一種集成的全差分放大器的制造方法
【專利摘要】本實用新型適用于集成電路領域，提供了一種集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放模塊的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括小電流偏置電路及濾波電路，所述小電流偏置電路的輸出端連接所述濾波電路的輸入端。通過小電流偏置電路與電容構成高通濾波功能，去除輸入信號直流壓差對放大增益的限制，提高電路信噪比，實現極低頻率范圍內的片內集成高通濾波功能，采用集成化電路取代儀表結構，降低了功耗。
【專利說明】—種集成的全差分放大器
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于集成電路領域，尤其涉及一種集成高通濾波的全差分型放大器。
【背景技術】
[0002]移動健康，個人便攜式監(jiān)護醫(yī)療是我國以后醫(yī)療衛(wèi)生體系中的重要組成部分之一。能夠連續(xù)長時間的監(jiān)護個人，能夠及時地發(fā)現被監(jiān)護人的突發(fā)病情或不正常生理狀況，將是以后醫(yī)療衛(wèi)生服務發(fā)展的重要需求之一。這種應用的實時性和普適性要求這套新型監(jiān)護系統(tǒng)需要具備便攜化，小型化，集成化，低功耗的特點。
[0003]在采集一些人體微弱的小信號時，這些信號經常耦合著不同的直流壓差，例如在采集人體心電信號或者腦電信號時，輸入信號耦合著較大電極極化壓差，最大可達±300mV。在有限的電源電壓下，這個直流壓差將直接限制放大電路的放大倍數，降低放大器的信噪比。
[0004]目前人體一些微弱信號的采集，例如人體心電信號，腦電信號，主要還是采用傳統(tǒng)的儀表放大結構，通過搭建板級電路實現，占用較大的面積，如目前市場上所有主流的醫(yī)療設備中，都采用這種方式；近年來出現將該儀表放大結構進行芯片集成化，提高電路的集成化，如亞德諾半導體公司(ADI)推出的AD8232芯片；或者采用帶有高通濾波功能的差分放大電路，其中高通濾波功能采用傳統(tǒng)的電阻電容結構實現。
[0005]在目前的現有技術中存在以下的缺陷:
[0006](I)目前主流的技術是采用傳統(tǒng)的儀表放大結構，通過離散元器件搭建，消耗較大的面積和功耗；
[0007](2)已有的少數芯片，如亞德諾半導體(ADI)的AD8232，實現儀表放大結構的芯片集成化，但由于極化電壓的限制，信號放大增益很小，電路信噪比較低；
[0008](3)采用帶有高通濾波功能的全差分放大電路，其中高通濾波功能由傳統(tǒng)的電阻電容結構實現，可去除對放大增益的限制；但在采集低頻率的生理小信號時，要實現極低的截止頻率需要很大的電阻或者電容，很難實現全片內集成。
實用新型內容
[0009]本實用新型的目的在于提供一種集成的全差分型放大器，旨在解決采集低頻率小信號時由于極化壓差而導致放大電路的放大倍數受限的問題。
[0010]本實用新型是這樣實現的，一種集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放模塊的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括小電流偏置電路及濾波電路，所述小電流偏置電路的輸出端連接所述濾波電路的輸入端。
[0011]本實用新型的進一步技術方案是:所述小電流偏置電路包括電流源Ibg、MOS管Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3 及 MOS 管 MC4，所述電流源Ibg —端分別連接所述MOS管Ml的漏極、柵極及MOS管M2的柵極，所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極、漏極及MOS管M4的柵極分別連接所述MOS管MC4的漏極，所述MOS管MC4的源極連接所述MOS管MC3的漏極，所述MOS管MC4的柵極分別連接所述MOS管MC3的柵極及MOS管MC2的柵極，所述MOS管MC2的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCl的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCUMOS管MC2及MOS管MC3的源極接地，所述電流源Ibg的另一端接地。
[0012]本實用新型的進一步技術方案是:所述濾波電路包括MOS管MA、M0S管MB及電容C2，所述MOS管MA的柵極及MOS管MB的柵極、漏極分別連接所述MOS管M4的漏極，所述MOS管MA的源極與MOS管MB的源極相連，所述電容C2與所述MOS管MA的漏極至源極并聯(lián)。
[0013]本實用新型的進一步技術方案是:所述比例放大模塊包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2，所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-MOS。
[0014]本實用新型的另一目的在于提供一種集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放模塊的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括多個小電流偏置電路及濾波電路，所述小電流偏置電路的輸出端連接所述濾波電路的輸入端，所述多個小電流電路相互級聯(lián)。
