差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置，包括一個(gè)正交振蕩器、兩個(gè)諧波選擇元件、兩個(gè)倍頻電路和一個(gè)功率合成元件。正交振蕩器產(chǎn)生正交兩路及各次諧波信號(hào)，兩個(gè)諧波選擇元件用于提取振蕩器兩路輸出信號(hào)中的二次諧波，生成差分的推-推信號(hào)輸出；兩路倍頻電路用于對(duì)該信號(hào)進(jìn)行倍頻，生成同相的二倍頻信號(hào)；功率合成元件實(shí)現(xiàn)兩路同相信號(hào)功率的合成，形成單端信號(hào)源輸出。該信號(hào)源利用諧波抽取和倍頻的方式實(shí)現(xiàn)了差分的推-推壓控振蕩器輸出，提高了信號(hào)的輸出頻率，利用正交兩路震蕩信號(hào)結(jié)合功率合成的方式提高了信號(hào)的輸出功率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于微電子學(xué)【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]太赫茲(TeraHertz，THz)波是指頻率在0.1?1THz (波長(zhǎng)0.03_3mm)范圍內(nèi)的電磁波，其波段介于微波與遠(yuǎn)紅外光之間，是電磁波頻譜中有待研究的最后一個(gè)頻譜窗口。太赫茲波結(jié)合了微波和紅外光波的諸多優(yōu)點(diǎn)，具有很多特殊的性質(zhì)，如瞬態(tài)性、寬帶性、相干性和很好的穿透性等，因此太赫茲頻段在醫(yī)學(xué)成像、高速無(wú)線通信、雷達(dá)遙感探測(cè)、反恐緝毒等領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用前景和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
[0003]太赫茲源是實(shí)現(xiàn)太赫茲應(yīng)用的瓶頸，基于光子學(xué)和真空電子學(xué)的太赫茲源具有輸出波長(zhǎng)短、輻射功率高等優(yōu)點(diǎn)，在遠(yuǎn)距離成像和非破壞高穿透波普研究等領(lǐng)域得到應(yīng)用；但存在所需設(shè)備的體積龐大、能耗高、輸出穩(wěn)定性差等缺點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域受到限制。隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步和器件性能的快速提高，太赫茲固態(tài)分立電路或固態(tài)單片集成電路成為實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定、可調(diào)諧、小型化太赫茲源的有效方式。但受現(xiàn)有工藝和器件特性的限制，固態(tài)太赫茲源中壓控振蕩器的輸出頻率受限，其頻率由有源器件的截止頻率fT決定。為了在特定工藝下實(shí)現(xiàn)更高的輸出頻率，可以采用推-推結(jié)構(gòu)的壓控振蕩器形式，該結(jié)構(gòu)中輸出信號(hào)為振蕩器震蕩信號(hào)的二次諧波，振蕩器中的有源器件工作在輸出信號(hào)頻率的1/2處，因此輸出信號(hào)的頻率得以大大提高；但該結(jié)構(gòu)的輸出輸出信號(hào)為單端信號(hào)，實(shí)際的應(yīng)用如作為接收機(jī)中混頻器的本振信號(hào)或鎖相環(huán)中預(yù)分頻器的輸入信號(hào)都需要差分信號(hào)；另外，由于輸出信號(hào)為震蕩信號(hào)中的二次諧波，器功率較小，無(wú)法滿(mǎn)足實(shí)際的應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置。利用正交振蕩器結(jié)合諧波抽取、倍頻和功率合成技術(shù)，在現(xiàn)有工藝條件下實(shí)現(xiàn)差分形式和更高頻率、更高功率輸出的信號(hào)源。
[0005]本實(shí)用新型包括一個(gè)正交振蕩器、兩個(gè)諧波選擇元件、兩個(gè)倍頻電路和一個(gè)功率合成元件，正交振蕩器和諧波選擇元件構(gòu)成差分推-推壓控振蕩器，正交振蕩器產(chǎn)生兩路正交信號(hào)(0°、180°和90°、270°)及各次諧波信號(hào)，兩個(gè)諧波選擇元件分別連接正交振蕩器的輸出，用于提取振蕩器輸出信號(hào)中的二次諧波，生成差分輸出信號(hào)，分別輸出到差分推-推壓控振蕩器的同相輸出端和反相輸出端；兩個(gè)倍頻電路和功率合成元件構(gòu)成倍頻器，第一倍頻電路的輸入端作為倍頻器的同相輸入端，與差分推-推壓控振蕩器的同相輸出端連接，作為信號(hào)源差分輸出的同相輸出端；第二倍頻電路的輸入端作為倍頻器的反相輸入端，與差分推-推壓控振蕩器的反相輸出端連接，同時(shí)作為信號(hào)源差分輸出的反相輸出端；兩路倍頻電路用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行倍頻，生成同相的二倍頻信號(hào)；功率合成元件的第一信號(hào)輸入端與第一倍頻電路的信號(hào)輸出端連接，功率合成元件的第二信號(hào)輸入端與第二倍頻電路的信號(hào)輸出端連接；功率合成元件的信號(hào)輸出端作為倍頻器和信號(hào)源的單端信號(hào)輸出端;
