212接收所述參數(shù)，并將所述參數(shù)提供給RF電源216，RF電源216產(chǎn)生具有所述參數(shù)的RF信號(hào)，例如脈沖信號(hào)、非脈沖信號(hào)等。
[0045]在一些實(shí)施方式中，本地控制器212包含查找表，該查找表包含所述參數(shù)與擬提供給RF電源216的參數(shù)之間的對(duì)應(yīng)。代替從主機(jī)控制器224接收的所述參數(shù)，本地控制器212查找與所接收的所述參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù),例如頻率、功率等,并將查找到的參數(shù)提供給RF電源216。
[0046]阻抗匹配電路134從RF產(chǎn)生器132接收RF信號(hào)，并將連接至阻抗匹配電路134的負(fù)載的阻抗與連接至阻抗匹配電路104的源的阻抗匹配，以產(chǎn)生修正的RF信號(hào)。源的示例包含RF產(chǎn)生器132、或者RF電纜144、或者其組合。負(fù)載的示例包含RF傳輸線168、或者等離子體室122、或者其組合。
[0047]卡盤(pán)218從阻抗匹配電路134通過(guò)RF傳輸線168接收修正的RF信號(hào)，并且當(dāng)在等離子體室122內(nèi)引入處理氣體時(shí)，在等離子體室122內(nèi)產(chǎn)生等離子體。處理氣體的示例包含含氧氣體、諸如02。處理氣體的其他示例包含含氟氣體，例如四氟甲烷(CF4)、六氟化硫(SF6)、六氟乙烷(C2F6)等。
[0048]等離子體被用于處理工件120。例如，等離子體被用于蝕刻工件120，或者蝕刻在工件120上沉積的材料，或者在工件120上沉積材料，或者清潔工件120等。
[0049]當(dāng)工件120通過(guò)供應(yīng)RF信號(hào)而被處理時(shí)，由主機(jī)控制器224通過(guò)傳送復(fù)電壓和電流，產(chǎn)生在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的阻抗，該復(fù)電壓和電流通過(guò)計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A由在RF產(chǎn)生器132的輸出172處的傳感器214測(cè)量。例如，RF產(chǎn)生器132的輸出172處的復(fù)電壓和電流與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的電路組件的復(fù)電壓和電流的定向和(a direct1nal sum)由主機(jī)控制器224計(jì)算，以在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處產(chǎn)生復(fù)電壓和電流，并且在RF產(chǎn)生器132的輸出172處的阻抗根據(jù)在輸出142A處的復(fù)電壓和電流計(jì)算。
[0050]在使用輸出142A處的其他變量的實(shí)施方式中，其他變量由主機(jī)控制器224基于輸出142A處的復(fù)電壓和電流而計(jì)算。
[0051]當(dāng)阻抗匹配電路134從RF產(chǎn)生器132接收RF信號(hào)時(shí)，主機(jī)控制器224確定阻抗匹配電路134與卡盤(pán)218之間的該點(diǎn)處的期望阻抗是否與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的阻抗匹配。當(dāng)確定為該點(diǎn)處的期望阻抗與輸出142A處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器102的電容來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142A處的阻抗的實(shí)部。主機(jī)控制器224改變可變并聯(lián)電容器102的電容，以使輸出142A處的阻抗的實(shí)部與該點(diǎn)處的期望阻抗的實(shí)部匹配。輸出142A處的阻抗的實(shí)部、與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的實(shí)部之間發(fā)生匹配，以實(shí)現(xiàn)蝕刻速率、或者沉積速率、或者伽馬值、或者其組合。下文說(shuō)明伽馬。
[0052]此外，在一些實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)處的期望阻抗與輸出142A處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電容器104的電容來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142A處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電容器104的電容，以實(shí)現(xiàn)在輸出142A處的阻抗的虛部與期望阻抗的虛部之間的匹配。輸出142A處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間發(fā)生匹配，以實(shí)現(xiàn)蝕刻速率、或者沉積速率、或者其組合。
[0053]在各種實(shí)施方式中，取代可變并聯(lián)電容器102的電容或者在可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電容器104的電容，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0054]在一些實(shí)施方式中，RF傳輸線168上的該點(diǎn)包含:連接至RF傳輸線168的阻抗匹配電路的輸出處的點(diǎn)、或者卡盤(pán)218的輸入處的點(diǎn)。
[0055]在一些實(shí)施方式中，不是利用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的輸出142A處的阻抗，而是將傳感器(未示出)耦結(jié)至RF傳輸線168上的點(diǎn)，并且用該傳感器來(lái)測(cè)量該點(diǎn)處的阻抗。傳感器(未示出)耦結(jié)至主機(jī)控制器224，以將測(cè)得的阻抗提供給主機(jī)控制器224。主機(jī)控制器224確定測(cè)得的阻抗是否與該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗匹配。當(dāng)確定為測(cè)量的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器102的電容來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142A處的阻抗的實(shí)部。主機(jī)控制器224改變可變并聯(lián)電容器102的電容，以使測(cè)得的阻抗的實(shí)部與期望阻抗的實(shí)部匹配。測(cè)得的阻抗的實(shí)部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的實(shí)部之間發(fā)生匹配，以實(shí)現(xiàn)蝕刻速率、或者沉積速率、或者其組合。
[0056]此外，在若干實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)處的期望阻抗與測(cè)得的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電容器104的電容來(lái)調(diào)節(jié)從耦結(jié)至該點(diǎn)的傳感器(未示出)獲得的測(cè)得的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電容器104的電容，來(lái)實(shí)現(xiàn)從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與期望阻抗的虛部之間的匹配。測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間發(fā)生匹配，以實(shí)現(xiàn)蝕刻速率、或者沉積速率、或者其組合。
[0057]在各種實(shí)施方式中，取代可變并聯(lián)電容器102的電容或者在可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電容器104的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與期望阻抗匹配。
[0058]應(yīng)該注意的是在一些實(shí)施方式中，在可變電容器104增加至阻抗匹配電路134時(shí)，可變并聯(lián)電容器102和電感器106在阻抗匹配電路134中。例如，阻抗匹配電路134通過(guò)在可變電容器104包含在阻抗匹配電路134內(nèi)之前使用可變并聯(lián)電容器102和電感器106，使在一端連接至阻抗匹配電路134的負(fù)載的阻抗與在另一端連接至阻抗匹配電路134的源的阻抗匹配。
[0059]在各種實(shí)施方式中，本文說(shuō)明的由主機(jī)控制器224執(zhí)行的操作由主機(jī)控制器224的一個(gè)或一個(gè)以上的處理器執(zhí)行。
[0060]在一些實(shí)施方式中，代替可變并聯(lián)電容器102，使用可變電感器(未示出)，并且可變電感器的電感被改變?yōu)槭褂?jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的阻抗的實(shí)部與在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的阻抗的實(shí)部或者在該點(diǎn)處由傳感器(未示出)測(cè)得的阻抗的實(shí)部匹配。
[0061]圖2是使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B和阻抗匹配電路135來(lái)控制蝕刻或者沉積速率的等離子體系統(tǒng)150的實(shí)施方式的圖。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B的示例包含RF電纜144和阻抗匹配電路135的模型，或者RF電纜144、阻抗匹配電路135、以及至少一部分RF傳輸線168的模型。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B以類似于從阻抗匹配電路134(圖1)產(chǎn)生計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A(圖1)的方式，從阻抗匹配電路135產(chǎn)生。等離子體系統(tǒng)150類似于等離子體系統(tǒng)130，不同的是等離子體系統(tǒng)150包含阻抗匹配電路135，該阻抗匹配電路135包含可變電感器137而不是固定的電感器106(圖1);不同的是等離子體系統(tǒng)150包含計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B，而非計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A ;并且不同的是等離子體系統(tǒng)150包含配方226B，而非配方226A(圖1)。
