一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及通信領(lǐng)域，公開了一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元。本實(shí)用新型中，包含：L個(gè)NMOS管與M個(gè)PMOS管，L為大于1的自然數(shù)，M為自然數(shù)，且L大于或者等于M；L個(gè)NMOS管共源共柵地連接，M等于1時(shí)，PMOS管共源方式連接；M大于1時(shí)，M個(gè)PMOS管共源共柵地連接；源極與電源相連的PMOS管的柵極與第一輸入電壓相連，源極接地的NMOS管的柵極與第二輸入電壓相連；與PMOS管的漏極連接在一起的NMOS管的漏極為輸出端；其余PMOS管共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，PMOS管共柵管的柵極的偏置電壓組成第一組偏置電壓，其余NMOS管共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，NMOS管共柵管的柵極的偏置電壓組成第二組偏置電壓。這樣可提高電路的耐壓值，又可提高電路的轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及通信領(lǐng)域，特別涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元如圖1所示，其中，101為射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，102為射頻負(fù)載，103為扼流電感，射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元由一個(gè)匪03管(或是其他類型晶體管)1011組成，700為電源電壓，V】為輸入信號(hào)。由于匪03管1011的耐壓值較低，導(dǎo)致其輸出的電壓擺幅比較小，對(duì)于給定的射頻負(fù)載，得不到足夠大的輸出功率。
[0003]目前，解決上述問題的一個(gè)方案是，在射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元101與射頻負(fù)載102之間串聯(lián)一個(gè)射頻負(fù)載阻抗變換網(wǎng)絡(luò)，使射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元可以驅(qū)動(dòng)射頻負(fù)載，但是，當(dāng)射頻負(fù)載阻抗變換網(wǎng)絡(luò)的變換比較大時(shí)，功率損耗較大，轉(zhuǎn)換效率較低。
[0004]解決上述問題的另一個(gè)方案是，在射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元101中，與匪03管1011串聯(lián)數(shù)個(gè)匪03管，以提高耐壓值，但是，這樣，又會(huì)引入寄生電容和寄生電阻，導(dǎo)致各匪03管聯(lián)通，等效于各匪03管串聯(lián)，電阻變大，轉(zhuǎn)換效率變低。
[0005]如何在射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的耐壓值與效率之間進(jìn)行折中，是一個(gè)亟待解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，可以提高電路的耐壓值，又可以提聞電路的轉(zhuǎn)換效率。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的實(shí)施方式提供了一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，包含丄個(gè)~型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管匪03管與1個(gè)？型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管管，其中，I為大于1的自然數(shù)，I為自然數(shù)，且I大于或者等于1 ；
[0008]所述I個(gè)匪03管共源共柵地連接；1等于1時(shí)，所述？103管按共源方式連接；1大于1時(shí)，所述1個(gè)管共源共柵地連接，其中，所述I個(gè)匪03管在接地側(cè)，所述1個(gè)？103管在電源側(cè)；
[0009]源極與電源相連的？103管的柵極與第一輸入電壓相連，源極接地的匪03管的柵極與第二輸入電壓相連；與管的漏極連接在一起的匪03管的漏極為輸出端；
[0010]其余所述？103管共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，所述？103管共柵管的柵極的偏置電壓組成第一組偏置電壓，其余所述匪03管共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，所述匪03管共柵管的柵極的偏置電壓組成第二組偏置電壓。
[0011]本實(shí)用新型的實(shí)施方式還提供了一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，包含:第一子單元與第二子單元；
[0012]其中，所述第一子單元和所述第二子單元采用相同的電路結(jié)構(gòu)，且同為上述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元；
[0013]所述第一子單元與所述第二子單元對(duì)稱連接形成偽差分結(jié)構(gòu)，所述第一子單元與所述第二子單元共用同一電源。