[0006]所述差分推-推壓控振蕩器包括一個(gè)正交振蕩器和兩個(gè)諧波選擇元件；所述的正交振蕩器包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一耦合管、第二耦合管、第三耦合管、第四耦合管、第一電感、第二電感、第三電感、第四電感、第一耦合管、第二耦合管、第三耦合管、第四耦合管、第一變?nèi)莨?、第二變?nèi)莨?、第三變?nèi)莨芎偷谒淖內(nèi)莨?，所述的第?NMOS管的柵極、第二 NMOS管的漏極、第二耦合管的漏極、第二變?nèi)莨艿囊欢撕偷诙姼械囊欢诉B接，作為第一電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第二 NMOS管的柵極、第一 NMOS管的漏極、第一耦合管的漏極、第一變?nèi)莨艿囊欢撕偷谝浑姼械囊欢诉B接，作為第一電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端；第一變?nèi)莨艿牧硪欢伺c第二變?nèi)莨艿牧硪欢诉B接，作為外部電壓控制端；第一 NMOS管、第二 NMOS管、第一耦合管和第二耦合管的源極接地；第一耦合管的柵極接第二電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端；第二耦合管的柵極接第二電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第一諧波選擇兀件的一端接電源VDD ;第一電感的另一端、第二電感的另一端與第一諧波選擇元件的另一端連接，作為差分推-推壓控振蕩器電路的同相輸出端；
[0007]第三NMOS管的柵極、第四NMOS管的漏極、第四耦合管的漏極、第四變?nèi)莨艿囊欢撕偷谒碾姼械囊欢诉B接，作為第二電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第四NMOS管的柵極、第三NMOS管的漏極、第三耦合管的漏極、第三變?nèi)莨艿囊欢撕偷谌姼械囊欢诉B接，作為第二電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端；第三變?nèi)莨艿牧硪欢伺c第四變?nèi)莨艿牧硪欢诉B接，作為外部電壓控制端；第三NMOS管、第四NMOS管、第三耦合管和第四耦合管的源極接地；第三耦合管的柵極接第一電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第四耦合管的柵極接第一電容電感型壓控振蕩器的第二輸出；第二諧波選擇兀件的一端連接電源VDD ;第三電感的另一端、第四電感的另一端與第二諧波選擇元件的另一端連接，作為差分推-推壓控振蕩器電路的反相輸出端。
[0008]所述倍頻電路包括兩條金屬條和兩個(gè)變?nèi)莨埽坏谝唤饘贄l的一端口作為倍頻電路的信號(hào)輸入端，第一金屬條的另一端口接地；第二金屬條的第一端口與第五變?nèi)莨艿囊欢诉B接，第二金屬條的第二端口與第六變?nèi)莨艿囊欢诉B接；第二金屬條的第三端口作為倍頻電路的信號(hào)輸出端；第五變?nèi)莨艿牧硪欢?、第六變?nèi)莨艿牧硪欢私拥亍?br> [0009]所述功率合成元件為一三端口金屬條；該金屬條第一端口、第二端口分別作為功率合成元件的第一信號(hào)輸入端和第二信號(hào)輸入端；該金屬條第三端口作為功率合成元件的信號(hào)輸出端。
[0010]該信號(hào)源采用諧波抽取作為壓控振蕩器的輸出方式，使振蕩器的輸出頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于有源器件的工作頻率；同時(shí)，利用正交振蕩器正交兩路輸出信號(hào)的相位關(guān)系并結(jié)合諧波選擇元件，實(shí)現(xiàn)了差分的推-推壓控振蕩器輸出；在差分推-推壓控振蕩器的基礎(chǔ)上，利用無(wú)源倍頻電路進(jìn)一步提高輸出信號(hào)的頻率；結(jié)合倍頻后兩路信號(hào)同相的特點(diǎn)，利用功率合成技術(shù)提高輸出信號(hào)的功率；最終使特定工藝下信號(hào)源輸出信號(hào)的頻率和功率得到提高。