功率控制用驅(qū)動電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種可使被控功率控制器件（MOSFET或IGBT）的開通和關斷時間較短，驅(qū)動電流足夠大的功率控制用驅(qū)動電路。其包括：驅(qū)動電路前級，用于根據(jù)外部送入的PWM信號或邏輯信號控制其電壓輸出端的輸出電壓；N-MOSFET，其柵極接驅(qū)動電路前級的電壓輸出端；該N-MOSFET的柵極與源極之間設有第一電阻,N-MOSFET的漏極接驅(qū)動電源；P-MOSFET，其柵極接驅(qū)動集成電路的電壓輸出端；N-MOSFET的源極與P-MOSFET的源極之間設有第二電阻；被控功率控制器件，其柵極串接第三電阻后接P-MOSFET的源極,被控功率控制器件的源極接P-MOSFET的漏極。
【專利說明】功率控制用驅(qū)動電路

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種功率控制用驅(qū)動電路，尤其是功率控制設備的功率控制器件(M0SFET和IGBT等)的驅(qū)動電路。該驅(qū)動電路可以輸出幅度較大、上升沿和下降沿較短的峰值電流。該驅(qū)動電路可應用于使用MOSFET、IGBT進行電機控制、電源變換和電源管理等功率控制領域。

【背景技術】
[0002]現(xiàn)有技術中，在開啟MOSFET或IGBT等被控功率控制器件時，驅(qū)動電路必需能在短時間內(nèi)向被控功率控制器件MOSFET或IGBT的柵極注入大電流，關閉被控功率控制器件MOSFET或IGBT時，驅(qū)動電路必需能在短時間內(nèi)由被控功率控制器件MOSFET或IGBT的柵極引出大電流?；蛘哒f，加到被控功率控制器件MOSFET或IGBT的柵極的驅(qū)動電流脈沖幅度要足夠大，上升沿時間和下降沿時間要足夠短。為此，一般用MOSFET構造被控功率控制器件的驅(qū)動電流輸出部分，常用的電路(包括專用MOSFET或IGBT的驅(qū)動電路前級)如圖1(A)至(D)。
[0003]圖1中，Q1，Q2為驅(qū)動被控功率控制器件MOSFET或IGBT (即Q3)的MOSFET。R為驅(qū)動電阻，用以調(diào)節(jié)驅(qū)動電流和阻尼驅(qū)動回路振鈴。腳3接驅(qū)動電源。記腳3的電位為V3;腳I和2分別是驅(qū)動Q1、Q2的控制信號。記腳I的電位為VI，記腳2的電位為V2 ;在橋式電路中，在Q3用于上橋時，4接到功率級的電源正，5是輸出。在Q3用于下橋時，5接到功率級的電源負，4是輸出。記腳4的電位為V4，腳5的電位為V5。Q3的柵極的電壓記為VG3(也即柵極和源極的電位差)，為使Q3深度飽和(MOSFET進入電阻區(qū)，而且導通電阻足夠小)，必須有VG3=5V-15V，同樣，Ql的柵極電壓記為VG1，為使Ql深度飽和(MOSFET進入電阻區(qū)，而且導通電阻足夠小)，必須有VG1=5V-15V，因此，附圖1 (A)N-NMOSFET組合和圖1 (D)N-PM0SFET組合，開通Ql的控制信號幅度必須達到VG1+VG=20V-30V。顯然電路處理比較復雜，所以這兩種電路很少使用。
[0004]對于圖1 (B)p-NMOSFET組合，當V1=V5時，Ql導通，開啟Q3，當V2=V5時Q2導通，關閉Q3。為防止Ql、Q2同時導通，當V1=V5時必須有V2=V3，當V2=V5時必須有V1=V3，而且在Ql、Q2的開關轉(zhuǎn)換過程中，必須保證先關后開，關與開之間要插入合適的時間間隔，這個時間間隔也叫死區(qū)保護。
[0005]對于圖1 (C)P-PMOSFET組合，當V1=V5時，Ql導通，開啟Q3，當V2=V3時Q2導通，關閉Q3。為防止Ql、Q2同時導通，當V1=V5時必須有V2=V5，當V2=V3時必須有V1=V3，而且在Ql、Q2的開關轉(zhuǎn)換過程中，必須保證先關后開，關與開之間要插入合適的時間間隔，這個時間間隔也叫死區(qū)保護。
[0006]由此可見圖1 (B)p-NMOSFET組合和圖1 (C)P-PMOSFET組合的控制信號處理電路比較復雜，特別在是死區(qū)保護時間內(nèi)，被控功率控制器件Q3的工作狀態(tài)是不理想的。
實用新型內(nèi)容
[0007]本實用新型首要解決的技術問題是提供一種可以輸出幅度較大、上升沿和下降沿較短的峰值電流(即被控功率控制器件的開通和關斷時間較短)的功率控制用驅(qū)動電路。