[0062]主機(jī)控制器224的配方226B還包含在阻抗匹配電路135的輸出與卡盤(pán)218之間的RF傳輸線168上的點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的阻抗、例如期望阻抗等。配方226B包含在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B的輸出142B處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)。
[0063]在一些實(shí)施方式中，配方226B不是包含在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的阻抗、與輸出142B處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)，而是包含輸出142B處的另一個(gè)變量的值與阻抗匹配電路135與上電極220之間的該點(diǎn)處的另一個(gè)變量的值之間的對(duì)應(yīng)。
[0064]可變電感器137與可變電容器104以及RF傳輸線168串聯(lián)耦結(jié)。
[0065]此外，在一些實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)處的期望阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B的輸出142B處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器137的電感來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142B處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器137的電感，以實(shí)現(xiàn)在輸出142B處的阻抗的虛部與該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間的匹配。
[0066]在各種實(shí)施方式中，取代可變并聯(lián)電容器102的電容或者在可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電感器137的電感，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B的輸出142B處的阻抗與期望阻抗匹配。
[0067]在若干實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)的期望阻抗與輸出142B處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器137的電感并且通過(guò)改變可變電容器104的電容，調(diào)節(jié)在輸出142B處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器137的電感和可變電容器104的電容，以實(shí)現(xiàn)在輸出142B處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間的匹配。
[0068]在各種實(shí)施方式中，取代調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容或者在調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電感器137的電感和可變電容器104的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B的輸出142B處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0069]在一些實(shí)施方式中，不是利用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B的輸出142B處的阻抗，而是將傳感器(未示出)耦結(jié)至RF傳輸線168上的點(diǎn)，并且用該傳感器來(lái)測(cè)量RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的阻抗。傳感器(未示出)將測(cè)得的阻抗提供給主機(jī)控制器224。主機(jī)控制器224確定測(cè)得的阻抗是否與該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗匹配。當(dāng)確定為測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器137的電感來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142B處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器137的電感，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與期望阻抗的虛部匹配。
[0070]在各種實(shí)施方式中，取代調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容或者在調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電感器137的電感，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)量的阻抗與期望阻抗匹配。
[0071]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)確定為從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器137的電感并且通過(guò)改變可變電容器104的電容，調(diào)節(jié)在輸出142B處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器137的電感和可變電容器104的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0072]在各種實(shí)施方式中，取代調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容或者在調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電感器137的電感和可變電容器104的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)量的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0073]應(yīng)該注意的是在一些實(shí)施方式中，在可變電容器104增加至阻抗匹配電路135時(shí)，可變并聯(lián)電容器102和可變電感器137在阻抗匹配電路135中。例如，阻抗匹配電路135通過(guò)在可變電容器104包含在阻抗匹配電路135內(nèi)之前使用可變并聯(lián)電容器102和可變電感器137，使在一端連接至阻抗匹配電路135的負(fù)載的阻抗與在另一端連接至阻抗匹配電路135的源的阻抗匹配。
[0074]圖3是使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C和阻抗匹配電路152來(lái)控制蝕刻或者沉積速率的等離子體系統(tǒng)250的實(shí)施方式的圖。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的示例包含RF電纜144和阻抗匹配電路152的模型，或者RF電纜144、阻抗匹配電路152、以及至少一部分RF傳輸線168的模型。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C以類似于從阻抗匹配電路134(圖1)產(chǎn)生計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A(圖1)的方式，從阻抗匹配電路152產(chǎn)生。等離子體系統(tǒng)250類似于等離子體系統(tǒng)130 (圖1)，阻抗匹配電路152包含電容器158而不是可變電容器104 ;包含可變并聯(lián)電容器162 ;并且包含電感器164。電容器158與電感器106串聯(lián)，并且連接至RF電纜144。此外，電感器164以T形結(jié)構(gòu)與電感器106和RF傳輸線168耦結(jié)?？勺冸娙萜?62與電感器164串聯(lián)耦結(jié)。
[0075]等離子體系統(tǒng)250類似于等離子體系統(tǒng)130 (圖1)，不同的是等離子體系統(tǒng)250包含計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C而非計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A ;并且不同的是等離子體系統(tǒng)250包含配方226C而非配方226A(圖1)。
[0076]主機(jī)控制器224的配方226C還包含在阻抗匹配電路152的輸出與卡盤(pán)218之間的RF傳輸線168上的點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的阻抗，例如期望阻抗等。配方226C包含在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)。
[0077]在一些實(shí)施方式中，配方226C不包含在該點(diǎn)處的阻抗、與輸出142C處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)，而是包含在輸出142C處的另一個(gè)變量的值與在阻抗匹配電路152與上電極220之間的該點(diǎn)處的其他變量的值之間的對(duì)應(yīng)。
[0078]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)處的期望阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容來(lái)調(diào)節(jié)輸出142C處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變并聯(lián)電容器162的電容，以實(shí)現(xiàn)在輸出142C處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間的匹配。
