壓電振動元件及其制造方法、壓電振子、電子裝置及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種振動元件及其制造方法、振子、電子裝置及電子設(shè)備，所述振動元件為基波且高頻、小型，主振動的CI值較小，從而寄生響應(yīng)的CI值比較大。壓電振動元件(1)具備：壓電基板(10)，其具有薄壁的振動區(qū)域(12)、及沿著振動區(qū)域(12)的除一條邊之外的三條邊而被一體化的厚壁部；激勵電極(25a、25b)，其分別被配置在振動區(qū)域(12)的表面及背面；引線電極(27a、27b)。厚壁部具備：隔著振動區(qū)域(12)而對置配置的第一厚壁部(14)和第二厚壁部(16)、以及連接設(shè)置在第一厚壁部和第二厚壁部的基端部之間的第三厚壁部(18)。第二厚壁部(16)具備：與振動區(qū)域(12)的一條邊連接設(shè)置的傾斜部(16b)、與傾斜部(16b)的另一條邊連接設(shè)置的厚壁的第二厚壁部主體(16a)、和至少一個應(yīng)力緩和用的狹縫(20)。
【專利說明】壓電振動元件及其制造方法、壓電振子、電子裝置及電子設(shè) 備
[0001] 本申請為，中國國家申請?zhí)枮?01210180347.X、申請日為2012年6月1日、發(fā)明名 稱為振動元件及其制造方法、振子、電子裝置及電子設(shè)備的發(fā)明專利申請的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及一種激勵厚度切變振動模式的壓電振子，尤其涉及一種具有所謂的倒 臺面型結(jié)構(gòu)的壓電振動元件、壓電振動元件的制造方法、壓電振子、電子裝置以及使用了本 發(fā)明所涉及的壓電振子的電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003] 由于AT切割水晶振子激勵的主振動的振動模式為厚度切變振動，而適用于小型 化、高頻化，且頻率溫度特性呈優(yōu)異的三次曲線，因此在壓電振蕩器、電子設(shè)備等多方面被 使用。
[0004] 專利文獻(xiàn)1中公開了一種在主面的一部分上形成凹陷部而實現(xiàn)了高頻化的、所謂 的倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子。使用水晶基板的Z'軸方向上的長度長于X軸方向上 的長度的、所謂的Z'長基板。
[0005] 專利文獻(xiàn)2中公開了一種在矩形的薄壁振動部的三條邊上分別連接設(shè)置有厚壁 支承部（厚壁部），從而以=字狀設(shè)置有厚壁部的倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子。此外， 水晶振動片為，使AT切割水晶基板的X軸和Z'軸分別以Y'軸為中心而在一 120°?+60° 的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)而成的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)AT切割水晶基板，并且水晶振動片為確保了振動區(qū)域，且批 量生產(chǎn)性優(yōu)異（獲得多個）的結(jié)構(gòu)。
[0006] 專利文獻(xiàn)3和4中公開了一種在矩形的薄壁振動部的三條邊上分別連接設(shè)置有厚 壁支承部，從而以=字狀設(shè)置有厚壁部的倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子，水晶振動片使 用水晶基板的X軸方向上的長度長于Z'軸方向上的長度的、所謂的X長基板。
[0007] 專利文獻(xiàn)5中公開了一種在矩形的薄壁振動部的鄰接的兩條邊上分別連接設(shè)置 有厚壁支承部，從而以L字狀設(shè)置有厚壁部的倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子。水晶基板 使用Z '長基板。
[0008] 然而,在專利文獻(xiàn)5中，為了獲得L字狀的厚壁部，而像專利文獻(xiàn)5的圖1(c)、圖 1(d)所記載的那樣沿著線段α、和線段β來削除厚壁部，但由于該削除以通過切割等機(jī)械 加工來實施削除為前提，因此存在在切削面上產(chǎn)生碎屑或裂縫等的損壞，而導(dǎo)致超薄部發(fā) 生損壞的問題。此外，還存在在振動區(qū)域上成為寄生響應(yīng)的原因的無用振動的產(chǎn)生、CI值 的增加等問題。
[0009] 專利文獻(xiàn)6中公開了一種僅薄壁振動部的一條邊上連接設(shè)置有厚壁支承部的倒 臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子。
[0010] 專利文獻(xiàn)7中公開了一種倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子，其通過在水晶基板的 兩個主面上即表背面上對置地形成凹陷部，從而實現(xiàn)了高頻化。并提出了下述結(jié)構(gòu)，即，水 晶基板使用X長基板，并在被形成在凹陷部中的振動區(qū)域的平坦性被確保的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置 有激勵電極。
[0011] 可是，已知在AT切割水晶振子的振動區(qū)域內(nèi)被激勵的厚度切變振動模式中，由于 彈性常數(shù)的各向異性，從而振動位移分布成為在X軸方向上具有長徑的橢圓狀。專利文獻(xiàn)8 中公開了一種激勵厚度切變振動的壓電振子，其具有在壓電基板的表背兩個面內(nèi)上表背對 稱地配置有一對環(huán)狀電極。以環(huán)狀電極僅激勵對稱零階模式，而基本上不激勵除此之外的 非諧高階模式的方式，來設(shè)定環(huán)狀電極的外周直徑與內(nèi)周直徑之差。
[0012] 專利文獻(xiàn)9中公開了一種將壓電基板和設(shè)置在壓電基板的表背面上的激勵電極 的形狀均設(shè)定為長圓形狀的壓電振子。
[0013] 專利文獻(xiàn)10中公開了一種將水晶基板的長度方向（X軸方向）上的兩端部、及電 極的X軸方向上的兩端部的形狀均設(shè)定為半橢圓狀，且將橢圓的長軸與短軸的比（長軸/ 短軸）設(shè)定為大致1. 26的水晶振子。
[0014] 專利文獻(xiàn)11中公開了一種在橢圓的水晶基板上形成有橢圓的激勵電極的水晶振 子。雖然長軸和短軸的比優(yōu)選為1.26:1，但在考慮到制造尺寸的偏差等時，1. 14?1.39:1 的范圍程度較為實用。
[0015] 專利文獻(xiàn)12中公開了一種下述結(jié)構(gòu)的壓電振子，S卩，為了進(jìn)一步改善厚度切變壓 電振子的能量封閉效果，而在振動部和支承部之間設(shè)置有切口或狹縫。
[0016] 可是，在實現(xiàn)壓電振子的小型化時，由于因粘合劑而導(dǎo)致的殘留應(yīng)力，將產(chǎn)生電特 性的惡化和頻率老化不良。專利文獻(xiàn)13中公開了一種在矩形平板狀的AT切割水晶振子的 振動部和支承部之間，設(shè)置有切口或狹縫的水晶振子。通過使用這種結(jié)構(gòu)，從而能夠抑制殘 留應(yīng)力向振動區(qū)域擴(kuò)散的情況。
[0017] 專利文獻(xiàn)14中公開了一種為了改善（緩和）安裝變形（應(yīng)力），而在倒臺面型壓 電振子的振動部和支承部之間設(shè)置有切口或狹縫的振子。專利文獻(xiàn)15中公開了一種通過 在倒臺面型壓電振子的支承部設(shè)置狹縫（貫穿孔），從而確保表背面的電極的導(dǎo)通的壓電 振子。
[0018] 專利文獻(xiàn)16中公開了一種通過在厚度切變振動模式的AT切割水晶振子的支承部 設(shè)置狹縫，從而抑制高階輪廓系統(tǒng)的無用模式的水晶振子。
[0019] 此外，專利文獻(xiàn)17中公開了一種振子，其通過在倒臺面型AT切割水晶振子的薄壁 的振動部與厚壁的保持部的連接設(shè)置部、即具有傾斜面的殘渣部設(shè)置有狹縫，從而抑制寄 生響應(yīng)。
[0020] 近些年來，對壓電裝置的小型化、高頻化和高性能化的要求增強(qiáng)。然而，明確了如 上文所述的結(jié)構(gòu)的壓電振子存在下述問題，即，主振動的CI值、接近的寄生響應(yīng)CI值比 (=CIs/CIm，在此，CIm為主振動的CI值，CIs為寄生響應(yīng)的CI值，標(biāo)準(zhǔn)的1例為1. 8以 上）等不滿足要求。
[0021] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-165743號公報
