本發(fā)明涉及一種相位內(nèi)插器，尤其涉及一種可兼顧操作速度與操作頻率范圍的相位內(nèi)插器及時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路。

背景技術(shù)：

時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)(Clock and data recovery，CDR)電路一般被用來(lái)對(duì)輸入數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行取樣、從輸入數(shù)據(jù)信號(hào)中提取時(shí)脈，并在將接收器中所取樣的數(shù)據(jù)重新定時(shí)。傳統(tǒng)的時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路中，常利用相位內(nèi)插器來(lái)調(diào)整取樣時(shí)脈的相位。

由于相位內(nèi)插器的電路特性對(duì)于接收器的操作頻率范圍與操作速度具有舉足輕重的影響，設(shè)計(jì)者需要花更多時(shí)間來(lái)開(kāi)發(fā)以在操作頻率范圍與操作速度間作取舍，其中，要同時(shí)確保操作頻率范圍與操作速度皆具有較佳的特性是相當(dāng)困難的。

舉例來(lái)說(shuō)，在傳統(tǒng)的相位內(nèi)插器設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)者雖可通過(guò)在輸出端額外配置一開(kāi)關(guān)電容陣列(Switch and capacitor Array，SCA)來(lái)提升操作頻率范圍。然而，由于開(kāi)關(guān)電容陣列所產(chǎn)生的寄生電容增加了相位內(nèi)插器的輸出端的等效電容值，因此造成相位內(nèi)插器的最高操作速度相對(duì)的降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是有關(guān)于相位內(nèi)插器及時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路，其中相位內(nèi)插器可在不降低最高操作速度的情況下，而獲得較廣的操作頻率范圍。

本發(fā)明是有關(guān)于相位內(nèi)插器，其包含相位內(nèi)插電路、多個(gè)低通濾波通道與多工電路。上述的相位內(nèi)插電路接收第一時(shí)脈信號(hào)與第二時(shí)脈信號(hào)，并據(jù)以執(zhí)行內(nèi)插操作以產(chǎn)生輸出時(shí)脈信號(hào)。上述的低通濾波通道各自具有輸入端與輸出端，所述輸入端耦接相位內(nèi)插電路以接收輸出時(shí)脈信號(hào)，且每一上述低通濾波通道包括開(kāi)關(guān)與電容。上述的開(kāi)關(guān)與電容耦接共同節(jié)點(diǎn)作為輸出端， 且各開(kāi)關(guān)受控于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)。上述的多工電路具有多個(gè)輸入端，多工器的輸入端分別耦接所述多個(gè)低通濾波通道的輸出端。上述的多工電路根據(jù)選擇信號(hào)選擇從所述多個(gè)低通濾波通道其中之一接收到的輸入信號(hào)作為相位內(nèi)插信號(hào)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的相位內(nèi)插器還包括控制電路，其耦接上述低通濾波通道與多工電路，其中所述控制電路提供開(kāi)關(guān)信號(hào)與選擇信號(hào)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)多工電路選擇從所述多個(gè)低通濾波通道其中之一接收到的輸入信號(hào)作為相位內(nèi)插信號(hào)時(shí)，上述低通濾波通道其中之一的開(kāi)關(guān)反應(yīng)于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)而被導(dǎo)通，且其余的低通濾波通道的開(kāi)關(guān)反應(yīng)于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)而被截止。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述低通濾波通道分別包括開(kāi)關(guān)與電容。上述開(kāi)關(guān)的第一端耦接上述相位內(nèi)插電路、第二端耦接上述多工電路的對(duì)應(yīng)輸入端，且控制端接收上述對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)。上述電容的第一端耦接上述開(kāi)關(guān)的第二端與上述多工電路的輸入端，且其第二端電容耦接接地端。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述低通濾波通道的電容各自具有不同的電容值。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)相位內(nèi)插電路接收到具有第一頻率的第一與第二時(shí)脈信號(hào)時(shí)，耦接于具有第一電容值的電容的開(kāi)關(guān)反應(yīng)于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)而被導(dǎo)通，并且當(dāng)相位內(nèi)插電路接收到具有第二頻率的第一與第二時(shí)脈信號(hào)時(shí)，耦接于具有第二電容值的電容的開(kāi)關(guān)反應(yīng)于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)而被導(dǎo)通，其中第二頻率高于第一頻率，并且第二電容值低于第一電容值。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的相位內(nèi)插器還包括直接傳輸通道。所述直接傳輸通道耦接于相位內(nèi)插電路與多工電路之間，并將上述輸出時(shí)脈信號(hào)直接傳送至上述多工電路的對(duì)應(yīng)的輸入端。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)相位內(nèi)插電路接收到具有第三頻率的第一與第二時(shí)脈信號(hào)時(shí)，所述多個(gè)低通濾波通道的開(kāi)關(guān)反應(yīng)于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)而被截止，以使輸出時(shí)脈信號(hào)通過(guò)直接傳輸通道被提供給多工電路的輸入端，其中第三頻率高于第二頻率。