[0008]為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種功率控制用驅(qū)動電路，其包括:驅(qū)動電路前級，用于根據(jù)外部送入的PWM信號或邏輯信號控制其電壓輸出端的輸出電壓；N-MOSFET (Q1)，其柵極(G)接所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端；該N-MOSFET (Ql)的柵極(G)與源極(S)之間設有第一電阻(Rl) ,N-MOSFET (Ql)的漏極(D)接驅(qū)動電源；P_M0SFET(Q2)，其柵極(G)接所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端；所述N-MOSFET (Ql)的源極(S)與P-MOSFET (Q2)的源極(S)之間設有第二電阻(R2);被控功率控制器件(Q3)，其柵極(G)串接第三電阻(R3)后接所述P-MOSFET (Q2)的源極(S)，所述被控功率控制器件(Q3)的源極(S )接所述P-MOSFET (Q2 )的漏極(D )。
[0009]所述驅(qū)動電路前級采用驅(qū)動集成電路或分列器件構成。
[0010]作為一種優(yōu)選的方案，所述第一電阻(Rl)的阻值小于1ΚΩ，第二電阻(R2)和第三電阻(R3)的阻值小于100 Ω。
[0011]作為一種優(yōu)選的方案，所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端能輸出的電壓為10-15V，且輸出電流和吸收電流的峰值不小于200mA。
[0012]作為一種優(yōu)選的方案，所述被控功率控制器件(Q3)為MOSFET或IGBT。
[0013]上述功率控制用驅(qū)動電路的工作方法，其包括:
[0014]當所述PWM信號或邏輯信號有效時，所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端的輸出電壓V0UT=10-15V,該電壓經(jīng)第一、第二和第三電阻(Rl、R2、R3)加到被控功率控制器件(Q3)的柵極，并形成電流輸出電流(Il);該電壓還直接加到N-MOSFET (Ql)的柵極，使N-MOSFET(Ql)導通并很快深度飽和，進而使被控功率控制器件(Q3)的柵極電壓很快上升；隨著被控功率控制器件(Q3)的柵極電壓上升，所述輸出電流(II)逐漸減小，直至所述第一電阻(Rl)兩端的電壓小于所述N-MOSFET (Ql)的門檻電壓時，N-MOSFET (Ql)退出導通，被控功率控制器件(Q3)的柵極電壓由所述驅(qū)動電路前級保持，維持被控功率控制器件(Q3)處在深度飽和區(qū)；當PWM信號或邏輯信號自有效變?yōu)闊o效時，所述電壓輸出端下降，使被控功率控制器件(Q3)的柵極經(jīng)第一、第二和第三電阻(Rl、R2、R3)向所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端輸出灌電流(12)，并在第一、第二電阻(R1，R2)的阻值之和與輸出灌電流(12)的乘積大于P-MOSFET (Q2)的門檻電壓時，使P-MOSFET (Q2)很快飽和導通，并使被控功率控制器件(Q3)的柵極電壓很快下降，最終使Q2退出導通；被控功率控制器件(Q3)的柵極電壓由驅(qū)動電路前級保持，由于驅(qū)動電路前級能吸收峰值不小于200mA的電流，因此能可靠維持被控功率控制器件(Q3)處在截止區(qū)。
[0015]作為一種變型的方案，所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端依次串接第四電阻(R4)、第五電阻(R5)和第一柵極電阻(RGl)后接N-MOSFET (Ql)的柵極(G);所述第五電阻(R5)和第一柵極電阻(RGl)的接點串接所述第一電阻(Rl)后接N-MOSFET (Ql)的源極(S);第四電阻(R4)和第五電阻(R5)的接點串接第二柵極電阻(RG2)后接P-MOSFET (Q2)的柵極(G)。
