Ttl驅(qū)動(dòng)的高速全橋mosfet驅(qū)動(dòng)器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種TTL驅(qū)動(dòng)的高速全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器。包括高速全橋驅(qū)動(dòng)芯片、低邊mosfet驅(qū)動(dòng)器、高速光電耦合器，所述的信號(hào)（sinPD）經(jīng)高速光電耦合器（TLP115）隔離后輸出到電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020）的輸入端，驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020）的輸出端（GATE）與一射極偏置的雙極性三極管相連，電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020）的（非FAULT）端連接到共射三極管Q4的基極，共射三極管Q4的集電極連接到全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（IRS2453）的關(guān)斷端（SD）。本實(shí)用新型具有電路簡(jiǎn)單，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種基于感應(yīng)無線技術(shù)的中低速磁浮列車位置、速度檢測(cè)及自動(dòng) 控制領(lǐng)域應(yīng)用的設(shè)備。 TTL驅(qū)動(dòng)的高速全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

【背景技術(shù)】
[0002] 感應(yīng)無線技術(shù)（INDUCTION RADIO)廣泛應(yīng)用于大型移動(dòng)機(jī)械(如焦?fàn)t四大車、堆取 料機(jī)、行車、礦車等)的位置識(shí)別、車地通訊及其自動(dòng)化控制。感應(yīng)無線測(cè)速技術(shù)因其不但具 有非接觸性而且很高的可靠性、抗干擾能力及冗余能力也很好的應(yīng)用在磁浮列車的測(cè)速定 位上。
[0003] 在磁浮列車的測(cè)速定位的設(shè)備中，載波發(fā)生器產(chǎn)生的載波信號(hào)不停的往編碼電纜 上發(fā)送信號(hào)，其中，編碼電纜是作為高速功率開關(guān)的負(fù)載的，因而驅(qū)動(dòng)能力是很重要的一個(gè) 環(huán)節(jié)，需同時(shí)滿足以下幾個(gè)方面需求：
[0004] 1、全橋驅(qū)動(dòng)；
[0005] 2、需與TTL電平接口；
[0006] 3、工作頻率要求高；
[0007] 4、可靠性要求高；
[0008] 5、死區(qū)時(shí)間控制恰當(dāng)；
[0009] 6、占空比的調(diào)整。
[0010] 而目前還未有既具有TTL電平信號(hào)輸入又具有高速頻率的高可靠性全橋mosfet 驅(qū)動(dòng)控制裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 為了滿足上述需求，本實(shí)用新型提供了一種基于TTL驅(qū)動(dòng)的高速全橋MOSFET驅(qū)動(dòng) 器。該裝置電路簡(jiǎn)單、能夠在TTL電平下滿足高速全橋MOSFET的驅(qū)動(dòng)。
[0012] 本實(shí)用新型解決的是在高頻率的TTL信號(hào)情況下全橋mosfet驅(qū)動(dòng)的問題，因該驅(qū) 動(dòng)器是用于磁浮列車的測(cè)速定位，故還需絕對(duì)高的可靠性。
[0013] 本實(shí)用新型包括高速全橋驅(qū)動(dòng)芯片、低邊mosfet驅(qū)動(dòng)器、高速光電耦合器等，其 電路如圖所示。TTL信號(hào)（sinro)經(jīng)高速光電耦合器（TLP115)隔離后輸出到電流感應(yīng)低邊 mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的輸入端，驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的輸出端（GATE)與一射極偏置 的雙極性三極管相連，電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的非FAULT端連接到共射 三極管Q4的基極，共射三極管Q4的集電極連接到全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（IRS2453)的關(guān)斷 端（SD)。該三極管用于調(diào)節(jié)全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（IRS2453)的振蕩定時(shí)電容輸入端。當(dāng)過 流時(shí)，電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的非FAULT端輸出故障信號(hào)，經(jīng)共射三極管 控制全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（IRS2453)的關(guān)斷端（SD)禁止全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（IRS2453) 工作。
[0014] 本實(shí)用新型具有電路簡(jiǎn)單，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 附圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。
[0016] 圖中：
[0017] SinPD :TTL 信號(hào)輸入；
[0018] L01、L02 :低邊橋臂輸出信號(hào)；
[0019] H01、H02 :高邊橋臂輸出信號(hào)；
[0020] OUT-：高壓浮動(dòng)輸出負(fù)端；
[0021] 0UT+ :高壓浮動(dòng)輸出正端；

【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限 于此。
[0023] 如圖所示，本實(shí)用新型由高速光電隔離電路、電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)電路、高 速全橋mosfet驅(qū)動(dòng)電路、三極管射極偏置電路等組成。
[0024] 來自連接器（J2)的TTL信號(hào)（SinPD)與高速光電隔離器（U5)的輸入端（1腳）相 連，高速光電隔離器（U5)的輸出端（5腳）通過電容（C8)與電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片 (U1)的輸入端（2腳）相連，電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（U1)的輸出端（8腳）通過電阻 R2與三極管Q1基極相連，通過調(diào)整三極管射極偏置電壓為全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（U2)的振 蕩定時(shí)電容輸入端（3腳)提供死區(qū)調(diào)整電壓，該電壓在小于1/3VCC大于1/6VCC波形較佳。
[0025] 上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受上述實(shí) 施例的限制，其他的任何為背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、 組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種TTL驅(qū)動(dòng)的高速全橋mosfet驅(qū)動(dòng)器，其特征在于包括高速全橋驅(qū)動(dòng)芯片、低 邊mosfet驅(qū)動(dòng)器、高速光電耦合器，TTL信號(hào)（sinPD)經(jīng)高速光電耦合器（TLP115)隔離后 輸出到電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的輸入端，驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的輸出端 (GATE)與一射極偏置的雙極性三極管相連，電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（MIC5020)的非 FAULT端連接到共射三極管Q4的基極，共射三極管Q4的集電極連接到全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯 片（IRS2453)的關(guān)斷端（SD)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TTL驅(qū)動(dòng)的高速全橋mosf et驅(qū)動(dòng)器，其特征在于所述的 來自連接器（J2)的TTL信號(hào)（SinPD)與高速光電隔離器（U5)的輸入端（1腳）相連，高速 光電隔離器（U5)的輸出端（5腳）通過電容（C8)與電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（U1)的 輸入端（2腳）相連，電流感應(yīng)低邊mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（U1)的輸出端（8腳）通過電阻R2與三 極管Q1基極相連，通過調(diào)整三極管射極偏置電壓為全橋mosfet驅(qū)動(dòng)芯片（U2)的振蕩定時(shí) 電容輸入端（3腳)。
【文檔編號(hào)】H03K17/78GK203896325SQ201420288938
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月3日
【發(fā)明者】曹儉榮 申請(qǐng)人:岳陽高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)天元電子技術(shù)有限公司