[0022] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2009-164824號公報
[0023] 專利文獻(xiàn)3:日本特開2006-203700號公報
[0024] 專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-198772號公報
[0025] 專利文獻(xiàn)5:日本特開2002-033640號公報
[0026] 專利文獻(xiàn)6:日本特開2001-144578號公報
[0027] 專利文獻(xiàn)7:日本特開2003 - 264446號公報
[0028] 專利文獻(xiàn)8:日本特開平2-079508號公報
[0029] 專利文獻(xiàn)9:日本特開平9-246903號公報
[0030] 專利文獻(xiàn)10:日本特開2007-158486號公報
[0031] 專利文獻(xiàn)11:日本特開2007-214941號公報
[0032] 專利文獻(xiàn)12:日本實開昭61-187116號公報
[0033] 專利文獻(xiàn)13:日本特開平9-326667號公報
[0034] 專利文獻(xiàn)14:日本特開2009-158999號公報
[0035] 專利文獻(xiàn)15:日本特開2004-260695號公報
[0036] 專利文獻(xiàn)16:日本特開2009-188483號公報
[0037] 專利文獻(xiàn)17:日本特開2003-087087號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0038] 因此，本發(fā)明是為了解決上述問題的至少一部分而實施的，其目的在于，提供一種 能夠?qū)崿F(xiàn)高頻化（100?500MHz頻帶），且減少主振動的CI值、從而滿足寄生響應(yīng)CI值比 等的電氣性的要求的壓電振動元件、壓電振動元件的制造方法、壓電振子、電子裝置以及使 用本發(fā)明的壓電振子的電子設(shè)備。
[0039] 本發(fā)明能夠作為以下的方式或應(yīng)用例而實現(xiàn)。
[0040] 應(yīng)用例1
[0041] 本發(fā)明所涉及的壓電振動元件的特征在于，具備：壓電基板，其包括振動區(qū)域、及 與所述振動區(qū)域一體化且比所述振動區(qū)域的厚度厚的厚壁部；激勵電極，其分別被配置在 所述振動區(qū)域的表面和背面；引線電極，其以從所述激勵電極延伸至所述厚壁部上的方式 而設(shè)置，所述厚壁部以將所述振動區(qū)域的一部分開放的方式而具備：第一厚壁部和第二厚 壁部，其隔著所述振動區(qū)域而配置；第三厚壁部，其連接設(shè)置在該第一厚壁部和該第二厚壁 部的基端部之間，所述第二厚壁部具備：傾斜部，其厚度隨著從與所述振動區(qū)域連接設(shè)置的 一側(cè)端緣朝向另一側(cè)端緣離開而增加；厚壁主體，其與所述傾斜部的所述另一側(cè)端緣連接 設(shè)置，在所述第二厚壁部上設(shè)置有狹縫。
[0042] 由于高頻的基波壓電振動元件被小型化，且能夠抑制因粘合及固定而產(chǎn)生的應(yīng)力 的擴(kuò)散，因此具有下述效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率溫度特性、CI溫度特性以及頻率老 化特性，且主振動的CI值較小，從而接近的寄生響應(yīng)的CI值相對于主振動的CI值之比、即 CI值比較大的壓電振動元件。
[0043] 應(yīng)用例2
[0044] 此外，在應(yīng)用例1中所述的壓電振動元件的特征在于，所述振動區(qū)域為矩形，所述 振動區(qū)域的四條邊中的一條邊被開放。
[0045] 由于振動區(qū)域的四條邊中的一條邊被開放，因而未形成該方向上的厚壁部。因此 能夠?qū)弘娬駝釉⌒突?br> [0046] 應(yīng)用例3
[0047] 此外，在應(yīng)用例1中所述的壓電振動元件的特征在于，所述狹縫沿著所述傾斜部 與所述厚壁主體的邊界部，而被配置在所述厚壁主體上。
[0048] 由于能夠抑制在粘合并固定壓電振動元件時所產(chǎn)生的應(yīng)力的擴(kuò)散，因此具有下述 效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率溫度特性、CI溫度特性以及頻率老化特性的壓電振動元 件。
[0049] 應(yīng)用例4
[0050] 此外，在應(yīng)用例1中所述的壓電振動元件的特征在于，所述狹縫從所述振動區(qū)域 的一條邊離開而被配置在所述傾斜部內(nèi)。
[0051] 由于狹縫的形成較為容易，并能夠抑制在粘合并固定壓電振動元件時所產(chǎn)生的應(yīng) 力的擴(kuò)散，因此具有下述效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率溫度特性和CI溫度特性的壓電 振動元件。
[0052] 應(yīng)用例5
[0053] 此外，在應(yīng)用例1中所述的壓電振動元件的特征在于，所述狹縫具備：第一狹縫， 其被配置在所述厚壁主體上；第二狹縫，其從所述振動區(qū)域的一條邊離開而被配置在所述 傾斜部內(nèi)。
[0054] 由于能夠進(jìn)一步良好地抑制在粘合并固定壓電振動元件時所產(chǎn)生的應(yīng)力的擴(kuò)散， 因此具有下述效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、CI溫度特性以及頻 率老化特性的壓電振動元件。
[0055] 應(yīng)用例6
[0056] 此外，應(yīng)用例1至5中任一例所述的壓電振動元件的特征在于，壓電振動元件中， 所述振動區(qū)域的一個主面與所述第一厚壁部、所述第二厚壁部和所述第三厚壁部各自的一 個面位于同一平面內(nèi)。
[0057] 在僅從一個面對壓電基板進(jìn)行蝕刻而形成振動區(qū)域的情況下，能夠形成保持了原 始的基板的切割角度的振動區(qū)域，從而具有下述效果，即，可獲得頻率溫度特性優(yōu)異的高頻 的基波壓電振動元件。
[0058] 應(yīng)用例7
[0059] 此外，應(yīng)用例1至6中任一例所述的壓電振動元件的特征在于，壓電振動元件中， 所述壓電基板為如下的水晶基板，即，將由構(gòu)成水晶的結(jié)晶軸的、作為電軸的X軸、作為機(jī) 械軸的Y軸、和作為光學(xué)軸的Z軸形成的直角坐標(biāo)系中的所述X軸作為中心，而將使所述Z 軸向所述Y軸的一 Y方向傾斜預(yù)定的角度而成的軸設(shè)定為Z'軸，并將使所述Y軸向所述Z 軸的+Z方向傾斜所述預(yù)定的角度而成的軸設(shè)定為Y'軸，所述水晶基板由與所述X軸和所 述Z'軸平行的面構(gòu)成，且以與所述Y'軸平行的方向為厚度方向，并且以與所述X軸平行的 邊為長邊，以與所述Z'軸平行的邊為短邊。
[0060] 具有可獲得溫度特性良好的壓電振動元件的效果。
[0061] 應(yīng)用例8
[0062] 在應(yīng)用例7中所述的壓電振動元件的特征在于，所述水晶基板為AT切割水晶基 板。
[0063] 由于壓電基板使用AT切割水晶基板，從而能夠活用與光刻法和蝕刻有關(guān)的長期 的實際成果和經(jīng)驗，因此具有下述效果，即，不僅能夠大批量生產(chǎn)壓電基板，還能夠?qū)嵤└?精度的蝕刻，從而大幅度地改善了壓電振動元件的成品率。
[0064] 應(yīng)用例9
[0065] -種壓電振動兀件的制造方法，其特征在于，包括：在壓電基板的表背面中的一個 面上設(shè)置包含振動區(qū)域的凹陷部的工序；將包含所述凹陷部的一部分的所述壓電基板去 除，而形成包含振動區(qū)域及狹縫的外形形狀的工序，所述振動區(qū)域具有所述凹陷部的一部 分被開放的厚壁部；在包含所述振動區(qū)域的表背面的預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成電極的工序。
[0066] 根據(jù)本應(yīng)用例所述的壓電振動元件的制造方法，具有下述效果，即，能夠容易地制 造具有優(yōu)異的頻率溫度特性、CI溫度特性以及頻率老化特性，且主振動的CI值小，從而接 近的寄生響應(yīng)的CI值相對于主振動的CI值之比、即CI值比較大的壓電振動元件。
[0067] 應(yīng)用例10
[0068] 本發(fā)明的壓電振子的特征在于，具備應(yīng)用例1至8中任一例所述的壓電振動元件、 和對該壓電振動元件進(jìn)行收納的封裝件。
