1.一種晶體振蕩器電路的調(diào)諧方法，其特征在于，所述方法包括：
依據(jù)當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)及溫度補(bǔ)償表獲取第一控制字；
依據(jù)當(dāng)前的自動(dòng)頻率控制AFC控制字及非線性補(bǔ)償表獲取第二控制字；
依據(jù)所述第一控制字及第二控制字對(duì)電容陣列進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧所述晶體振蕩器電路的頻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)由輸入的模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換得到，且與溫度相關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，其特征在于，所述依據(jù)當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)及溫度補(bǔ)償表獲取第一控制字之前，所述方法還包括：
確定晶體的溫度系數(shù)，并依據(jù)確定的溫度系數(shù)獲取對(duì)應(yīng)所述晶體的溫度補(bǔ)償表。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，其特征在于，所述依據(jù)當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)及溫度補(bǔ)償表獲取第一控制字包括：
依據(jù)當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)確定對(duì)應(yīng)的溫度值，并依據(jù)所述溫度值采用查找表的方式獲取溫度補(bǔ)償表中對(duì)應(yīng)所述溫度值的第一補(bǔ)償電容，依據(jù)所述第一補(bǔ)償電容產(chǎn)生第一控制字。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，其特征在于，所述依據(jù)當(dāng)前的AFC控制字及非線性補(bǔ)償表獲取第二控制字，包括：
依據(jù)當(dāng)前的AFC控制字采用查找表的方式獲取非線性補(bǔ)償表中對(duì)應(yīng)所述AFC控制字的第二補(bǔ)償電容，依據(jù)所述第二補(bǔ)償電容產(chǎn)生第二控制字。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，其特征在于，所述依據(jù)所述第一控制字及第二控制字對(duì)電容陣列進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧所述晶體振蕩器電路的頻率，包括：
將所述第一控制字及第二控制字相加獲得第三控制字，依據(jù)所述第三控制字調(diào)節(jié)電容陣列的大小，以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧所述晶體振蕩器電路的頻率。
7.一種晶體振蕩器電路，其特征在于，所述晶體振蕩器電路包括：溫度補(bǔ)償電路、非線性補(bǔ)償電路及調(diào)諧電路；其中，
所述溫度補(bǔ)償電路，用于依據(jù)當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)及溫度補(bǔ)償表獲取第一控制字；
所述非線性補(bǔ)償電路，用于依據(jù)當(dāng)前的AFC控制字及非線性補(bǔ)償表獲取第二控制字；
所述調(diào)諧電路，用于依據(jù)所述第一控制字及第二控制字對(duì)電容陣列進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧所述晶體振蕩器電路的頻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述晶體振蕩器電路，其特征在于，所述當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)由輸入的模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換得到，且與溫度相關(guān)；
相應(yīng)的，所述晶體振蕩器電路還包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用于將輸入的模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換得到對(duì)應(yīng)的數(shù)字電壓信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述晶體振蕩器電路，其特征在于，所述晶體振蕩器電路還包括處理器，用于確定晶體的溫度系數(shù)，并依據(jù)確定的溫度系數(shù)獲取對(duì)應(yīng)所述晶體的溫度補(bǔ)償表。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述晶體振蕩器電路，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償電路，具體用于依據(jù)當(dāng)前的數(shù)字電壓信號(hào)確定對(duì)應(yīng)的溫度值，并依據(jù)所述溫度值采用查找表的方式獲取溫度補(bǔ)償表中對(duì)應(yīng)所述溫度值的第一補(bǔ)償電容，依據(jù)所述第一補(bǔ)償電容產(chǎn)生第一控制字。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述晶體振蕩器電路，其特征在于，所述非線性補(bǔ)償電路，具體用于依據(jù)當(dāng)前的AFC控制字采用查找表的方式獲取非線性補(bǔ)償表中對(duì)應(yīng)所述AFC控制字的第二補(bǔ)償電容，依據(jù)所述第二補(bǔ)償電容產(chǎn)生第二控制字。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述晶體振蕩器電路，其特征在于，所述調(diào)諧電路，具體用于將所述第一控制字及第二控制字相加獲得第三控制字，依據(jù)所述第三控制字調(diào)節(jié)電容陣列的大小，以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧所述晶體振蕩器電路的頻率。