本發(fā)明涉及一種驅(qū)動電路，特別涉及一種具有抑制電磁干擾(ElectroMagnetic Interference,EMI)效果的驅(qū)動電路。

背景技術(shù)：

盡管公知的鹵素?zé)襞蓦m然亮度高而常應(yīng)用于投射燈，但是由于其耗電量較大(例如50W)，所以已漸漸被低瓦數(shù)(例如3W～10W)的發(fā)光二極管(LED)投射燈泡所取代。

在公知的一種LED投射燈中，例如標(biāo)準(zhǔn)的MR16(Multifaceted Reflector,多重反射罩)型LED投射燈泡，其驅(qū)動電路并無法通過電磁干擾的安規(guī)要求(EN55015class B)，甚至超過安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)達(dá)20dB。目前解決電磁干擾問題通常是通過共模扼流圈(Common mode Choke，或稱共模電感或共模線圈)來實(shí)現(xiàn)。不過，此類元件在原本電路所要求的電流下，體積相當(dāng)大，無法置入標(biāo)準(zhǔn)的MR16型(ANSI標(biāo)準(zhǔn)，例如ANSI C78.1413-2001)燈泡內(nèi)。另外，也有使用緩沖(snubber)電路來抑制高頻切換所造成的電磁干擾，但是，加入該緩沖電路后對發(fā)光效率影響大，而且抑制電磁干擾的效果也相當(dāng)有限(只有5～10dB的抑制能力)，無法達(dá)到安規(guī)上的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的為提供一種具有抑制電磁干擾的驅(qū)動電路。本發(fā)明的驅(qū)動電路可在特定的空間要求下達(dá)到抑制電磁干擾的效果。優(yōu)選的，電磁干擾的抑制效果更可達(dá)到法規(guī)上要求。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種具有抑制電磁干擾的驅(qū)動電路，其驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光，驅(qū)動電路包括驅(qū)動單元、電源切換單元以及定電流單元。電源切換單元與驅(qū)動單元耦接，并具有電感、二極管、第一晶體管、第一阻抗元件、第二阻抗元件及第三阻抗元件，電感的第一端耦接驅(qū)動單元，其第二端分別耦接二極管及第一晶體管，第一晶體管的第三端耦接于接地端，第一阻抗元件連接于二極管的第一端或第二端，第二阻抗元件連接于第一晶體管的第一端或第三端，第三阻抗元件的第一端連接第一晶體管的第二端，且 第三阻抗元件的第二端耦接驅(qū)動單元。定電流單元分別與電源切換單元、驅(qū)動單元及發(fā)光單元耦接，且驅(qū)動單元控制定電流單元輸出一定電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光。

在一個實(shí)施例中，第一阻抗元件連接在電感的第二端與二極管的第一端之間，第一晶體管的第一端分別連接電感的第二端與第一阻抗元件的第一端，且第二阻抗元件連接于第一晶體管的第三端與接地端之間。

在一個實(shí)施例中，第一阻抗元件連接在電感的第二端與二極管的第一端之間，第二阻抗元件的第一端分別連接于電感的第二端與第一阻抗元件的第一端，第二阻抗元件的第二端連接第一晶體管的第三端，且第一晶體管的第三端連接接地端。

在一個實(shí)施例中，電感的第二端分別連接二極管的第一端與第一晶體管的第一端，第一阻抗元件連接在二極管的第二端與定電流單元之間，且第二阻抗元件連接在第一晶體管的第三端與接地端之間。

在一個實(shí)施例中，電感的第二端分別連接二極管的第一端與第二阻抗元件的第一端，第一阻抗元件連接在二極管的第二端與定電流單元之間，第二阻抗元件的第二端連接第一晶體管的第一端，且第一晶體管的第三端連接接地端。

在一個實(shí)施例中，電源切換單元的第一阻抗元件或第二阻抗元件或第三阻抗元件為磁珠或電阻。

在一個實(shí)施例中，電源切換單元的電感、二極管、第一晶體管、第一阻抗元件、第二阻抗元件及第三阻抗元件整合成集成電路。

在一個實(shí)施例中，驅(qū)動電路進(jìn)一步包括整流單元及檢測單元。整流單元耦接驅(qū)動單元及電源切換單元。檢測單元分別與整流單元、電源切換單元及驅(qū)動單元耦接。