[0015]本實用新型的進一步技術方案是:所述小電流偏置電路包括電流源Ibg、MOS管Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3 及 MOS 管 MC4，所述電流源Ibg—端分別連接所述MOS管Ml的漏極、柵極及MOS管M2的柵極，所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極、漏極及MOS管M4的柵極分別連接所述MOS管MC4的漏極，所述MOS管MC4的源極連接所述MOS管MC3的漏極，所述MOS管MC4的柵極分別連接所述MOS管MC3的柵極及MOS管MC2的柵極，所述MOS管MC2的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCl的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCUMOS管MC2及MOS管MC3的源極接地，所述電流源Ibg的另一端接地。
[0016]本實用新型的進一步技術方案是:所述濾波電路包括MOS管MA、MOS管MB及電容C2，所述MOS管MA的柵極及MOS管MB的柵極、漏極分別連接所述MOS管M4的漏極，所述MOS管MA的源極與MOS管MB的源極相連，所述電容C2與所述MOS管MA的漏極至源極并聯(lián)。
[0017]本實用新型的進一步技術方案是:所述比例放大模塊包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2，所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用P-MOS ;所述多個小電流偏置電路相互隔離。
[0018]本實用新型的另一目的在于提供集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放大器的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括濾波電路，所述濾波電路包括虛擬電阻Rf及電容C2，所述虛擬電阻Rf與所述電容C2并聯(lián)，所述虛擬電阻包括MOS管M5及MOS管M6，所述MOS管M5的源極分別連接所述MOS管M6的柵極、漏極，所述MOS管M5的柵極、漏極相連。
[0019]本實用新型的進一步技術方案是:所述比例放大模塊包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2，所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管M5、MOS管M6均采用P-MOS。
[0020]本實用新型的有益效果是:通過小電流偏置電路與電容構成高通濾波功能，去除輸入信號直流壓差對放大增益的限制，提高電路信噪比，實現極低頻率范圍內的片內集成高通濾波功能，采用集成化電路取代儀表結構，降低了功耗。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1是本實用新型實施例提供的可片內集成高通濾波功能的全差分放大結構；
[0022]圖2是本實用新型實施例提供的偏置小電流電路結構；
[0023]圖3是本實用新型實施例提供的虛擬電阻替代偏置小電流實現高通濾波的原理圖；
[0024]圖4是本實用新型實施例提供的幅度頻率響應圖；
[0025]圖5是本實用新型實施例提供的集成的全差分放大器的結構框圖。
【具體實施方式】
[0026]附圖標記:I O-小電流偏置電路 100-第一濾波模塊 200-比例放大模塊300-第二濾波模塊
[0027]如圖1、2所示，本實用新型提供的一種集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊100、第二濾波模塊300、比例放大模塊200，所述第一濾波模塊100的輸出端連接所述比例放大模塊200的輸入端，所述第二濾波模塊300的輸出端連接所述比例放模塊200的輸入端；所述第一濾波模塊100、第二濾波模塊300的結構相同，其包括小電流偏置電路10及濾波電路，所述小電流偏置電路10的輸出端連接所述濾波電路的輸入端。通過小電流偏置電路與電容構成高通濾波功能，去除輸入信號直流壓差對放大增益的限制，提高電路信噪比，實現極低頻率范圍內的片內集成高通濾波功能，采用集成化電路取代儀表結構，降低了功耗。
[0028]所述小電流偏置電路10包括電流源Ibg、MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、M0S管MCUMOS管MC2、M0S管MC3及MOS管MC4，所述電流源Ibg —端分別連接所述MOS管Ml的漏極、柵極及MOS管M2的柵極，所述MOS管M1、M0S管M2、M0S管M3及MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極、漏極及MOS管M4的柵極分別連接所述MOS管MC4的漏極，所述MOS管MC4的源極連接所述MOS管MC3的漏極，所述MOS管MC4的柵極分別連接所述MOS管MC3的柵極及MOS管MC2的柵極，所述MOS管MC2的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCl的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源極接地，所述電流源Ibg的另一端接地。
[0029]所述濾波電路包括MOS管MA、M0S管MB及電容C2，所述MOS管MA的柵極及MOS管MB的柵極、漏極分別連接所述MOS管M4的漏極，所述MOS管MA的源極與MOS管MB的源極相連，所述電容C2與所述MOS管MA的漏極至源極并聯(lián)。
[0030]所述比例放大模塊200包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2，所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管MC1、MOS管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-MOS。