[0069] 由于高頻的基波壓電振子被小型化，且能夠抑制因粘合及固定而產(chǎn)生的應(yīng)力的擴(kuò) 散，因此具有下述效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、CI溫度特性以及 頻率老化特性的壓電振子。而且，還具有下述效果，即，可獲得減少了主振動的CI值，從而 接近的寄生響應(yīng)的CI值相對于主振動的CI值之比、即CI值比較大的壓電振子，并且可獲 得容量比較小的壓電振子。
[0070] 應(yīng)用例11
[0071] 本應(yīng)用例所記載的電子裝置的特征在于，在封裝件內(nèi)具備應(yīng)用例1至8中任一例 所述的壓電振動元件、及電子部件。
[0072] 通過如上文所述這樣構(gòu)成壓電裝置（例如電壓控制型壓電振蕩器），從而具有下 述效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、頻率老化特性，小型且高頻（例 如490MHz頻帶）的電壓控制型壓電振蕩器。此外，具有下述效果，S卩，由于壓電裝置使用基 波的壓電振動元件1，因此可獲得容量比較小、頻率可變幅度較廣、S/N比良好的電壓控制 型壓電振蕩器。
[0073] 應(yīng)用例12
[0074] 此外，在應(yīng)用例11中所述的電子裝置的特征在于，所述電子部件為可變?nèi)萘吭?件、熱敏電阻、電感器、電容器中的任一種。
[0075] 通過如上文所述這樣構(gòu)成電子裝置，從而能夠構(gòu)成壓電振蕩器、溫度補(bǔ)償型壓電 振蕩器以及電壓控制型壓電振蕩器等的電子裝置，由此具有下述效果，即，可構(gòu)成頻率再現(xiàn) 性、老化特性優(yōu)異的壓電振蕩器，頻率溫度特性優(yōu)異的溫度補(bǔ)償型壓電振蕩器，頻率穩(wěn)定、 可變范圍較廣且S/N比（信噪比）良好的電壓控制型壓電振蕩器。
[0076] 應(yīng)用例13
[0077] 本應(yīng)用例記載的電子裝置的特征在于，在封裝件內(nèi)具備應(yīng)用例1至8中任一例所 述的壓電振動元件、及對該壓電振動元件進(jìn)行激勵的振蕩電路。
[0078] 通過如上文所述這樣構(gòu)成壓電裝置，從而具有可構(gòu)成頻率再現(xiàn)性和老化特性優(yōu)異 的壓電振蕩器等的電子裝置的效果。
[0079] 應(yīng)用例14
[0080] 本應(yīng)用例所述的電子設(shè)備的特征在于，具備應(yīng)用例10所述的壓電振子。
[0081] 通過將上述應(yīng)用例所述的壓電振動器應(yīng)用在電子設(shè)備中，從而具有能夠構(gòu)成具備 高頻且頻率穩(wěn)定度優(yōu)異、S/N比良好的基準(zhǔn)頻率源的電子設(shè)備的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0082] 圖I (a)?圖I (f)為表示第一實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖， 圖1(a)為俯視圖，圖1(b)為P-P剖視圖，圖1(c)為Q-Q剖視圖，圖1(d)、圖1(e)和圖1(f) 為表示狹縫形狀的改變例的Q-Q剖視圖。
[0083] 圖2為對AT切割水晶基板和結(jié)晶軸的關(guān)系進(jìn)行說明的圖。
[0084] 圖3 (a)、圖3 (b)和圖3 (c)為表示壓電振動元件的改變例的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0085] 圖4(a)?圖4(c)為表示第二實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖， 圖4 (a)為俯視圖，圖4(b)為P-P剖視圖，圖4 (c)為Q-Q剖視圖。
[0086] 圖5(a)?圖5(e)為表示第三實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖， 圖5 (a)為俯視圖，圖5(b)為P-P剖視圖，圖5(c)為Q-Q剖視圖，圖5(d)和圖5(e)為表示 其他結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
[0087] 圖6為表示壓電基板的制造工序的說明圖。
[0088] 圖7為表示壓電振動元件的勵振電極和引線電極的制作工序的說明圖。
[0089] 圖8(a)為被形成在壓電晶片上的凹陷部的俯視圖，圖8(b)?圖8(e)為凹陷部的 X軸方向上的剖視圖。
[0090] 圖9(a)為被形成在壓電晶片上的凹陷部的俯視圖，圖9(b)?圖9(e)為凹陷部的 Z'軸方向上的剖視圖。
[0091] 圖10(a)和圖10(b)圖示了第四實施方式所涉及的壓電振子的結(jié)構(gòu)，圖10(a)為 縱剖視圖，圖10(b)為從P方向觀察時的俯視圖。
[0092] 圖11(a)和圖11(b)圖示了第五實施方式所涉及的壓電振子的結(jié)構(gòu)，圖11(a)為 縱剖視圖，圖11(b)為從P方向觀察時的俯視圖。
[0093] 圖12(a)和圖12(b)圖示了壓電振子的特性，圖12(a)為表示頻率溫度特性的圖， 圖12(b)為表示CI溫度特性的圖。
[0094] 圖13 (a)?圖13 (d)圖不了壓電振子的特性，圖13 (a)和圖13 (b)為表不容量比 的分布特性的圖，圖13(c)和圖13(d)為表示靜電容量的分布特性的圖。
[0095] 圖14(a)和圖14(b)圖示了壓電振子的特性，圖14(a)和圖14(b)為表示CI值比 的分布特性的圖。
[0096] 圖15(a)?圖15(c)圖示了壓電振動元件的改變例，圖15(a)和圖15(b)為立體 圖，圖15(c)為縱剖視圖。
[0097] 圖16為作為壓電裝置的壓電振子的特性說明圖。
[0098] 圖17(a)和圖17(b)圖示了第六實施方式所涉及的壓電裝置的結(jié)構(gòu)，圖17(a)為 縱剖視圖，圖17(b)為從P方向觀察時的俯視圖。
[0099] 圖18(a)和圖18(b)圖示了第七實施方式所涉及的壓電裝置的結(jié)構(gòu)，圖18(a)和 圖18(b)為縱剖視圖。
[0100] 圖19為表示壓電基板的改變例的縱剖視圖。
[0101] 圖20(a)?圖20(c)表示壓電基板的應(yīng)用例，圖20(a)?圖20(c)為壓電基板的 結(jié)構(gòu)說明圖。
[0102] 圖21(a)?圖21(c)表示壓電基板的應(yīng)用例，圖21(a)?圖21(c)為壓電基板的 結(jié)構(gòu)說明圖。
[0103] 圖22(a)和圖22(b)為表示安裝部的結(jié)構(gòu)例的主要部分的俯視圖和剖視圖。
[0104] 圖23為電子設(shè)備的模式圖。

【具體實施方式】
[0105] 第一實施方式
[0106] 以下，根據(jù)附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1(a)?圖1(f)為表示本 發(fā)明第一實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖1(a)為壓電振動元件1的 俯視圖，圖I (b)為P-P剖視圖，圖I (c)為Q-Q剖視圖，圖I⑷、圖I (e)和圖I (f)為表示狹 縫形狀的改變例的Q-Q剖視圖。
[0107] 壓電振動元件1具備：壓電基板10,其具有薄壁的振動區(qū)域12、及與振動區(qū)域12 連接設(shè)置的厚壁的厚壁部14、16、18 ;激勵電極25a、25b，其以正反對置的方式而分別被形 成在振動區(qū)域12的兩個主面上；引線電極27a、27b，其從激勵電極25a、25b朝向分別被設(shè) 置在厚壁部上的襯墊電極29a、29b而延伸形成。
[0108] 壓電基板10具備：振動區(qū)域12,其以大致四方形構(gòu)成矩形，薄壁且為平板狀；厚壁 部（厚壁的支承部）13,其為=字狀，并沿著振動區(qū)域12的除一條邊之外的三條邊而被一體 化。厚壁部13具有=字狀的結(jié)構(gòu)，該=字狀的結(jié)構(gòu)具備隔著振動區(qū)域12而對置配置的第 一厚壁部14和第二厚壁部16、以及連接設(shè)置在第一厚壁部14和第二厚壁部16的基端部之 間的第三厚壁部18。
[0109] 也就是說，厚壁部13以將振動區(qū)域12的四條邊中的一條邊（振動區(qū)域12的一部 分）開放的方式，而具備隔著振動區(qū)域12對置配置的第一厚壁部14和第二厚壁部16、以及 連接設(shè)置在第一厚壁部14和第二厚壁部16的基端部之間的第三厚壁部18。在此，"開放" 包括一條邊露出的情況、及不是局部露出而是完全露出的情況。
[0110] 并且，在本說明書中，以凹陷部11側(cè)為表面，以表面相反側(cè)的面即平面為背面。
