本發(fā)明涉及半導(dǎo)體、微電子及通訊技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊。

背景技術(shù)：

現(xiàn)代無線通訊技術(shù)發(fā)展迅速，高效率、高線性度和小型化等指標(biāo)對(duì)功率放大器的性能提出越來越高的要求。

放大器的漏極效率公式如下所示：

$DE=\frac{P_{Out,f}}{P_{DC}}=\frac{P_{Out,f}}{P_{diss}+P_{Out,f}+{\mathrm{\ΣP}}_{Out,nf}}$

由上式可知，放大器漏極效率與諧波功率，特別是二次諧波和三次諧波存在很大的關(guān)系。對(duì)放大器進(jìn)行諧波處理能夠抑制諧波功率，可以有效的提升放大器效率和線性度。

常用的放大器諧波處理方法主要是使用短截線或電容和電感構(gòu)成的集總諧振器實(shí)現(xiàn)放大器諧波調(diào)諧，對(duì)高次諧波進(jìn)行開路或者短路處理，將高次諧波能量全部反射回晶體管或包括晶體管的放大電路，提高放大器效率。

上述方法缺點(diǎn)是放大器的工作頻段不太高時(shí)，短截線或集總諧振器的體積較大，很難在管殼內(nèi)實(shí)現(xiàn)諧波內(nèi)匹配設(shè)計(jì)，只能在放大器封裝管殼外的電路板上才能進(jìn)行諧波調(diào)諧，實(shí)現(xiàn)晶體管或包括晶體管的放大電路諧波短路。然而在放大器封裝管殼外的電路板上進(jìn)行諧波調(diào)諧，存在以下問題：一、諧波匹配網(wǎng)絡(luò)需要占據(jù)大量的空間，不利于小型化。二、諧波匹配網(wǎng)絡(luò)離功率放大器的核心元件晶體管距離較遠(yuǎn)，損耗較高，導(dǎo)致功率放大器效率降低。三、諧波匹配網(wǎng)絡(luò)和基波匹配網(wǎng)絡(luò)之間相互干擾，設(shè)計(jì)難度較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，該放大模塊采用薄膜體聲波諧振器對(duì)晶體管進(jìn)行諧波調(diào)諧，提高放大模塊效率，改善放大模塊線性度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，包括：

信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端；

設(shè)置于所述信號(hào)輸入端與所述信號(hào)輸出端之間的晶體管，所述晶體管包括晶體管輸入端、晶體管輸出端和晶體管接地端；

通過電連接方式串聯(lián)于所述晶體管輸出端與所述信號(hào)輸出端之間的第一薄膜體聲波諧振器組陣列和/或通過電連接方式串聯(lián)于所述晶體管輸入端與所述信號(hào)輸入端之間的第二薄膜體聲波諧振器組陣列，所述薄膜體聲波諧振器組陣列用于晶體管高次諧波開路；；

固定放置所述晶體管以及所述薄膜體聲波諧振器陣列組的底座；

所述薄膜體聲波諧振器組陣列包括至少一個(gè)薄膜體聲波諧振器組；

所述薄膜體聲波諧振器組包括至少一個(gè)薄膜體聲波諧振器；

所述薄膜體聲波諧振器包括第一電極、第二電極以及設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間的介質(zhì)薄膜層。

優(yōu)選地，所述薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊還包括封裝管殼，所述封裝管殼包括管殼輸入端、管殼輸出端和直流偏置端；

