技術(shù)特征：

1.一種比較器，包括：

n型輸入級，其連接以接收差分輸入信號，所述差分輸入信號具有負輸入分量和正輸入分量；

p型輸入級，其連接以接收所述差分輸入信號；

共享負載級，其連接到所述n型輸入級和所述p型輸入級，所述共享負載級包括由所述n型輸入級和所述p型輸入級共用的負載器件；以及

輸出級，其連接到所述共享負載級，并被配置為提供表示所述差分輸入信號的相對電壓水平的比較器輸出信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其中，所述n型輸入級包括：

第一n型晶體管和第二n型晶體管的差分對，其在它們的源極節(jié)點處耦合到電流宿，其中，(i)所述第一n型晶體管具有連接以接收所述正輸入分量的柵極節(jié)點，及(ii)所述第二n型晶體管具有連接以接收所述負輸入分量的柵極節(jié)點；以及

一個或多個有源負載晶體管，其連接到所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管之一的漏極節(jié)點，其中，所述有源負載晶體管中的至少一個被連接到所述共享負載級。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的比較器，其中：

第一p型有源負載晶體管具有連接到所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管之一的所述漏極節(jié)點的柵極節(jié)點和漏極節(jié)點；以及

第二p型有源負載晶體管具有連接到所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管之一的所述漏極節(jié)點的柵極節(jié)點，以及連接到所述共享負載級的漏極節(jié)點。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其中，所述p型輸入級包括：

第一p型晶體管和第二p型晶體管的差分對，其在它們的源極節(jié)點處耦合到電流源，其中，(i)所述第一p型晶體管具有連接以接收所述正輸入分量的柵 極節(jié)點，及(ii)所述第二p型晶體管具有連接以接收所述負輸入分量的柵極節(jié)點；以及

一個或多個有源負載晶體管，其連接到所述第一p型晶體管和所述第二p型晶體管之一的漏極節(jié)點，其中，所述有源負載晶體管中的至少一個被連接到所述共享負載級。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的比較器，其中：

第一n型有源負載晶體管具有連接到所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管之一的所述漏極節(jié)點的柵極節(jié)點和漏極節(jié)點；以及

第二n型有源負載晶體管具有連接到所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管之一的所述漏極節(jié)點的柵極節(jié)點，以及連接到所述共享負載級的漏極節(jié)點。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其中，所述共享負載級包括：

至少一個p型共享負載晶體管和一個n型共享負載晶體管，每一個共享負載晶體管都連接到所述p型輸入級、所述n型輸入級和所述輸出級。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的比較器，其中：

p型共享負載晶體管具有連接到所述p型輸入級、所述n型輸入級和所述輸出級的柵極和漏極；以及

n型共享負載晶體管具有連接到所述p型輸入級、所述n型輸入級和所述輸出級的柵極和漏極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其中，所述輸出級包括：

n型輸出晶體管和p型輸出晶體管，其在它們的漏極節(jié)點處彼此連接以構(gòu)成比較器輸出節(jié)點，所述比較器輸出節(jié)點連接以提供所述比較器輸出信號。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其中：

如果所述差分輸入信號的共模電壓基本上接近于所述比較器的電源軌，所述p型輸入級就被配置為不工作；以及

如果所述差分輸入信號的所述共模電壓基本上接近于所述比較器的接地軌，所述n型輸入級就被配置為不工作。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的比較器，其中：

所述p型輸入級包括電連接到電流源的p型晶體管，并且所述n型輸入級包括電連接到電流宿的n型晶體管，

如果所述差分輸入信號的所述共模電壓大于(Vdd-V_dsatP-V_thP)，所述p型輸入級就被配置為不工作，其中，Vdd是施加到所述比較器的所述電源軌的電源電壓，V_dsatP是當所述電流源正確操作時在所述電流源兩端的最小壓降，V_thP是所述p型晶體管的閾值電壓，以及

如果所述差分輸入信號的所述共模電壓小于(V_dsatN+V_thN)，所述n型輸入級就被配置為不工作，其中，V_dsatN是當所述電流宿正確操作時在所述電流宿兩端的最小壓降，V_thN是所述n型晶體管的閾值電壓。