Lte數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，它包括第一通道功放模塊、第二通道功放模塊、切換器和DPD反饋模塊，第一通道功放模塊和第二通道功放模塊的輸出端均與切換器的動端相連，切換器的不動端與DPD反饋模塊的輸入端相連。本實(shí)用新型采用Doherty功放合成技術(shù)和先進(jìn)算法的雙通道分時處理的單路DPD技術(shù)，使功放的線性和效率得到很大的提高，既滿足LTE信號對線性的高要求，又降低設(shè)備功耗，減小運(yùn)營商的運(yùn)營成本。
【專利說明】LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路。
【背景技術(shù)】
[0002]直放站是指在無線通信傳輸過程中起到信號增強(qiáng)的一種無線電發(fā)射中轉(zhuǎn)設(shè)備，是移動通信網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分。直放站不但能夠增加室內(nèi)或室外網(wǎng)絡(luò)覆蓋，還可以增加空閑基站的話務(wù)負(fù)荷、分?jǐn)偦驹拕?wù)量以及優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)等。
[0003]目前，按照傳輸媒介的不同可將直放站分為無線直放站、光纖孩子放站和移頻直放站，安實(shí)現(xiàn)技術(shù)的不同可將直放站分為模擬直放站和數(shù)字直放站，按技術(shù)體制的不同可將直放站分為GSM直放站、⑶MA直放站、TD-SCDMA直放站和TD-LTE直放站等，按功率等級低高低可將直放站分為高功率直放站和微功率直放站。
[0004]LTE (Long Term Evolution)是近兩年來3GPP啟動的最大的通信新技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目，由于LTE標(biāo)準(zhǔn)具有更高頻譜效率的無線接入技術(shù)及平滑的IP核心網(wǎng)絡(luò)，相比于2G/3G的移動網(wǎng)絡(luò)，網(wǎng)絡(luò)性能獲得大幅度的提高，并明顯降低了網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營成本。LTE作為新一代技術(shù)路標(biāo)，其目標(biāo)容量和數(shù)據(jù)速率的提高可支持對容量和性能有較高要求的新業(yè)務(wù)和特征，隨著必要的網(wǎng)絡(luò)構(gòu)架和技術(shù)改進(jìn)，下行鏈路和上行鏈路通道數(shù)據(jù)速率更高，其中基于TDD 的 TD-SCDMA 將演進(jìn)到 TDD- LTE,而基于 FDD 的 WCDMA, CDMA2000 將演進(jìn)到 FDD-LTE.移動數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的爆發(fā)式增長與智能手機(jī)的高速發(fā)展，正在加速移動寬帶市場的發(fā)展，2010年開始，F(xiàn)DD LTE已經(jīng)進(jìn)入全球化商用部署階段，目前已遍及歐洲、北美、亞太和中東等。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，將直放站設(shè)置在其上下性增益和直放站與宿主基站之間的空間損耗基本一致的地點(diǎn)時，會太高宿主基站的上行噪聲，從而干擾宿主基站覆蓋范圍內(nèi)的其它用戶的上行信號的接收，縮小宿主基站的覆蓋范圍；當(dāng)宿主基站下掛數(shù)量較多的直放站，且每個直放站本身的噪聲系數(shù)和宿主基站相同、均設(shè)置在上下行增益與各自的空間損耗基本一致的地點(diǎn)時，所述的直放站對宿主基站的上行噪聲抬高會更為明顯，大大干擾宿主基站覆蓋范圍內(nèi)的其它用戶的上行信號的接收且會大幅度縮小宿主基站的覆蓋范圍。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，采用Doherty功放合成技術(shù)和先進(jìn)算法的雙通道分時處理的單路DH)技術(shù)，使功放的線性和效率得到很大的提高，既滿足LTE信號對線性的高要求，又降低設(shè)備功耗，減小運(yùn)營商的運(yùn)營成本。