所述管殼輸入端與所述信號(hào)輸入端相連接，所述管殼輸出端與所述信號(hào)輸出端相連接。

優(yōu)選地，所述底座接地。

優(yōu)選地，所述電連接方式包括通過鍵合線連接和通過電容、電阻或電感組成的電路連接。

優(yōu)選地，所述薄膜體聲波諧振器為固態(tài)封裝型薄膜體聲波諧振器、空腔型薄膜體聲波諧振器或隔膜型薄膜體聲波諧振器。

優(yōu)選地，所述介質(zhì)薄膜層為氮化鋁壓電介質(zhì)薄膜、氧化鋅介質(zhì)薄膜或鈦酸鍶鋇鐵電介質(zhì)薄膜。

應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，包括：信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端；設(shè)置于所述信號(hào)輸入端與所述信號(hào)輸出端之間的晶體管，所述晶體管包括晶體管輸入端、晶體管輸出端和晶體管接地端；通過電連接方式串聯(lián)于所述晶體管輸出端與所述信號(hào)輸出端之間的第一薄膜體聲波諧振器組陣列和/或通過電連接方式串聯(lián)于所述晶體管輸入端與所述信號(hào)輸入端之 間的第二薄膜體聲波諧振器組陣列，所述薄膜體聲波諧振器組陣列用于晶體管高次諧波開路；固定放置所述晶體管以及所述薄膜體聲波諧振器陣列組的底座；所述薄膜體聲波諧振器組陣列包括至少一個(gè)薄膜體聲波諧振器組；所述薄膜體聲波諧振器組包括至少一個(gè)薄膜體聲波諧振器；

所述薄膜體聲波諧振器包括第一電極、第二電極以及設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間的介質(zhì)薄膜層。所述薄膜體聲波諧振器對(duì)放大器進(jìn)行諧波調(diào)諧，將高次諧波全部反射回晶體管或包括晶體管的放大模塊，進(jìn)而能夠提高放大器效率，改善放大器線性度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例一的俯視圖；

圖2為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例一的剖視圖；

圖3為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例一的等效電路圖；

圖4為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器中的固態(tài)封裝型薄膜體聲波諧振器的剖視圖；

圖5為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器中的空腔型薄膜體聲波諧振器的剖視圖；

圖6為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器中的隔膜型薄膜體聲波諧振器的剖視圖；

圖7為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器的等效電路圖；

圖8為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器的理想的薄膜體聲波諧振器的阻抗結(jié)果；

圖9為本發(fā)明諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例一的串聯(lián)諧振器的剖視圖；

圖10為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例二的剖視圖；

圖11為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例二的等效電路圖；

圖12為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例三的剖視 圖；

圖13為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例三的等效電路圖；

圖14為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例四的薄膜體聲波諧振器剖視圖；

圖15為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例五的薄膜體聲波諧振器剖視圖；

圖16為本發(fā)明薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的實(shí)施例五的薄膜體聲波諧振器的等效電路圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一：

本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊俯視圖如圖1所示。該放大模塊包括晶體管12、薄膜體聲波諧振器101和102、管殼底座111、鍵合線15、1/4波長(zhǎng)微帶線16和內(nèi)匹配電容14。

晶體管可以是氮化鎵高電子遷移率晶體管、砷化鎵高電子遷移率晶體管、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管、橫向金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管或結(jié)型晶體管。晶體管的輸入端、輸出端和接地端分別為晶體管的柵極、漏極和源極或者為晶體管的基極、集電極和發(fā)射極。本實(shí)施例以氮化鎵高電子遷移率晶體管進(jìn)行舉例說明。

如圖1和圖2所示，管殼包括管殼底座111、管殼輸入端112、管殼輸出端113和漏極直流偏置端114。管殼輸入端112和管殼輸出端113之間設(shè)有絕緣材料115，實(shí)現(xiàn)電隔離。晶體管的柵極122為輸入端、漏極123為輸出端、晶體管的源極121為接地端。

1/4波長(zhǎng)微帶線16的特性阻抗為50歐姆，微帶線的電長(zhǎng)度為放大模塊工作頻率的1/4波長(zhǎng)。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，設(shè)計(jì)鍵合線15使其與直流偏置端和管殼底 座形成的電容諧振于放大模塊的工作頻率。經(jīng)過1/4波長(zhǎng)微帶線變換后，在與諧振器鍵合線連接處實(shí)現(xiàn)開路。1/4波長(zhǎng)線保證了直流偏置端不會(huì)對(duì)放大模塊的RF信號(hào)輸出端造成影響。

薄膜體聲波諧振器101和102、晶體管12、內(nèi)匹配電容14設(shè)置于管殼底座111之上，實(shí)際應(yīng)用時(shí)優(yōu)選方案可以通過焊料將其焊接于底座之上。氮化鎵高電子遷移率晶體管源極設(shè)有通孔124，通孔124側(cè)壁上鍍有導(dǎo)電金屬，實(shí)現(xiàn)晶體管源極接地。