[0079]在各種實(shí)施方式中，取代調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容或者在調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器162的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0080]在若干實(shí)施方式中，使用可變電容器(未示出)來(lái)代替電容器158。調(diào)節(jié)可變電容器(未示出)的電容和可變并聯(lián)電容器162的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0081]在各種實(shí)施方式中，使用可變電容器(未示出)來(lái)代替電容器158。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)可變電容器(未示出)的電容和可變并聯(lián)電容器162的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0082]在一些實(shí)施方式中，使用可變電感器(未示出)來(lái)代替電感器106。調(diào)節(jié)可變電感器(未示出)的電感和可變并聯(lián)電容器162的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0083]在各種實(shí)施方式中，使用可變電感器(未示出)來(lái)代替電感器106。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)可變電感器(未示出)的電感和可變并聯(lián)電容器162的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0084]在一些實(shí)施方式中，使用可變電容器(未示出)來(lái)代替電容器158，并且使用可變電感器(未示出)來(lái)代替電感器106。調(diào)節(jié)可變電容器(未示出)的電容、可變電感器(未示出)的電感、以及可變并聯(lián)電容器162的電容，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗的虛部與期望阻抗的虛部匹配。
[0085]在一些實(shí)施方式中，不是使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C的輸出142C處的阻抗，而是將傳感器(未示出)耦結(jié)至RF傳輸線168上的點(diǎn)，并且用該傳感器來(lái)測(cè)量該點(diǎn)處的阻抗。傳感器(未示出)將測(cè)得的阻抗提供給主機(jī)控制器224。主機(jī)控制器224確定測(cè)得的阻抗是否與RF傳輸線168的該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗匹配。當(dāng)確定為測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容來(lái)調(diào)節(jié)輸出142C處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部、與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0086]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0087]在可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用的實(shí)施方式中，當(dāng)確定為測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電容器(未示出)的電容并且通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容，調(diào)節(jié)在輸出142處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電容器(未不出)的電容和可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0088]在若干實(shí)施方式中，調(diào)節(jié)代替電容器158的被連接的可變電容器(未示出)的電容和可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗的虛部匹配。
[0089]在一些實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電容器158的被連接的可變電容器(未示出)的電容和可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0090]在可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用的實(shí)施方式中，當(dāng)確定為測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器(未示出)的電感并且通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容，調(diào)節(jié)在輸出142C處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器(未不出)的電感和可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0091]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電感器106的被連接的可變電容感(未示出)的電感和可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0092]在一些實(shí)施方式中，可變電感器(未不出)代替電感器106來(lái)使用，并且可變電容器(未示出)代替電容器106來(lái)使用。當(dāng)確定為測(cè)量的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器(未示出)的電感、通過(guò)改變可變電容器(未示出)的電容并且通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容，調(diào)節(jié)在輸出142C處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器(未示出)的電感、可變電容器(未示出)的電容、以及可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗的虛部匹配。
[0093]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電感器106的被連接的可變電感器(未示出)的電感、代替電容器158的被連接的可變電容器(未示出)的電容、以及可變并聯(lián)電容器162的電容，使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗的虛部匹配。
[0094]應(yīng)該注意的是在一些實(shí)施方式中，在電感器164和可變并聯(lián)電容器162增加至阻抗匹配電路152時(shí)，可變并聯(lián)電容器102、電容器158和電感器106在阻抗匹配電路152中。例如，阻抗匹配電路152通過(guò)在電感器164和可變并聯(lián)電容器162包含在阻抗匹配電路152內(nèi)之前使用可變并聯(lián)電容器102、電容器158、以及電感器106，使在一端連接至阻抗匹配電路152的負(fù)載的阻抗與在另一端連接至阻抗匹配電路152的源的阻抗匹配。
[0095]圖4是使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D和阻抗匹配電路254來(lái)控制蝕刻或者沉積速率的等離子體系統(tǒng)252的實(shí)施方式的圖。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A的示例包含RF電纜144和阻抗匹配電路254的模型，或者RF電纜144、阻抗匹配電路254、以及至少一部分RF傳輸線168的模型。計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D以類似于從阻抗匹配電路152 (圖3)產(chǎn)生計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C(圖3)的方式從阻抗匹配電路254產(chǎn)生。等離子體系統(tǒng)252類似于等離子體系統(tǒng)250 (圖3)，不同的是阻抗匹配電路254包含可變電感器256以代替電感器164?？勺冸姼衅?56與可變電容器162串聯(lián)，并與電容器106和RF傳輸線168形成T形結(jié)構(gòu)。
[0096]等離子體系統(tǒng)252類似于等離子體系統(tǒng)250，不同的是等離子體系統(tǒng)252包含計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D而非計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C ;并且不同的是等離子體系統(tǒng)252包含配方226D而非配方226C(圖3)。
[0097]主機(jī)控制器224的配方226D包含在阻抗匹配電路254的輸出與卡盤(pán)218之間的RF傳輸線168上的該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的阻抗、例如期望阻抗等。配方226D包含在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)。
[0098]在一些實(shí)施方式中，配方226D不包含在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的阻抗與輸出142D處的阻抗之間的對(duì)應(yīng)，而是包含輸出142D處的另一個(gè)變量的值與在阻抗匹配電路254與上電極220之間的該點(diǎn)處的另一個(gè)變量的值之間的對(duì)應(yīng)。
[0099]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)處的期望阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器256的電感來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器256的電感，以實(shí)現(xiàn)在輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間的匹配。
