本發(fā)明屬于電路保護(hù)領(lǐng)域，具體涉及一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路。

背景技術(shù)：

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，即MOSFET是一種單極型電壓控制元件，它具有開(kāi)關(guān)速度非?？?，高輸入阻抗和低驅(qū)動(dòng)電流，安全工作區(qū)大，無(wú)二次擊穿問(wèn)題，漏極電流為負(fù)的溫度系數(shù)有良好的熱穩(wěn)定性等。

而通常MOSFET的短路保護(hù)的電路，都是采用在驅(qū)動(dòng)芯片加二極管至漏極的方式，當(dāng)MOSFET開(kāi)通后，如果產(chǎn)生過(guò)流或短路現(xiàn)象，當(dāng)漏源兩端電壓高于二極管正向?qū)妷簳r(shí)，該二極管截止，關(guān)閉驅(qū)動(dòng)輸出。該方式最大的弊端是由于二極管正向壓降曲線非線性及其離散性，導(dǎo)致短路保護(hù)電流有較大的變化范圍，不能準(zhǔn)確判定電流大小，從而給短路保護(hù)效能帶來(lái)不確定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)，提供一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，包括MCU（1）、與門(mén)（2）、驅(qū)動(dòng)電路（3）、MOSFET（5）、差動(dòng)放大電路（6）、濾波電路（7）、比較器（8）、單穩(wěn)電路（9）；其中，所述MCU（1）通過(guò)與門(mén)（2）連接驅(qū)動(dòng)電路（3）；所述驅(qū)動(dòng)電路連接MOSFET（5）的柵極；所述MOSFET（5）與差動(dòng)放大電路（6）相連；所述差動(dòng)放大電路（6）通過(guò)濾波器（7）連接比較器（8）；所述比較器（8）與單穩(wěn)電路（4）連接；所述單穩(wěn)電路（4）分別與MCU（1）和與門(mén)（2）連接。

上述一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，所述微控制器MCU（1）信號(hào)線連接與門(mén)（2），該信號(hào)線MCU（1）的關(guān)閉控制信號(hào)。

上述一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，所述MOSFET（5）的漏極通過(guò)電阻R1連接差動(dòng)放大器U1的正極；所述MOSFET（5）的源極通過(guò)電阻R3連接差動(dòng)放大器U1的負(fù)極。

上述一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，所述差動(dòng)放大器U1為高壓差動(dòng)放大器，電阻R2的兩端分別連接至差動(dòng)放大器U1的正、負(fù)極，電阻R2上的電壓作為差動(dòng)放大器U1的輸入。

上述一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，所述濾波器（7）為RC濾波器，對(duì)功率電路上的噪聲進(jìn)行濾波。

上述一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，所述比較器（8）的正極連接濾波器，負(fù)極為VREF，比較器（8）輸出連接單穩(wěn)電路（4）。

上述一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，所述單穩(wěn)電路（4）分別連接至微控制器MCU（1）和與門(mén)（2）。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明因考慮到在通常MOSFET的短路保護(hù)的電路中MCU無(wú)法快速響應(yīng)相關(guān)信號(hào)，所以采用了單穩(wěn)電路，其中的單穩(wěn)觸發(fā)器的作用是快速關(guān)閉MOSFET驅(qū)動(dòng)，給MCU足夠的響應(yīng)時(shí)間。當(dāng)MCU響應(yīng)后，由MCU接管控制信號(hào)，穩(wěn)定關(guān)閉MOSFET驅(qū)動(dòng)輸出，已達(dá)成穩(wěn)定、可靠的關(guān)閉MOSFET，保護(hù)功率電路，同時(shí)，本發(fā)明由于直接采集MOSFET導(dǎo)通時(shí)的漏源電壓，大大提高了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的檢測(cè)漏源電壓值的準(zhǔn)確性。

附圖說(shuō)明

下面通過(guò)附圖并結(jié)合實(shí)施例具體描述本發(fā)明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)方式將會(huì)更加明顯，其中附圖所示內(nèi)容僅用于對(duì)本發(fā)明的解釋說(shuō)明，而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的任何意義上的限制。

圖1是本發(fā)明一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1、微控制器MCU；2、與門(mén)；3、驅(qū)動(dòng)電路；4、單穩(wěn)電路；5、MOSFET；6、差動(dòng)電路；7、濾波電路；8、比較器。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明：本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變型和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明保護(hù)范圍。

如圖1所示，一種直接測(cè)量MOSFET導(dǎo)通后的漏源電壓進(jìn)行短路保護(hù)的電路，包括1、微控制器MCU；2、與門(mén)；3、驅(qū)動(dòng)電路；4、單穩(wěn)電路；5、MOSFET；6、差動(dòng)電路；7、濾波電路；8、比較器；

其中，所述微控制器MCU 1通過(guò)與門(mén)2連接驅(qū)動(dòng)電路3；所述驅(qū)動(dòng)電路3連接MOSFET 5的柵極；所述MOSFET 5的漏極和源極與差動(dòng)放大電路6相連；所述差動(dòng)放電路6通過(guò)濾波電路7連接比較器8；所述比較器7與單穩(wěn)電路4連接；所述單穩(wěn)電路4連接與門(mén)2和MCU1。

進(jìn)一步地，所述MCU 1連接與門(mén)2，MCU傳遞關(guān)閉MOSFET5信號(hào)。

進(jìn)一步地，所述MOSFET 5的漏極通過(guò)電阻R1連接差動(dòng)放大器U1的正極；所述MOSFET 5的源極通過(guò)電阻R3連接差動(dòng)放大器5的負(fù)極。

進(jìn)一步地，所述差動(dòng)放大器U1為高壓差動(dòng)放大器，其正極與負(fù)極分別通過(guò)電阻R2相連接。

進(jìn)一步地，所述濾波器6為RC濾波器。

進(jìn)一步地，所述比較器7的正極連接濾波器，負(fù)極為VREF，比較器的輸出連接單穩(wěn)電路。

進(jìn)一步地，所述單穩(wěn)電路的輸出分別連接至與門(mén)2與MCU1。

本發(fā)明的工作原理：

MOSFET導(dǎo)通后，流經(jīng)MOSFET的電流由高壓差動(dòng)放大電路檢測(cè)，高壓差動(dòng)放大器檢測(cè)后的輸出，經(jīng)過(guò)濾波后進(jìn)入比較器，當(dāng)MOSFET的電流短路或者過(guò)流時(shí)，差動(dòng)放大器輸出的信號(hào)經(jīng)過(guò)濾波后高于比較器的參考電壓VREF，觸發(fā)比較器，比較器的輸出又觸發(fā)單穩(wěn)電路，單穩(wěn)電路輸出信號(hào)分別送入與門(mén)和MCU，快速使MOSFET關(guān)閉，達(dá)到保護(hù)功率電路的效果。

以上所述為本發(fā)明的優(yōu)選應(yīng)用范例，并非對(duì)本發(fā)明的限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)要點(diǎn)做出的簡(jiǎn)單修改、結(jié)構(gòu)更改變化均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。