一種銀膠搭載的石英晶體諧振器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及石英晶體諧振器【技術領域】，具體涉及一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，基座內(nèi)設置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設置有第一導電膠，第二涂覆區(qū)域設置有第二導電膠，晶片本體分別通過第一導電膠、第二導電膠與基座粘接固定，所述第一導電膠和所述第二導電膠均為導電性銀膠。本實用新型的晶片本體通過導電性銀膠固定在基座上，使得該石英晶體諧振器的頻率不良品較低，生產(chǎn)效益高，且頻率穩(wěn)定性高，使用壽命長。
【專利說明】一種銀膠搭載的石英晶體諧振器

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及石英晶體諧振器【技術領域】，具體涉及一種銀膠搭載的石英晶體諧振器。

【背景技術】
[0002]石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應而制成的諧振元件，隨著科技的發(fā)展和生活水平的提高，人們對電子產(chǎn)品不斷追求質(zhì)量輕、體積小、外觀美等優(yōu)點的產(chǎn)品。而石英晶體諧振器的壓電效應能夠為電子產(chǎn)品提供穩(wěn)定的時鐘信號。為滿足現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)要求，石英晶體諧振器自身體積也不斷縮小，才能與智能化的電子產(chǎn)品完美結(jié)合。石英晶體諧振器在智能電子領域的作用如:1.手機的通話、攝像、衛(wèi)星定位等功能；2.汽車的引擎控制；
3.電子手表的計時功能等。從中體現(xiàn)出晶體扮演著不可缺少的重要角色。
[0003]石英晶體諧振器的石英晶片通過導電膠固定在基座上，采用現(xiàn)有的導電膠粘固得到的石英晶體諧振器頻率不良品較高，頻率穩(wěn)定性較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有技術中存在的缺點和不足，本實用新型的目的在于提供一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器的頻率不良品較低，生產(chǎn)效益高，且頻率穩(wěn)定性高，使用壽命長。
[0005]本實用新型的目的通過下述技術方案實現(xiàn):一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，基座內(nèi)設置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設置有第一導電膠，第二涂覆區(qū)域設置有第二導電膠，晶片本體分別通過第一導電膠、第二導電膠與基座粘接固定，所述第一導電膠和所述第二導電膠均為導電性銀膠。
[0006]其中，所述第一導電膠和所述第二導電膠均為娃酮類導電粘合劑制成的第一導電膠和第二導電膠。
[0007]其中，所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為40-60 μ m。
[0008]其中，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為 10-30 μ m。
[0009]其中，所述上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500 埃。
[0010]其中，所述鍍銀層與所述晶片本體之間設置有鍍鉻層。
[0011]其中，所述鍍鉻層的厚度為4(Γ50埃。
[0012]其中，所述上鍍膜層中部開設有刻蝕層。
[0013]其中，所述刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。
[0014]其中，所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm,寬度為0.8-0.65mm。
[0015]本實用新型的有益效果在于:本實用新型的晶片本體通過導電性銀膠固定在基座上，使得該石英晶體諧振器的頻率不良品較低，生產(chǎn)效益高，且頻率穩(wěn)定性高，使用壽命長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是本實用新型實施例一的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3是本實用新型實施例一所述晶片本體的剖視圖。
[0019]圖4是本實用新型實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5是本實用新型實施例三所述晶片本體的俯視圖。
[0021]圖6是本實用新型實施例三所述晶片本體的主視圖。
[0022]圖7是本實用新型實施例三所述晶片本體的右視圖。
[0023]附圖標記為:1 一晶片本體、2—基座、11 一上鍛膜層、111 一刻蝕層、12—側(cè)面鍛膜層、13—下鍍膜層、14 一鍍鉻層、141 一第一涂覆區(qū)域、142—第二涂覆區(qū)域、151—第一導電膠、152—第二導電膠。