[0016]作為另一種變型的方案，所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端依次串接第四電阻(R4)、第五電阻(R5)和第二柵極電阻(RG2)后接P-MOSFET (Q2)的柵極(G);所述第四電阻(R4)和第五電阻(R5)的接點串接第一柵極電阻(RGl)后接N-MOSFET (Ql)的柵極(G);所述第五電阻(R5)和第二柵極電阻(RG2)的接點串接第一電阻(Rl)后接N-MOSFET (Ql)的源極(S)。
[0017]一種橋式功率控制電路，其包括:驅(qū)動電路前級，用于根據(jù)外部送入的一對PWM信號或邏輯信號分別控制其一對電壓輸出端的輸出電壓；該對電壓輸出端分別連接有結構相同的上、下橋驅(qū)動電路；所述上、下橋驅(qū)動電路包括:N-M0SFET (Q1)，其柵極接所述驅(qū)動電路前級的一電壓輸出端；該N-MOSFET (Ql)的柵極(G)與原極(S)之間設有第一電阻(R1),N-M0SFET (Ql)的漏極(D)接驅(qū)動電源；P_M0SFET (Q2)，其柵極(G)接所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端；N-MOSFET (QI)的原極(S )與P-MOSFET (Q2 )的原極(S )之間設有第二電阻(R2 );被控功率控制器件(Q3 )，其柵極(G)串接第三電阻(R3 )后接所述P-MOSFET (Q2 )的原極(S)，所述被控功率控制器件(Q3)的原極(S)接所述P-MOSFET (Q2)的漏極(D);上橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件的原極(S)接下橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件的漏極(D)，下橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件的原極(S)接驅(qū)動電路前級的公共端(COM)。
[0018]相對于現(xiàn)有技術，本實用新型具有的技術效果是:(1)本實用新型中的功率控制用驅(qū)動電路，在穩(wěn)態(tài)(指輸出級的被控功率控制器件Q3已可靠飽和導通或截止)，驅(qū)動N-MOSFET (Ql)和P-MOSFET (Q2)已經(jīng)關閉。而現(xiàn)有電路是在PWM或邏輯信號有效變無效或無效變有效時，關閉的是還處在飽和狀態(tài)的被控功率控制器件Q3，顯然其關斷時間和關斷延時都要大于本實用新型。(2)本實用新型驅(qū)動N-MOSFET (Ql)和P-MOSFET (Q2)的控制信號不需要插入死區(qū)保護時間。(3)本實用新型用的驅(qū)動N-MOSFET (Ql)和P-MOSFET(Q2 )只在狀態(tài)轉(zhuǎn)換(開或關輸出級的被控功率控制器件Q3 )時工作，可以輸出幅度較大，上升沿和下降沿較短的峰值電流。(4)可改變第二電阻R2和第三電阻R3的阻值，調(diào)整輸出級的被控功率控制器件Q3的開通和關斷時間。(5)可以使用通用驅(qū)動電路構成被控功率控制器件Q3的驅(qū)動電路前級(如IRS2003, IRS2103, IRS2117, IRS2118, IRS2175等)，也可以用分列器件構成所述驅(qū)動電路前級。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了清楚說明本實用新型的創(chuàng)新原理及其相比于現(xiàn)有產(chǎn)品的技術優(yōu)勢，下面借助于附圖通過應用所述原理的非限制性實例說明可能的實施例。在圖中:
[0020]圖1 (A)為現(xiàn)有技術中的N-N MOSFET組合；
[0021]圖1 (B)為現(xiàn)有技術中的P-P MOSFET組合；
[0022]圖1 (C)為現(xiàn)有技術中的P-N MOSFET組合；
[0023]圖1 (D)為現(xiàn)有技術中的N-P MOSFET組合；
[0024]圖2為本實用新型的功率控制用驅(qū)動電路的電路原理圖；
[0025]圖3為本實用新型的第二種功率控制用驅(qū)動電路的電路原理圖；
[0026]圖4為本實用新型的第三種功率控制用驅(qū)動電路的電路原理圖；
[0027]圖5為采用驅(qū)動集成電路IRF2003 (S) PbF構成所述驅(qū)動電路前級的典型應用電路圖；其中，Q13和Q23分別為第一、第二被控功率控制器件；