在一個實(shí)施例中，驅(qū)動電路進(jìn)一步包括泄能單元，其分別與電源切換單元、定電流單元與驅(qū)動單元耦接，且泄能單元與相位調(diào)光器配合應(yīng)用。

在一個實(shí)施例中，定電流單元具有第一電容、第四阻抗元件及第五阻抗元件，第一電容的第一端分別連接電源切換單元的二極管的第二端及第四阻抗元件的第一端，第四阻抗元件的第二端連接發(fā)光單元的第一端，第五阻抗元件的第一端連接第一電容的第二端，其第二端連接發(fā)光單元的第二端。

在一個實(shí)施例中，定電流單元進(jìn)一步具有第一電阻、第二電阻及第二晶 體管，第一電阻的第一端分別連接第五阻抗元件的第一端與第一電容的第二端，其第二端分別連接第二電阻的第一端與驅(qū)動單元，第二電阻的第二端連接接地端，且第二晶體管的第二端與第三端分別耦接驅(qū)動單元。

在一個實(shí)施例中，定電流單元進(jìn)一步具有第三電阻與第二電容，第二電容的第一端連接第二晶體管的第二端及驅(qū)動單元，第三電阻的第一端分別連接第二晶體管的第三端及驅(qū)動單元，其第二端連接接地端。

在一個實(shí)施例中，第四阻抗元件或第五阻抗元件為磁珠或電阻。

在一個實(shí)施例中，驅(qū)動電路應(yīng)用于多重反射罩型的發(fā)光二極管燈泡。

承上所述，在本發(fā)明的驅(qū)動電路中，由于主要電磁干擾的原因來自于驅(qū)動電路的集成電路的工作頻率過高，并且在電源切換單元所產(chǎn)生的問題較為嚴(yán)重。因此，本發(fā)明通過設(shè)置多個阻抗元件于電源切換單元中，不僅使驅(qū)動電路可符合燈泡特定的電路空間要求外，也可達(dá)到抑制電磁干擾的效果。在一個實(shí)施例中，除了設(shè)置多個阻抗元件于電源切換單元外，更在定電流單元上另設(shè)置多個阻抗元件，同樣可符合燈泡的特定電路空間要求外，更使電磁干擾的抑制效果可達(dá)到法規(guī)上要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種具有抑制電磁干擾的驅(qū)動電路的功能方塊示意圖。

圖2A為實(shí)施例的驅(qū)動電路的電路示意圖。

圖2B為圖2A的驅(qū)動電路的電源切換單元的電路放大示意圖。

圖2C至圖2E分別為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例不同實(shí)施方式的驅(qū)動電路的電路示意圖。

圖2F為圖2E的驅(qū)動電路的定電流單元的電路放大示意圖。

圖3A與圖3B、圖4A與圖4B分別為在本發(fā)明實(shí)施例中，驅(qū)動電路加上阻抗元件前與加上阻抗元件后，在不同工作頻率下的電磁干擾曲線示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照相關(guān)附圖，說明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的具有抑制電磁干擾的驅(qū)動電路，其中相同的元件將以相同的附圖標(biāo)記加以說明。

請參照圖1、圖2A及圖2B所示，其中，圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一 種具有抑制電磁干擾的驅(qū)動電路1的功能方塊示意圖，圖2A為實(shí)施例的驅(qū)動電路1的電路示意圖，而圖2B為圖2A的驅(qū)動電路1的電源切換單元14的電路放大示意圖。

本實(shí)施例的驅(qū)動電路1具有抑制電磁干擾的功能而可應(yīng)用于例如但不限于驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)的MR型的發(fā)光二極管燈泡，由此驅(qū)動包含至少一個發(fā)光二極管的發(fā)光單元2發(fā)光。由于MR16型燈泡的電路設(shè)置空間相當(dāng)有限，因此驅(qū)動電路1具有特定空間尺寸的限制。其中，“MR”是代表多重反射罩(Multifaceted Reflector)的意思，而MR16表示該燈泡的前直徑是2英吋(即口徑約5厘米長)。換言之，本實(shí)施例的驅(qū)動電路1是解決在MR16型燈泡的特定空間要求下，可達(dá)到抑制電磁干擾(EMI)的效果，優(yōu)選的，更可達(dá)到安規(guī)上的要求。不過，在不同的實(shí)施例中，驅(qū)動電路1也可應(yīng)用于其它型式的發(fā)光二極管燈泡上，并不限定只可應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)的MR型的發(fā)光二極管燈泡的電路。