本發(fā)明是有關(guān)于一種時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)(Clock與Data Recovery，CDR)電路，其包括相位檢測(cè)器、有限狀態(tài)機(jī)(Finite State Machine，F(xiàn)SM)與相 位內(nèi)插器。上述的相位檢測(cè)器比較輸入數(shù)據(jù)信號(hào)與相位內(nèi)插信號(hào)，并產(chǎn)生相位指示信號(hào)以指示輸入數(shù)據(jù)信號(hào)與相位內(nèi)插信號(hào)間的相位差。上述有限狀態(tài)機(jī)耦接相位檢測(cè)器，并根據(jù)相位指示信號(hào)與相位內(nèi)插信號(hào)而產(chǎn)生控制信號(hào)。上述相位內(nèi)插器耦接相位檢測(cè)器與有限狀態(tài)機(jī)，并根據(jù)第一時(shí)脈信號(hào)、第二時(shí)脈信號(hào)以及上述控制信號(hào)而產(chǎn)生上述相位內(nèi)插信號(hào)。上述相位內(nèi)插器包括相位內(nèi)插電路、多個(gè)低通濾波通道與多工電路。上述的相位內(nèi)插電路接收第一時(shí)脈信號(hào)與第二時(shí)脈信號(hào)，并據(jù)以執(zhí)行內(nèi)插操作以產(chǎn)生輸出時(shí)脈信號(hào)。上述的低通濾波通道各自具有輸入端與輸出端，所述輸入端耦接相位內(nèi)插電路以接收輸出時(shí)脈信號(hào)，且每一上述低通濾波通道包括開(kāi)關(guān)與電容。上述的開(kāi)關(guān)與電容耦接共同節(jié)點(diǎn)作為輸出端，且各開(kāi)關(guān)受控于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)。上述的多工電路具有多個(gè)輸入端，多工器的輸入端分別耦接所述多個(gè)低通濾波通道的輸出端。上述的多工電路根據(jù)選擇信號(hào)選擇從所述多個(gè)低通濾波通道其中之一接收到的輸入信號(hào)作為相位內(nèi)插信號(hào)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路還包括鎖相回路(Phase-locked Loop，PPL)。上述鎖相回路耦接相位內(nèi)插器，并產(chǎn)生上述第一與第二時(shí)脈信號(hào)。

基于上述，本發(fā)明實(shí)施例提出一種相位內(nèi)插器及應(yīng)用所述相位內(nèi)插器的時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路。通過(guò)在相位內(nèi)插器中配置多個(gè)低通濾波通道的電路架構(gòu)，可大幅地降低前述寄生電容效應(yīng)所造成的影響。因此，本案的相位內(nèi)插器可在不需降低相位內(nèi)插器的最高操作速度的前提下，獲得較廣的操作頻率范圍，從而可提供具有較高線性度與較低抖動(dòng)的相位內(nèi)插信號(hào)。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所示出的時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路的方塊圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所示出的相位內(nèi)插器的電路圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10：時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路；