[0014]本實(shí)用新型實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，由于匪03管的耐壓值較小，但其載流子遷移率高，導(dǎo)通電阻小，將其連接在接地側(cè)，利用串聯(lián)數(shù)目較多的匪03管可以提高電路的耐壓值；同時(shí)，由于？103管的載流子遷移率低，導(dǎo)通電阻較大，但其熱載流子效應(yīng)較弱，耐壓值較高，將其連接在電源側(cè)，利用串聯(lián)數(shù)目較少的管可以提高電路的轉(zhuǎn)換效率。
[0015]另外，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、反饋電路與第二隔交流電路；所述第一電流鏡通過所述第一隔交流電路同所述源極接電源的？103管的柵極相連接；所述反饋電路的輸入端與所述射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出端相連，輸出端通過所述第二隔交流電路同所述源極接地的匪03管的柵極相連。這樣，可以使源極接電源的？103管、源極接地的匪03管工作在靜態(tài)偏置狀態(tài)下，進(jìn)而提高射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性。
[0016]另外，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、第二電流鏡與第二隔交流電路；所述第一電流鏡通過所述第一隔交流電路同所述源極接電源的管的柵極相連接；所述第二電流鏡通過所述第二隔交流電路同所述源極接地的匪03管的柵極相連。同樣，可以使源極接電源的管、源極接地的匪03管工作在合適的靜態(tài)偏置狀態(tài)下，進(jìn)而提高射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動(dòng)射頻負(fù)載的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施方式的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施方式的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖7是根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖8是根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施方式的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖9是根據(jù)本實(shí)用新型第六實(shí)施方式的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本實(shí)用新型各實(shí)施方式中，為了使讀者更好地理解本申請(qǐng)而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改，也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
[0027]本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，具體如圖2所示，包含:I個(gè)匪03管201與1個(gè)？103管202，其中，[為大于1的自然數(shù)，1為自然數(shù)，且[大于或者等于1。
[0028]具體地說，I個(gè)匪03管201與1個(gè)？103管202共源共柵地連接，1大于1時(shí)，1個(gè)？108管共源共柵地連接，其中，I個(gè)匪03管201在接地側(cè)，1個(gè)？103管202在電源側(cè)；源極與電源000)相連的？103管202的柵極與第一輸入電壓…皿)相連，源極接地的匪03管201的柵極與第二輸入電壓相連；與？103管202的漏極連接在一起的匪03管201的漏極為輸出端0-)；其余？103管202共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，？108管共柵管的柵極的偏置電壓組成第一組偏置電壓081),同樣，其余匪03管201共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，匪03管共柵管的柵極的偏置電壓組成第二組偏置電壓082)。
[0029]在本實(shí)施方式中，以I等于2，1等于1為例，進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0030]如圖3所示的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元包含2個(gè)匪03管201與1個(gè)？103管202，？103管按共源方式連接。管202的源極與電源相連，漏極與一個(gè)匪03管201(共柵管)的漏極相連，作為射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出端(^矹)，柵極與第一輸入電壓^皿)相連；與？103管202相鄰的匪03管201 (共柵管)的源極與另一個(gè)匪03管201 (共源管)的漏極相連，柵極連接第二偏置電壓082),另一個(gè)匪03管201的柵極與第二輸入電壓相連，源極接地。