如圖1所示，驅(qū)動電路1包括驅(qū)動單元11、電源切換單元14以及定電流單元16。另外，本實(shí)施例的驅(qū)動電路1進(jìn)一步包括整流單元12、檢測單元13及泄能單元15。其中，以下所述的“耦接”可為實(shí)體的電性連接或通過其它元件的實(shí)體電性連接或非實(shí)體的信號連接，并不限定。另外，“連接”可為實(shí)體元件的直接連接，或者是通過其它元件的間接連接，也不限定。

如圖1所示，驅(qū)動單元11分別與整流單元12、檢測單元13、電源切換單元14、泄能單元15及定電流單元16耦接，并輸出控制信號控制檢測單元13、電源切換單元14與定電流單元16，由此控制定電流單元16輸出一定電流驅(qū)動發(fā)光單元2發(fā)光。在本實(shí)施例中，驅(qū)動單元11是由集成電路(標(biāo)示為IC1)、四個電容(標(biāo)示為C6、C7、C_VCC、C_OFF)及一個電阻(標(biāo)示為R_OFF)所構(gòu)成的電路，其連結(jié)關(guān)系可參照圖2A，本領(lǐng)域技術(shù)人員由圖2A的電路示意圖中可清楚了解這些元件的連接關(guān)系，不再贅述。

整流單元12耦接驅(qū)動單元11、檢測單元13及電源切換單元14，并可接收輸入電壓。其中，輸入電壓可依據(jù)整流單元12與發(fā)光單元2的設(shè)計(jì)需求而不同(不同的實(shí)施方式可具有不同的輸入電壓)；在一個實(shí)施例中，輸入電壓例如可為交流(AC)12V或直流(DC)12V；在不同的實(shí)施例中，輸入電壓也可為其它電壓值，并不限定，視整流單元12的規(guī)格與發(fā)光單元2的LED的需求規(guī)格而定。其中，輸入電壓經(jīng)整流單元12整流后，可得到直流電而輸 入檢測單元13。本實(shí)施例的整流單元12為全波整流單元，并可為橋式整流器，如圖2A所示，其包含4個二極管DB1～DB4，橋式整流器(二極管DB1～DB4)的連結(jié)關(guān)系為公知技術(shù)，在此不再多作說明。

檢測單元13是由三個電容(標(biāo)示為C3、C4、C5)、三個電阻(標(biāo)示為R4、R5、R6)、一個二極管(標(biāo)示為D2)與一個晶體管(標(biāo)示為Q3)所構(gòu)成的電路。其中，晶體管Q3的一端會通過電容C3與整流電路12及電源切換單元14連接，其另一端耦接電源切換單元14及驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳3)。另外，晶體管Q3的控制端(閘極)連接電容C4與電阻R4，并連接至驅(qū)動電路11的集成電路IC1(接腳4)，以接受集成電路IC1的控制而導(dǎo)通或截止。此外，二極管D2的陽極通過電阻R5連接至集成電路IC1(接腳5)，并分別與電阻R6及電容C6連接，且二極管D2的陰極與輸入端及整流單元12的二極管DB4連接。檢測單元13的元件的詳細(xì)連結(jié)關(guān)系可參照圖2A。

本實(shí)施例的整流單元12與檢測單元13是為了解決變壓器兼容性問題而設(shè)置，此兼容性是指原本的變壓器是提供給例如50W鹵素?zé)襞菔褂?，但?dāng)驅(qū)動具有LED的發(fā)光單元2時，由于負(fù)載特性的不同，功率也較低(例如3W～10W)，因此當(dāng)利用原本給鹵素?zé)羲褂玫碾娐范浣拥津?qū)動具有LED的發(fā)光單元2時，可能會造成LED無法啟動或閃爍的情況。因此，本實(shí)施例需要加上整流單元12與檢測單元13，以克服LED無法啟動或閃爍的問題。在不同的實(shí)施例中，可不需設(shè)置整流單元12與檢測單元13。