[0100]在若干實(shí)施方式中，當(dāng)確定為該點(diǎn)的期望阻抗與計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器256的電感并且通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器256的電感和可變并聯(lián)電容器162的電容，以實(shí)現(xiàn)在輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間的匹配。
[0101]在各種實(shí)施方式中，取代調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容或者在調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電感器256的電感，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0102]在若干實(shí)施方式中，當(dāng)確定該點(diǎn)的期望阻抗與輸出142D處的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器256的電感、可變并聯(lián)電容器162的電容，并且通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器102的電容，從而調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變并聯(lián)電容器162的電容、可變電感器256的電感、以及可變并聯(lián)電容器102的電容，以實(shí)現(xiàn)在輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部之間的匹配。
[0103]在各種實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用。調(diào)節(jié)可變電容器(未示出)的電容和可變電感器256的電感，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0104]在一些實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)可變電容器(未示出)的電容和可變電感器256的電感，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0105]在若干實(shí)施方式中，可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用。調(diào)節(jié)該可變電感器(未示出)的電感和可變電感器256的電感，將計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0106]在一些實(shí)施方式中，可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)該可變電感器(未示出)的電感和可變電感器256的電感，使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0107]在一些實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用，并且可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用。調(diào)節(jié)該可變電容器(未示出)的電容、該可變電感器(未示出)的電感、以及可變電感器256的電感，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0108]在一些實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用，并且可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)該可變電容器(未示出)的電容、該可變電感器(未示出)的電感、以及可變電感器256的電感，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0109]在各種實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)該可變電容器(未示出)的電容、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0110]在一些實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用，并且可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用。調(diào)節(jié)該可變電容器(未示出)的電容、該可變電感器(未示出)的電感、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗的虛部匹配。
[0111]在一些實(shí)施方式中，可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用，并且可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用。除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)可變電容器(未示出)的電容、可變電感器(未示出)的電感、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0112]在一些實(shí)施方式中，代替使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的阻抗，傳感器(未示出)耦結(jié)至RF傳輸線168上的點(diǎn)，并且被用來(lái)測(cè)量該點(diǎn)處的阻抗。傳感器(未示出)將測(cè)得的阻抗提供給主機(jī)控制器224。主機(jī)控制器224確定測(cè)得的阻抗是否與RF傳輸線168的該點(diǎn)處要實(shí)現(xiàn)的期望阻抗匹配。當(dāng)確定測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望的阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器256的電感來(lái)調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器256的電感，以使測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗的虛部匹配。
[0113]在各種實(shí)施方式中，取代調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容或者在調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，調(diào)節(jié)可變電感器256的電感，以使從傳感器接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0114]在可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用的實(shí)施方式中，當(dāng)確定測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電容器(未示出)的電容并且通過(guò)改變可變電感器256的電感，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電容器(未示出)的電容和可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0115]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電容器158的被連接的可變電容器(未不出)的電容以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0116]在可變電感器(未示出)代替電感器106使用的實(shí)施方式中，當(dāng)確定測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器(未示出)的電感并且通過(guò)改變可變電感器256的電感，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器(未示出)的電感和可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0117]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電感器106的被連接的可變電感器(未示出)的電感以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0118]在一些實(shí)施方式中，可變電感器(未不出)代替電感器106來(lái)使用，并且可變電容器(未示出)代替電容器106來(lái)使用。當(dāng)確定測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器(未示出)的電感、通過(guò)改變可變電容器(未示出)的電容并且通過(guò)改變可變電感器256的電感，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器(未示出)的電感、可變電容器(未示出)的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部、與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0119]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電感器106的被連接的可變電感器(未示出)的電感、代替電容器158的被連接的可變電容器(未示出)的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與期望阻抗匹配。