[0031]本實用新型的另一目的在于提供一種集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊100、第二濾波模塊300、比例放大模塊200，所述第一濾波模塊100的輸出端連接所述比例放大模塊200的輸入端，所述第二濾波模塊300的輸出端連接所述比例放模塊200的輸入端；所述第一濾波模塊100、第二濾波模塊300的結構相同，其包括多個小電流偏置電路10及濾波電路，所述小電流偏置電路10的輸出端連接所述濾波電路的輸入端，所述多個小電流電路10相互級聯(lián)。
[0032]所述小電流偏置電路10包括電流源Ibg、MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、M0S管MCUMOS管MC2、M0S管MC3及MOS管MC4，所述電流源Ibg —端分別連接所述MOS管Ml的漏極、柵極及MOS管M2的柵極，所述MOS管M1、M0S管M2、M0S管M3及MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極、漏極及MOS管M4的柵極分別連接所述MOS管MC4的漏極，所述MOS管MC4的源極連接所述MOS管MC3的漏極，所述MOS管MC4的柵極分別連接所述MOS管MC3的柵極及MOS管MC2的柵極，所述MOS管MC2的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCl的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源極接地，所述電流源Ibg的另一端接地。
[0033]所述濾波電路包括MOS管MA、M0S管MB及電容C2，所述MOS管MA的柵極及MOS管MB的柵極、漏極分別連接所述MOS管M4的漏極，所述MOS管MA的源極與MOS管MB的源極相連，所述電容C2與所述MOS管MA的漏極至源極并聯(lián)。
[0034]所述比例放大模塊200包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2，所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大。
[0035]所述MOS 管 Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-MOS。
[0036]所述多個小電流偏置電路10相互隔離。
[0037]如圖3所示，本實用新型的另一目的在于提供集成的全差分放大器，該全差分放大器包括第一濾波模塊100、第二濾波模塊300、比例放大模塊200，所述第一濾波模塊100的輸出端連接所述比例放大模塊200的輸入端，所述第二濾波模塊300的輸出端連接所述比例放模塊200的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括濾波電路，所述濾波電路包括虛擬電阻Rf及電容C2，所述虛擬電阻Rf與所述電容C2并聯(lián)，所述虛擬電阻包括MOS管M5及MOS管M6，所述MOS管M5的源極分別連接所述MOS管M6的柵極、漏極，所述MOS管M5的柵極、漏極相連。
[0038]所述比例放大模塊200包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2，所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管M5、MOS管M6均采用P-M0S。
[0039]采用集成電路方式，實現低頻率小信號的放大功能，并通過全片內集成高通濾波功能，解決在極低頻率范圍下，由于雙端輸入信號存在不同直流壓差而導致放大倍數受限制的問題。
[0040]如圖1所不,全差分放大器包括:雙端輸入雙端輸出全差分放大器，電容比例放大結構，小電流偏置電路。
[0041]其中雙端輸入雙端輸出全差分放大器(OTA !operat1nal transconductanceamplifier)具有高增益，低功耗，低噪聲的特性；電容與小電流偏置電路構成反饋結構，實現高通濾波功能，去除輸入信號中不同的直流壓差影響；電容比例放大電路對小信號進行放大處理；
[0042]OTA與四個電容構成電容比例放大電路，實現增益Av的放大功能，同時與跨接在放大器上的虛擬電阻共同實現截止頻率fhp高通濾波特性。
Cl cIB
_3]其中A1, = — , Up = 2π,Αν^€2
[0044]傳遞函數如式(I):
(VO + )-(VO~) ClI⑴
-=—X--11I)
[0045](VIN+ XVIN-) Cl 1 +_IB
AVc2 X C2 X s
[0046]由于目標信號在很低的頻率范圍內，如幾赫茲，因此為了不影響有效信號的采集，我們需要將高通濾波的截止頻率fhp fhp設置在這個頻率范圍以下，按照傳統(tǒng)的濾波結構，需要很大的電阻電容，不利于在片內集成。為了解決這個問題，我們提出如圖2所示的小電流偏置電路結構，通過電流分流方法大大降低偏置電流，其關系式為:
[0047]IB = -\lbg (2)
N~
[0048]其中Ibg為集成電路片內產生的帶隙基準電流。
[0049]通過Cadence Spectre工具米用GSMC0.18 μ m工藝進行了后仿真，圖4是該結構的幅度頻率響應曲線，從AC特性仿真結果看，當偏置小電流為1pA時，高通截止頻率為39.8Hz，當偏置小電流為IpA時，高通截止頻率為3.16Hz，仿真時電容Cl為12pF，電容C2為1.2pF，結果基本與設計相符；如果繼續(xù)降低偏置電流或者增大電容C2的值，可得到更低的截止頻率。
[0050]上述集成電路能夠通過晶圓廠生產并進行封裝形成獨立的全差分放大器IC芯片，或與其他的集成電路合并一起進行封裝夠成具有多功能的封裝芯片。
[0051]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種集成的全差分放大器，其特征在于，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放模塊的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括小電流偏置電路及濾波電路，所述小電流偏置電路的輸出端連接所述濾波電路的輸入端。