[0007]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，它包括第一通道功放模塊、第二通道功放模塊、切換器和Dro反饋模塊，第一通道功放模塊和第二通道功放模塊的輸出端均與切換器的動端相連，切換器的不動端與DPD反饋模塊的輸入端相連。
[0008]所述的第一通道功放模塊包括第一衰減器、第一功放驅(qū)動、第一功率分配器、第一主功放、第一峰值功放、第一環(huán)形器和第一耦合DPD，第一衰減器通過第一功放驅(qū)動與第一功率分配器相連，第一功率分配器的輸出端分別與第一主功放和第一峰值功放的輸入端相連，第一主功放和第一峰值功放的輸出端與環(huán)形器相連，第一環(huán)形器和第一稱合DF1D f禹合相連，第一耦合DPD的輸出端為第一通道功放模塊的輸出端。
[0009]所述的第一功率分配器與第一峰值功放之間還設(shè)有電阻R1，第一主功放的輸出端與第一峰值功放的輸出端之間設(shè)有電阻R2，第一峰值功放與電阻R2的公共連接端與第一環(huán)形器之間設(shè)有電阻R3。
[0010]所述的第二通道功放模塊包括第二衰減器、第二功放驅(qū)動、第二功率分配器、第二主功放、第二峰值功放、第二環(huán)形器和第二耦合DPD，第二衰減器通過第二功放驅(qū)動與第二功率分配器相連，第二功率分配器的輸出端分別與第二主功放和第二峰值功放的輸入端相連，第二主功放和第二峰值功放的輸出端與第二環(huán)形器相連，第二環(huán)形器和第二耦合DPD耦合相連，第二耦合DPD的輸出端為第二通道功放模塊的輸出端。
[0011]所述的第二功率分配器與第二峰值功放之間還設(shè)有電阻R4，第二主功放的輸出端與第二峰值功放的輸出端之間設(shè)有電阻R5，第二環(huán)形器之前設(shè)有電阻R6。
[0012]所述的DF1D反饋模塊包括FPGA、類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器和下變頻單元,下變頻單元通過類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器與FPGA串聯(lián)。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0014](I)采用Doherty功放合成技術(shù)和先進(jìn)算法的雙通道分時處理的單路DF1D技術(shù),使功放的線性和效率得到很大的提高，既滿足LTE信號對線性的高要求，又降低設(shè)備功耗，減小運(yùn)營商的運(yùn)營成本。
[0015](2)采用了適當(dāng)?shù)南鞣錍FR技術(shù)，包括跟蹤技術(shù)和兩路Doherty合成等技術(shù)，進(jìn)一步提聞了功放效率。
[0016](3)采用了 Dro技術(shù)，不存在穩(wěn)定性問題，有更寬的信號頻帶，能夠處理含多載波的信號，效率極高。
[0017](4)LTE數(shù)字光纖采用了多天線技術(shù)，支持雙天線，并且采用了射頻開關(guān)切換，分別對其每路功放進(jìn)行Dro數(shù)字失真處理，可以保證每路DPD的性能，比傳統(tǒng)DP方式減少了一路，節(jié)省了硬盤空間，節(jié)約了成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)框圖；
[0019]圖2為第一通道功放模塊結(jié)構(gòu)框圖；
[0020]圖3為第二通道功放模塊結(jié)構(gòu)框圖；
[0021 ] 圖4為DPD反饋模塊模塊結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0023]如圖1所示，一種LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，它包括第一通道功放模塊、第二通道功放模塊、切換器和Dro反饋模塊，第一通道功放模塊和第二通道功放模塊的輸出端均與切換器的兩個動端相連，切換器的不動端與Dro反饋模塊的輸入端相連。
[0024]如圖2所示，所述的第一通道功放模塊包括第一衰減器、第一功放驅(qū)動、第一功率分配器、第一主功放、第一峰值功放、第一環(huán)形器和第一耦合DPD，第一衰減器通過第一功放驅(qū)動與第一功率分配器相連，第一功率分配器的輸出端分別與第一主功放和第一峰值功放的輸入端相連，第一主功放和第一峰值功放的輸出端與環(huán)形器相連，第一環(huán)形器和第一耦合DH)耦合相連，第一耦合DPD的輸出端為第一通道功放模塊的輸出端。