另外，請同時參照圖2A及圖2B所示，電源切換單元14分別與驅(qū)動單元11、整流單元12、檢測單元13、泄能單元15及定電流單元16耦接。本實(shí)施例的電源切換單元14具有電感L1、二極管D1、第一晶體管Q1、第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2及第三阻抗元件B3。另外，電源切換單元14進(jìn)一步具有電阻R0。

電感L1的第一端耦接驅(qū)動單元11，其第二端分別耦接二極管D1及第一晶體管Q1，而第一晶體管Q1的第三端耦接于接地端。另外，第一阻抗元件B1連接于二極管D1的第一端或第二端，第二阻抗元件B2連接于第一晶體管Q1的第一端或第三端，第三阻抗元件B3的第一端連接第一晶體管Q1的第二端，且第三阻抗元件B3的第二端耦接驅(qū)動單元11。

在本實(shí)施例中，電感L1的第一端通過檢測單元13耦接于驅(qū)動單元11。 于此，電感L1的第一端連接檢測單元13的電容C3的一端及整流單元12的輸出端(二極管DB3的陰極)，使得整流單元12的輸出端輸出的信號可被電感L1接收，而電感L1的第二端分別連接第一阻抗元件B1的第一端及第一晶體管Q1的第一端，且第一阻抗元件B1連接在電感L1的第二端與二極管D1的第一端(陽極)之間。另外，第一晶體管Q1的第一端分別連接電感L1的第二端與第一阻抗元件B1的第一端，且第二阻抗元件B2連接在第一晶體管Q1的第三端與接地端之間。

另外，二極管D1的第二端(陰極)分別連接泄能單元15、驅(qū)電單元11的集成電路IC1(接腳14)與定電流單元16。另外，第一晶體管Q1的第二端(控制端、閘極)連接第三阻抗元件B3的第一端，且第三阻抗元件B3的第二端連接驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳1)。此外，電阻R0的第一端分別連接檢測單元13的晶體管Q3的第三端與驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳3)，其第二端分別連接第二阻抗元件B2的第二端、驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳2、12)及接地端。

驅(qū)動單元11的集成電路IC1輸出高頻的切換信號，例如但不限于為脈寬調(diào)變(Pulse width modulation,PWM)信號控制第一晶體管Q1工作在導(dǎo)通/截止區(qū)，以控制第一晶體管Q1的切換動作，進(jìn)而通過電感L1儲能而提供驅(qū)動發(fā)光單元2所需的電壓與電流；由于集成電路IC1的高頻的工作頻率會使驅(qū)動電路1產(chǎn)生電磁干擾的問題，因此，本實(shí)施例的電源切換單元14是在升壓(Boost)電路架構(gòu)中，通過加入三個阻抗元件(第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2及第三阻抗元件B3)來抑制電磁干擾。

第一阻抗元件B1或第二阻抗元件B2或第三阻抗元件B3可為磁珠(Ferrite Bead)或電阻。本實(shí)施例是以第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2及第三阻抗元件B3分別為磁珠為例。磁珠是由一種鐵氧體的合金粉末所構(gòu)成的元件，而合金的材質(zhì)會影響濾波作用的頻帶；當(dāng)電磁干擾射入此磁珠的材料表面時會在元件表面形成一層極薄的磁性壁，壁內(nèi)部的磁性材料會因?yàn)橥獠可淙氲碾姶拍芰啃纬勺孕M(jìn)動效應(yīng)而產(chǎn)生分子間的相互磨擦，由此將電磁干擾的能量轉(zhuǎn)化為熱能消散掉。本實(shí)施例通過在電源切換單元14中加入第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2與第三阻抗元件B3，可抑制高頻的電磁干擾信號。此外，在一個實(shí)施例中，第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2與第三阻抗元件B3可與電感L1、二極管D1、第一晶體管Q1及電阻R0整合成一個 集成電路(也即將電源切換單元14的元件整合，且制作成IC)，由此減少空間上的使用，而且更能符合MR16型燈泡的電路設(shè)置空間。