[0120]在可變電容器(未示出)代替電容器158來(lái)使用的實(shí)施方式中，當(dāng)確定為測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電容器(未示出)的電容、通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容并且通過(guò)改變可變電感器256的電感，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電容器(未示出)的電容、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0121]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電容器158的被連接的可變電容器(未示出)的電容、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)的期望阻抗匹配。
[0122]在可變電感器(未示出)代替電感器106來(lái)使用的實(shí)施方式中，當(dāng)確定從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器(未示出)的電感、可變并聯(lián)電容器162的電容，并且通過(guò)改變可變電感器256的電感，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器(未不出)的電感、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0123]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電感器106的被連接的可變電感器(未示出)的電感、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器接收的測(cè)得的阻抗與期望阻抗匹配。
[0124]在一些實(shí)施方式中，可變電感器(未不出)代替電感器106來(lái)使用，并且可變電容器(未示出)代替電容器106來(lái)使用。當(dāng)確定測(cè)得的阻抗與該點(diǎn)處的期望阻抗不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224通過(guò)改變可變電感器(未示出)的電感、通過(guò)改變可變電容器(未示出)的電容、通過(guò)改變可變并聯(lián)電容器162的電容并且通過(guò)改變可變電感器256的電感，調(diào)節(jié)在輸出142D處的阻抗的虛部。主機(jī)控制器224改變可變電感器(未示出)的電感、可變電容器(未不出)的電容、可變并聯(lián)電容器162的電容以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗的虛部與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗的虛部匹配。
[0125]在各種實(shí)施方式中，除了調(diào)節(jié)可變并聯(lián)電容器102的電容外，還調(diào)節(jié)代替電感器106的被連接的可變電感器(未示出)的電感、代替電容器158的被連接的可變電容器(未不出)的電容、可變并聯(lián)電容器162的電容、以及可變電感器256的電感，以使從傳感器(未示出)接收的測(cè)得的阻抗與RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的期望阻抗匹配。
[0126]應(yīng)該注意的是在一些實(shí)施方式中，在可變電感器256和可變并聯(lián)電容器162增加至阻抗匹配電路254時(shí)，可變并聯(lián)電容器102、電容器158和電感器106是在阻抗匹配電路254中。例如，阻抗匹配電路254通過(guò)在可變電感器256和可變并聯(lián)電容器162包含在阻抗匹配電路254內(nèi)之前使用可變并聯(lián)電容器102、電容器158、以及電感器106，使在一端連接至阻抗匹配電路254的負(fù)載的阻抗與在另一端連接至阻抗匹配電路254的源的阻抗匹配。
[0127]還要注意的是在各種實(shí)施方式中，控制可變電容器102的電容，以改變?cè)谠擖c(diǎn)處的阻抗的實(shí)部，并且該實(shí)部獨(dú)立于流過(guò)RF傳輸線168上的該點(diǎn)處的RF信號(hào)的頻率。在一些實(shí)施方式中，改變可變電容器104的電容、或者可變電感器137 (圖2)的電感、或者可變并聯(lián)電容器162 (圖3)的電容、或者可變電感器256的電感、或者其組合，以改變?cè)谠擖c(diǎn)處的阻抗的虛部，并且該虛部是在該點(diǎn)處的諧波頻率的函數(shù)。
[0128]在一些實(shí)施方式中，作為改變可變電容器104的電容、和/或可變電感器137的電感、和/或可變電感器256的電感、和/或可變電容器162的電容的替代或附加，主機(jī)控制器224將信號(hào)發(fā)送給本地控制器212以改變(例如調(diào)整等)與RF電源216的操作關(guān)聯(lián)的諧波頻率，例如三次諧波頻率、四次諧波頻率、五次諧波頻率、m次諧波頻率，其中m是大于I的整數(shù)等。改變諧波頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)基于在輸出142D處的復(fù)電壓和電流計(jì)算的蝕刻速率與預(yù)先確定的蝕刻速率之間的匹配。例如，主機(jī)控制器224將信號(hào)發(fā)送給本地控制器212來(lái)調(diào)整RF電源216的操作的頻率、例如操作的基頻等?；趶闹鳈C(jī)控制器224接收的信號(hào)，本地控制器212將頻率值發(fā)送給RF電源216來(lái)以該頻率值操作RF電源216。當(dāng)接收到頻率值時(shí)，RF電源216產(chǎn)生具有該頻率值的RF信號(hào)。當(dāng)供應(yīng)具有該頻率值的RF信號(hào)時(shí)，在RF產(chǎn)生器132的輸出172處測(cè)量復(fù)電壓和電流，并且基于測(cè)得的復(fù)電壓和電流來(lái)確定在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D的輸出142D處的復(fù)電壓和電流?；谠谳敵?42D處確定的復(fù)電壓和電流來(lái)計(jì)算蝕刻速率，并且將該蝕刻速率與預(yù)先確定的蝕刻速率比較。當(dāng)確定計(jì)算的蝕刻速率與預(yù)先確定的蝕刻速率不匹配時(shí)，主機(jī)控制器224將另一個(gè)信號(hào)發(fā)送給本地控制器212，以調(diào)整RF電源216的操作頻率。
[0129]圖5是被用于示出基于在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處測(cè)得的復(fù)電壓和電流，來(lái)確定阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的電容和電感值的表格的實(shí)施方式的圖，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型例如有計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140A(圖1)、計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140B(圖2)、計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140C(圖3)、計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型140D(圖4)等。圖5的表格存儲(chǔ)在主機(jī)控制器224的存儲(chǔ)器設(shè)備(圖1)內(nèi)。在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處確定復(fù)電壓和電流。
[0130]此外，在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的蝕刻速率由主機(jī)控制器224(圖1)基于在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的復(fù)電壓和電流來(lái)識(shí)別，例如讀出、取回等。例如，主機(jī)控制器224將蝕刻速率ERCl識(shí)別為對(duì)應(yīng)于復(fù)電壓和電流V&I1，基于復(fù)電壓和電流V&I2來(lái)識(shí)別另一個(gè)蝕刻速率ERC2等等，直至主機(jī)控制器224基于復(fù)電壓和電流V&In識(shí)別了蝕刻速率ERCn，其中η是大于2的整數(shù)。復(fù)電壓和電流V&I1、V&I2、直至V&In是在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的復(fù)電壓和電流。
[0131]在一些實(shí)施方式中，在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的要實(shí)現(xiàn)的計(jì)算的蝕刻速率與要在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的蝕刻速率關(guān)聯(lián)。例如，主機(jī)控制器224包含計(jì)算的蝕刻速率ERCl與預(yù)先確定的蝕刻速率ERPl之間的關(guān)聯(lián)、計(jì)算的蝕刻速率ERC2與預(yù)先確定的蝕刻速率ERP2之間的關(guān)聯(lián)等等，直至計(jì)算的蝕刻速率ERCn與預(yù)先確定的蝕刻速率ERPn之間的關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施方式中，所有的蝕刻速率ERPl至ERPn都具有相同的值。在各種實(shí)施方式中，ERPl具有與其余的預(yù)先確定的蝕刻速率ERP2至ERPn中的一個(gè)或一個(gè)以上的值不同的值。
[0132]在各種實(shí)施方式中，預(yù)先確定的蝕刻速率ERPl在計(jì)算的蝕刻速率ERCl的預(yù)先確定的范圍內(nèi)，預(yù)先確定的蝕刻速率ERP2在計(jì)算的蝕刻速率ERC2的預(yù)先確定的范圍內(nèi)等等，直至預(yù)先確定的蝕刻速率ERPn在計(jì)算的蝕刻速率ERCn的預(yù)先確定的范圍內(nèi)。
[0133]在若干實(shí)施方式中，主機(jī)控制器224基于計(jì)算的蝕刻速率來(lái)識(shí)別預(yù)先確定的蝕刻速率。例如，主機(jī)控制器224確定蝕刻速率ERPl與蝕刻速率ERCl關(guān)聯(lián)，蝕刻速率ERP2與蝕刻速率ERC2關(guān)聯(lián)等等，直至主機(jī)控制器224確定蝕刻速率ERPn與蝕刻速率ERCn關(guān)聯(lián)。
