本申請(qǐng)要求于2014年3月27日提交的題為“SYSTEMS AND METHODS FOR COMMON MODE LEVEL SHIFTING(用于共模電平移位的系統(tǒng)和方法)”的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)No.14/228,049的權(quán)益，該臨時(shí)申請(qǐng)的全部內(nèi)容由此通過援引納入于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及電壓控制，尤其涉及共模電壓電平移位。

背景

在差分信令中，按常規(guī)是要從低共模電壓域轉(zhuǎn)換至高共模電壓域。例如，接收機(jī)可使用要求相對(duì)較高的共模電壓的NMOS晶體管差分對(duì)。但是該系統(tǒng)的發(fā)射機(jī)或其他組件可能正使用低共模電壓。

例如，在一些高速有線應(yīng)用中，接收機(jī)輸入信號(hào)終接在低共模電壓電平處，諸如0V或數(shù)百mV。為了進(jìn)一步處理高速信號(hào)(例如，6-10Gb/s)，NMOS差分對(duì)由于較低寄生效應(yīng)而一般優(yōu)于PMOS，盡管一些應(yīng)用使用PMOS。轉(zhuǎn)換緩沖器被用于將低共模電壓高速信號(hào)轉(zhuǎn)換為高共模電壓電平。

為了執(zhí)行向高共模域的電平移位，按常規(guī)是要通過分流電容器來接收每個(gè)差分輸入信號(hào)。例如，一個(gè)差分輸入信號(hào)可記為rxinp(接收機(jī)輸入正)，而互補(bǔ)差分輸入信號(hào)可記為rxinn(接收機(jī)輸入負(fù))。Rxinp將通過分流電容器來被接收。類似地，rxinn也將通過分流電容器來被接收。這些分流電容器阻擋收到的共模電壓，從而收到信號(hào)隨后使用例如分壓器來被推升以提供期望的相對(duì)較高的共模電壓。但是此種安排一般僅對(duì)相對(duì)較高頻率的差分信號(hào)奏效。隨著輸入頻率被降低，分流電容器將不僅阻擋收到的共模電壓，而且還阻擋該信號(hào)的交流(AC)部分。此種常規(guī)電平移位安排因此不適于某些寬帶應(yīng)用。

因此，本領(lǐng)域需要在低頻域和高頻域兩者(寬帶操作)中工作的改善型共模電平移位器。

概述

提供了用于對(duì)共模電壓進(jìn)行電平移位的電路。在一個(gè)示例中，一種電路通過分流電容器向輸出節(jié)點(diǎn)對(duì)提供電平移位差分輸入信號(hào)，從而跨這些輸出節(jié)點(diǎn)的輸出差分電壓具有等于閾值電壓產(chǎn)生設(shè)備的閾值電壓的共模電壓。這些輸出節(jié)點(diǎn)由電流源來驅(qū)動(dòng)，這些電流源以前饋方式從差分輸入信號(hào)的共模電壓來被反向控制。

在一個(gè)實(shí)施例中，該電路的操作包括在將每個(gè)差分輸入電壓通過電容器耦合至其相應(yīng)的PMOS晶體管的源極之時(shí)，分別用差分輸入電壓來驅(qū)動(dòng)PMOS晶體管對(duì)的柵極。該電路的操作還包括將被驅(qū)動(dòng)經(jīng)過每個(gè)PMOS晶體管驅(qū)動(dòng)的電流反向控制到針對(duì)這些差分輸入電壓的共模電壓。

在另一實(shí)施例中，該電路的操作包括在將該差分輸入電壓的每個(gè)分量通過電容器耦合至其NMOS晶體管的漏極時(shí)，用差分輸入電壓來驅(qū)動(dòng)NMOS晶體管對(duì)的源極。該電路的操作還包括將被驅(qū)動(dòng)經(jīng)過每個(gè)NMOS晶體管驅(qū)動(dòng)的電流反向控制到針對(duì)這些差分輸入電壓的共模電壓。