40：鎖相回路；

60：相位檢測(cè)器；

80：有限狀態(tài)機(jī)；

100：相位內(nèi)插器；

110：相位內(nèi)插電路；

120_0：直接傳輸通道；

120_1～120_n：低通濾波通道；

130：多工電路；

140：控制電路；

C1～Cn：電容；

D_IN：數(shù)據(jù)信號(hào)；

GND：接地端；

N1～Nn：節(jié)點(diǎn)；

P0～Pn+1：輸入端；

S1～Sn：開(kāi)關(guān)信號(hào)；

S_C：控制信號(hào)；

S_SEL：選擇信號(hào)；

S_I：第一時(shí)脈信號(hào)；

S_IND：相位指示信號(hào)；

S_O：輸出時(shí)脈信號(hào)；

S_O’：輸入信號(hào)；

S_PI：相位內(nèi)插信號(hào)；

S_Q：第二時(shí)脈信號(hào)；

SW1～SWn：開(kāi)關(guān)；

TL：傳輸線。

具體實(shí)施方式

為了使本公開(kāi)內(nèi)容更為明了，以下列舉實(shí)施例作為本公開(kāi)確實(shí)能夠據(jù)以實(shí)施的范例。所提出的實(shí)施例僅作為解說(shuō)之用，并非用來(lái)限定本公開(kāi)的申請(qǐng)權(quán)利范圍。另外，凡可能之處，在圖式及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件/符號(hào)代表相同或類(lèi)似部分。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所示出的時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)(Clock與Data Recovery，CDR)電路的方塊圖。在本實(shí)施例中，上述時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路10可配置于用來(lái)恢復(fù)自發(fā)射器所接收的輸入數(shù)據(jù)的時(shí)脈的接收器中。請(qǐng)參照?qǐng)D1，上述時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路10包括鎖相回路(Phase Locked Loop，PPL)40、相位檢測(cè)器60、有限狀態(tài)機(jī)(Finite State Machine，F(xiàn)SM)80與相位內(nèi)插器100。上述鎖相回路40耦接相位內(nèi)插器100，并產(chǎn)生第一時(shí)脈信號(hào)S_I與第二時(shí)脈信號(hào)S_Q。在此，上述的第一時(shí)脈信號(hào)S_I例如為一同相信號(hào)(in-phase signal)，而上述的第二時(shí)脈信號(hào)S_Q例如為正交信號(hào)(quadrature signal)，第一時(shí)脈信號(hào)S_I的頻率與第二時(shí)脈信號(hào)S_Q相同，且兩信號(hào)彼此正交。換言之，上述第一時(shí)脈信號(hào)S_I與上述第二時(shí)脈信號(hào)S_Q之間具有90度的相位差。

相位檢測(cè)器60用以比較輸入數(shù)據(jù)信號(hào)D_IN與相位內(nèi)插器100所輸出的相位內(nèi)插信號(hào)S_PI，并產(chǎn)生相位指示信號(hào)S_IND，以指示輸入數(shù)據(jù)信號(hào)D_IN與相位內(nèi)插信號(hào)S_PI之間的相位差。舉例來(lái)說(shuō)，相位檢測(cè)器60可通過(guò)取樣輸入數(shù)據(jù)信號(hào)D_IN與相位內(nèi)插信號(hào)S_PI的上升緣或下降緣附近的電壓，并比較取樣到的電壓來(lái)判斷輸入數(shù)據(jù)信號(hào)D_IN的相位超前或落后于相位內(nèi)插信號(hào)S_PI的相位，藉以判定輸入數(shù)據(jù)信號(hào)D_IN與相位內(nèi)插信號(hào)S_PI之間的相位差。

上述有限狀態(tài)機(jī)80耦接相位檢測(cè)器60并根據(jù)相位指示信號(hào)S_IND與相位內(nèi)插信號(hào)S_PI產(chǎn)生控制信號(hào)S_C，藉以控制相位內(nèi)插器100的內(nèi)插操作。