[0028]圖6為現(xiàn)有技術采用的分列器件構成的驅(qū)動電路前級的典型電路圖；其中，Q16和Q26分別為第三、第四被控功率控制器件；該電路作為驅(qū)動電路前級，其開通和關斷時間較長，驅(qū)動電流不夠大；顯然不能用在大功率控制設備中；
[0029]圖7為采用驅(qū)動集成電路IRF2003(S)PbF的典型應用電路，并應用于本實用新型的功率控制用驅(qū)動電路后的電路圖。其中，Q13和Q23分別為第一、第二被控功率控制器件；
[0030]圖8為采用分列器件構(非集成電路器件，或謂常規(guī)器件)構成的驅(qū)動電路前級，并應用于本實用新型的功率控制用驅(qū)動電路后的電路圖；其中，Q16和Q26分別為第三、第四被控功率控制器件。

【具體實施方式】
[0031]實施例1
[0032]如圖2，本實施例的功率控制用驅(qū)動電路包括:由驅(qū)動集成電路Ul構成的驅(qū)動電路前級，用于根據(jù)外部送入的PWM信號(或邏輯信號)控制其電壓輸出端OUT的輸出電壓；N-MOSFET (Q1)，其柵極G接所述驅(qū)動集成電路的電壓輸出端OUT ;該N-MOSFET (Ql)的柵極G與原極S之間設有第一電阻Rl，N-MOSFET (Ql)的漏極D接驅(qū)動電源；P_M0SFET (Q2)，其柵極G接所述驅(qū)動集成電路的電壓輸出端OUT ;所述N-MOSFET (Ql)的源極S與P-MOSFET(Q2)的源極S之間設有第二電阻R2 ;被控功率控制器件Q3，其柵極G串接第三電阻R3后接所述P-MOSFET (Q2)的源極S，所述被控功率控制器件Q3的源極S接所述P-MOSFET (Q2)的漏極D。
[0033]所述被控功率控制器件Q3為MOSFET或IGBT。所述驅(qū)動集成電路Ul為國際整流器公司(Internat1nal Rectifier)的MOSFET驅(qū)動集成電路IRS2003 (S)PbF。其電壓輸出端OUT能輸出的電壓為10-15V，且輸出電流和吸收電流的峰值不小于200mA。
[0034]所述第一電阻Rl的阻值為500Ω-1ΚΩ，第二電阻R2的阻值為10-50 Ω，第三電阻R3的阻值小于10 Ω。具體實施時，可通過改變第二電阻R2和第三電阻R3的阻值，調(diào)整輸出級的被控功率控制器件Q3的開通和關斷時間。
[0035]當所述PWM信號(或邏輯信號)有效時，所述驅(qū)動集成電路的電壓輸出端OUT的輸出電壓VOUT=I O-15 V，該電壓經(jīng)第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3加到被控功率控制器件Q3的柵極，并形成電流輸出電流Il ;該電壓還直接加到N-MOSFET (Ql)的柵極，使N-MOSFET (Ql)導通并很快深度飽和，進而使被控功率控制器件Q3的柵極電壓很快上升；隨著被控功率控制器件Q3的柵極電壓上升，所述輸出電流Il逐漸減小，直至所述第一電阻Rl兩端的電壓小于所述N-MOSFET (Ql)的門檻電壓時，N-MOSFET (Ql)退出導通，被控功率控制器件Q3的柵極電壓由所述驅(qū)動集成電路保持，維持被控功率控制器件Q3處在深度飽和區(qū)；
[0036]當PWM信號(或邏輯信號)自有效變?yōu)闊o效時，所述電壓輸出端OUT下降，使被控功率控制器件Q3的柵極經(jīng)第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3向所述驅(qū)動集成電路的電壓輸出端OUT輸出灌電流12，并在第一電阻Rl、第二電阻R2的阻值之和與輸出灌電流12的乘積大于P-MOSFET (Q2)的門檻電壓時，使P-MOSFET (Q2)很快飽和導通，并使被控功率控制器件Q3的柵極電壓很快下降，最終使P-MOSFET (Q2)退出導通；
[0037]被控功率控制器件Q3的柵極電壓由驅(qū)動集成電路保持，由于驅(qū)動集成電路能吸收峰值不小于200mA的電流，因此能可靠維持被控功率控制器件Q3處在截止區(qū)。
[0038]實施例2
[0039]在實施例1的基礎上，本實施例的功率控制用驅(qū)動電路存在如下變型:
[0040]如圖3，所述驅(qū)動集成電路的電壓輸出端OUT依次串接第四電阻R4、第五電阻R5和第一柵極電阻RGl后接N-MOSFET (Ql)的柵極G ;所述第五電阻R5和第一柵極電阻RGl的接點串接所述第一電阻Rl后接N-MOSFET (Ql)的原極S ;第四電阻R4和第五電阻R5的接點串接第二柵極電阻RG2后接P-MOSFET (Q2)的柵極G。