【具體實施方式】
[0024]為了便于本領域技術人員的理解，下面結(jié)合實施例及附圖1-7對本實用新型作進一步的說明，實施方式提及的內(nèi)容并非對本實用新型的限定。
[0025]如圖1-3所示為本實用新型所述一種銀膠搭載的石英晶體諧振器的實施例一，包括基座2和固定于基座2內(nèi)的晶片本體1，晶片本體I的上表面、側(cè)面以及下表面分別設置有上鍍膜層11、側(cè)面鍍膜層12和下鍍膜層13，基座2內(nèi)設置有第一涂覆區(qū)域141和第二涂覆區(qū)域142，第一涂覆區(qū)域141設置有第一導電膠151，第二涂覆區(qū)域142設置有第二導電膠152，晶片本體I分別通過第一導電膠151、第二導電膠152與基座2粘接固定，所述第一導電膠151和所述第二導電膠152均為導電性銀膠。
[0026]所述第一導電膠151涂布于第一涂覆區(qū)域141的左上角，第二導電膠152涂布于第二涂覆區(qū)域142的右上角；或者，所述第一導電膠151涂布于第一涂覆區(qū)域141的右上角，第二導電膠152涂布于第二涂覆區(qū)域142的左上角；或者，所述第一導電膠151涂布于第一涂覆區(qū)域141靠近頂部的中心位置，第二導電膠152涂布于第二涂覆區(qū)域142靠近頂部的中心位置。
[0027]本實用新型的晶片本體I通過導電性銀膠固定在基座上，使得該石英晶體諧振器的頻率不良品較低，生產(chǎn)效益高，且頻率穩(wěn)定性高，使用壽命長。
[0028]本實施例中，所述第一導電膠151和所述第二導電膠152均為娃酮類導電粘合劑制成的第一導電膠151和第二導電膠152。硅酮類導電粘合劑的硬化條件為在熱風硬化爐中180°C溫度下加熱60分鐘進行硬化，硅酮類導電粘合劑在高低溫條件下的特性均比較穩(wěn)定。
[0029]本實施例中，所述第一導電膠151和所述第二導電膠152的高度E均為40_60 μ m。優(yōu)選的，所述第一導電膠151和所述第二導電膠152的高度E均為45-55 μ m ;更為優(yōu)選的，所述第一導電膠151和所述第二導電膠152的高度E均為45 μ m ;另一優(yōu)選的,所述第一導電膠151和所述第二導電膠152的高度E均為50 μ m ;另一優(yōu)選的,所述第一導電膠151和所述第二導電膠152的高度E均為55 μ m。該高度范圍內(nèi)的晶片本體I可獲得穩(wěn)定的阻抗。
[0030]本實施例中，所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為10-30 μ m。優(yōu)選的，所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為15-25 μ m ;更為優(yōu)選的，所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為15 μ m ;另一優(yōu)選的，所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為20μπι ;另一優(yōu)選的，所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為25 μ m ;該范圍內(nèi)的晶片本體I的電阻較低，能減少電阻不良品，提高生產(chǎn)效益。
[0031]本實施例中，所述上鍍膜層11、側(cè)面鍍膜層12、下鍍膜層13均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。鍍銀層作為電極使用，可以增強晶片本體I的導電性能，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器。優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為3800-4200埃；更為優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為3800埃；另一優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為4000埃；另一優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為4200埃。通過將鍍銀層的厚度控制在3500-4500埃，晶片本體I的導電性能最佳。
[0032]本實施例中，所述鍍銀層與所述晶片本體I之間設置有鍍鉻層14。鍍鉻層14的設置使石英晶片與鍍銀層電極附著更牢固，不易脫落。
[0033]本實施例中，所述鍍鉻層14的厚度為4(Γ50埃。優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為42_48埃；更為優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為42埃；另一優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為45埃；另一優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為48埃。采用鍍鉻膜，并控制其厚度為40-50埃時，使得該石英晶振的電極附著更牢靠、產(chǎn)品老化率良好、并能夠改善現(xiàn)有技術中存在的DLD不良現(xiàn)象。
[0034]如圖4所示為本實用新型所述一種銀膠搭載的石英晶體諧振器的實施例二，與上述實施例一的不同之處在于:所述上鍍膜層11中部開設有刻蝕層111。本實用新型由于在刻蝕層111尺寸小于上鍍膜層11的尺寸，刻蝕掉中間一部分鍍膜材料，因此對高頻率FDLD參數(shù)影響小，并且可提高產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定性。
[0035]本實施例中，所述刻蝕層111的長邊與所述上鍍膜層11的長邊之間的距離C為
0.25-0.40mm，刻蝕層111的短邊與上鍍膜層11的短邊之間的距離D為0.20-0.35mm。優(yōu)選，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.25-0.35mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.20-0.30mm ;更為優(yōu)選的，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.40mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.35mm ;另一優(yōu)選的，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為
0.30mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.25mm ;另一優(yōu)選的，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.25mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.20mm。本實用新型由于在刻蝕層111尺寸小于上鍍膜層11的尺寸，刻蝕掉中間一部分鍍膜材料，因此對高頻率FDLD參數(shù)影響小，并且可提高產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定性。
[0036]如圖5-7所示為本實用新型所述一種銀膠搭載的石英晶體諧振器的實施例三，與上述實施例一的不同之處在于:所述晶片本體I呈雙凸形，晶片本體I的長度A為1.1-1.0mm，寬度B為0.8-0.65mm。優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.08-1.02臟，寬度B為0.78-0.68mm ;更為優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.08mm,寬度B為0.78mm ;另一優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.05mm,寬度B為0.70mm ;另一優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.02mm,寬度B為0.68mm。本實用新型所述的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應的生產(chǎn)成本較低。
[0037]上述實施例為本實用新型較佳的實現(xiàn)方案，除此之外，本實用新型還可以其它方式實現(xiàn)，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下任何顯而易見的替換均在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，其特征在于:基座內(nèi)設置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設置有第一導電膠，第二涂覆區(qū)域設置有第二導電膠，晶片本體分別通過第一導電膠、第二導電膠與基座粘接固定，所述第一導電膠和所述第二導電膠均為導電性銀膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述第一導電膠和所述第二導電膠均為硅酮類導電粘合劑制成的第一導電膠和第二導電膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為40-60 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為10-30 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述鍍銀層與所述晶片本體之間設置有鍍鉻層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述鍍鉻層的厚度為40?50埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述上鍍膜層中部開設有刻蝕層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀膠搭載的石英晶體諧振器，其特征在于:所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm,寬度為0.8-0.65mm。
【文檔編號】H03H9/02GK204031087SQ201420417904
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】陳金榮 申請人:廣東惠倫晶體科技股份有限公司