[0031]由于匪03管的耐壓值較小，但其載流子遷移率高，采用一定的面積晶體管，其導(dǎo)通電阻明顯小于？103管，并連接在接地側(cè)，利用2個(gè)匪03管201構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，可以明顯提高電路的耐壓值，同時(shí)也不會(huì)有很大的導(dǎo)通電阻；與之相反，由于？103管的載流子遷移率低，采用一定的面積晶體管其導(dǎo)通電阻較大，但其熱載流子效應(yīng)較弱，耐壓值比匪03管高，并連接在電源側(cè)，只利用一個(gè)？103管可以提高電路的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)不會(huì)明顯降低整個(gè)電路的耐壓值。
[0032]進(jìn)一步地，當(dāng)采用2個(gè)匪03管而只采用1個(gè)？103管時(shí)，？108管如果取最小溝道長(zhǎng)度(柵長(zhǎng))，其導(dǎo)通電阻可以比較小，但其耐壓值會(huì)小于采用共源共柵結(jié)構(gòu)的匪03管，可以適當(dāng)增加其溝道長(zhǎng)度(柵長(zhǎng))來提高其耐壓值。同時(shí)，讓輸出節(jié)點(diǎn)的偏置電源更接近電源電壓700，也可以彌補(bǔ)由只采用一個(gè)？103管帶來的耐壓值較小的不足，提高電路整體的耐壓性。
[0033]需要說明的是，由于本實(shí)施方式中舉例的？103管202只有1個(gè)，沒有多余的？103管202，所以不包含第一組偏置電壓081)0但是，在實(shí)際應(yīng)用中，包含多個(gè)？103管202時(shí)，不與電源相連的？103管202(共柵管)的柵極需要對(duì)應(yīng)連接第一組偏置電壓081)中各自的偏置電壓。
[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于匪03管的耐壓值較低，載流子遷移率高，導(dǎo)通電阻小，將串聯(lián)數(shù)目較多的匪03管連接在接地側(cè)，可以提高電路的耐壓值；同時(shí)，由于？103管的導(dǎo)通電阻較大，耐壓值較高，將串聯(lián)數(shù)目較少的管連接在電源側(cè)，可以提高電路的轉(zhuǎn)換效率。
[0035]本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元。第二實(shí)施方式在第一實(shí)施方式的基礎(chǔ)上作了進(jìn)一步改進(jìn)，主要改進(jìn)之處在于:在本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、反饋電路與第二隔交流電路，可以提高射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性。
[0036]在本實(shí)施方式中，仍以[等于2，1等于1為例，進(jìn)行介紹。
[0037]如圖4所示，第一電流鏡401通過第一隔交流電路同源極接電源的？103管202的柵極相連接。其中，第一電流鏡401包含一個(gè)？103管4011和第一參考電流源4012 ；該？103管4011的源極與電源000)相連，柵極與漏極相連后，分別與第一隔交流電路、第一參考電流源4012相連，第一參考電流源4012另一端接地。由于第一電流鏡401中的？103管4011與？103管202的柵源電壓相等，那么二者的溝道電流與各自的寬長(zhǎng)比(1/1)之比成正比，這相當(dāng)于給？103管202提供了靜態(tài)偏置，可以提高其工作穩(wěn)定性。
[0038]同時(shí)，第一隔交流電路在第一電流鏡401、源極接電源的？103管202之間形成交流隔離，避免該管202的柵極的射頻信號(hào)耦合到第一電流鏡401中影響其正常工作，進(jìn)一步提聞了射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單兀的穩(wěn)定性。
[0039]反饋電路402的輸入端與射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出端匕)相連，輸出端通過第二隔交流電路同源極接地的匪03管的柵極相連。其中，反饋電路402包含采樣電路與比較放大器4021 ；采樣電路的輸入端與射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出端〈V。。相連，用于采集射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出電壓的直流分量和低頻分量，采樣電路的輸出端與比較放大器4021的同相輸入端相連，將采集的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出電壓的直流分量和低頻分量均輸出至比較放大器4021，以供比較；比較放大器4021的反相輸入端輸入?yún)⒖茧妷?%)，比較放大器4021將射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出電壓的直流分量和低頻分量與參考電壓進(jìn)行比較，然后將二者的差值放大，并通過第二隔交流電路反饋至源極接地的匪03管201的柵極，該匪03管201同時(shí)也是一個(gè)簡(jiǎn)單的反相放大器，這樣，就構(gòu)成一個(gè)負(fù)反饋環(huán)路，可以使輸出節(jié)點(diǎn)的偏置電壓穩(wěn)定在參考電壓上，使源極接地的匪03管201的柵源電壓以及輸出節(jié)點(diǎn)的偏置電壓可以穩(wěn)定在一定的預(yù)設(shè)值上，提高工作的穩(wěn)定性。
[0040]同時(shí)，第二隔交流電路用于在反饋電路402的輸出端和接地的匪03管201的柵極之間形成交流隔離，避免二者的交流成分相互產(chǎn)生影響，進(jìn)一步提高了射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性。