本實(shí)施例中電連接包括通過鍵合線連接和通過電容、電阻或電感組成的電路連接；

本實(shí)施例中管殼輸入端112連接信號(hào)輸入端，管殼輸出端113連接信號(hào)輸出端。輸出端112和輸出端113之間通過絕緣材料115實(shí)現(xiàn)電隔離。晶體管的輸入端122、內(nèi)匹配電容、管殼輸入端通過鍵合線15電連接。晶體管輸出端123與薄膜體聲波諧振器組101的上電極通過鍵合線15電連接，薄膜體聲波諧振器組101的下電極通過鍵合線15電連接與薄膜體聲波諧振器組102的上電極連接，薄膜體聲波諧振器組102的下電極與管殼輸出端113通過鍵合線15電連接。

本實(shí)施例提供的薄膜體聲波諧振器輸出薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊等效電路圖如圖3所示。薄膜體聲波諧振器1的并聯(lián)諧振頻率與功率放大模塊工作頻率的二次諧波頻率相等，薄膜體聲波諧振器2的并聯(lián)諧振頻率與功率放大模塊工作頻率的三次諧波頻率相等，實(shí)現(xiàn)輸出二次諧波和三次諧波開路。

本實(shí)施例中的薄膜體聲波諧振器組陣列包括兩個(gè)薄膜體聲波諧振器組，每組中有一個(gè)薄膜體聲波諧振器。所述薄膜體聲波諧振器包括第一電極、第二電極以及設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間的介質(zhì)薄膜層。薄膜體聲波諧振器(FBAR，F(xiàn)ilm Bulk Acoustic Resonator)為三明治結(jié)構(gòu)，介質(zhì)薄膜層夾于第一電極和第二電極之間。

薄膜體聲波諧振器可為固態(tài)封裝型薄膜體聲波諧振器、空腔型薄膜體聲波諧振器或隔膜型薄膜體聲波諧振器，其中，介質(zhì)薄膜層可以為壓電薄膜或者鐵電薄膜，其材料可以是氮化鋁、氧化鋅或鈦酸鍶鋇。以氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)為代表的壓電材料，以及鐵電薄膜鈦酸鍶鋇(BST)在外加偏 置下，都非常適合制備高性能的薄膜體聲波諧振器。圖4～圖6分別示出了三種類型薄膜體聲波諧振器的結(jié)構(gòu)示意圖，三種類型的薄膜體聲波諧振器均包括：下電極131、上電極132，以及設(shè)置在下電極131和上電極132之間的介質(zhì)薄膜層133；

由圖4可知，固態(tài)封裝型薄膜體聲波諧振器還包括：位于下電極131之下的布拉格反射層1311和襯底1312。其中，布拉格反射層包括至少三組布拉格子反射層，布拉格子反射層自上而下包括：依次層疊的第一子反射層13111和第二子反射層13112，第一子反射層13111的聲阻抗低于第二子反射層13112的聲阻抗；第一子反射層13111和第二子反射層13112的厚度均為放大模塊諧波頻率對(duì)應(yīng)的該薄膜材料中聲波波長(zhǎng)四分之一的整數(shù)倍。第一子反射層13111和第二子反射層13112的材料可以分別為二氧化硅和鉬。該布拉格反射層能夠?qū)⒈∧そ橘|(zhì)產(chǎn)生的聲能量全反射回諧振器，提高諧振器的性能。

由圖5可知，空腔型薄膜體聲波諧振器還包括：位于下電極131之下，自上而下依次層疊的支持層1321和襯底1322，其中，襯底1322位于支持層1321的兩端。該空腔能夠?qū)⒈∧そ橘|(zhì)產(chǎn)生的聲能量全反射回諧振器，提高諧振器的性能。

由圖6可知，隔膜型薄膜體聲波諧振器還包括：位于下電極131之下，自上而下依次層疊的支持層1331和襯底1332，其中，諧振器和支持層1331下側(cè)區(qū)域設(shè)置有空腔1333，空腔1333內(nèi)裝有空氣。該空腔能夠?qū)⒈∧そ橘|(zhì)產(chǎn)生的聲能量全反射回諧振器，提高諧振器的性能。

薄膜體聲波諧振器的諧振頻率由電極材料、電極厚度、介質(zhì)薄膜材料和介質(zhì)厚度決定。理想的薄膜體聲波諧振器的等效電路如圖7所示，包括靜態(tài)電容C₀，動(dòng)態(tài)電容C_m和動(dòng)態(tài)電感L_m。如圖8所示薄膜體聲波諧振器存在兩個(gè)諧振頻率，低阻抗的串聯(lián)諧振頻率由動(dòng)態(tài)電容C_m和動(dòng)態(tài)電感L_m諧振形成，高阻抗的并聯(lián)諧振頻率由靜態(tài)電容C₀,動(dòng)態(tài)電容C_m和動(dòng)態(tài)電感L_m共同諧振形成。在諧振頻率外的頻段，薄膜體聲波諧振器等價(jià)為靜態(tài)電容。特別有意義的是將多個(gè)薄膜體聲波諧振器級(jí)聯(lián)時(shí)，能夠展寬諧振器的諧振頻率，非常適合寬頻帶內(nèi)對(duì)晶體管進(jìn)行諧波處理。