各種實(shí)施例提供了優(yōu)于常規(guī)解決方案的一個(gè)或多個(gè)優(yōu)勢。例如，受前饋控制的電流源提供共模電壓的可靠電平移位，從而允許應(yīng)用接收具有較高或較低共模電壓的信號(hào)。而且，差分信號(hào)的AC分量——攜帶信息的部分——通過驅(qū)動(dòng)輸出晶體管的各端口來調(diào)制諸輸出節(jié)點(diǎn)的電壓，甚至是在較低頻率的電壓。因此，可在寬帶應(yīng)用中采用各種實(shí)施例。這些和其它優(yōu)勢可通過以下詳細(xì)描述來更好地領(lǐng)會(huì)。

附圖簡述

圖1解說了根據(jù)本公開的實(shí)施例的具有電壓電平移位電路的示例系統(tǒng)。

圖2解說了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于共模電壓電平移位電路的示例架構(gòu)。

圖3解說了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于共模電壓電平移位電路的另一示例架構(gòu)。

圖4解說了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于圖2和3的系統(tǒng)的示例方法的流程圖。

詳細(xì)描述

在討論各種實(shí)施例之前，一些概念的說明可幫助理解以下示例。差分信令包括在兩個(gè)成對(duì)導(dǎo)體上傳送信息，其中一個(gè)導(dǎo)體上的分量與另一導(dǎo)體上的分量互補(bǔ)。因此，差分信號(hào)的這兩個(gè)互補(bǔ)分量通常被稱為正和負(fù)信號(hào)。常規(guī)的差分信令接收機(jī)檢測這兩個(gè)互補(bǔ)信號(hào)之差。

差分信令對(duì)于高速數(shù)據(jù)可能是有利的，這與單端信令(諸如其中信號(hào)以接地為參照)是相反的。例如，在具有單端信令的情況下，傳輸線受制于噪聲，諸如當(dāng)毗鄰于傳輸線的晶體管切換狀態(tài)時(shí)。單端接收機(jī)因此可被噪聲所欺騙并造成比特差錯(cuò)。但在差分信令中，噪聲均等地(或至少接近均等地)影響正信號(hào)和負(fù)信號(hào)，且常規(guī)接收機(jī)將在其檢測正信號(hào)與負(fù)信號(hào)之差時(shí)忽略該噪聲。

共模電壓包括該差分信號(hào)的以一個(gè)符號(hào)呈現(xiàn)在該導(dǎo)體對(duì)的兩個(gè)導(dǎo)體上的分量。共模電壓是每個(gè)導(dǎo)體的電壓的矢量和的一半。共模電壓由式1給出，其中V1是一個(gè)導(dǎo)體的電壓，而V2是另一導(dǎo)體的電壓：

(式1) Vcom-(V1+V2)/2

圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于電平移位電路110的示例應(yīng)用100。圖1的系統(tǒng)包括電路102，其操作相對(duì)較低的共模電壓，諸如大約數(shù)百mV。電路104在相對(duì)較高的共模電壓操作，諸如大約VDD/2。當(dāng)然，針對(duì)共模電壓給出的示例僅是為了易于說明，且應(yīng)理解，各種實(shí)施例可在任何恰適的共模電壓操作。

電路102的示例包括數(shù)據(jù)接收機(jī)中的將信號(hào)終接于0V或接近0V的電路，而電路104的示例包括該RF接收機(jī)電路中的在差分對(duì)中使用NMOS晶體管(這里未示出)以接收具有約VDD/2的較高共模電壓的信號(hào)的另一部分。在電路104中，一個(gè)NMOS晶體管在其柵極上接收正信號(hào)，而另一NMOS晶體管在其柵極上接收負(fù)信號(hào)。差分對(duì)響應(yīng)于差分輸入而導(dǎo)引尾電流。隨著正輸入升到VDD/2以上，相應(yīng)的NMOS實(shí)質(zhì)上傳導(dǎo)所有尾電流。隨著負(fù)輸入升到VDD/2以上，相應(yīng)的NMOS實(shí)質(zhì)上傳導(dǎo)所有尾電流。共模在VDD/2的情況下，差分對(duì)因此處于均衡且能作出快速位判決。