[0134]要在該點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的每個(gè)預(yù)先確定的阻抗ZP與預(yù)先確定的蝕刻速率對(duì)應(yīng)。例如，預(yù)先確定的阻抗ZPl由主機(jī)控制器224根據(jù)預(yù)先確定的蝕刻速率ERPl計(jì)算。作為另一個(gè)示例，預(yù)先確定的阻抗ZP2由主機(jī)控制器224根據(jù)預(yù)先確定的蝕刻速率ERP2計(jì)算等等，直至預(yù)先確定的阻抗ZPn由主機(jī)控制器224根據(jù)預(yù)先確定的蝕刻速率ERPn計(jì)算。作為又一個(gè)示例，主機(jī)控制器224基于不同時(shí)間的電壓、電流以及預(yù)先確定的蝕刻速率之間的關(guān)系解出不同時(shí)間的電壓和電流。進(jìn)一步舉例而言，主機(jī)控制器224解出在等式CnVPl+C12IPl = ERPl和CnVP2+C12IP2 = ERPl中的VPl、VP2、IPl和IP2,以計(jì)算電壓VPl和VP2、以及電流IPl和IP2。主機(jī)控制器224基于電壓VPl與電流IPl的比率、以及電壓VP2與IP2的比率，確定預(yù)先確定的復(fù)阻抗。
[0135]在一些實(shí)施方式中，主機(jī)控制器224基于預(yù)先確定的蝕刻速率ERP，識(shí)別預(yù)先確定的阻抗ZP。例如，主機(jī)控制器224基于阻抗ZPl與蝕刻速率ERPl之間的對(duì)應(yīng)來(lái)確定預(yù)先確定的阻抗ZPl，基于阻抗ZP2與蝕刻速率ERP2之間的對(duì)應(yīng)來(lái)確定預(yù)先確定的阻抗ZP2等等，直至主機(jī)控制器224基于阻抗ZPn與蝕刻速率ERPn之間的對(duì)應(yīng)來(lái)確定預(yù)先確定的阻抗ZPn0
[0136]每個(gè)預(yù)先確定的阻抗都具有實(shí)部和虛部。例如，主機(jī)控制器224將預(yù)先確定的阻抗ZPl分離為實(shí)部ZPRl和虛部ZPII，將預(yù)先確定的阻抗ZP2分離為實(shí)部ZPR2和虛部ZPI2等等，直至主機(jī)控制器224將預(yù)先確定的阻抗ZPn分離為實(shí)部ZPRn和虛部ZPIn。
[0137]在一些實(shí)施方式中，主機(jī)控制器224使預(yù)先確定的阻抗的實(shí)部與電容器102(圖1-4)的電容值或者代替可變電容器102來(lái)使用的可變電感器的電感值關(guān)聯(lián)，例如鏈接、建立連接、建立對(duì)應(yīng)等。例如，實(shí)部ZPRl與電容值C1021關(guān)聯(lián)，實(shí)部ZPR2與電容值C1022關(guān)聯(lián)等等，直至實(shí)部ZPRn與電容值C102n關(guān)聯(lián)。主機(jī)控制器224進(jìn)一步將預(yù)先確定的阻抗的虛部與電容器104(圖1和圖2)的電容值、或者電容器162(圖3和圖4)的電容值、或者電感器137 (圖2)的電感值、或者可變電感器256 (圖4)的電感值、或者代替電感器106 (圖3、4)來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者代替電容器158(圖3、4)來(lái)使用的的可變電容的電容值、或者其組合關(guān)聯(lián)。例如，虛部ZPIl與電容器104的電容值C1041、或者與電感器137的電感值L1371、或者與電容器C162的電容值C1621、或者與電感器L256的電感值L2561、或者與代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者與代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合關(guān)聯(lián)。作為另一個(gè)示例，虛部ZPI2與電容器104的電容值C1042、或者與電感器137的電感值L1372、或者與電容器C162的電容值C1622、或者與電感器L256的電感值L2562、或者與代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者與代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合關(guān)聯(lián)。作為另一個(gè)示例，虛部ZPIn與電容器104的電容值C104n、或者與電感器137的電感值L137n、或者與電容器C162的電容值C162n、或者與電感器L256的電感值L256n、或者與代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未不出)的電感值、或者與代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合關(guān)聯(lián)。
[0138]主機(jī)控制器224基于實(shí)部ZPR來(lái)識(shí)別電容器102的電容值。例如，主機(jī)控制器224確定為實(shí)部ZPRl與電容值C1021之間存在對(duì)應(yīng)，并且基于實(shí)部ZPRl來(lái)識(shí)別電容值C1021。作為另一個(gè)示例，主機(jī)控制器224確定實(shí)部ZPR2與電容值C1022之間存在對(duì)應(yīng)，并且識(shí)別電容值C1022等等，直至主機(jī)控制器224確定為實(shí)部ZPRn與電容值C102n之間存在對(duì)應(yīng)，并且識(shí)別電容值C102n。
[0139]類似地，主機(jī)控制器224基于虛部ZPI，確定電容器104的電容值、或者電感器137的電感值、或者電容器162的電容值、或者電感器256的電感值、或者代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合。例如，主機(jī)控制器224確定虛部ZPIl與電容值C1041、或者電感值L1371、或者電容值1621、或者電感值2561、或者代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合之間存在對(duì)應(yīng)，并基于虛部ZPIl來(lái)識(shí)別電容值C1041、或者電感值L1371、或者電容值1621、或者電感值2561、或者代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合。作為另一個(gè)示例，主機(jī)控制器224確定虛部ZPIn與電容值C104n、或者電感值L137n、或者電容值162η、或者電感值256η、或者代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、或者代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合之間存在對(duì)應(yīng)，并基于虛部ZPIn來(lái)識(shí)別電容值C104n、或者電感值L137n、或者電容值162η、或者電感值256η、或者代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未不出)的電感值、或者代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值、或者其組合。
[0140]應(yīng)該注意的是在一些實(shí)施方式中，主機(jī)控制器224使用的是沉積速率或者伽馬值，而不是蝕刻速率。例如，基于由等離子體室122內(nèi)的等離子體朝向RF產(chǎn)生器132反射的功率與由RF產(chǎn)生器132生成的RF信號(hào)所供應(yīng)的功率的比率，由主機(jī)控制器224計(jì)算和/或識(shí)別伽馬值。在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的復(fù)電壓和阻抗由主機(jī)控制器224使用來(lái)計(jì)算和/或識(shí)別在輸出處供應(yīng)的功率和反射的功率?；诠?yīng)的功率和反射的功率，在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處的伽馬值由主機(jī)控制器224計(jì)算和/或識(shí)別。由主機(jī)控制器224將計(jì)算的伽馬值與主機(jī)控制器224的存儲(chǔ)器設(shè)備內(nèi)存儲(chǔ)的預(yù)先確定的伽馬值比較，以確定計(jì)算的伽馬值是否與預(yù)先確定的伽馬值匹配。作為示例，預(yù)先確定的伽馬值是零或者在零的范圍內(nèi)。預(yù)先確定的伽馬值是要在RF傳輸線168上的該點(diǎn)處實(shí)現(xiàn)的伽馬值。當(dāng)確定計(jì)算的伽馬值與預(yù)先確定的伽馬值不匹配時(shí)，由主機(jī)控制器224基于預(yù)先確定的伽馬值來(lái)計(jì)算和/或識(shí)別阻抗。改變可變并聯(lián)電容器102的電容，以實(shí)現(xiàn)阻抗的實(shí)部。此外，取代改變可變并聯(lián)電容器102的電容或者在改變可變并聯(lián)電容器102的電容的基礎(chǔ)上，改變可變電容器104的電容、和/或可變電感器104的電感、和/或可變電容器162的電容、和/或可變電感器256的電感、和/或代替電感器106來(lái)使用的可變電感器(未示出)的電感值、和/或代替電容器158來(lái)使用的可變電容的電容值，以實(shí)現(xiàn)阻抗的虛部。
[0141]圖6是控制電路組件284的控制系統(tǒng)280的實(shí)施方式的框圖?？刂葡到y(tǒng)280包含驅(qū)動(dòng)器138、馬達(dá)282和電路組件284。電路組件284的示例包含電感器和電容器。電容器的示例包含可變電容器?？勺冸娙萜鞯氖纠婵湛勺冸娙萜?VVC)和空氣可變電容器。在一些實(shí)施方式中，馬達(dá)282集成在電路組件284內(nèi)。驅(qū)動(dòng)器138的示例包含生成電流的電路。當(dāng)施加閾值電壓時(shí)生成電流的電路的示例包含具有多個(gè)晶體管的電路。
[0142]當(dāng)主機(jī)控制器224將信號(hào)發(fā)送給驅(qū)動(dòng)器138來(lái)控制電路組件284時(shí)，驅(qū)動(dòng)器138產(chǎn)生使馬達(dá)282的轉(zhuǎn)子相對(duì)于馬達(dá)282的定子旋轉(zhuǎn)的電流。該旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致在馬達(dá)282和電路組件284之間的連桿286的旋轉(zhuǎn)，連桿286例如是桿、螺紋桿、螺釘軸、套筒和柱塞等。連桿286的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致電容器的板之間的距離的改變或者導(dǎo)致電感器的延伸或者收縮。電容器的板之間的距離的改變會(huì)改變電容器的電容。此外，電感器的延伸或者收縮會(huì)改變電感器的電感。
[0143]在各種實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)器138耦結(jié)至電容器或者電感器284，而沒(méi)有耦結(jié)至馬達(dá)282。例如，反向偏置的半導(dǎo)體二極管具有的耗盡層厚度隨著跨二極管施加的直流電流(DC)電壓改變。