[0041]這樣，本實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元可以使源極接電源的？103管以及源極接地的匪03管工作在相關(guān)靜態(tài)偏置狀態(tài)下，在工藝電壓溫度等因素變化時(shí)，仍可保證輸出節(jié)點(diǎn)工作在合適的電壓上，進(jìn)而提高射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性。
[0042]本實(shí)用新型第三實(shí)施方式涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，具體如圖5所示。第三實(shí)施方式與第二實(shí)施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于:在第二實(shí)施方式中，利用反饋電路402對(duì)源極接地的匪03管201(共源管)的柵源電壓進(jìn)行校準(zhǔn)，提高工作的穩(wěn)定性。而在本實(shí)用新型第三實(shí)施方式中，利用第二電流鏡501對(duì)源極接地的匪03管201 (共源管)的柵源電壓進(jìn)行校準(zhǔn)，提高工作的穩(wěn)定性，保證了本實(shí)用新型實(shí)施方式的靈活性。
[0043]具體地說，本實(shí)施方式中，第一電流鏡401與第二實(shí)施方式中的第一電流鏡401相似，在此不再贅述。
[0044]第二電流鏡501通過第二隔交流電路同源極接地的匪03管201的柵極相連。第二電流鏡501包含一個(gè)匪03管5011和第二參考電流源5012，該參考電流源5012和第一電流鏡401中的參考電流源4012源自同一參考電流源，以便保證二者為整個(gè)射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元提供的偏置電流是一樣的；該匪03管5011的源極接地，柵極與漏極相連后，分別與第二隔交流電路、第二參考電流源5012相連，第二參考電流源5012另一端與電源相連。由于第二電流鏡501中的匪03管5011與源極接地的匪03管201的柵源電壓相等，那么二者的溝道電流與各自的寬長(zhǎng)比(1/1)之比成正比，這相當(dāng)于給匪03管201提供了靜態(tài)偏置。這樣，第一電流鏡401和第二電流鏡501相互之間沒有影響，二者提供的偏置既相關(guān)又相互獨(dú)立，簡(jiǎn)單容易實(shí)現(xiàn)，相對(duì)于采用負(fù)反饋實(shí)現(xiàn)的偏置，消耗電流少，占用面積小，也不存在反饋回路的穩(wěn)定性問題，而且匪03管的偏置電壓不會(huì)隨輸出節(jié)點(diǎn)的工作狀態(tài)發(fā)生明顯的變化，可以提高其工作穩(wěn)定性。
[0045]本實(shí)施方式中，包含第一電流鏡401與第二電流鏡501，同樣可以使源極接電源的？108管、源極接地的匪03管工作在靜態(tài)偏置狀態(tài)下，進(jìn)而提高射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性，并保證了本實(shí)施方式的靈活性。
[0046]本發(fā)明第四實(shí)施方式涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，具體如圖6所示，包含:第一子單元601與第二子單元602。
[0047]其中，第一子單元601與第二子單元602均為第一實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，第一子單元601與第二子單元602對(duì)稱連接形成偽差分結(jié)構(gòu)，第一子單元601與第二子單兀602共用同一電源。
[0048]具體地說，第一子單元601中，源極與電源000)相連的？103管202的柵極為第一負(fù)輸入端(、一，源極接地的匪03管201的柵極為第二負(fù)輸入端…臓)；與？103管202的漏極連接在一起的匪03管201的漏極為正輸出端0。。。。
[0049]第二子單元602中，源極與電源000)相連的？103管202的柵極的為第一正輸入端源極接地的匪03管201的柵極為第二正輸入端；與？103管202的漏極連接在一起的匪03管201的漏極為負(fù)輸出端。
[0050]每一個(gè)單元中僅包含2個(gè)匪03管201與1個(gè)？103管202的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元如圖7所示。由于圖7所示的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元與圖6所示的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元相似，在此不再贅述。
[0051]本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相似，可以提高電路的轉(zhuǎn)換效率和耐壓值。
[0052]本發(fā)明第五實(shí)施方式涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，在第四實(shí)施方式的基礎(chǔ)上作了進(jìn)一步改進(jìn)，具體如圖8所示，包含:第一子單元601與第二子單元602。