電路110包括針對(duì)共模電壓的電平移位電路。具體地，電路110從電路102接收差分信號(hào)并將共模電壓上移至與電路104的電平相當(dāng)?shù)碾娖?。電?10在寬頻譜上保留差分信號(hào)的AC分量，如以下所說明的。盡管以上示例描述了在RF接收機(jī)中使用的電平移位電路110，但應(yīng)理解，各種實(shí)施例可被用于其中共模電壓被移位的各種其他應(yīng)用中的任何應(yīng)用。

這些概念和特征可通過以下對(duì)示例實(shí)施例的討論來更好地領(lǐng)會(huì)。

示例電路實(shí)施例

各種實(shí)施例涉及在具有寬帶操作的設(shè)備中適用的共模電平移位電路。為了提供寬帶操作，收到的差分信號(hào)通過分流電容器傳遞至輸出節(jié)點(diǎn)，類似于以上針對(duì)常規(guī)解決方案所討論的。但該共模電壓通過電流源的前饋控制來被控制，這些電流源響應(yīng)于差分輸入信號(hào)的共模電壓通過相應(yīng)的電流路徑來反向驅(qū)動(dòng)這些輸出節(jié)點(diǎn)。隨著差分輸入信號(hào)的共模電壓上升，這些電流源的反向前饋控制減小被驅(qū)動(dòng)經(jīng)過驅(qū)動(dòng)諸輸出節(jié)點(diǎn)的電流路徑的電流。相反，如果差分輸入信號(hào)的共模電壓下降，則這些電流源的反向前饋控制增大被驅(qū)動(dòng)經(jīng)過驅(qū)動(dòng)諸輸出節(jié)點(diǎn)的電流路徑的電流。

每個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)耦合至閾值電壓設(shè)備，該閾值電壓設(shè)備將輸出節(jié)點(diǎn)維持在高于相應(yīng)輸入節(jié)點(diǎn)電壓的閾值電壓處。因?yàn)榉至麟娙萜髯钃跞魏屋斎牍材ｋ妷和ㄟ^，所以針對(duì)輸出差分電壓(其可被指定為eqinp和eqinn)的共模電壓等于該設(shè)備的該閾值電壓。差分信號(hào)的AC部分在避開這些分流電容器的路徑上被應(yīng)用于這些輸出節(jié)點(diǎn)，藉此甚至在較低頻率處保留了AC信息。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖2解說了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例適配的電平移位電路250。電路250可被用作圖1的架構(gòu)中的電平移位電路110。

電路250包括接收差分信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)202，其中該差分信號(hào)的正分量和負(fù)分量分別給定為rxinp和rxinn。電阻器R1和R2充當(dāng)分壓器以向電流源204提供輸入共模電壓Vcom。電路250還包括閾值電壓電路206，其設(shè)置在電路250的輸出處的差分信號(hào)的輸出共模電壓。閾值電壓電路206在PMOS晶體管P1和P2的柵極處以及還經(jīng)由分流電容器C1和C2在輸出節(jié)點(diǎn)280處接收輸入差分信號(hào)。經(jīng)電平移位的差分信號(hào)的正分量和負(fù)分量給定為eqinp和eqinn。電路100的操作在下文更詳細(xì)地描述。

這些輸出節(jié)點(diǎn)208是晶體管P1和P2的源極。正差分輸入信號(hào)rxinp直接驅(qū)動(dòng)P1的柵極并且還通過分流電容器C1驅(qū)動(dòng)其源極。類似地，負(fù)差分輸入信號(hào)rxinn直接驅(qū)動(dòng)P2的柵極并且還通過分流電容器C2驅(qū)動(dòng)P2的源極。對(duì)于高頻輸入信號(hào)而言，因此可以看到輸入信號(hào)rxinp和rxinn的AC部分將經(jīng)過這些分流電容器分別去往P1和P2的源極。Eqinp是P1的源極處的正差分輸出電壓，而eqinn是P2的源極處的負(fù)差分輸出電壓。轉(zhuǎn)向電路250的各個(gè)電流源，注意到，晶體管P5和P6兩者驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)過閾值電壓電路206。晶體管P5和P6兩者通過其柵極連接至晶體管P4的柵極。晶體管P4是電流源204的一部分，如以下更詳細(xì)說明的。