[0144]圖7是主機(jī)控制器224的實(shí)施方式的圖。主機(jī)控制器224包含處理器204、存儲(chǔ)器設(shè)備202、輸入設(shè)備290、輸出設(shè)備292、輸入/輸出(I/O)接口 294、I/O接口 296、網(wǎng)絡(luò)接口控制器(NIC) 298和總線302。處理器204、存儲(chǔ)器設(shè)備202、輸入設(shè)備290、輸出設(shè)備292、I/O接口 294、I/O接口 296和NIC298互相通過(guò)總線302彼此耦結(jié)。輸入設(shè)備290的示例包含鼠標(biāo)、鍵盤(pán)、觸控筆等。輸出設(shè)備292的示例包含顯示器、揚(yáng)聲器、或者其組合。顯示器可以是液晶顯示器、發(fā)光二極管顯示器、陰極射線管、等離子體顯示器等。NIC274的示例包含網(wǎng)絡(luò)接口卡、網(wǎng)絡(luò)適配器等。
[0145]I/O接口的示例包含在耦結(jié)至接口的多個(gè)硬件之間提供兼容性的接口。例如，I/O接口 294將從輸入設(shè)備290接收的信號(hào)轉(zhuǎn)換為與總線302兼容的形式、幅值、和/或速度。作為另一個(gè)示例，I/O接口 296將從總線302接收的信號(hào)轉(zhuǎn)換為與輸出設(shè)備292兼容的形式、幅度、和/或速度。
[0146]圖8是繪制出在計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的節(jié)點(diǎn)處的阻抗與對(duì)應(yīng)于該節(jié)點(diǎn)的RF傳輸線168(圖1)上的點(diǎn)的RF信號(hào)的頻率的曲線關(guān)系的曲線圖306的實(shí)施方式。如曲線圖306所示，阻抗隨著供應(yīng)RF信號(hào)的RF產(chǎn)生器132 (圖1)的頻率改變，并且反之亦然。在接近RF信號(hào)的諧波頻率的頻率下，阻抗到達(dá)最小。
[0147]圖9是繪制出對(duì)于不同水平的蝕刻速率控制的蝕刻襯底的蝕刻速率與襯底的半徑的關(guān)系曲線圖310的實(shí)施方式。使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)確定蝕刻速率，并且蝕刻速率與預(yù)先確定的蝕刻速率比較以增加蝕刻速率的均一性。另外，曲線圖510示出了當(dāng)不使用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型時(shí)，蝕刻速率存在非均一性。
[0148]進(jìn)一步注意到，盡管參考平行板等離子體室(例如電容耦合的等離子體室等)說(shuō)明了上述操作，但在一些實(shí)施方式中，上述操作適用于其他類型的等離子體室，例如電感耦合等離子體(ICP)反應(yīng)器或者變壓器耦合等離子體(TCP)反應(yīng)器的離子體室、導(dǎo)體工具的離子體室、或者電子回旋諧振(ECR)反應(yīng)器的離子體室等。例如，RF產(chǎn)生器132 (圖1)耦結(jié)至ICP反應(yīng)器的等離子體室內(nèi)的電感器。
[0149]還注意到，盡管上述操作被說(shuō)明為由主機(jī)控制器224 (圖1)執(zhí)行，但在一些實(shí)施方式中，操作可以由主機(jī)控制器224的一個(gè)或一個(gè)以上的處理器，或者由多個(gè)主機(jī)系統(tǒng)的多個(gè)處理器，或者由RF產(chǎn)生器的多個(gè)處理器執(zhí)行。
[0150]應(yīng)該注意的是，盡管上述實(shí)施方式涉及將RF信號(hào)提供給等離子體室的卡盤(pán)的下電極，并將等離子體室的上電極接地，但在若干實(shí)施方式中，RF信號(hào)被提供給上電極且下電極接地。
[0151]本文說(shuō)明的實(shí)施方式可以用各種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置實(shí)施，各種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置包含手持硬件單元、微處理器系統(tǒng)、基于微處理器的或可編程的消費(fèi)者電子設(shè)備、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)等。實(shí)施方式還可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)施，其中任務(wù)被經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)鏈接的遠(yuǎn)程處理硬件單元執(zhí)行。
[0152]考慮到上述實(shí)施方式，應(yīng)該理解的是實(shí)施方式可以采用涉及存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)的各種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的操作。這些操作是需要物理量的物理處理的操作。形成實(shí)施方式的一部分的本文說(shuō)明的任何操作是有用的機(jī)器操作。實(shí)施方式還涉及用于執(zhí)行這些操作的硬件單元或者裝置。裝置可以是為了專用計(jì)算機(jī)特殊構(gòu)成的。當(dāng)定義為專用計(jì)算機(jī)時(shí)，該計(jì)算機(jī)還可以執(zhí)行并非特殊的目的的一部分的其他處理、程序執(zhí)行或者例程，但仍然能夠?yàn)榱颂厥饽康亩僮鳌Ｔ谝恍?shí)施方式中，操作可以選擇性由計(jì)算機(jī)處理，由存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器、緩存中或者通過(guò)網(wǎng)絡(luò)獲得的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序激活或配置該計(jì)算機(jī)。當(dāng)數(shù)據(jù)通過(guò)網(wǎng)絡(luò)獲得時(shí)，該數(shù)據(jù)可以由網(wǎng)絡(luò)上的其他計(jì)算機(jī)(例如計(jì)算資源的云)處理。
[0153]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式還可以作為非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可讀代碼。在一些實(shí)施方式中，非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)是能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器設(shè)備，該數(shù)據(jù)之后能由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取。非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例包含硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)(NAS)、ROM、RAM、致密光盤(pán) ROM(CD-ROM)、刻錄 CD (CD-R)、可擦寫(xiě) CD (CD-RW)、磁帶、其他光學(xué)和非光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件單元。非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包含分布在與網(wǎng)絡(luò)耦合的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上的計(jì)算機(jī)可讀有形介質(zhì)，以便計(jì)算機(jī)可讀代碼以分布式方式存儲(chǔ)并執(zhí)行。
[0154]盡管上述方法操作以特定順序說(shuō)明，應(yīng)該理解的是可以在操作之間執(zhí)行其他雜務(wù)操作，或者操作可以被調(diào)節(jié)，以便其發(fā)生在稍微不同的時(shí)間，或者可以分布在系統(tǒng)中，該系統(tǒng)允許處理操作以與處理關(guān)聯(lián)的各種間隔發(fā)生，只要整個(gè)操作的處理以期望的方式執(zhí)行即可。
[0155]來(lái)自任何實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)特征可以與任何其他實(shí)施方式一個(gè)或多個(gè)特征合并，而不脫離本公開(kāi)說(shuō)明的各種實(shí)施方式中說(shuō)明的范圍。
[0156]盡管出于清楚理解目的，已詳細(xì)說(shuō)明了上述實(shí)施方式，但可以知曉的是在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以進(jìn)行某些改變和修改。從而，本實(shí)施方式被認(rèn)為是示例性的，實(shí)施方式不限于本文給出的細(xì)節(jié)，而是可以在所附的權(quán)利要求的等同方案和范圍內(nèi)修改。
【權(quán)利要求】
1.一種用于實(shí)現(xiàn)蝕刻速率的方法，其包括: 接收與處理等離子體室中的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量，所述等離子體室通過(guò)射頻(RF)傳輸線耦結(jié)至阻抗匹配電路，所述阻抗匹配電路通過(guò)RF電纜耦結(jié)至RF產(chǎn)生器； 經(jīng)由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)傳送所述計(jì)算的變量，以在所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處產(chǎn)生所述計(jì)算的變量的值； 識(shí)別與所述計(jì)算的變量的所述值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率； 基于所述計(jì)算的處理速率來(lái)識(shí)別要實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的處理速率； 基于所述預(yù)先確定的處理速率，識(shí)別要在所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的所述輸出處實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的變量； 識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的實(shí)部關(guān)聯(lián)的第一特征、所述阻抗匹配電路內(nèi)的第一可變電路組件的所述第一特征； 控制所述第一可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)所述第一特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量的所述實(shí)部； 識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的虛部關(guān)聯(lián)的第二特征、所述阻抗匹配電路內(nèi)的第二變量電路組件的所述第二特征；以及 將信號(hào)發(fā)送給所述第二可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)所述第二特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量的所述虛部。