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為圖1中差分推-推壓控振蕩器I的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為圖1中倍頻電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖4為圖1中功率合成元件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5為圖1中倍頻器的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0017]本實(shí)用新型提供一種差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置，利用正交振蕩器結(jié)合諧波抽取、無(wú)源倍頻和功率合成技術(shù)，在現(xiàn)有工藝條件下實(shí)現(xiàn)更高頻率和更高功率輸出的信號(hào)源。如圖1所示，本實(shí)用新型包括一個(gè)正交振蕩器3、兩個(gè)諧波選擇元件4/5、兩個(gè)倍頻電路6/7和一個(gè)功率合成元件8。根據(jù)本實(shí)用新型，正交振蕩器3和諧波選擇元件4/5構(gòu)成差分推-推壓控振蕩器I，正交振蕩器3產(chǎn)生兩路正交信號(hào)(0°、180°和90°、270°)及各次諧波信號(hào)，兩個(gè)諧波選擇元件4/5分別連接正交振蕩器3的兩路輸出，用于提取振蕩器3兩路輸出信號(hào)中的二次諧波，生成差分輸出信號(hào)，分別輸出到差分推-推壓控振蕩器I的同相輸出端Vout+和反相輸出端Vout-;倍頻電路和功率合成元件構(gòu)成倍頻器，第一倍頻電路6的輸入端RFin作為倍頻器2的同相輸入端RFin+，與差分推-推壓控振蕩器I的同相輸出端Vout+連接，同時(shí)作為信號(hào)源差分輸出的同相輸出端Vout_f ;第二倍頻電路7的輸入端RFin+作為倍頻器2的反相輸入端RFin-，與差分推-推壓控振蕩器I的反相輸出端連接Vout-,同時(shí)作為信號(hào)源差分輸出的反相輸出端Voutb_f ;兩路倍頻電路用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行倍頻，生成同相的二倍頻輸出信號(hào)；功率合成元件8的第一信號(hào)輸入端Vl與第一倍頻電路6的信號(hào)輸出端RFout連接，功率合成元件8的第二信號(hào)輸入端V2與第二倍頻電路7的信號(hào)輸出端RFout連接；功率合成元件8的信號(hào)輸出端V3作為倍頻器和信號(hào)源的單端信號(hào)輸出端Vout_2f ；
[0018]所述差分推-推壓控振蕩器I包括一個(gè)正交壓控振蕩器和兩個(gè)諧波選擇元件，如圖2所示；所述的第一 NMOS管MNl的柵極、第二 NMOS管MN2的漏極、第二耦合管MNC2的漏極、第二變?nèi)莨蹸var2的一端和第二電感L2的一端連接,作為第一電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端I+ ;第二 NMOS管MN2的柵極、第一 NMOS管MNl的漏極、第一耦合管MNCl的漏極、第一變?nèi)莨蹸varl的一端和第一電感LI的一端連接,作為第一電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端1-;第一變?nèi)莨蹸varl的另一端與第二變?nèi)莨蹸var2的另一端連接,作為外部電壓控制端Vtune ;第一 NMOS管麗1、第二 NMOS管麗2、第一耦合管MNCl和第二耦合管MNC2的源極接地；第一耦合管MNCl的柵極接第二電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端Q-;第二耦合管MNC2的柵極接第二電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端Q+ ;第一諧波選擇兀件Tl的一端連接電源VDD ;第一電感LI的另一端、第二電感L2的另一端與第一諧波選擇元件Tl的另一端連接，作為差分推-推壓控振蕩器電路I的同相輸出端Vout+。