[0111] 第一厚壁部14具備：第一傾斜部14b，其連接設(shè)置在薄壁平板狀的振動區(qū)域12的 一條邊12a上，且厚度隨著從與振動區(qū)域12的一條邊12a連接的一側(cè)端緣朝向另一側(cè)端緣 離開而逐漸增加；第一厚壁部主體14a，其為厚壁四方柱狀，且連接設(shè)置在第一傾斜部14b 的上述另一側(cè)端緣。同樣地，第二厚壁部16具備：傾斜部16b，其連接設(shè)置在薄壁平板狀的 振動區(qū)域12的一條邊12b上，且厚度隨著從與振動區(qū)域12的一條邊12b連接的一側(cè)端緣 朝向另一側(cè)端緣離開而逐漸增加；第二厚壁部主體16a，其為厚壁四方柱狀，且連接設(shè)置在 傾斜部16b的上述另一側(cè)端緣。
[0112] 此外，上述厚壁部主體是指，與上述Y'軸平行的厚度為固定的區(qū)域。
[0113] 第三厚壁部18具備：第三傾斜部18b，其連接設(shè)置在薄壁平板狀的振動區(qū)域12的 一條邊12c上，且厚度隨著從與振動區(qū)域12的一條邊12c連接的一側(cè)端緣朝向另一側(cè)端緣 離開而逐漸增加；第三厚壁部主體18a，其為厚壁四方柱狀，且連接設(shè)置在第三傾斜部18b 的上述另一側(cè)端緣。也就是說，薄壁的振動區(qū)域12成為三條邊被第一厚壁部14、第二厚壁 部16和第三厚壁部18包圍，且另一條邊被開放的凹陷部11。
[0114] 并且，振動區(qū)域12的一個主面與第一厚壁部14、第二厚壁部16和第三厚壁部18 各自的一個面處于同一平面上，即圖1(a)?圖1(f)所示的坐標(biāo)軸的X-Z'平面上，將該面 (圖1(b)的下表面?zhèn)龋┓Q作平坦面，而將相反側(cè)的面（圖1(b)的上表面?zhèn)龋┓Q作凹陷面。
[0115] 而且，壓電基板10在第二厚壁部16上貫穿形成有至少一個應(yīng)力緩和用的狹縫20。 在圖I (a)?圖I (f)所示實施方式中，狹縫20沿著傾斜部16b和第二厚壁部主體16a的連 接部而被形成在第二厚壁部主體16a的面內(nèi)。
[0116] 并且，狹縫20并不局限于如圖1(c)所示的被貫穿形成的狹縫，也可以為具有底部 的槽狀狹縫。對槽狀的狹縫進(jìn)行詳細(xì)敘述，例如，如圖1(d)所示，也可以由從第二厚壁部16 的表面?zhèn)缺恍纬汕揖哂械撞康牡谝华M縫20a、和從第二厚壁部16的背面?zhèn)缺恍纬汕揖哂械?部的第二狹縫20b這種從表背兩面?zhèn)仍O(shè)置的狹縫構(gòu)成。此外，如圖1(e)所示，也可以由從 第二厚壁部16的表面?zhèn)缺恍纬汕揖哂械撞康牡谌M縫20c構(gòu)成。另外，如圖I (f)所示，也 可以由從第二厚壁部16的背面?zhèn)缺恍纬汕揖哂械撞康牡谒莫M縫20d構(gòu)成。
[0117] 在此說明的狹縫20的形狀也可以應(yīng)用于以下說明的其他實施方式、改變例和應(yīng) 用例中。
[0118] 水晶等的壓電材料屬于二方晶系，從而如圖2所不，具有相互正受的結(jié)晶軸X、Y、 Z。X軸、Y軸、Z軸分別被稱作電軸、機(jī)械軸、光學(xué)軸。而且水晶基板將沿著使XZ面繞X軸 旋轉(zhuǎn)預(yù)定的角度Θ而成的平面，從水晶中切出的平板用作壓電振動元件。例如，在AT切割 水晶基板101的情況下，Θ為大致35° 15'。并且，Y軸和Z軸也繞X軸旋轉(zhuǎn)Θ，而分別 形成為Y'軸和Z'軸。因此，AT切割水晶基板101具有正交的結(jié)晶軸X、Y'、Z'。AT切割水 晶基板101中，厚度方向為Y'軸，與Y'軸正交的XZ'面（包含X軸和Z'軸的面）為主面， 厚度切變振動作為主振動而被激勵。對該AT切割水晶基板101進(jìn)行加工，從而能夠獲得壓 電基板10。
[0119] S卩，壓電基板10由如下的AT切割水晶基板構(gòu)成，S卩，如圖2所示，將由X軸（電 軸）、Y軸（機(jī)械軸）、Z軸（光學(xué)軸）構(gòu)成的直角坐標(biāo)系中的X軸作為中心，而將使Z軸向 Y軸的一 Y方向傾斜而成的軸設(shè)定為Z'軸，并將使Y軸向Z軸的+Z方向傾斜而成的軸設(shè)定 為Y'軸，所述AT切割水晶基板由與X軸和Z'軸平行的面構(gòu)成，且以與Y'軸平行的方向為 厚度方向。
[0120] 并且，本發(fā)明所涉及的壓電基板并不局限于上述角度Θ為大致35° 15'的AT切 害!]，當(dāng)然也可以廣泛應(yīng)用于激勵厚度切變振動的BT切割等的壓電基板。
[0121] 如圖1(a)所示，壓電基板10以與Y'軸平行的方向（以下，稱作"Y'軸方向"）為 厚度方向，并具有矩形形狀，該矩形以與X軸平行的方向（以下，稱作"X軸方向"）為長邊， 并以與Z'軸平行的方向（以下，稱作"Z'軸方向"）為短邊。
[0122] 對壓電基板10進(jìn)行驅(qū)動的激勵電極25a、25b在圖I (a)?圖I (f)所示的實施方 式中為四方形形狀，并在振動區(qū)域12的大致中央部的表背兩面（表背主面）上對置形成。 此時，平面?zhèn)龋ㄒ韵?，也稱作"平坦面?zhèn)?，為圖1(b)的背面?zhèn)龋┑募铍姌O25b的大小，相 對于凹陷面?zhèn)龋▓D1(b)的上表面?zhèn)龋┑募铍姌O25a的大小，被設(shè)定得足夠大。其原因在 于，為了不使因激勵電極的質(zhì)量效應(yīng)導(dǎo)致的能量封閉系數(shù)大到所需值以上。也就是說，通 過充分增大平坦面?zhèn)鹊募铍姌O25b，從而板后退（plate back)量Δ (= (fs - fe)/fs， 在此，fs為壓電基板的截止頻率，fe為將激勵電極附著在壓電基板整個面上的情況下的頻 率）僅依賴于凹陷面?zhèn)鹊募铍姌O25a的質(zhì)量效應(yīng)。
[0123] 激勵電極25a、25b使用蒸鍍裝置或陰極真空噴鍍裝置等，例如將鎳（Ni)成膜為基 底，再在其上重疊金（Au)并進(jìn)行成膜。金（Au)的厚度優(yōu)選在歐姆損耗不會變大的范圍內(nèi)， 且僅將主振動作為封閉模式（SO)，而不將斜對稱非諧模式（A0、A1···)和對稱非諧模式（S1、 S3…）作為封閉模式。然而，例如，在490MHz頻帶的壓電振動元件中，當(dāng)以避免電極膜厚的 歐姆損耗的方式成膜時，低階的非諧模式在某種程度上被封閉將是不可避免的。
[0124] 形成在凹陷面?zhèn)鹊募铍姌O25a通過引線電極27a而與被形成在第二厚壁部主體 16a的上表面上的襯墊電極29a導(dǎo)通連接，所述引線電極27a以從振動區(qū)域12上起經(jīng)由第 三傾斜部18b和第三厚壁部主體18a的方式，而從激勵電極25a延伸配置。此外，形成在平 坦面?zhèn)鹊募铍姌O25b通過經(jīng)由壓電基板10的端緣部的引線電極27b，而與被形成在第二 厚壁部主體16a的背面（下表面）上的襯墊電極29b導(dǎo)通連接。
[0125] 圖1(a)所示實施方式為引線電極27a、27b的引出結(jié)構(gòu)的一個示例，引線電極27a 也可以經(jīng)由其他厚壁部。但是，引線電極27a、27b的長度優(yōu)選為最短，且優(yōu)選通過考慮到引 線電極27a、27b彼此不隔著壓電基板10而交叉，從而抑制靜電容量的增加。
[0126] 此外，在圖1(a)?圖1(f)的實施方式中，雖然例示了在壓電基板10的表背（上 下）面上分別形成襯墊電極29a、29b的示例，但在將壓電振動元件1收納在封裝件內(nèi)時，可 以將壓電振動元件1翻過來，用導(dǎo)電性粘合劑對襯墊電極29a和封裝件的端子電極進(jìn)行機(jī) 械固定及電連接，并使用接合線而對襯墊電極29b和封裝件的端子電極進(jìn)行電連接。當(dāng)像 這樣支承壓力振動元件1的部位為一點時，則能夠減小因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力。
[0127] 而且，也可以通過在上述封裝件的內(nèi)部搭載用于驅(qū)動壓電振動元件1的振蕩電 路，例如IC芯片，并將和該IC芯片電連接的電極襯墊與上述端子電極電連接，從而構(gòu)成壓 電振蕩器。可以用導(dǎo)電性粘合劑對襯墊電極29a和封裝件的端子電極進(jìn)行固定并連接，并 用接合線對襯墊電極29b和搭載在封裝件內(nèi)的上述IC芯片的連接端子進(jìn)行連接。當(dāng)像這 樣支承壓力振動元件1的部位為一點時，則能夠減小因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力。
[0128] 此外，也可以隔開間距，而將襯墊電極29a、29b并排設(shè)置在壓電基板10的背面?zhèn)取?當(dāng)使用導(dǎo)電性粘合劑而實現(xiàn)襯墊電極29a、29b與收納壓電振動元件1的封裝件的端子電極 之間的導(dǎo)通連接時，優(yōu)選將襯墊電極29a、29b以隔開間距的方式并排設(shè)置在壓電基板的背 面?zhèn)取?br> [0129] 在振動區(qū)域12、和壓電振動元件1的厚壁部即襯墊電極29a、29b之間設(shè)置狹縫20 的理由為，防止在導(dǎo)電性粘合劑固化時產(chǎn)生的應(yīng)力的擴(kuò)散。