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述計(jì)算的變量包含復(fù)電壓和電流。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件包含電容器，并且所述第一特征包含所述電容器的電容。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二可變電路組件包含電容器，并且所述第二特征包含所述電容器的電容。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件包含電感器，并且所述第一特征包含所述電感器的電感。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二可變電路組件包含電感器，并且所述第二特征包含所述電感器的電感。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 將信號(hào)發(fā)送給所述RF產(chǎn)生器的控制器，以改變所述RF產(chǎn)生器的操作頻率，從而實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的處理速率。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，處理所述工件包括蝕刻所述工件或者在所述工件上沉積材料。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二可變電路組件耦結(jié)至所述阻抗匹配電路的電感器。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述電感器耦結(jié)至所述等離子體室。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述RF產(chǎn)生器耦結(jié)至所述第一可變電路組件和所述第二可變電路組件。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件和所述第二可變電路組件中的每個(gè)耦結(jié)至所述RF產(chǎn)生器的輸出。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件耦結(jié)至所述第二可變電路組件。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法被用于處理半導(dǎo)體晶片以制造集成電路。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，經(jīng)由所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)傳送所述計(jì)算的變量包括計(jì)算定向和，所述定向和是所述計(jì)算的變量的值與作為所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的電路元件的特征的一個(gè)或一個(gè)以上的變量的定向和。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述計(jì)算的處理速率包括蝕刻速率或者沉積速率，其中，當(dāng)實(shí)現(xiàn)所述計(jì)算的變量便于實(shí)現(xiàn)所述計(jì)算的處理速率時(shí)，所述計(jì)算的處理速率與所述計(jì)算的變量的所述值關(guān)聯(lián)。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)先確定的處理速率包括蝕刻速率或者沉積速率，其中，當(dāng)實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量便于實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的處理速率時(shí)，所述預(yù)先確定的處理速率與所述預(yù)先確定的變量關(guān)聯(lián)。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)先確定的變量包括阻抗。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述實(shí)部是獨(dú)立于所述RF產(chǎn)生器的操作頻率的改變的常數(shù)，并且所述虛部依賴于所述RF產(chǎn)生器的所述操作頻率。
20.—種主機(jī)控制器,其包括: 存儲(chǔ)器設(shè)備，其用于存儲(chǔ)復(fù)變量； 主機(jī)處理器，其耦結(jié)至所述存儲(chǔ)器設(shè)備，所述主機(jī)處理器用于: 接收與處理等離子體室中的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量，所述等離子體室通過(guò)射頻(RF)傳輸線耦結(jié)至阻抗匹配電路，所述阻抗匹配電路通過(guò)RF電纜耦結(jié)至RF產(chǎn)生器； 經(jīng)由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)傳送所述計(jì)算的變量，以在所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處產(chǎn)生所述計(jì)算的變量的值； 識(shí)別與所述計(jì)算的變量的所述值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率； 基于所述計(jì)算的處理速率來(lái)識(shí)別要實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的處理速率； 基于所述預(yù)先確定的處理速率，識(shí)別在所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的所述輸出處的預(yù)先確定的變量； 識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的實(shí)部關(guān)聯(lián)的第一特征、所述阻抗匹配電路內(nèi)的第一變量電路組件的所述第一特征； 將信號(hào)發(fā)送給所述第一可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)所述第一特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量的所述實(shí)部； 識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的虛部關(guān)聯(lián)的第二特征、所述阻抗匹配電路內(nèi)的第二變量電路組件的所述第二特征；以及 將信號(hào)發(fā)送給所述第二可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)所述第二特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量的所述虛部。
21.如權(quán)利要求20所述的主機(jī)控制器，其中，所述第一變量包含復(fù)電壓和電流。
22.一種上面存儲(chǔ)有可執(zhí)行程序的非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述程序指示處理器執(zhí)行下面的操作: 接收與處理等離子體室中的工件關(guān)聯(lián)的計(jì)算的變量，所述等離子體室通過(guò)射頻(RF)傳輸線耦結(jié)至阻抗匹配電路，所述阻抗匹配電路通過(guò)RF電纜耦結(jié)至RF產(chǎn)生器； 經(jīng)由計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型來(lái)傳送所述計(jì)算的變量，以在所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的輸出處產(chǎn)生所述計(jì)算的變量的值； 識(shí)別與所述計(jì)算的變量的所述值關(guān)聯(lián)的計(jì)算的處理速率； 基于所述計(jì)算的處理速率來(lái)識(shí)別要實(shí)現(xiàn)的預(yù)先確定的處理速率； 基于所述預(yù)先確定的處理速率，識(shí)別在所述計(jì)算機(jī)產(chǎn)生的模型的所述輸出處的預(yù)先確定的變量； 識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的實(shí)部關(guān)聯(lián)的第一特征、所述阻抗匹配電路內(nèi)的第一可變電路組件的所述第一特征； 將信號(hào)發(fā)送給所述第一可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)所述第一特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量的所述實(shí)部； 識(shí)別與所述預(yù)先確定的變量的虛部關(guān)聯(lián)的第二特征、所述阻抗匹配電路內(nèi)的第二變量電路組件的所述第二特征；以及 將信號(hào)發(fā)送給所述第二可變電路組件，以實(shí)現(xiàn)所述第二特征，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)所述預(yù)先確定的變量的所述虛部。
23.如權(quán)利要求22所述的非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述第一變量包含復(fù)電壓和電流。
【文檔編號(hào)】H03H11/28GK104518753SQ201410524866
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月1日
【發(fā)明者】布拉德福德·J·林達(dá)克, 約翰·C·小瓦爾考, 阿列克謝·馬拉霍塔諾夫, 塞得·亞法·亞法莉安-特哈利, 陳志剛 申請(qǐng)人:朗姆研究公司