[0019]第三NMOS管MN3的柵極、第四NMOS管MN4的漏極、第四耦合管MNC4的漏極、第四變?nèi)莨蹸var4的一端和第四電感L4的一端連接,作為第二電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端Q+ ;第四NMOS管MN4的柵極、第三NMOS管MN3的漏極、第三耦合管MNC3的漏極、第三變?nèi)莨蹸var3的一端和第三電感L3的一端連接,作為第二電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端Q-;第三變?nèi)莨蹸var3的另一端與第四變?nèi)莨蹸var4的另一端連接,作為外部電壓控制端Vtune ;第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第三耦合管MNC3和第四耦合管MNC4的源極接地；第三耦合管MNC3的柵極接第一電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端I+ ;第四耦合管MNC4的柵極接一電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端1-;第二諧波選擇元件Tl的一端連接電源VDD ;第三電感L3的另一端、第四電感L4的另一端與第二諧波選擇元件T2的另一端連接，作為差分推-推壓控振蕩器電路I的反相輸出端Vout-。
[0020]所述倍頻電路6/7包括兩條金屬條T3/T4和兩個(gè)變?nèi)莨蹸var5/Cvar6，如圖3所 ;第一金屬條T3的一端口作為倍頻電路的信號(hào)輸入端RFin,第一金屬條T3的另一端口接地；第二金屬條T4的第一端口與第五變?nèi)莨蹸var5的一端連接，第二金屬條T4的第二端口與第六變?nèi)莨蹸var6的一端連接；第二金屬條T4的第三端口作為倍頻電路的信號(hào)輸出端RFout ;第五變?nèi)莨蹸var5的另一端、第六變?nèi)莨蹸var6的另一端接地。
[0021]所述功率合成兀件8為一三端口金屬條T5,如圖4所不；該金屬條第一端口 V1、第二端口 V2作為功率合成元件的信號(hào)輸入端；該金屬條第三端口 V3作為功率合成元件的信號(hào)輸出端。
[0022]上述倍頻電路6/7和功率合成元件8構(gòu)成倍頻器2，如圖5所示。
[0023]上述差分推-推壓控振蕩器電路I中，由于正交壓控振蕩器3兩路的基頻信號(hào)相位為0°、180°和90°、270°，相應(yīng)的二次諧波相位為0°和180°，形成差分推-推輸出；諧波選擇元件Tl和T2采用傳輸線實(shí)現(xiàn)，其長(zhǎng)度依據(jù)信號(hào)源輸出信號(hào)Vout的頻率來(lái)選取，假設(shè)信號(hào)源輸出信號(hào)Vout的頻率為f，則正交壓控振蕩器3的震蕩頻率為f/4，二次諧波的頻率為f/2 ;相應(yīng)的諧波選擇元件Tl和T2的長(zhǎng)度為m頻率處信號(hào)波長(zhǎng)的1/4，使二次諧波在諧波選擇元件Tl和T2的一端看到到地的阻抗為無(wú)窮大，實(shí)現(xiàn)二次諧波的有效輸出。
[0024]上述倍頻電路2中，變?nèi)莨蹸var5/Cvar6/Cvar7/Cvar8采用積累型變?nèi)莨?A-MOS)，由于載流子為多子，其截止頻率相比少子作載流子的MOS管要高2?3倍，因此基于A-MOS變?nèi)莨艿臒o(wú)源倍頻電路可以工作在更高的頻率。金屬條T3的長(zhǎng)度為輸入信號(hào)RFin波長(zhǎng)的1/2，使輸入端看進(jìn)去的阻抗為零，實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的有效傳輸；輸入信號(hào)RFin通過(guò)巴倫耦合生成兩路差分信號(hào)注入到金屬條T4中，由于結(jié)構(gòu)的對(duì)稱(chēng)性，A點(diǎn)對(duì)差分信號(hào)來(lái)說(shuō)為虛地點(diǎn)；如圖3所示，選擇TL3的長(zhǎng)度為輸入信號(hào)RFin波長(zhǎng)的1/4，通過(guò)長(zhǎng)度為輸入信號(hào)頻率處波長(zhǎng)的1/4的TL3的阻抗變換，使差分信號(hào)全部注入到變?nèi)莨埽瑢?shí)現(xiàn)了輸入信號(hào)的有效注入、輸入端和輸出端的有效隔離。對(duì)倍頻輸出信號(hào)來(lái)說(shuō)，由于輸入信號(hào)為差分信號(hào)，倍頻輸出信號(hào)為同相信號(hào)，其信號(hào)流向如圖3所示。兩路同相倍頻信號(hào)在B端相遇后被返回，只有極少的能量通過(guò)TLO和輸入線間的寄生電容耦合泄漏出去，在A點(diǎn)相遇的倍頻信號(hào)通過(guò)輸出端口輸出。兩路倍頻電路的輸出信號(hào)再通過(guò)T形傳輸線結(jié)構(gòu)金屬條T5功率合成后輸出Vout,實(shí)現(xiàn)了輸出信號(hào)的有效傳輸、輸出端和輸入端的有效隔離。
[0025]盡管本實(shí)用新型的內(nèi)容已經(jīng)通過(guò)上述優(yōu)選實(shí)施例做了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)該被認(rèn)為是對(duì)本實(shí)用新型的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本實(shí)用新型的多種修改和替換都將是顯而易見(jiàn)的。