[0041]腳3接到驅(qū)動電源。在被控功率控制器件Q3用于上橋時，腳4接到功率級的電源正，腳5是輸出。在被控功率控制器件Q3用于下橋時，腳5接到功率級的電源負，腳4是輸出。
[0042]此外，圖4的功率控制用驅(qū)動電路是實施例2的一種變型。
[0043]應用例I
[0044]應用實施例1所述的功率控制用驅(qū)動電路，構成一橋式功率控制電路。如圖7，所述橋式功率控制電路包括:驅(qū)動集成電路U1，用于根據(jù)外部送入的一對PWM信號(或邏輯信號)HIN和LIN分別控制其一對電壓輸出端HO和LO的輸出電壓；該對電壓輸出端HO和LO分別連接有結構相同的上、下橋驅(qū)動電路。
[0045]所述上橋驅(qū)動電路包括:N-M0SFET (Ql I)，其柵極接所述驅(qū)動集成電路的第一電壓輸出端HO ;該N-MOSFET (Qll)的柵極G與原極S之間設有第一電阻R11，驅(qū)動集成電路Ul的電源VCC經(jīng)二極管Dll接N-MOSFET (Qll)的漏極D ；P-MOSFET (Q12)的柵極G接所述驅(qū)動集成電路的第二電壓輸出端LO ;N-M0SFET (Qll)的原極S與P-MOSFET (Q12)的原極S之間設有電阻R12 ;被控功率控制器件Q13，其柵極G串接電阻R13后接所述P-MOSFET(Q12)的原極S，所述被控功率控制器件Q13的原極S接所述P-MOSFET (Q12)的漏極D ;上橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件的原極S接下橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件的漏極D，下橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件的原極S接驅(qū)動集成電路Ul的公共端COM。
[0046]Ul為國際整流器公司(Internat1nal Rectifier)的MOSFET驅(qū)動集成電路IRS2003 (S) PbF0上、下橋驅(qū)動電路中的被控功率控制器件Q13和Q23組成橋式功率控制電路的輸出級。
[0047]所述N-MOSFET (Qll)的導通電阻記為 RDS(ON)Qll, N-MOSFET (Q21)的導通電阻記為 RDS(0N)Q21。所述 P-MOSFET (Q12)的導通電阻記為 RDS(ON)Q12, P-MOSFET (Q22)的導通電阻記為RDS(ON) Q22。
[0048](R12+R13+RDS (ON)QlI)=6 Ω , (R22+R23+RDS(ON)Q21)=6 Ω ,
[0049](R13+RDS(ON)Q12)=1Ω， (R23+RDS(ON)Q22)=1Ω。
[0050]當VCC=12V時，開啟被控功率控制器件Q3 (以采用MOSFET為例)時，改進后的電路能向被控功率控制器件Q3柵極注入的最大電流達到2A，關閉被控功率控制器件Q3時，改進后的電路能由被控功率控制器件Q3柵極吸收的最大電流達到12A。
[0051]應用本實用新型改進后的電路已應用在最大輸出功率1KW的電機控制器中。
[0052]圖5為所述MOSFET驅(qū)動集成電路IRS2003 (S)PbF的典型應用電路，其中，開啟MOSFET時，IRS2003(S)PbF向MOSFET (對應于本實施例的被控功率控制器件Q3)的柵極注入的最大電流為130mA，關閉MOSFET時，IRS2003 (S) PbF由MOSFET柵極吸收的最大電流為270mA。顯然不能用在大功率控制設備中。
[0053]實施例3
[0054]在實施例1的基礎上，本實施例的驅(qū)動電路前級采用圖8所示的分列器件構成，具體是采用圖8中虛線左邊的分列器件構成的驅(qū)動電路前級。
[0055]圖8中，1，5腳接到驅(qū)動電源，一般為12疒15V。
[0056]2腳為上橋控制信號PWM(或邏輯信號)輸入。
[0057]7腳為下橋控制信號PWM(或邏輯信號)輸入。
[0058]6腳接到邏輯電源正極，一般為3.3V或5V。
[0059]8腳接到功率電源正極。
[0060]10腳接到功率電源負極。
[0061]9腳為功率輸出。