[0130] 即，在利用導(dǎo)電性粘合劑而將壓電振動元件1支承在封裝件內(nèi)的情況下，首先，將 導(dǎo)電性粘合劑涂布在第二厚壁部主體16a的襯墊電極29a (被支承部）上，然后將其載置在 封裝件等的端子電極上，并稍微進(jìn)行按壓。為了使導(dǎo)電性粘合劑固化，而在高溫下保持預(yù)定 的時間。由于在高溫狀態(tài)下，第二厚壁部主體16a和封裝件一起膨脹，粘合劑也暫時軟化， 因此在第二厚壁部主體16a中不會產(chǎn)生應(yīng)力。在導(dǎo)電性粘合劑固化后，第二厚壁部主體16a 和封裝件冷卻，并且其溫度返回至常溫（25°C)時，由于導(dǎo)電性粘合劑、封裝件和第二厚壁 部主體16a的各自線膨脹系數(shù)的差異，由固化后的導(dǎo)電性粘合劑產(chǎn)生的應(yīng)力從第二厚壁部 主體16a向第一厚壁部14和第三厚壁部18、振動區(qū)域12擴(kuò)散。為了防止該應(yīng)力的擴(kuò)散，而 設(shè)置應(yīng)力緩和用的狹縫20。
[0131] 為了求出在壓電基板10上產(chǎn)生的應(yīng)力變形）分布，一般使用有限元法進(jìn)行模 擬。振動區(qū)域12中的應(yīng)力越小，越可獲得頻率溫度特性、頻率再現(xiàn)性、頻率老化特性優(yōu)異的 壓電振動元件。
[0132] 雖然作為導(dǎo)電性粘合劑，存在硅酮類、環(huán)氧類、聚酰亞胺類、雙馬來酰亞胺類等，但 考慮到由壓電振動元件1的脫氣導(dǎo)致的頻率隨時間變化，而使用聚酰亞胺類的導(dǎo)電性粘合 齊U。由于聚酰亞胺類的導(dǎo)電性粘合劑較硬，與對分開的兩個部位進(jìn)行支承相比，支承一個部 位能夠降低產(chǎn)生的應(yīng)力的大小，因此在100?500MHz的高頻帶中的例如490MHz頻帶的電 壓控制型壓電振蕩器（VCXO)用的壓電振動元件1上，使用了支承一個部位的結(jié)構(gòu)。也就是 說，襯墊電極29b使用導(dǎo)電性粘合劑而與封裝件的端子電極A機(jī)械固定并電連接，另一個襯 墊電極29a使用接合線而與封裝件的端子電極B電連接。
[0133] 此外，圖1(a)?圖1(f)所示的壓電基板10中，X軸方向上的長度長于Z'軸方向 上的長度，即形成所謂的X長。這是因為，雖然壓電基板10在用導(dǎo)電性粘合劑等被固定并 連接時產(chǎn)生應(yīng)力，但眾所周知，當(dāng)對將力施加在AT切割水晶基板的沿著X軸方向的兩端上 時的頻率變化、和將相同的力施加在沿著Z'軸方向的兩端上時的頻率變化進(jìn)行比較時，將 力施加在Z'軸方向上的兩端上時，頻率變化更小。也就是說，支承點沿著Z'軸方向設(shè)置時 由應(yīng)力導(dǎo)致的頻率變化更小，因此，優(yōu)選如此設(shè)置。
[0134] 壓電振動元件的改變例
[0135] 圖3(a)?圖3(c)為圖1(a)?圖1(f)所示的實施方式所涉及的壓電振動元件1 的改變例，在此僅圖示俯視圖。在圖I (a)?圖I (f)所示的實施方式中，薄壁的振動區(qū)域12 如字面所述呈四方形（矩形形狀）。但在圖3(a)所示的改變例中，在如下方面有所不同， 艮P，相當(dāng)于薄壁的振動區(qū)域12中的與第三厚壁部18對應(yīng)的、一條邊12c的兩端部的兩個角 部被倒角。如此，相對于薄壁的振動區(qū)域12如字面所述為四方形的壓電基板10,如圖3(a) 所記載的改變例那樣，振動區(qū)域12的角部被倒角的結(jié)構(gòu)的壓電基板10包含在大致四方形 的概念中。
[0136] 在圖1(a)?圖1(f)的實施方式、圖3 (a)的改變例中，雖然作為激勵電極25a、25b 的形狀，例示了四方形、即正方形或矩形（以X軸方向為長邊）的示例，但并不需要局限于 此。圖3(b)所示的改變例中，凹陷面?zhèn)龋ū砻鎮(zhèn)龋┑募铍姌O25a為圓形，平坦面?zhèn)龋ū?面?zhèn)龋┑募铍姌O25b為充分大于激勵電極25a的四方形。并且，平坦面?zhèn)龋ū趁鎮(zhèn)龋┑?激勵電極25b也可以為足夠大的圓形。
[0137] 圖3(c)所示的改變例中，凹陷面?zhèn)龋ū砻鎮(zhèn)龋┑募铍姌O25a為橢圓形，平坦面?zhèn)?(背面?zhèn)龋┑募铍姌O25b為充分大于激勵電極25a的四方形。因彈性常數(shù)的各向異性，X 軸方向上的位移分布和Z'軸方向上的位移量不同，用與X-Z'平面平行的面剖切位移分布 后的剖面為橢圓形。因此，在使用橢圓形形狀的激勵電極25a的情況下，能夠最高效地驅(qū)動 壓電振動元件1。S卩，能夠使壓電振動元件1的容量比Y ( = C0/C1,在此,CO為靜電容量， Cl為串聯(lián)共振容量）最小。此外，激勵電極25a也可以為長圓形。
[0138] 第二實施方式
[0139] 圖4(a)?圖4(c)為表示第二實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖， 圖4(a)為壓電振動元件的俯視圖，圖4(b)為P-P剖視圖，圖4(c)為Q-Q剖視圖。
[0140] 壓電振動元件2與圖1(a)?圖1(f)所示壓電振動元件1的不同之處在于，設(shè)置 應(yīng)力緩和用的狹縫20的位置。在本示例中，狹縫20被形成在從薄壁的振動區(qū)域12的一條 邊12b的端緣離開的傾斜部16b內(nèi)。并不是沿著振動區(qū)域12的一條邊12b，以狹縫20的一 側(cè)端緣與一條邊12b相接的方式將狹縫20形成在傾斜部16b內(nèi)，而是以從傾斜部16b的兩 個端緣離開的方式來設(shè)置狹縫20。也就是說，在傾斜部16b內(nèi)，殘留有與振動區(qū)域12的一 條邊12b的端緣連接的極細(xì)的傾斜部16bb。換言之，在一條邊12b和狹縫20之間形成有極 細(xì)的傾斜部16bb。
[0141] 殘留極細(xì)的傾斜部16bb的理由如下。即，當(dāng)通過將高頻電壓施加于被配置在振動 區(qū)域12內(nèi)的激勵電極25a、25b，來激勵振動區(qū)域12時，除主振動（SO)之外，非諧模式（A0、 S1、A1、S2、…）也被激勵。雖然，優(yōu)選為，僅將主振動設(shè)為封閉模式（S0)，而其他非諧模 式成為傳播模式（非封閉模式），但在振動區(qū)域12較薄，從而其基本頻率為幾百MHz時，為 了避免電極膜的歐姆損耗，激勵電極需要形成為預(yù)定的厚度以上。因此，在將上述激勵電 極的厚度設(shè)定為上述預(yù)定的厚度以上的情況下，接近主振動的低階非諧模式被激勵。本發(fā) 明人為了抑制該低階非諧模式的振幅的大小，想到只需破壞非諧模式的駐波成立的條件即 可。也就是說，圖4(a)?圖4(c)的振動區(qū)域12的Z'軸方向上的兩端緣的形狀為非對稱， 而且X軸方向上的兩端緣的形狀也由于殘留了細(xì)片16bb而非對稱，從而實現(xiàn)了對低階的非 諧模式駐波的振幅的抑制。
[0142] 第三實施方式
[0143] 圖5(a)?圖5(e)為表示第三實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖， 圖5 (a)為壓電振動元件的俯視圖，圖5 (b)為P-P剖視圖，圖5 (c)為Q-Q剖視圖。圖5 (d) 為俯視圖
[0144] 壓電振動元件3與圖1(a)?圖1(f)所示的壓電振動元件1的不同之處在于，在 第二厚壁部主體16a的面內(nèi)設(shè)置第一狹縫20a，且在傾斜部16b的面內(nèi)形成第二狹縫20b， 從而設(shè)置有兩個應(yīng)力緩和用的狹縫。在第二厚壁部主體16a的面內(nèi)、和傾斜部16b的面內(nèi) 分別形成單獨的狹縫（第一狹縫20a、第二狹縫20b)的目的如前所述，已經(jīng)作了說明，因此 在此省略。
[0145] 也可以不像圖5(a)所示俯視圖那樣在X軸方向上并排設(shè)置第一狹縫20a及第二 狹縫20b，而是如圖5(d)或5(e)所示那樣，以在Z'軸方向上相互離開的方式配置成臺階 狀。設(shè)置兩個狹縫20a、20b時，更能夠使因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力不擴(kuò)散到振動區(qū)域 12〇
[0146] 圖6、圖7為對與壓電基板10的凹陷部11、外形和狹縫20的形成有關(guān)的制造工序 進(jìn)行說明的工序流程的剖視圖。在此，作為壓電晶片，以水晶晶片為例進(jìn)行說明。在工序Sl 中，對兩個面被拋光加工到預(yù)定的厚度、例如80 μ m的水晶晶片IOW進(jìn)行充分清洗、干燥后， 在表背面上通過陰極真空噴鍍而分別對金屬膜（耐蝕膜）M進(jìn)行膜，所述金屬膜M通過將鉻 (Cr)形成為基底，并在其上層疊金（Au)而形成。