將薄膜體聲波諧振器應(yīng)用于晶體管或包括晶體管的放大電路的高次諧波調(diào)諧，實(shí)現(xiàn)高次諧波開路，將能量全部反射回晶體管或包括晶體管的放大電 路。當(dāng)薄膜體聲波諧振器與晶體管串聯(lián)，且薄膜體聲波諧振器并聯(lián)諧振頻率與晶體管的高次諧波(nf₀，其中f₀為基波頻率)發(fā)生諧振時(shí)，實(shí)現(xiàn)高次諧波開路。

本實(shí)施例以固態(tài)封裝型薄膜體聲波諧振器進(jìn)行舉例說明。

薄膜體聲波諧振器101和102的剖視圖如圖9所示，包括Bragg反射層、底電極131、介質(zhì)薄膜133和上電極132。Bragg反射層33從基片向上依次由3組高聲阻抗層和低聲阻抗層交疊而成，用于將薄膜體聲波諧振器的聲能量反射回諧振器。高聲阻抗層可以是Mo薄膜、低聲阻抗層可以是SiO₂薄膜。底電極131和上電極132可以是金、鉑、鉬等導(dǎo)電金屬薄膜。介質(zhì)薄膜可以是壓電介質(zhì)薄膜氧化鋅、氮化鋁或者是鐵電介質(zhì)薄膜鈦酸鍶鋇。

本實(shí)施例一提供的薄膜體聲波諧振器輸出薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，將薄膜體聲波諧振器組與晶體管封裝于同一底座上，實(shí)現(xiàn)輸出二、三次諧波開路，同時(shí)通過調(diào)節(jié)晶體管輸出端鍵合線的長(zhǎng)度，進(jìn)行諧波阻抗調(diào)節(jié)，從而提高基于該放大模塊的放大器的效率，改善放大器的線性度。該模塊只需要在輸出外匹配電路進(jìn)行基波匹配，由于該放大模塊已經(jīng)完成了諧波匹配，大大縮小了諧波調(diào)諧功率放大模塊的電路尺寸，同時(shí)降低設(shè)計(jì)難度。

實(shí)施例二：

實(shí)施例二提供的輸入薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊剖視圖如圖10所示，等效電路圖如圖11所示。

本實(shí)施例三提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，薄膜體聲波諧振器組陣列包括兩個(gè)薄膜體聲波諧振器組，每組中有一個(gè)薄膜體聲波諧振器。將薄膜體聲波諧振器組與晶體管封裝于同一底座上，對(duì)晶體管輸入端實(shí)現(xiàn)輸入二次諧波和三次諧波開路。同時(shí)通過調(diào)節(jié)晶體管輸入端鍵合線的長(zhǎng)度，進(jìn)行諧波阻抗的相位和阻抗調(diào)節(jié)，使晶體管獲得最佳源阻抗Zs，從而提高基于該放大模塊的放大器效率，改善放大器的線性度?；谠撃K的放大器設(shè)計(jì)時(shí)只需要在輸入端進(jìn)行外匹配電路設(shè)計(jì)，進(jìn)行基波匹配。由于該放大模塊已經(jīng)完成了諧波匹配，可以大大縮小放大器電路尺寸，同時(shí)降低放大器的設(shè)計(jì)難度。

實(shí)施例三：

實(shí)施例三提供的輸入輸出薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊俯視圖如 圖12所示，等效電路圖如圖13所示。與實(shí)施例一或?qū)嵤├煌氖蔷w管輸入端和輸出端同時(shí)對(duì)晶體管進(jìn)行諧波調(diào)諧。本實(shí)施例中晶體管輸入端與晶體管輸出端均設(shè)置薄膜體聲波諧振器組陣列，每一薄膜體聲波諧振器組陣列包括兩個(gè)薄膜體聲波諧振器組，每組中有一個(gè)薄膜體聲波諧振器。