[0062]Dll和Cll構成自舉升壓電路，提供上橋驅(qū)動電源。
[0063]分列器件構成的MOSFET或IGBT的驅(qū)動電路前級，或采用MOSFET和IGBT專用集成電路作為驅(qū)動電路前級，應用本實用新型改進后，驅(qū)動電流足夠大，開通和關斷時間較短，而且驅(qū)動電流幅值和開通關斷時間可方便調(diào)整。對應用MOSFET和IGBT的功率控制設備，改進性能和提高可靠性有積極作用。
[0064]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而并非是對本實用新型的實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而這些屬于本實用新型的精神所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型的保護范圍之中。
【權利要求】
1.一種功率控制用驅(qū)動電路，其特征在于包括: 驅(qū)動電路前級，用于根據(jù)外部送入的PWM信號或邏輯信號控制其電壓輸出端的輸出電壓； N-MOSFET (Ql)，其柵極(G)接所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端；該N-MOSFET (Ql)的柵極(G)與源極(S)之間設有第一電阻(Rl) ,N-MOSFET (Ql)的漏極(D)接驅(qū)動電源；P-MOSFET (Q2)，其柵極(G)接所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端；所述N-MOSFET (Ql)的源極(S)與P-MOSFET (Q2)的源極(S)之間設有第二電阻(R2)； 被控功率控制器件(Q3)，其柵極(G)串接第三電阻(R3)后接所述P-MOSFET (Q2)的源極(S)，所述被控功率控制器件(Q3)的源極(S)接所述P-MOSFET (Q2)的漏極(D)。
2.根據(jù)權利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于:第一電阻(Rll，R21)的阻值小于IK Ω,第二電阻(R12，R22)和第三電阻(R13，R23)的阻值小于100 Ω。
3.根據(jù)權利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于:所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端能輸出的電壓為5V-15V，且輸出電流和吸收電流的峰值不小于200mA。
4.根據(jù)權利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于:所述被控功率控制器件為MOSFET或IGBT。
5.根據(jù)權利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于:所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端依次串接第四電阻(R4)、第五電阻(R5)和第一柵極電阻(RGl)后接N-MOSFET (Ql)的柵極(G);所述第五電阻(R5)和第一柵極電阻(RGl)的接點串接所述第一電阻(Rl)后接N-MOSFET(Ql)的源極(S)； 第四電阻(R4)和第五電阻(R5)的接點連接第二柵極電阻(RG2)后接P-MOSFET (Q2)的柵極(G)。
6.根據(jù)權利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于:所述驅(qū)動電路前級的電壓輸出端依次串接第四電阻(R4)、第五電阻(R5)和第二柵極電阻(RG2)后接P-MOSFET (Q2)的柵極(G)； 所述第四電阻(R4)和第五電阻(R5)的接點串接第一柵極電阻(RGl)后接N-MOSFET(Ql)的柵極(G); 所述第五電阻(R5)和第二柵極電阻(RG2)的接點串接第一電阻(Rl)后接N-MOSFET(Ql)的源原極(S)。
【文檔編號】H03K17/687GK204068909SQ201420386019
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權日:2014年7月11日
【發(fā)明者】唐險峰 申請人:唐險峰