[0053]其中，第一子單元601采用第二實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)，第二子單元602為第一實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元；第一隔交流電路、第二隔交流電路和采樣電路均為差分結(jié)構(gòu)，需同時(shí)米差分輸出端的電壓和為差分輸入端、乂胃、^願(yuàn)^匿)提供偏置電壓。
[0054]第一子單元601與第二子單元602對(duì)稱連接形成偽差分結(jié)構(gòu)，第一子單元601與第二子單元602共用同一電源；第一子單元601與第二子單元602中，源極接電源的？103管202的柵極分別與第一隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端相連，第一隔交流電路的輸入端同第一電流鏡401相連,且第一子單兀601與第二子單兀602的輸出端(^。―、乂。—)分別與反饋電路402的兩個(gè)差分輸入端相連，反饋電路402的輸出端與第二隔交流電路的輸入端相連，第二隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端分別與第一子單元601、第二子單元602中源極接地的匪03管的柵極胃、相連。具體地說，第一子單元601與第二子單元602的輸出端分別與反饋電路402中采樣電路的兩個(gè)差分輸入端相連。
[0055]實(shí)際上，偽差分結(jié)構(gòu)的射頻功率驅(qū)動(dòng)電路中的兩個(gè)對(duì)稱組成部分共享了輔助的偏置電路(第一電流鏡401、反饋電路402、第一隔交流電路與第二隔交流電路^
[0056]本實(shí)施方式與第二實(shí)施方式相似，可以提高射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的穩(wěn)定性。
[0057]本發(fā)明第六實(shí)施方式涉及一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，在第四實(shí)施方式的基礎(chǔ)上作了進(jìn)一步改進(jìn)，具體如圖9所示，包含:第一子單元601與第二子單元602。
[0058]其中，第一子單元601采用第三實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)，第二子單元602為第一實(shí)施方式中的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元；第一隔交流電路、第二隔交流電路均為差分結(jié)構(gòu)，需同時(shí)為差分輸入端(VIN1N、V胃、VIN2N、Vin2p)提供偏置電壓。
[0059]第一子單元601與第二子單元602對(duì)稱連接形成偽差分結(jié)構(gòu)，第一子單元601與第二子單元602共用同一電源。
[0060]第一子單元601與第二子單元602中，源極接電源的PMOS管202的柵極(VIN1N、Vinip)分別與第一隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端相連，第一隔交流電路的輸入端同第一電流鏡401相連，源極接地的NMOS管的柵極(VIN2N、Vin2p)分別與第二隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端相連，第二隔交流電路的輸入端同第二電流鏡501相連。
[0061]實(shí)際上，偽差分結(jié)構(gòu)的射頻功率驅(qū)動(dòng)電路中的兩個(gè)對(duì)稱組成部分共享了輔助的偏置電路(第一電流鏡401、第二電流鏡501、第一隔交流電路與第二隔交流電路)。
[0062]本實(shí)施方式與第三實(shí)施方式相似，可以提高工作的穩(wěn)定性，并保證了本發(fā)明實(shí)施方式的靈活性。
[0063]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述各實(shí)施方式是實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，而在實(shí)際應(yīng)用中，可以在形式上和細(xì)節(jié)上對(duì)其作各種改變，而不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，包含:L個(gè)N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管NMOS管與M個(gè)P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管PMOS管，其中，L為大于I的自然數(shù)，M為自然數(shù)，且L大于或者等于M ； 所述L個(gè)NMOS管共源共柵地連接；M等于I時(shí)，所述PMOS管按共源方式連接；M大于I時(shí)，所述M個(gè)PMOS管共源共柵地連接；其中，所述L個(gè)NMOS管在接地側(cè)，所述M個(gè)PMOS管在電源側(cè)； 源極與電源相連的PMOS管的柵極與第一輸入電壓相連，源極接地的NMOS管的柵極與第二輸入電壓相連；與PMOS管的漏極連接在一起的NMOS管的漏極為輸出端； 其余所述PMOS管共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，所述PMOS管共柵管的柵極的偏置電壓組成第一組偏置電壓，其余所述NMOS管共柵管的柵極對(duì)應(yīng)連接各自的偏置電壓，所述NMOS管共柵管的柵極的偏置電壓組成第二組偏置電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，L等于2，M等于I。