上述相位內(nèi)插器100耦接相位檢測(cè)器60與有限狀態(tài)機(jī)80，并執(zhí)行上述內(nèi)插操作，以根據(jù)上述鎖相回路40所輸出的第一與第二時(shí)脈信號(hào)S_I、S_Q，以及有限狀態(tài)機(jī)80所輸出的控制信號(hào)，產(chǎn)生相位內(nèi)插信號(hào)S_PI。在本實(shí)施例中，基于相位內(nèi)插器100的電路設(shè)計(jì)，其可在不需要降低最高操作速度的前提下，即可獲得較寬的操作頻率范圍。這是因?yàn)橄辔粌?nèi)插器100的電路設(shè)計(jì)可以顯著抑制寄生電容效應(yīng)。

底下以圖2所示出的實(shí)施例來(lái)具體描述相位內(nèi)插器100的電路設(shè)計(jì)。其中，圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所示出的相位內(nèi)插器的電路圖。

上述相位內(nèi)插器100包括相位內(nèi)插電路110、直接傳輸通道120_0、多個(gè)低通濾波通道120_1～120_n、多工電路130以及控制電路140。

相位內(nèi)插電路110從鎖相回路40接收第一時(shí)脈信號(hào)S_I與第二時(shí)脈信號(hào)S_Q，并藉以根據(jù)控制信號(hào)S_C執(zhí)行內(nèi)插操作以產(chǎn)生上述輸出時(shí)脈信號(hào)S_O。更具 體來(lái)說(shuō)，相位內(nèi)插電路110可基于權(quán)重值將第一與第二時(shí)脈信號(hào)S_I、S_Q進(jìn)行內(nèi)插，其中所述權(quán)重值由有限狀態(tài)機(jī)80(請(qǐng)參照?qǐng)D1)輸出的控制信號(hào)S_C所決定。在本實(shí)施例中，相位內(nèi)插電路110可通過(guò)調(diào)校所述權(quán)重值來(lái)調(diào)整所內(nèi)插的相位，如此一來(lái)，輸出時(shí)脈信號(hào)S_O的相位可被調(diào)整至介于第一時(shí)脈信號(hào)S_I與第二時(shí)脈信號(hào)S_Q的相位之間。

上述直接傳輸通道120_0與低通濾波通道120_1～120_n相互并聯(lián)，并且耦接于相位內(nèi)插電路110與多工電路130之間。直接傳輸通道120_0與低通濾波通道120_1～120_n分別具有輸入端與輸出端。直接傳輸通道120_0與低通濾波通道120_1～120_n的輸入端共同連接至相位內(nèi)插電路110的輸出端以接收輸出時(shí)脈信號(hào)S_O。直接傳輸通道120_0與低通濾波通道120_1～120_n的輸出端各自連接至多工電路130的輸入端P0～Pn+1，其中n為正整數(shù)，且可由設(shè)計(jì)者自行決定，本發(fā)明不對(duì)此作限制。

詳言之，直接傳輸通道120_0可利用傳輸線TL實(shí)現(xiàn)，其可將輸出時(shí)脈信號(hào)S_O直接傳送至多工電路130的輸入端P0。另一方面，低通濾波通道120_1～120_n可分別由開(kāi)關(guān)(例如，開(kāi)關(guān)SW1～SWn中任一個(gè))與電容(例如，電容C1～Cn中任一個(gè))所組成的電路架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中，開(kāi)關(guān)與電容耦接共同節(jié)點(diǎn)(例如，節(jié)點(diǎn)N1～Nn中任一個(gè))作為每一低通濾波通道中的輸出端。舉例來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)SW1與電容C1耦接節(jié)點(diǎn)N1作為低通濾波通道120_1的輸出端，開(kāi)關(guān)SW2與電容電容C2耦接節(jié)點(diǎn)N2作為低通濾波通道120_2的輸出端，開(kāi)關(guān)SWn與電容Cn耦接節(jié)點(diǎn)Nn作為低通濾波通道120_n的輸出端，以此類(lèi)推。