[0147] 在工序S2中，將光刻膠膜（以下，稱作"抗蝕劑膜")R全面涂布在表背面的金屬膜 M上。在工序S3中，使用掩模圖案和曝光裝置，而對相當(dāng)于凹陷部11的位置處的抗蝕劑膜 R進(jìn)行曝光。當(dāng)對感光后的抗蝕劑膜R進(jìn)行顯影并剝離感光了的抗蝕劑膜時，相當(dāng)于凹陷部 11的位置處的金屬膜M露出。當(dāng)使用王水等的溶液將從抗蝕劑膜R中露出的金屬膜M溶解 并去除時，將露出相當(dāng)于凹陷部11的位置處的水晶面。
[0148] 在工序S4中，使用氫氟酸（氟酸）和氟化銨的混合液，將露出的水晶面蝕刻至所 需的厚度。在工序S5,使用預(yù)定的溶液而剝離抗蝕劑膜R，并使用王水等將進(jìn)一步露出的金 屬膜M去除。在該階段，水晶晶片IOW處于凹陷部11以網(wǎng)格狀規(guī)律地排列在一個面上的狀 態(tài)。并且，從上述工序Sl至S5相當(dāng)于設(shè)置包含振動區(qū)域12在內(nèi)的凹陷部11的工序。
[0149] 在工序S6中，在工序S5獲得的水晶晶片IOW的兩個面上對金屬膜（Cr+Au)M進(jìn)行 成膜。在工序S7中，在工序S6所形成的金屬膜（Cr+Au)M的兩個面上涂布抗蝕劑膜R。
[0150] 在工序S8中，使用預(yù)定的掩模圖案和曝光裝置，而從兩面對相當(dāng)于壓電基板10的 外形和狹縫20的位置處的抗蝕劑膜R進(jìn)行感光，并顯影且剝離。而且，使用王水等溶液來 溶解并去除所露出的金屬膜M。
[0151] 在工序S9中，使用氫氟酸（氟酸）和氟化銨的混合液，對露出的水晶面進(jìn)行蝕刻， 從而形成壓電基板10的外形和狹縫20。并且，在從水晶晶片IOW的表背兩面?zhèn)龋苑謩e具 有底部的形狀（參照圖1(d))來形成狹縫20的情況下，能夠通過利用由于使與狹縫20相 對應(yīng)的位置處的抗蝕劑膜R的寬度減少而引起的蝕刻速度的變化等，來形成狹縫20。在工 序SlO中，剝離殘留的抗蝕劑膜R，溶解并除去所露出的多余的金屬膜M。在該階段，水晶晶 片IOW處于壓電基板10由支承細(xì)片連接并排列成網(wǎng)格狀的狀態(tài)。
[0152] 從上述工序S6至工序SlO相當(dāng)于形成包含振動區(qū)域12和狹縫20的外形形狀的 工序，所述振動區(qū)域12具有凹陷部11的一部分被開放的厚壁部。
[0153] 如工序S8和工序S9所示，本實施方式的特征為，通過蝕刻來除去凹陷部11的振 動區(qū)域12的一部分、和與振動區(qū)域12連接設(shè)置的第四厚壁部19。由此，實現(xiàn)了壓電基板的 小型化。后文將進(jìn)行詳細(xì)敘述。
[0154] 在工序SlO結(jié)束后，對在水晶晶片IOW上以網(wǎng)格狀規(guī)律地排列的各個壓電基板10 的振動區(qū)域12的厚度進(jìn)行例如光學(xué)測量。在所測量的各個振動區(qū)域12的厚度厚于預(yù)定的 厚度的情況下，分別進(jìn)行對厚度的微調(diào)，以使其進(jìn)入預(yù)定的厚度的范圍。
[0155] 使用圖7對將被形成在水晶晶片IOW上的各個壓電基板10的振動區(qū)域12的厚度 調(diào)節(jié)到預(yù)定的厚度的范圍內(nèi)后，在各個壓電基板10上形成激勵電極25a、25b和引線電極 27a、27b的順序進(jìn)行說明。
[0156] 在工序Sll中，通過陰極真空噴鍍等，而在水晶晶片IOW的表面和背面整個面上對 鎳（Ni)進(jìn)行成膜，并在其上層疊金（Au)以對金屬膜M進(jìn)行成膜。然后在工序S12中，在金 屬膜M上涂布抗蝕劑以對抗蝕劑膜R進(jìn)行成膜。
[0157] 在工序S13,使用掩模圖案Mk，而對相當(dāng)于激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b 的位置處的抗蝕劑膜R進(jìn)行曝光。在工序S14中，對感光后的抗蝕劑膜R進(jìn)行顯影，并使用 溶液將不需要的抗蝕劑膜R剝離。然后，使用王水等的溶液將剝離抗蝕劑膜R而露出的金 屬膜M溶解并去除。
[0158] 在工序S15中，將殘留在金屬膜M上的不需要的抗蝕劑膜R剝離，從而在各個壓電 基板10上形成激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b。通過將連接在水晶晶片IOW上的被 實施了半蝕刻的支承細(xì)片折斷，從而獲得被分割了的壓電振動元件1。
[0159] 上述工序Sll至工序S15相當(dāng)于在包含振動區(qū)域12的表背面在內(nèi)的預(yù)定的區(qū)域 上形成電極的工序。
[0160] 可是，雖然當(dāng)對水晶進(jìn)行濕蝕刻時，沿著Z軸而進(jìn)行蝕刻，但具有蝕刻的速度對應(yīng) 于各個結(jié)晶軸的方向而發(fā)生變化的這種水晶特有的蝕刻各向異性。因而，通過該蝕刻的各 向異性而呈現(xiàn)出的蝕刻面根據(jù)各個結(jié)晶軸的方向而顯現(xiàn)出差異的現(xiàn)象，已在迄今為止以蝕 刻各向異性為研究課題的大量的學(xué)術(shù)論文和現(xiàn)有專利文獻(xiàn)中進(jìn)行了論述。然而，盡管已具 有這種背景，但針對水晶的蝕刻各向異性，現(xiàn)狀為，尚無明確制訂系統(tǒng)的資料，由于納米加 工技術(shù)方面非常發(fā)達(dá)因此由于蝕刻的各種條件（蝕刻溶液的種類、蝕刻速率、蝕刻溫度等） 的不同而導(dǎo)致的蝕刻各向異性，或者根據(jù)文獻(xiàn)，也經(jīng)常發(fā)現(xiàn)在呈現(xiàn)出的結(jié)晶面中存在差異 的情況。
[0161] 因此，本申請發(fā)明人在使用光刻法和濕蝕刻法來制造本發(fā)明所涉及的壓電振動元 件時，反復(fù)進(jìn)行蝕刻模擬和試制實驗，以及納米級的表面分析和觀察，由于明確了本發(fā)明所 涉及的壓電振子成為以下形態(tài)，因而以下進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0162] 圖8 (a)?圖8 (e)和圖9 (a)?圖9 (e)為對利用蝕刻而被形成的、AT切割水晶晶 片IOW上的凹陷部11的截面形狀進(jìn)行說明的圖。
[0163] 圖8 (a)為圖6的工序S5中的水晶晶片IOW的俯視圖。在該階段，凹陷部11以網(wǎng) 格狀且規(guī)律地被形成在水晶晶片IOW的一個面上。圖8(b)為X軸方向上的剖視圖，凹陷部 11的各個壁面不是垂直的壁面，而是呈傾斜面。也就是說，一 X軸方向上的壁面形成傾斜 面XI，+X軸方向上的壁面形成傾斜面X2。當(dāng)形成與X軸正交的槽時，槽的截面的壁面X3呈 楔型。圖8 (c)?8(e)為凹陷部11的壁面XI、X2及槽部的壁面X3的放大圖。如圖8 (c) 所示，一 X軸方向的壁面以相對于水晶晶片IOW的平面傾斜大致62°的方式被蝕刻。如圖 8 (d)所示，雖然+X軸方向上的壁面以與水晶晶片IOW的平面正交（90度）的方式進(jìn)行少量 蝕刻，但之后以緩和的傾斜進(jìn)行蝕刻。沿著X軸方向的凹陷部11的底面以與水晶晶片的原 始的平面平行的方式被蝕刻。也就是說，振動區(qū)域12成為表背面平行的板狀。
[0164] 圖8(e)為形成在水晶晶片IOW上的折斷用的槽部的剖視圖。與X軸正交形成的 槽部的截面呈楔型。由于槽部的壁面X3由一 X軸方向上的壁面Xl和+X軸方向上的壁面 X2形成，因而形成為楔型。
[0165] 在將電極設(shè)置在形成有凹陷部11的面上的情況下，需要注意被形成+X軸方向上 的壁面X2的垂直的壁面。由于容易引起電極膜的斷裂，因而優(yōu)選避開。
[0166] 圖9(a)?圖9(e)為對被形成在壓電基板10上的凹陷部11的、特別是Z'軸方向 截面的壁面進(jìn)行說明的圖。圖9 (a)為水晶晶片IOW的俯視圖，圖9 (b)為水晶晶片IOW的 Z'軸方向上的剖視圖，一 Z'軸方向上的壁面形成傾斜面Zl，+Z'軸方向上的壁面形成傾斜 面Z2。當(dāng)形成與Z'軸正交的槽部時，槽部的截面的壁面Z3呈楔型。
[0167] 圖9(c)?圖9(e)為凹陷部11的壁面Zl、Z2及槽部的壁面Z3的放大圖。如圖 9(c)所示，一 Z'軸方向上的壁面相對于水晶晶片IOW的平面，而以比較緩和的傾斜被蝕刻。 如圖9(d)所示，雖然+Z'軸方向上的壁面Z2相對于水晶晶片IOW的平面，而陡峭的傾斜 面Z2a被蝕刻，但之后以緩和的傾斜面Z2b進(jìn)行蝕刻，然后成為更加緩和的傾斜面Z2c。圖 9(e)為與Z'軸方向正交而形成的槽部的剖視圖，成為楔型截面Z3。該槽部為水晶晶片IOW 的折斷用的槽部。由于該槽部的壁面Z3由一 Z'軸方向上的壁面Zl、+Z'軸方向上的壁面 Z2中的壁面Z2a和Z2b形成，因而呈大致楔型的截面。當(dāng)在X軸方向、Z'軸方向上形成折 斷用槽部時，其截面形狀將成為楔型，從而容易折斷。