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、反饋電路與第二隔交流電路； 所述第一電流鏡通過所述第一隔交流電路同所述源極接電源的PMOS管的柵極相連接； 所述反饋電路的輸入端與所述射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出端相連，輸出端通過所述第二隔交流電路同所述源極接地的NMOS管的柵極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述第一電流鏡為一個(gè)PMOS管和第一參考電流源； 所述PMOS管的源極與電源相連，柵極與漏極相連后，分別與所述第一隔交流電路及所述第一參考電流源相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述反饋電路包含采樣電路與比較放大器； 所述采樣電路的輸入端與所述射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的輸出端相連，輸出端與所述比較放大器的同相輸入端相連；所述比較放大器的反相輸入端輸入?yún)⒖茧妷海凰霰容^放大器的輸出端通過所述第二隔交流電路同所述源極接地的NMOS管的柵極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、第二電流鏡與第二隔交流電路； 所述第一電流鏡通過所述第一隔交流電路同所述源極接電源的PMOS管的柵極相連接； 所述第二電流鏡通過所述第二隔交流電路同所述源極接地的NMOS管的柵極相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述第一電流鏡為一個(gè)PMOS管和第一參考電流源； 所述PMOS管的源極與電源相連，柵極與漏極相連后，分別與所述第一隔交流電路及所述第一參考電流源相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述第二電流鏡為一個(gè)NMOS管和第二參考電流源； 所述NMOS管的源極接地，柵極與漏極相連后，分別與所述第二隔交流電路及所述第二參考電流源相連。
9.一種射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，包含:第一子單元與第二子單元； 其中，所述第一子單元和所述第二子單元采用相同的電路結(jié)構(gòu)，且同為如權(quán)利要求1所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元； 所述第一子單元與所述第二子單元對(duì)稱連接形成偽差分結(jié)構(gòu)，所述第一子單元與所述第二子單元共用同一電源。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、反饋電路與第二隔交流電路； 其中，所述第一隔交流電路、所述第二隔交流電路與所述反饋電路均為差分結(jié)構(gòu)； 所述第一電流鏡與所述第一隔交流電路的輸入端相連；所述第一隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端分別與所述第一子單元、所述第二子單元中源極接電源的PMOS管的柵極相連接； 所述反饋電路的兩個(gè)差分輸入端分別與所述射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的正、負(fù)輸出端相連，輸出端與所述第二隔交流電路的輸入端相連；所述第二隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端分別與所述第一子單元、所述第二子單元中源極接地的NMOS管的柵極相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述反饋電路包含采樣電路與比較放大器； 其中，所述采樣電路為差分結(jié)構(gòu)； 所述采樣電路的兩個(gè)差分輸入端分別與所述射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元的正、負(fù)輸出端相連，輸出端與所述比較放大器的同相輸入端相連；所述比較放大器的反相輸入端輸入?yún)⒖茧妷海凰霰容^放大器的輸出端與所述第二隔交流電路的輸入端相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻負(fù)載驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，還包含第一電流鏡、第一隔交流電路、第二電流鏡與第二隔交流電路； 其中，所述第一隔交流電路、所述第二隔交流電路均為差分結(jié)構(gòu)； 所述第一電流鏡與所述第一隔交流電路的輸入端相連；所述第一隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端分別與所述第一子單元、所述第二子單元中源極接電源的PMOS管的柵極相連接； 所述第二電流鏡與所述第二隔交流電路的輸入端相連；所述第二隔交流電路的兩個(gè)差分輸出端分別與所述第一子單元、所述第二子單元中源極接地的NMOS管的柵極相連。
【文檔編號(hào)】H03K19/094GK204156845SQ201420456824
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月13日
【發(fā)明者】孫亞楠, 唐鵬, 馮衛(wèi)鋒, 章國(guó)豪, 曾斌, 趙鵬, 康春雷, 鄭爽爽, 張頂平, 趙家彥, 鄧義奎, 楊紅祥, 何長(zhǎng)亮, 沈薇, 蔡之君, 李義梅, 舒志萍 申請(qǐng)人:豪芯微電子科技（上海）有限公司