本實(shí)施例三提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，將薄膜體聲波諧振器組與晶體管封裝于同一底座上，實(shí)現(xiàn)輸入、輸出端二次諧波和三次諧波開路，同時(shí)通過調(diào)節(jié)晶體管輸入、輸出端鍵合線的長(zhǎng)度，進(jìn)行實(shí)現(xiàn)諧波阻抗的相位和阻抗調(diào)節(jié)，使晶體管獲得最佳源阻抗Zs和最佳負(fù)載阻抗Zl，從而提高基于該放大模塊的放大器效率和線性度。由于該放大模塊已經(jīng)完成了諧波匹配，放大器設(shè)計(jì)時(shí)只需要在外匹配電路進(jìn)行基波匹配，大大縮小了放大器的電路尺寸，同時(shí)降低設(shè)計(jì)難度。

實(shí)施例四：

實(shí)施例四提供的薄膜體聲波諧振器薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的薄膜體聲波諧振器組包含兩個(gè)薄膜體聲波諧振器組，如圖14所示。以實(shí)施例一至實(shí)施例三不同的是直接將多組薄膜體聲波諧振器集成在一起，本實(shí)施例四提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊以兩組薄膜體聲波諧振器集成在一起為例進(jìn)行舉例說明。如圖14所示薄膜體聲波諧振器陣列包含兩個(gè)薄膜體聲波諧振器組，每組薄膜體聲波諧振器包括一個(gè)分立諧振器。薄膜體聲波諧振器組包含諧振器101和102或諧振器103和104。諧振器101和諧振器102共用下電極，諧振器101和諧振器102的上電極彼此隔離；諧振器103和諧振器104共用下電極，諧振器103和諧振器104的上電極彼此隔離。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)每個(gè)薄膜體聲波諧振器可實(shí)現(xiàn)一個(gè)高次諧波調(diào)諧。

本實(shí)施例提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊，直接將多組薄膜體聲波諧振器集成在一起，每個(gè)薄膜體聲波諧振器可實(shí)現(xiàn)一個(gè)高次諧波調(diào)諧。該放大模塊可進(jìn)一步減小諧振器陣列組的尺寸。

實(shí)施例五：

實(shí)施例五提供的薄膜體聲波諧振器薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊中薄膜體聲波諧振器組陣列包括多個(gè)薄膜體聲波諧振器組，同時(shí)一個(gè)薄膜體聲波諧振器組又包括多個(gè)薄膜體聲波諧振器，展寬薄膜體聲波諧振器的諧振頻率，實(shí)現(xiàn)適用于寬帶諧波調(diào)諧功率放大器的放大模塊。本實(shí)施例以薄膜體 聲波諧振器陣列包含一個(gè)薄膜體聲波諧振器組，薄膜體聲波諧振器組包含三個(gè)薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)進(jìn)行舉例說明。

如圖15所示，采用三個(gè)薄膜體諧振器形成一個(gè)薄膜體聲波諧振器組，等效電路為T型匹配網(wǎng)絡(luò)，如圖16所示，諧振器1和3的諧振頻率略高于諧振器2，可以展寬諧振器組的諧波頻率，實(shí)現(xiàn)寬頻帶放大模塊諧波調(diào)諧。

本實(shí)施例提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊的薄膜體聲波諧振器組包含多個(gè)薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)，多個(gè)薄膜體聲波諧振器可展寬諧振器組的串聯(lián)諧振頻率，從而實(shí)現(xiàn)寬頻帶放大模塊諧波調(diào)諧，將高次諧波能量全部反射會(huì)晶體管，提基于該放大模塊的放大器的線性度和效率。

實(shí)施例六：

實(shí)施例六提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊可以針對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行改進(jìn)。直接將底座嵌入熱沉之上，晶體管的柵極與輸入匹配網(wǎng)絡(luò)電連接，晶體管的漏極與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)電連接，漏極直流偏置端直接與電路直流偏置端電連接。輸入匹配網(wǎng)絡(luò)為信號(hào)輸入端，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)為信號(hào)輸出端。

本發(fā)明實(shí)施例六提供的薄膜體聲波諧振器諧波調(diào)諧放大模塊直接將晶體管、薄膜體聲波諧振器及1/4波長(zhǎng)變換線焊接于底座上，實(shí)現(xiàn)高次諧波開路。

需要說明的是，本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的模塊進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解 本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。