另外，泄能(Bleeder)單元15分別與電源切換單元14、定電流單元16與驅(qū)動單元11耦接。泄能單元15主要是為了搭載硅控整流(TRIAC)相位調(diào)光器所設(shè)置。換言之，泄能單元15使得LED驅(qū)動器可與硅控整流的調(diào)光器兼容，以達(dá)到調(diào)光的目的。本實(shí)施例的泄能單元15為電阻R4，電阻R4的一端分別連接電源切換單元14的二極管D1的陰極、電容C6、電容C7的一端及定電流單元16，且電阻R4的另一端連接驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳15)。在另一個實(shí)施例中，也可不設(shè)置泄能單元15。

定電流單元16分別與泄能單元15、電源切換單元14、驅(qū)動單元11及發(fā)光單元2耦接，且驅(qū)動單元11可控制定電流單元16輸出一定電流驅(qū)動發(fā)光單元2發(fā)光。如圖2A所示，本實(shí)施例的定電流單元16具有第一電容C1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第二晶體管Q2與第二電容C2。本實(shí)施例的第一晶體管Q1、第二晶體管Q2與第三晶體管Q3可例如但不限于分別為n通道的金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。

第一電容C1的第一端分別連接電源切換單元14的二極管D1的第二端及發(fā)光單元2的第一端(正極)，而第一電容C1的第二端分別連接第一電阻R1的第一端、第二晶體管Q2的第一端及發(fā)光單元2的第二端(負(fù)極)。另外，第一電阻R1的第二端分別連接第二電阻R2的第一端與驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳11)，而第二電阻R2的第二端分別連接驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳12)與接地端，且第二晶體管Q2的第二端(控制端、閘極)與第三端分別耦接驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳9、接腳10)。此外，第二電容C2的第一端也連接第二晶體管Q2的第二端(控制端、閘極)及驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳9)，且第三電阻R3的第一端分別連接第二晶體管Q2的第三端及驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳10)，其第二端連接接地端及集成電路IC1(接腳12)。

在本實(shí)施例中，第二晶體管Q2的控制端(閘極)接受集成電路IC1的控制而工作在其線性區(qū)，以依據(jù)閘極輸入電流開啟第二晶體管Q2的通道比例，使由第二晶體管Q2的第二端流至第三端的電流為定電流，進(jìn)而使流過發(fā)光單元2的電流為定電流，由此驅(qū)動發(fā)光單元2發(fā)光。

另外，請分別參照圖2C及圖2D所示，其分別為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例不同實(shí)施方式的驅(qū)動電路1a、1b的電路示意圖。

如圖2C所示，驅(qū)動電路1a的電源切換單元14a的第一阻抗元件B1一樣連接在電感L1的第二端與二極管D1的第一端之間，但是，與圖2A的驅(qū)動電路1主要的不同在于，電源切換單元14a的第二阻抗元件B2的第一端分別連接于電感L1的第二端與第一阻抗元件B1的第一端，而第二阻抗元件B2的第二端連接第一晶體管Q1的第二端，且第一晶體管Q1的第三端分別連接接地端及電阻R0的第二端。

另外，如圖2D所示，驅(qū)動電路1b的電源切換單元14b的第二阻抗元件B2一樣連接在第一晶體管Q1的第三端與接地端之間，但是，與圖2A的驅(qū)動電路1主要的不同在于，電源切換單元14b的電感L1的第二端分別連接二極管D1的第一端與第一晶體管Q1的第一端，而第一阻抗元件B1連接在二極管D1的第二端(陰極)與泄能單元15、定電流單元16之間。