更具體來(lái)說(shuō)，以低通濾波通道120_1為例，低通濾波通道120_1中的開(kāi)關(guān)SW1與有第一端、第二端和控制端。開(kāi)關(guān)SW1的第一端耦接相位內(nèi)插電路110的輸出端。開(kāi)關(guān)的第二端SW1通過(guò)共同節(jié)點(diǎn)N1耦接多工電路130的輸入端P1。開(kāi)關(guān)SW1的控制端耦接控制電路140以接收開(kāi)關(guān)信號(hào)S1。低通濾波通道120_1電容C1具有第一端與第二端。電容C1的第一端耦接開(kāi)關(guān)SW1的第二端(即共同節(jié)點(diǎn)N1)。電容C1的第二端耦接接地端GND。應(yīng)注意的是，接地端GND并不限定于絕對(duì)零電位(即地電位)。本實(shí)施例中的接地端GND意指相位內(nèi)插器100中，相對(duì)于其他部件，具有既穩(wěn)定且最低電位的部件。

其他低通濾波通道120_2～120_n的電路結(jié)構(gòu)可依此推論，因此，以下不再贅述。在本實(shí)施例中，低通濾波通道120_1～120_n中電容C1～Cn的電容值各不相同。舉例來(lái)說(shuō)，電容C1的電容值為2⁰×C，其中C表示根據(jù)電路設(shè)計(jì)要求所設(shè)定的特定電容值。電容C2的電容值為2¹×C，電容Cn的電容值為2^n-1×C，以此類(lèi)推。

由于直接傳輸通道120_0與各個(gè)低通濾波通道120_1～120_n具有不同的等效電容值，故可選擇低通濾波通道120_1～120_n其中之一來(lái)將輸出時(shí)脈信號(hào)S_O傳輸至多工電路130，藉以符合有關(guān)上述第一時(shí)脈信號(hào)S_I與第二時(shí)脈信號(hào)S_Q頻率的要求。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)n等于4，倘若相位內(nèi)插電路110接收到的是第一頻率(例如，1GHz)的第一與第二時(shí)脈信號(hào)S_I與S_Q，則耦接至具有較高電容值(例如，2³×C＝8C)的電容C4的開(kāi)關(guān)SW4會(huì)反應(yīng)于開(kāi)關(guān)信號(hào)S4被導(dǎo)通。另一方面，當(dāng)相位內(nèi)插電路110接收到的是高于第一頻率的第二頻率(例如，20GHz)的第一與第二時(shí)脈信號(hào)S_I、S_Q時(shí)，耦接至具有較低電容值(例如，2⁰×C＝C)的電容C1的開(kāi)關(guān)SW1會(huì)反應(yīng)于開(kāi)關(guān)信號(hào)S1被導(dǎo)通。此外，當(dāng)相位內(nèi)插電路110接收到的是更高于第二頻率的第三頻率(例如，32GHz)的第一與第二時(shí)脈信號(hào)S_I、S_Q時(shí)，開(kāi)關(guān)SW1～SW4會(huì)反應(yīng)于開(kāi)關(guān)信號(hào)S1～S4而皆被截止，藉此將輸出時(shí)脈信號(hào)S_O通過(guò)具有最低等效電容值的直接傳輸通道120_0傳送至多工電路130的輸入端。

多工電路130具有多個(gè)輸入端P1～Pn+1，所述多個(gè)輸入端P1～Pn+1分別耦接直接傳輸通道120_0低通濾波通道120_1～120_n的輸出端，且多工電路130會(huì)根據(jù)選擇信號(hào)S_SEL選擇從低通濾波通道其中之一的輸入信號(hào)(例如，輸入信號(hào)S_O’)作為相位內(nèi)插信號(hào)S_PI。

控制電路140耦接低通濾波通道120_1～120_n與多工電路130?？刂齐娐穼㈤_(kāi)關(guān)信號(hào)S1～Sn分別提供給開(kāi)關(guān)SW1～SWn，并將選擇信號(hào)S_SEL提供給多工電路130。