[0168] 本發(fā)明的一個特征為，如圖9(d)所示，通過利用蝕刻而將位于振動區(qū)域12中由Zc 表示的單點劃線的圖中右側(cè)的、和原始的平面不平行的緩和的傾斜面Z2c與第四厚壁部19 一起去除，從而實現(xiàn)了壓電基板的小型化。
[0169] 而且，由于以將上述緩和的傾斜面Z2c和上述第四厚壁部19 一起削除為前提，而 確定制造方法，因此實現(xiàn)了如下情況，即，與作為現(xiàn)有技術(shù)而披露的、一直以來具備沿著X 軸而位于振動區(qū)域12的兩端的厚壁部的結(jié)構(gòu)相比，確保成為振動區(qū)域12的平坦的超薄部 的面積較大。因此，由于能夠在充分考慮到在振動區(qū)域12被激勵的厚度切變振動模式中， 因彈性常數(shù)的各向異性，從而振動位移分布成為在X軸方向上具有長徑的橢圓形狀的情況 的條件下，而進(jìn)行設(shè)計，因此雖然長軸與短軸之比優(yōu)選為1.26:1，但考慮到制造尺寸的偏差 等，能夠充分設(shè)計為在1. 14?1.39:1的范圍程度內(nèi)。
[0170] 此外，如圖15(a)?圖15(c)所示，明確在壓電振動元件1的外形中，在與X軸相 交的端面也顯現(xiàn)出傾斜面，在X軸的（一）側(cè)的端面顯現(xiàn)出傾斜面（1)，在（+)側(cè)的端面呈 現(xiàn)出傾斜面（2)，并且也明確了在傾斜面（1)和傾斜面（2)的與XY'平面平行的截面中，其 形狀有所不同。并且，圖15(a)?圖15(c)圖示了壓電振動元件的改變例，圖15(a)和圖 15(b)為立體圖，圖15(c)為縱剖視圖。
[0171] 在傾斜面（1)和傾斜面（2)上，于與壓電基板10的主表面相交的附近，均未顯現(xiàn) 出如圖8(b)、8(e)所示的、被形成在+X軸方向上的壁面X2的垂直的壁面。其理由如下，即， 與用于形成凹陷部11所需要的蝕刻時間相比，傾斜面（1)和傾斜面（2)的形成時間為，從 表面和背面開始對壓電基板（水晶基板）10進(jìn)行蝕刻，直至貫穿表面和背面為止的時間，由 于蝕刻時間足夠長，因此通過過度蝕刻的作用，從而不會呈現(xiàn)出垂直的壁面。
[0172] 明確了構(gòu)成傾斜面（1)的傾斜面al、a2具有相對于X軸大致對稱的關(guān)系。
[0173] 明確了在構(gòu)成傾斜面⑵的傾斜面bl、b2、b3、b4中，bl和b4、b2和b3分別具有 相對于X軸大致對稱的關(guān)系。
[0174] 而且，可知傾斜面al、a2相對于X軸的傾斜角度α與傾斜面bl、b4相對于X軸的 傾斜角度β相比，滿足β < α的關(guān)系。
[0175] 第四實施方式
[0176] 圖10(a)和圖10(b)表示第四實施方式所涉及的壓電振子的結(jié)構(gòu)，圖10(a)為剖 視圖，圖10(b)為從圖10(a)所示的P方向觀察時的俯視圖。
[0177] 壓電振子5例如具備上述的壓電振動元件1、和收納該壓電振動元件1的封裝件， 封裝件通過被形成為矩形箱狀的封裝件主體40、蓋部件49而構(gòu)成，所述蓋部件49由金屬、 陶瓷、玻璃等構(gòu)成。
[0178] 如圖10(a)和圖10(b)所示，封裝件主體40通過對第一基板41、第二基板42、第 三基板43進(jìn)行層疊而形成，且通過對作為絕緣材料的氧化鋁質(zhì)的陶瓷生片進(jìn)行成形而制 成箱狀之后，進(jìn)行燒結(jié)而形成。安裝端子45在第一基板41的外部底面上形成有多個。第 三基板43為中央部被去除了的環(huán)狀體，在第三基板43的上部邊緣上，形成有例如科瓦鐵鎳 鈷合金等的金屬密封環(huán)44。
[0179] 利用第三基板43和第二基板42,而形成收納壓電振動元件1的凹部。在第二基板 42的上表面的預(yù)定的位置處，設(shè)置有通過導(dǎo)體46而與安裝端子45電導(dǎo)通的多個元件搭載 襯墊47。
[0180] 元件搭載襯墊47的位置被配置為，在載置了壓電振動元件1時與第二厚壁部主體 16a上所形成的襯墊電極29a對應(yīng)。
[0181] 壓電振子5的結(jié)構(gòu)為，將導(dǎo)電性粘合劑30、例如脫氣較少的聚酰亞胺類粘合劑適 量涂布在封裝件主體40的元件搭載襯墊47上，并以單點支承的方式將壓電振動元件1的 襯墊電極29a載置在其上，施加載荷從而對壓電振動兀件1的襯墊電極29a和封裝件的端 子電極（襯墊47)進(jìn)行機(jī)械固定并電連接。作為導(dǎo)電性粘合劑30的特性，因?qū)щ娦哉澈蟿?30而產(chǎn)生的應(yīng)力（?變形）的大小按照硅酮類粘合劑、環(huán)氧類粘合劑、聚酰亞胺類粘合劑的 順序而增大。此外，脫氣按照聚酰亞胺類粘合劑、環(huán)氧類粘合劑、硅酮類粘合劑的順序而增 大。
[0182] 而且，也可以使用接合線BW對襯墊電極29b和封裝件的端子電極48進(jìn)行電連接。 當(dāng)以此種方式，支承壓電振動元件1的部位成為一點時，將能夠減小因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn) 生的應(yīng)力。
[0183] 為了使被搭載在封裝件主體40上的壓電振動元件1的導(dǎo)電性粘合劑30固化，需 要將其放置在預(yù)定溫度的高溫爐內(nèi)預(yù)定時間。實施了退火處理后，通過向激勵電極25a、25b 附加重量，或者減輕重量，從而實施頻率調(diào)節(jié)。將蓋部件49縫焊在被形成于封裝件主體40 的上表面上的密封環(huán)44上而實施密封?；蛘?，還存在如下方法，S卩，將蓋部件49載置于被 涂布在封裝件主體40的上表面上的低熔點玻璃上，并進(jìn)行熔融而緊貼的方法。將封裝件的 腔內(nèi)抽真空，或填充氮氣N 2等的惰性氣體，從而制成壓電振子5。
[0184] 雖然在上述的壓電振子5的實施方式中，對封裝件主體40使用了層疊板的示例進(jìn) 行了說明，但封裝件主體40也可以使用單層陶瓷板，而蓋體使用實施了拉深加工的罩，從 而構(gòu)成壓電振子。
[0185] 第五實施方式
[0186] 以下，使用圖11(a)和圖11(b)對第五實施方式所涉及的壓電振子進(jìn)行說明。圖 11(a)和圖11(b)表不壓電振子的結(jié)構(gòu)，圖11(a)為剖視圖，圖11(b)為從圖11(a)所不的 P方向觀察時的俯視圖。并且，由于壓電振子5a為使上述壓電振子5的局部變形后的結(jié)構(gòu)， 因此對與壓電振子5的不同之處進(jìn)行說明，而對與壓電振子5相同的結(jié)構(gòu)部位標(biāo)注相同的 符號，并省略其說明。
[0187] 在壓電振子5a中所使用的壓電振動元件1上，于其表背面上形成有激勵電極25a、 25b。激勵電極25a、25b對置地形成在振動區(qū)域12的大致中央部的表背兩面上。激勵電極 25a通過引線電極27a而與被形成在第二厚壁部主體16a的表面上的襯墊電極29a導(dǎo)通連 接。此外，激勵電極25b通過引線電極27b而與被形成在第二厚壁部主體16a的背面上的 襯墊電極29b導(dǎo)通連接。并且，襯墊電極29a和襯墊電極29b以在俯視觀察時分離的方式 而配置（并排設(shè)置）。
[0188] 此外，雖然未圖示，但襯墊電極29b從第二厚壁部主體16a的側(cè)面通過，而延伸至 第二厚壁部主體16a的表面。而且，壓電振動兀件1中，延伸至第二厚壁部主體16a的表面 的襯墊電極29b、和襯墊電極29a利用導(dǎo)電性粘合劑30,而被機(jī)械地固定在封裝件主體40 的元件搭載襯墊47上，且與元件搭載襯墊47電連接。
[0189] 在該結(jié)構(gòu)中，由于襯墊電極29a和襯墊電極29b在俯視觀察壓電振動元件1時分 離，且被設(shè)置在同一面（背面）上，因此能夠僅利用導(dǎo)電性粘合劑30來實施向壓電振動元 件1的元件搭載襯墊47的固定。
[0190] 圖12(a)、圖12(b)為表示本發(fā)明所涉及的壓電振子5、5a的電特性的一個示例的 圖。對于共振頻率，作為一個示例，在基波模式中將共振頻率設(shè)定為123MHz頻帶。該頻帶 為實現(xiàn)電壓控制型壓電振蕩器（Voltage Controlled Crystal Oscillator:VCXO)用的水 晶振子而被開發(fā)的頻帶。圖12(a)為溫度范圍在一 40°C?85°C內(nèi)的壓電振子5、5a的頻率 溫度特性，圖12(b)為相同溫度范圍內(nèi)的壓電振子5、5a的Cl (crystal impedance :晶體阻 抗）溫度特性。圖12(a)的頻率溫度特性呈平滑的三次曲線，從而滿足所要求的標(biāo)準(zhǔn)。此 夕卜，圖12 (b)的CI溫度特性也在整個溫度范圍內(nèi)，沒有CI傾角等，而呈現(xiàn)良好的特性。