[0025]所述的第一功率分配器與第一峰值功放之間還設(shè)有電阻R1，第一主功放的輸出端與第一峰值功放的輸出端之間設(shè)有電阻R2，第一峰值功放與電阻R2的公共連接端與第一環(huán)形器之間設(shè)有電阻R3。
[0026]如圖3所示，所述的第二通道功放模塊包括第二衰減器、第二功放驅(qū)動、第二功率分配器、第二主功放、第二峰值功放、第二環(huán)形器和第二耦合DPD，第二衰減器通過第二功放驅(qū)動與第二功率分配器相連，第二功率分配器的輸出端分別與第二主功放和第二峰值功放的輸入端相連，第二主功放和第二峰值功放的輸出端與第二環(huán)形器相連，第二環(huán)形器和第二耦合DH)耦合相連，第二耦合DPD的輸出端為第二通道功放模塊的輸出端。
[0027]如圖4所示，所述的第二功率分配器與第二峰值功放之間還設(shè)有電阻R4，第二主功放的輸出端與第二峰值功放的輸出端之間設(shè)有電阻R5,第二環(huán)形器之前設(shè)有電阻R6。
[0028]所述的DF1D反饋模塊包括FPGA、類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器和下變頻單元,下變頻單元通過類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器與FPGA串聯(lián)。
[0029]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，其特征在于:它包括第一通道功放模塊、第二通道功放模塊、切換器和Dro反饋模塊，第一通道功放模塊和第二通道功放模塊的輸出端均與切換器的動端相連，切換器的不動端與Dro反饋模塊的輸入端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，其特征在于:所述的第一通道功放模塊包括第一衰減器、第一功放驅(qū)動、第一功率分配器、第一主功放、第一峰值功放、第一環(huán)形器和第一耦合DPD，第一衰減器通過第一功放驅(qū)動與第一功率分配器相連，第一功率分配器的輸出端分別與第一主功放和第一峰值功放的輸入端相連，第一主功放和第一峰值功放的輸出端與第一環(huán)形器相連，第一環(huán)形器和第一稱合DF1D稱合相連,第一耦合DPD的輸出端為第一通道功放模塊的輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，其特征在于:所述的第一功率分配器與第一峰值功放之間還設(shè)有電阻R1，第一主功放的輸出端與第一峰值功放的輸出端之間設(shè)有電阻R2，第一峰值功放與電阻R2的公共連接端與第一環(huán)形器之間設(shè)有電阻R3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，其特征在于:所述的第二通道功放模塊包括第二衰減器、第二功放驅(qū)動、第二功率分配器、第二主功放、第二峰值功放、第二環(huán)形器和第二耦合DPD，第二衰減器通過第二功放驅(qū)動與第二功率分配器相連，第二功率分配器的輸出端分別與第二主功放和第二峰值功放的輸入端相連，第二主功放和第二峰值功放的輸出端與第二環(huán)形器相連，第二環(huán)形器和第二耦合DH)耦合相連，第二耦合DPD的輸出端為第二通道功放模塊的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，其特征在于:所述的第二功率分配器與第二峰值功放之間還設(shè)有電阻R4，第二主功放的輸出端與第二峰值功放的輸出端之間設(shè)有電阻R5，第二環(huán)形器之前設(shè)有電阻R6。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE數(shù)字光纖直放站雙通道功放電路，其特征在于:所述的DPD反饋模塊包括FPGA、類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器和下變頻單元，下變頻單元通過類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器與FPGA串聯(lián)。
【文檔編號】H03F3/20GK203761392SQ201420110745
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月12日
【發(fā)明者】張波 申請人:成都福蘭特電子技術(shù)有限公司