【權(quán)利要求】
1.差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置，包括一個(gè)正交振蕩器、兩個(gè)諧波選擇元件、兩個(gè)倍頻電路和一個(gè)功率合成元件，其特征在于:所述正交振蕩器和諧波選擇元件構(gòu)成差分推-推壓控振蕩器，正交振蕩器產(chǎn)生兩路正交信號(hào)及各次諧波信號(hào)，兩個(gè)諧波選擇元件分別連接正交振蕩器的輸出，用于提取振蕩器輸出信號(hào)中的二次諧波，生成差分輸出信號(hào)，分別輸出到差分推-推壓控振蕩器的同相輸出端和反相輸出端； 所述兩個(gè)倍頻電路和功率合成元件構(gòu)成差分輸入、單端輸出的倍頻器，第一倍頻電路的輸入端作為倍頻器的同相輸入端，與差分推-推壓控振蕩器的同相輸出端連接，同時(shí)作為信號(hào)源差分輸出的同相輸出端；第二倍頻電路的輸入端作為倍頻器的反相輸入端，與差分推-推壓控振蕩器的反相輸出端連接，同時(shí)作為信號(hào)源差分輸出的同相輸出端；兩路倍頻電路用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行倍頻，生成同相的二倍頻信號(hào)；功率合成元件的第一信號(hào)輸入端與第一倍頻電路的信號(hào)輸出端連接，功率合成元件的第二信號(hào)輸入端與第二倍頻電路的信號(hào)輸出端連接；功率合成元件的信號(hào)輸出端作為倍頻器和信號(hào)源的單端信號(hào)輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的差分推-推壓控振蕩器及信號(hào)產(chǎn)生裝置，其特征在于:包括一個(gè)正交振蕩器和兩個(gè)諧波選擇元件；所述的正交振蕩器包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一耦合管、第二耦合管、第三耦合管、第四耦合管、第一電感、第二電感、第三電感、第四電感、第一耦合管、第二耦合管、第三耦合管、第四耦合管、第一變?nèi)莨堋⒌诙內(nèi)莨?、第三變?nèi)莨芎偷谒淖內(nèi)莨?，所述的第?NMOS管的柵極、第二 NMOS管的漏極、第二耦合管的漏極、第二變?nèi)莨艿囊欢撕偷诙姼械囊欢诉B接，作為第一電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第二NMOS管的柵極、第一NMOS管的漏極、第一稱(chēng)合管的漏極、第一變?nèi)莨艿囊欢撕偷谝浑姼械囊欢诉B接，作為第一電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端；第一變?nèi)莨艿牧硪欢伺c第二變?nèi)莨艿牧硪欢诉B接，作為外部電壓控制端；第一 NMOS管、第二NMOS管、第一耦合管和第二耦合管的源極接地；第一耦合管的柵極接第二電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端；第二耦合管的柵極接第二電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第一諧波選擇元件的一端接電源VDD ;第一電感的另一端、第二電感的另一端與第一諧波選擇元件的另一端連接，作為差分推-推壓控振蕩器電路的同相輸出端； 第三NMOS管的柵極、第四NMOS管的漏極、第四耦合管的漏極、第四變?nèi)莨艿囊欢撕偷谒碾姼械囊欢诉B接，作為第二電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第四NMOS管的柵極、第三NMOS管的漏極、第三耦合管的漏極、第三變?nèi)莨艿囊欢撕偷谌姼械囊欢诉B接，作為第二電容電感型壓控振蕩器的第二輸出端；第三變?nèi)莨艿牧硪欢伺c第四變?nèi)莨艿牧硪欢诉B接，作為外部電壓控制端；第三NMOS管、第四NMOS管、第三耦合管和第四耦合管的源極接地；第三耦合管的柵極接第一電容電感型壓控振蕩器的第一輸出端；第四耦合管的柵極接第一電容電感型壓控振蕩器的第二輸出；第二諧波選擇兀件的一端連接電源VDD ;第三電感的另一端、第四電感的另一端與第二諧波選擇元件的另一端連接，作為差分推-推壓控振蕩器電路的反相輸出端。
【文檔編號(hào)】H03L7/099GK203984395SQ201420442302
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月6日
【發(fā)明者】高海軍, 孫玲玲 申請(qǐng)人:杭州電子科技大學(xué)