有關(guān)整個(gè)相位內(nèi)插器100的內(nèi)插操作，在此以低通濾波通道120_1為例，倘若控制電路140根據(jù)輸入數(shù)據(jù)信號(hào)D_IN(如圖1)的頻率而選擇低通濾波通道120_1作為相位內(nèi)插電路110的輸出通道，控制電路140會(huì)提供致能的開(kāi)關(guān)信號(hào)S1以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SW1，并提供禁能的開(kāi)關(guān)信號(hào)S2～Sn以截止開(kāi)關(guān)SW2～SWn。此外，控制電路140可進(jìn)一步提供對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)S_SEL，以令多 工電路130選擇接收從低通濾波通道120_1輸出端所輸出的輸入信號(hào)S_O’作為相位內(nèi)插信號(hào)S_PI。

換言之，當(dāng)多工電路130根據(jù)選擇信號(hào)S_SEL選擇接收由低通濾波通道120_1所輸出的輸入信號(hào)S_O’作為相位內(nèi)插信號(hào)S_PI時(shí)，低通濾波通道120_1的開(kāi)關(guān)SW1反應(yīng)于開(kāi)關(guān)信號(hào)S1而被導(dǎo)通，而其余低通濾波通道120_2～120_n的開(kāi)關(guān)SW2～SWn反應(yīng)于對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)信號(hào)S2～Sn而被截止。

在本實(shí)施例中，由于多工電路130所輸出的相位內(nèi)插信號(hào)S_PI是基于與其他低通濾波通道120_2～120_n中的共同節(jié)點(diǎn)N2～Nn電性分離的共同節(jié)點(diǎn)N1所提供，因此其他低通濾波通道120_2～120_n的寄生電容并不會(huì)造成相位內(nèi)插器100的最高操作速度降低。此外，較寬的操作頻率范圍的特性也可通過(guò)選擇具有不同電容值的低通濾波通道120_1～120_n)而獲得。

另外，輸出時(shí)脈信號(hào)S_O與輸入信號(hào)S_O’/相位內(nèi)插信號(hào)S_PI的轉(zhuǎn)換函數(shù)可以表示為以下公式：

$S_O=V_{PI}\·\frac{1}{1+{\mathrm{\ωR}}_{PI}{C}_{PI}}$ (1)

$S_{PI}={S_O}^{\′}=S_O\·\frac{1}{1+{\mathrm{\ωR}}_{SW}C}$ (2)

其中，V_PI為輸出時(shí)脈信號(hào)S_O的振幅，ω為輸出時(shí)脈信號(hào)S_O的頻率，R_PI為相位內(nèi)插電路110等效電阻值，C_PI為相位內(nèi)插電路110的等效電容值，R_SW為開(kāi)關(guān)SW1的等效電阻值，而C為電容C1的電容值。

根據(jù)公式(1)、(2)，開(kāi)關(guān)SW1的電阻值R_SW不僅提供輸入信號(hào)S_O’的轉(zhuǎn)換函數(shù)中的極點(diǎn)，同時(shí)也隔離了寄生電容使得高速操作可以被實(shí)現(xiàn)。此外，每一低通濾波通道120_1～120_n所產(chǎn)生的輸入信號(hào)S_O’的轉(zhuǎn)換函數(shù)可利用相同公式表示，其差異僅在于各轉(zhuǎn)換函數(shù)的電容值不相同。

在實(shí)際應(yīng)用中，相位內(nèi)插器100所產(chǎn)生的相位內(nèi)插信號(hào)S_PI可以在介于1Gbps與32Gbps的操作速度下皆具有高線性度與低信號(hào)抖動(dòng)的良好特性。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提出一種相位內(nèi)插器及應(yīng)用所述相位內(nèi)插器的時(shí)脈與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路。通過(guò)在相位內(nèi)插器中配置多個(gè)低通濾波通道的電路架構(gòu)，可大幅地降低前述寄生電容效應(yīng)所造成的影響。因此，本案的相位內(nèi)插器可在不需降低相位內(nèi)插器的最高操作速度的前提下，獲得較廣的操作頻率 范圍，從而可提供具有較高線性度與較低抖動(dòng)的相位內(nèi)插信號(hào)。

請(qǐng)注意前述接收器電路可應(yīng)用于任何芯片，此芯片操作于例如是，1.8V的低電壓，但本發(fā)明不限于此。其他范例實(shí)施例(例如，將n-通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管變更為p-通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)也屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。