[0191] 圖13(a)表示本發(fā)明的壓電振子5、5a的容量比Y的分布，可得到Y(jié)的平均值為 273,標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為18這一值。圖13(b)表示現(xiàn)有的壓電振子的容量比Y的分布，Y的 平均值為296,標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為26這一值。
[0192] 圖13(c)表示本發(fā)明的壓電振子5、5a的靜電容量CO的分布，可得到CO的平均值 為1. 80 (pF)，標(biāo)準(zhǔn)偏差〇為〇. 01這一值。圖13(d)表示現(xiàn)有的壓電振子的靜電容量CO的 分布，CO的平均值為1. 88,標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為〇. 02這一值。
[0193] 圖14(a)表示本發(fā)明的壓電振子5、5a的寄生響應(yīng)（spurious)CI值比（=CIs/ CIm，CIm為主振動的CI值，CIs為接近主振動的最大的寄生響應(yīng)的CI值）的分布，圖14 (b) 表示現(xiàn)有的壓電振子的寄生響應(yīng)CI值比的分布。
[0194] 從圖13 (a)?圖13 (d)和圖14 (a)、圖14 (b)可明確，與現(xiàn)有的壓電振子相比，本 發(fā)明所涉及的壓電振子5、5a的容量比γ、靜電容量CO以及寄生響應(yīng)CI值比均更為優(yōu)異。 而且，本發(fā)明所涉及的壓電振子5、5a也實現(xiàn)了小型化。
[0195] 如圖1(a)?圖1(f)所示，由于高頻的基波壓電振動元件被小型化，且能夠抑制因 粘合及固定而導(dǎo)致的應(yīng)力的擴(kuò)散，因此具有下述效果，即，可獲得具有優(yōu)異的頻率再現(xiàn)性、 頻率溫度特性、CI溫度特性以及頻率老化特性，且主振動的CI值較小，從而接近的寄生響 應(yīng)的CI值相對于主振動的CI值之比、即CI值比較大的壓電振動元件。
[0196] 此外，還具有下述效果，即通過僅從一個面對壓電基板進(jìn)行蝕刻而形成振動區(qū)域， 從而能夠形成保持了原始的基板的切割角度的振動區(qū)域，由此可獲得頻率溫度特性優(yōu)異的 高頻的基波壓電振動元件。此外，如圖4(a)?圖4(c)所示，當(dāng)在傾斜部16b上形成狹縫20 時，也具有狹縫能夠輕易地貫穿的效果。
[0197] 通過在壓電基板中使用AT切割水晶基板，從而能夠活用與光刻法技術(shù)和蝕刻技 術(shù)有關(guān)的長期的實際成果和經(jīng)驗，因此具有下述效果，即，不僅能夠大批量生產(chǎn)壓電基板， 還能夠?qū)嵤└呔鹊奈g刻，從而大幅度地改善了壓電振動元件的成品率。
[0198] 當(dāng)如圖10(a)和圖10(b)以及圖11(a)和圖11(b)所示這樣構(gòu)成壓電振子時，高 頻的基波壓電振子被小型化，且能夠抑制因粘合及固定而導(dǎo)致的應(yīng)力，因此具有下述效果， 艮P，可獲得具有優(yōu)異的頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、CI溫度特性以及頻率老化特性的壓電振 子。而且，還具有下述效果，即，可獲得減小了主振動的CI值，從而接近的寄生響應(yīng)的CI值 相對于主振動的CI值之比、即CI值比較大的壓電振動元件，且可獲得容量比Y較小的壓 電振子。
[0199] 接下來，對共振頻率嘗試更高頻率，而試制491 (MHz)頻帶的壓電振子，并進(jìn)行評 價。
[0200] 下表為，制造三個491 (MHz)的壓電振子的樣品，并對各個樣品測定了等效電路常 數(shù)的值。確認(rèn)了，可獲得容量比Y、靜電容量CO等十分良好的電特性。
[0201]表 I

【權(quán)利要求】
1. 一種壓電振動元件，其特征在于，具備： 壓電基板，其包括振動區(qū)域、及與所述振動區(qū)域一體化且與所述振動區(qū)域相比厚度較 厚的厚壁部； 激勵電極，其分別被配置在所述振動區(qū)域的表面和背面； 引線電極，其以從所述激勵電極延伸至所述厚壁部上的方式而設(shè)置， 所述厚壁部具備： 第一厚壁部和第二厚壁部，其隔著所述振動區(qū)域而配置； 第三厚壁部，其連接設(shè)置在所述第一厚壁部的一個基端部和所述第二厚壁部的一個基 端部之間， 所述第一厚壁部的另一個基端部和所述第二厚壁部的另一個基端部之間的、所述振動 區(qū)域的外邊緣露出， 所述第二厚壁部具備： 厚壁主體； 傾斜部，其厚度隨著在所述厚壁主體與所述振動區(qū)域之間遠(yuǎn)離所述振動區(qū)域而增加， 在所述第二厚壁部上設(shè)置有狹縫。
2. 如權(quán)利要求1所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述振動區(qū)域為矩形。
3. 如權(quán)利要求1所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述狹縫沿著所述傾斜部與所述厚壁主體的邊界，而被配置在所述厚壁主體上。
4. 如權(quán)利要求1所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述狹縫從所述振動區(qū)域離開而被配置在所述傾斜部內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求1所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述狹縫具備： 第一狹縫，其被配置在所述厚壁主體上； 第二狹縫，其從所述振動區(qū)域離開而被配置在所述傾斜部內(nèi)。
6. 如權(quán)利要求1所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述振動區(qū)域的所述表面和所述背面中的一個面與所述第一厚壁部、所述第二厚壁部 和所述第三厚壁部各自的一個主面位于同一平面內(nèi)。
7. 如權(quán)利要求1所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述壓電基板為水晶基板， 將由構(gòu)成水晶的結(jié)晶軸的、作為電軸的X軸、作為機(jī)械軸的Y軸、和作為光學(xué)軸的Z軸 形成的直角坐標(biāo)系中的所述X軸作為中心， 而將使所述Z軸的+側(cè)向所述一 Y軸側(cè)旋轉(zhuǎn)的軸設(shè)定為Z'軸， 并將使所述Y軸的+側(cè)向所述+Z軸側(cè)旋轉(zhuǎn)的軸設(shè)定為Y'軸， 所述振動區(qū)域的主面包括所述X軸和所述Z'軸， 所述振動區(qū)域的厚度的方向為沿著所述Y'軸的方向。
8. 如權(quán)利要求7所述的壓電振動元件，其特征在于， 所述水晶基板為AT切割水晶基板。
9. 一種壓電振動元件的制造方法，其特征在于，包括： 對壓電基板的表面和背面中的一個面進(jìn)行蝕刻，從而形成凹陷部的工序，所述凹陷部 包括：振動區(qū)域、第一厚壁部和第二厚壁部、第三厚壁部、以及第四厚壁部，其中，所述第一 厚壁部和第二厚壁部隔著所述振動區(qū)域而配置，所述第三厚壁部連接設(shè)置在所述第一厚壁 部的一個基端部和所述第二厚壁部的一個基端部之間，所述第四厚壁部連接設(shè)置在所述第 一厚壁部的另一個基端部和所述第二厚壁部的另一個基端部之間； 去除所述第四厚壁部的工序； 在所述第二厚壁部上形成狹縫的工序； 在所述振動區(qū)域的表面和背面上形成電極的工序。
10. -種壓電振子，其特征在于，具備： 權(quán)利要求1至8中的任一項所述的壓電振動元件； 封裝件，其對所述壓電振動元件進(jìn)行收納。
11. 一種電子裝置，其特征在于， 在封裝件內(nèi)具備權(quán)利要求1至8中的任一項所述的壓電振動元件、及電子部件。
12. 如權(quán)利要求11所述的電子裝置，其特征在于， 所述電子部件為可變?nèi)萘吭?、熱敏電阻、電感器、以及電容器中的任一種。
13. -種電子裝置，其特征在于， 在封裝件內(nèi)具備權(quán)利要求1至8中的任一項所述的壓電振動元件、及對所述壓電振動 元件進(jìn)行激勵的振蕩電路。
14. 一種電子設(shè)備，其特征在于， 具備權(quán)利要求1至8中的任一項所述的壓電振動元件。
【文檔編號】H03H9/19GK104333343SQ201410690768
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月3日
【發(fā)明者】石井修 申請人:精工愛普生株式會社