一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器的制造方法
【專利摘要】一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，至少包含一組濾波電路，在該濾波電路中，電感L1的一端連接輸入端，電感L1的另一端連接電容C1的一端和L2的一端，電容C1另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DR1，電感L2的另一端連接電容C2的一端和電感L3的一端，電容C2另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DR2，電感L3的另一端連接輸出端。電容C1或C2為氧化鋁塊。電感L1或L2的兩個(gè)引腳穿過氧化鋁塊分別與下表面銀層連接。介質(zhì)TEM諧振器DR1或DR2的引腳與氧化鋁塊上表面的銀層連接。通過氧化鋁塊可實(shí)現(xiàn)比較小的電容值，升高了濾波器的頻率，電感和介質(zhì)TEM諧振器，分別連接氧化鋁塊表面的銀層，設(shè)計(jì)緊湊，實(shí)現(xiàn)了高頻帶阻濾波器的功能。
【專利說明】一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型帶阻濾波器的領(lǐng)域，尤其涉及一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器。

【背景技術(shù)】
[0002]由微波理論可知，若要升高濾波器的頻率，就得減小其諧振電容值和電感值，即升高諧振頻率。目前市場(chǎng)上低功率帶阻濾波器均有LC集中參數(shù)實(shí)現(xiàn)，由于市場(chǎng)上的電容值一般最小為0.3pF，再加上寄生電容和其它材料的損耗，頻率高于1500M后，用LC集中參數(shù)很難實(shí)現(xiàn)帶阻濾波器。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種介質(zhì)分立式，電容小的高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器。
[0004]實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案是:一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，至少包含一組濾波電路，在該濾波電路中，電感LI的一端連接輸入端，電感LI的另一端連接電容Cl的一端和L2的一端，電容Cl另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DR1，電感L2的另一端連接電容C2的一端和電感L3的一端，電容C2另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DR2，電感L3的另一端連接輸出端。
[0005]作為本實(shí)用新型的優(yōu)化方案，電容Cl或C2為氧化鋁塊。
[0006]作為本實(shí)用新型的優(yōu)化方案，氧化鋁塊上有通孔，電感LI或L2的兩個(gè)引腳穿過通孔，在氧化鋁塊上下表面電感LI或L2的兩個(gè)引腳旁涂覆有銀層，電感LI或L2的兩個(gè)引腳穿過氧化鋁塊分別與氧化鋁塊下表面銀層連接。
[0007]作為本實(shí)用新型的優(yōu)化方案，介質(zhì)--Μ諧振器DRl或DR2的引腳與氧化鋁塊上表面的銀層連接。
[0008]本實(shí)用新型具有積極的效果:通過氧化鋁塊可實(shí)現(xiàn)比較小的電容值，升高了濾波器的頻率，電感和介質(zhì)TEM諧振器，分別連接氧化鋁塊表面的銀層，設(shè)計(jì)緊湊，實(shí)現(xiàn)了高頻帶阻濾波器的功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0010]圖1是本實(shí)用新型電路原理圖；
[0011]圖2是電路板的上表面結(jié)構(gòu)圖；
[0012]圖3是電路板的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；
[0013]圖4是測(cè)量的波形圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1所示是一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器至少包含一組濾波電路，在該濾波電路中，電感LI的一端連接輸入端，電感LI的另一端連接電容Cl的一端和L2的一端，電容Cl另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DRl，電感L2的另一端連接電容C2的一端和電感L3的一端，電容C2另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DR2，電感L3的另一端連接輸出端。
[0015]如圖2所示的電路板的上表面結(jié)構(gòu)圖，其中電容Cl或C2為氧化鋁塊。根據(jù)電容公式C = Q/U = Q/Ed = Er*S/4 π kd可知,氧化招可實(shí)現(xiàn)比較小的電容值，由氧化招的厚度d，材質(zhì)Er，銀層面積S的大小決定。電感LI或L2的兩個(gè)引腳穿過通孔，在氧化鋁塊上下表面電感LI或L2的兩個(gè)引腳旁涂覆有銀層，電感LI或L2的兩個(gè)引腳穿過氧化鋁塊分別與下表面銀層連接。
[0016]如圖3所示是電路板的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖，電感可采用普通螺線電感，或者帶引線的高Q電感。DR1、DR2、DR3、DR4、DR5、DR6為介質(zhì)TEM諧振器，電感裝在通孔中，電感的兩個(gè)引腳分別從氧化鋁塊的兩個(gè)通孔從上往下穿出，引腳分別與下表面銀層連接，介質(zhì)TEM諧振器DRl或DR2的引腳與氧化鋁塊上表面的銀層連接。
[0017]如圖4是測(cè)量的波形圖，其中S22、S33是反射線，S32是傳輸線，第3點(diǎn)、第4點(diǎn)之間是需要的通帶，第I點(diǎn)、第2點(diǎn)是抑制。
[0018]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，其特征在于:所述高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器至少包含一組濾波電路，在所述的濾波電路中，電感LI的一端連接輸入端，電感LI的另一端連接電容Cl的一端和L2的一端，電容Cl另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DRl，電感L2的另一端連接電容C2的一端和電感L3的一端，電容C2另一端連接介質(zhì)TEM諧振器DR2，電感L3的另一端連接輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，其特征在于:所述電容Cl或C2為氧化招塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，其特征在于:所述的氧化鋁塊上有通孔，電感LI或L2的兩個(gè)引腳穿過通孔，氧化鋁塊上下表面電感LI或L2的兩個(gè)引腳旁涂覆有銀層，電感LI或L2的兩個(gè)引腳穿過氧化鋁塊分別與氧化鋁塊下表面銀層連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高頻介質(zhì)分立式帶阻濾波器，其特征在于:所述介質(zhì)TEM諧振器DRl或DR2的引腳與氧化鋁塊上表面的銀層連接。
【文檔編號(hào)】H03H7/12GK204119182SQ201420581156
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月9日
【發(fā)明者】李俊杰, 査毅 申請(qǐng)人:南京賽格微電子科技股份有限公司