此外，驅(qū)動電路1a、1b的其它技術(shù)特征可參照驅(qū)動電路1的相同元件，不再贅述。

再一提的是，在另一實(shí)施方式中(圖未顯示)，驅(qū)動電路的第一阻抗元件B1可連接在二極管D1的第二端與定電流單元16之間，而電感L1的第二端可分別連接二極管D1的第一端與第二阻抗元件B2的第一端，第二阻抗元件B2的第二端連接第一晶體管Q1的第一端，且第一晶體管Q1的第三端連接接地端。換言之，在不同實(shí)施方式中，相對于驅(qū)動電路1b而言，當(dāng)?shù)诙杩乖﨎2連接于電感L1的第二端(及二極管D1的第一端)與第一晶體管Q1的第一端之間時，驅(qū)動電路同樣也具有抑制電磁干擾的效果。

另外，請分別參照圖2E及圖2F所示，其中，圖2E為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例又一實(shí)施方式的驅(qū)動電路1c的電路示意圖，而圖2F為圖2E的驅(qū)動電路1c的定電流單元16c的電路放大示意圖。

如圖2E及圖2F所示，相對于圖2A的驅(qū)動電路1而言，本實(shí)施方式的驅(qū)動電路1c與圖2A的驅(qū)動電路1主要的不同在于，驅(qū)動電路1c的定電流單元16c除了具有第一電容C1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第二晶體管Q2與第二電容C2之外，本實(shí)施例的定電流單元16c更具有第四阻抗元件B4及第五阻抗元件B5。其中，第一電容C1的第一端分別連接電源切換單元14的二極管D1的第二端及第四阻抗元件B4的第一端，第四阻抗元件 B4的第二端連接發(fā)光單元2的第一端(正極)，而第五阻抗元件B5的第一端連接第一電容C1的第二端，其第二端連接發(fā)光單元2的第二端(負(fù)極)。另外，第一電阻R1的第一端分別連接第五阻抗元件B5的第一端與第一電容C1的第二端，其第二端分別連接第二電阻R2的第一端與驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳11)，而第二電阻R2的第二端分別連接驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳12)與接地端，且第二晶體管Q2的第二端(控制端、閘極)與第三端分別耦接驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳9、接腳10)。此外，第二電容C2的第一端連接第二晶體管Q2的第二端(控制端、閘極)及驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳9)，且第三電阻R3的第一端分別連接第二晶體管Q2的第三端及驅(qū)動單元11的集成電路IC1(接腳10)，其第二端連接接地端。

同樣地，本實(shí)施例的第二晶體管Q2的閘極接受集成電路IC1的控制而工作在其線性區(qū)，以依據(jù)閘極輸入電流開啟第二晶體管Q2的通道比例，使由第二晶體管Q2的第二端流至第三端的電流為定電流，進(jìn)而使流過發(fā)光單元2的電流為定電流，由此驅(qū)動發(fā)光單元2發(fā)光。不過，由于集成電路IC1控制第二晶體管Q2也會產(chǎn)生電磁干擾的問題，因此，本實(shí)施例進(jìn)一步通過于定電流單元16c中加入二個阻抗元件B4、B5來抑制第二晶體管Q2所產(chǎn)生的電磁干擾問題。第四阻抗元件B4或第五阻抗元件B5也可為磁珠或電阻。本實(shí)施例是以第四阻抗元件B4與第五阻抗元件B5分別為磁珠為例。

另外，請參照圖3A至圖4B所示，其中，圖3A與圖3B、圖4A與圖4B分別為本發(fā)明實(shí)施例中，驅(qū)動電路加上阻抗元件(B1～B5)前與加上阻抗元件后(即圖2E的驅(qū)動電路1c)，在不同工作頻率下的電磁干擾曲線示意圖。其中，圖3A與圖3B為水平性能(Horizontal Performance)上的電磁波曲線圖，而圖4A與圖4B為垂直性能(Vertical Performance)上的電磁波曲線圖。

如圖3A所示，折線L為MR16型LED燈泡在不同頻率的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。在水平性能的測試上，在加入阻抗元件(B1～B5，磁珠)之前，驅(qū)動電路的集成電路IC1在不同工作頻率下所產(chǎn)生的電磁波的峰值(點(diǎn)1～5)都超過折線L(安規(guī)標(biāo)準(zhǔn))，且超過的最高值(點(diǎn)5)達(dá)到23.99dB。不過，如圖3B所示，在設(shè)置三個阻抗元件(B1、B2、B3)于電源切換單元14內(nèi)及設(shè)置二個阻抗元件(B4、B5)于定電流單元16c內(nèi)之后，在不同工作頻率下所產(chǎn)生的電磁波的峰值(點(diǎn)1～3)最高只有24dB左右，均低于法規(guī)的要求。