2.根據權利要求1所述的全差分放大器，其特征在于，所述小電流偏置電路包括電流源 Ibg、MOS 管 M1、M0S 管 M2、M0S 管 M3、M0S 管 M4、M0S 管 MCUMOS 管 MC2、M0S 管 MC3 及 MOS管MC4，所述電流源Ibg—端分別連接所述MOS管Ml的漏極、柵極及MOS管M2的柵極，所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極、漏極及MOS管M4的柵極分別連接所述MOS管MC4的漏極，所述MOS管MC4的源極連接所述MOS管MC3的漏極，所述MOS管MC4的柵極分別連接所述MOS管MC3的柵極及MOS管MC2的柵極，所述MOS管MC2的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCl的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源極接地，所述電流源Ibg的另一端接地。
3.根據權利要求2所述的全差分放大器，其特征在于，所述濾波電路包括MOS管MA、MOS管MB及電容C2，所述MOS管MA的柵極及MOS管MB的柵極、漏極分別連接所述MOS管M4的漏極，所述MOS管MA的源極與MOS管MB的源極相連，所述電容C2與所述MOS管MA的漏極至源極并聯(lián)。
4.根據權利要求3所述的全差分放大器，其特征在于，所述比例放大模塊包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2,所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA及MOS管MB均采用P-MOS。
5.一種集成的全差分放大器，其特征在于，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放模塊的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括多個小電流偏置電路及濾波電路，所述小電流偏置電路的輸出端連接所述濾波電路的輸入端，所述多個小電流電路相互級聯(lián)。
6.根據權利要求5所述的全差分放大器，其特征在于，所述小電流偏置電路包括電流源 Ibg、M0S 管 M1、M0S 管 M2、M0S 管 M3、M0S 管 M4、M0S 管 MCUMOS 管 MC2、M0S 管 MC3 及 MOS管MC4，所述電流源Ibg —端分別連接所述MOS管Ml的漏極、柵極及MOS管M2的柵極，所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極、漏極及MOS管M4的柵極分別連接所述MOS管MC4的漏極，所述MOS管MC4的源極連接所述MOS管MC3的漏極，所述MOS管MC4的柵極分別連接所述MOS管MC3的柵極及MOS管MC2的柵極，所述MOS管MC2的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MCl的柵極、漏極分別連接所述MOS管M2的漏極，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源極接地，所述電流源Ibg的另一端接地。
7.根據權利要求6所述的全差分放大器，其特征在于，所述濾波電路包括MOS管MA、MOS管MB及電容C2，所述MOS管MA的柵極及MOS管MB的柵極、漏極分別連接所述MOS管M4的漏極，所述MOS管MA的源極與MOS管MB的源極相連，所述電容C2與所述MOS管MA的漏極至源極并聯(lián)。
8.根據權利要求7所述的全差分放大器，其特征在于，所述比例放大模塊包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2,所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA及MOS管MB均采用P-MOS ;所述多個小電流偏置電路相互隔離。
9.一種集成的全差分放大器，其特征在于，該全差分放大器包括第一濾波模塊、第二濾波模塊、比例放大模塊，所述第一濾波模塊的輸出端連接所述比例放大模塊的輸入端，所述第二濾波模塊的輸出端連接所述比例放模塊的輸入端；所述第一濾波模塊、第二濾波模塊的結構相同，其包括濾波電路，所述濾波電路包括虛擬電阻Rf及電容C2，所述虛擬電阻Rf與所述電容C2并聯(lián)，所述虛擬電阻包括MOS管M5及MOS管M6，所述MOS管M5的源極分別連接所述MOS管M6的柵極、漏極，所述MOS管M5的柵極、漏極相連。
10.根據權利要求9所述的全差分放大器，其特征在于，所述比例放大模塊包括雙端輸入雙端輸出的全差分放大器0ΤΑ、兩個電容Cl、兩個電容C2,所述全差分放大器OTA的正輸入端連接其中一個所述電容Cl的一端，其中一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的正輸入端至負輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA的負輸入端連接其中另一個電容Cl的一端，其中另一個所述電容C2與所述全差分放大器OTA的負輸入端至正輸出端并聯(lián)，所述全差分放大器OTA與四個電容構成電容比例放大電路實現增益Av的放大；所述MOS管M5、M0S管M6均采用P-MOS。
【文檔編號】H03F3/45GK203933555SQ201420288542
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年5月30日 優(yōu)先權日:2014年5月30日
【發(fā)明者】程亞宇 申請人:深圳貝特萊電子科技有限公司