另外，如圖4A所示，在垂直性能的測試上，在加入阻抗元件(B1～B5， 磁珠)之前，驅(qū)動電路在不同工作頻率下所產(chǎn)生的電磁波的峰值(點(diǎn)1～7)都超過安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，且超過最高值(點(diǎn)7)達(dá)到19.75dB。不過，如圖4B所示，在設(shè)置三個阻抗元件(B1、B2、B3)于電源切換單元14內(nèi)及設(shè)置二個阻抗元件(B4、B5)于定電流單元16c內(nèi)之后，不同工作頻率下所產(chǎn)生的電磁波的峰值(點(diǎn)1～4)最高約為30dB左右，也符合法規(guī)的要求。

承上，在本實(shí)施的驅(qū)動電路1、1a～1c中，由于主要電磁干擾的原因來自于驅(qū)動電路11的集成電路IC1的工作頻率過高，并且在電源切換單元與定電流單元所產(chǎn)生的EMI問題較嚴(yán)重，因此，在驅(qū)動電路1、1a、1b中，通過對應(yīng)設(shè)置三個阻抗元件(B1、B2、B3)于電源切換單元14、14a、14b，另在驅(qū)動電路1c中，設(shè)置二個阻抗元件(B4、B5)于定電流單元16c中，不僅使得驅(qū)動電路1、1a～1c可符合標(biāo)準(zhǔn)MR16型LED燈泡的特定空間要求外，并可達(dá)到抑制電磁干擾的效果，而且在驅(qū)動電路1c的實(shí)施例中，電磁干擾的抑制效果更可達(dá)到法規(guī)上要求。

另外，補(bǔ)充說明的是，原本驅(qū)動發(fā)光單元2的電路若不設(shè)置上述任何的阻抗元件B1～B5時，則EMI將超過安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)約20～30dB之間。若像公知技術(shù)一樣，通過共模扼流圈來抑制EMI的話，雖然具有抑制EMI的效果，但無法將全部驅(qū)動電路置于標(biāo)準(zhǔn)的MR16型燈泡內(nèi)；若通過加入緩沖電路來抑制EMI的話，則不僅對發(fā)光效率影響較大，而且抑制EMI擾的效果也相當(dāng)有限(只有5～10dB的抑制能力)，無法達(dá)到安規(guī)上的要求。而通過本發(fā)明復(fù)合元件的電路設(shè)計(jì)，不僅可將電路元件置于標(biāo)準(zhǔn)的MR16型燈泡內(nèi)，而且可以解決EMI超標(biāo)的問題。再者，在上述的電源切換單元14、14a、14b中，阻抗元件B1～B3可與其它的元件整合成一個集成電路(也即將電源切換單元14的元件整合，且制作成IC)，由此減少空間上的使用。此外，由于標(biāo)準(zhǔn)MR16型LED燈泡的電路設(shè)置空間有限，在實(shí)施上，驅(qū)動電路1、1a～1c是使用4層板，日后若使用更小的元件或是使用整合外部零件的IC或晶體管的話，則可不限定于使用4層板，也可簡化至例如2層板。

綜上所述，在本發(fā)明的驅(qū)動電路中，由于主要電磁干擾的原因來自于驅(qū)動電路的集成電路的工作頻率過高，并且在電源切換單元所產(chǎn)生的問題較為嚴(yán)重。因此，本發(fā)明通過設(shè)置多個阻抗元件于電源切換單元中，不僅使驅(qū)動電路可符合燈泡特定的電路空間要求外，也可達(dá)到抑制電磁干擾的效果。在一個實(shí)施例中，除了設(shè)置多個阻抗元件于電源切換單元外，更在定電流單元 上另設(shè)置多個阻抗元件，同樣可符合燈泡的特定電路空間要求外，更使驅(qū)動電路的電磁干擾的抑制效果可達(dá)到法規(guī)上要求。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性的。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含在隨附的申請專利范圍中。