電流源PMOS晶體管P5驅(qū)動(dòng)晶體管P1的源極，而電流源PMOS晶體管P6驅(qū)動(dòng)晶體管P2的源極。這些電流源晶體管P5和P6通過PMOS晶體管P3以前饋方式來被控制。晶體管P3的柵極被綁定至共模輸入電壓Vcom。由晶體管P3生成的電流I1因此將與Vcom反向相關(guān)。隨著Vcom上升，I1下降。但是如果Vcom下降，則I1上升。電流I1通過NMOS晶體管M1和M2以及PMOS晶體管P4被鏡像以控制P5和P6從而I1被驅(qū)動(dòng)經(jīng)過P1和P2。因此，晶體管P5和P6也充當(dāng)電流源。

當(dāng)然，I2、I3和I4的值可以不與I1的值相同，盡管它們在一些實(shí)施例中可以是相同的。電流I1、I2、I3和I4的值取決于各個(gè)晶體管P3、P4、P5和P6的性質(zhì)，且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解如何選擇具有恰適性質(zhì)的晶體管以達(dá)成由此產(chǎn)生的電流的期望值。盡管如此，隨著I1的值增大，I2、I3和I4的值也增大。換言之，I2、I3和I4的值與I1的值成比例，且I1的值與Vcom的值成反比。因此，隨著Vcom改變，I1、I2、I3和I4的值反向改變。

電路250提供從VDD軌經(jīng)過晶體管P5和晶體管P1到接地的第一電流路徑。類似地，存在從VDD軌經(jīng)過P6和P2到接地的另一電流路徑。

電流I3經(jīng)歷跨P5和P1兩者的電壓降。正是這些電壓降決定了輸出節(jié)點(diǎn)208a處的電壓。電流I4也經(jīng)歷跨晶體管P6和P2的電壓降并且因此決定了輸出節(jié)點(diǎn)208b處的電壓。經(jīng)電平移位的共模電壓是輸出節(jié)點(diǎn)208處的差分信號(hào)中存在的共模電壓。不希望輸入共模電壓Vcom應(yīng)該顯著變化，至少在穩(wěn)定狀態(tài)操作期間。但就共模電壓Vcom中存在變動(dòng)的程度而言，諸電流源以及閾值電壓電路206通過I3和I4的相應(yīng)調(diào)整來穩(wěn)定經(jīng)電平移位的共模電壓。因此，電路250在輸出節(jié)點(diǎn)208處提供穩(wěn)定的經(jīng)電平移位的共模電壓。

在高頻操作期間，差分信號(hào)的AC部分(攜帶信息的部分)通過分流電容器C1和C2。因此，該AC部分調(diào)制輸出節(jié)點(diǎn)208處的電壓，且差分信號(hào)中的信息對(duì)于從閾值電壓電路206接收輸出信號(hào)的電路(未示出)是可感知的。

注意，隨著差分信號(hào)中的AC頻率下降，分流電容器C1和C2變得更小并且對(duì)于放行AC部分而言有用程度更低，因?yàn)殡娙萜鞯淖杩闺S頻率減小而增大。然而，電路250包括放行AC部分(甚至在較低頻率處)去往輸出節(jié)點(diǎn)208的技術(shù)。具體地并且如上所提及的，差分信號(hào)正分量和負(fù)分量(rxinp和rxinn)分別被輸入到晶體管P1和P2的柵極。在該情形中，P1和P2隨后充當(dāng)源極跟隨器從而其源極(諸輸出節(jié)點(diǎn)208)處的電壓被該信號(hào)的AC部分調(diào)制。因此，在寬范圍頻率上保留了差分信號(hào)的AC部分，正如在P1和P2的源極處通過P5和P6的前饋控制產(chǎn)生了穩(wěn)定且提高的共模電壓。

圖3解說了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例適配的電平移位電路350。與圖2的實(shí)施例相反，圖3的實(shí)施例在其閾值電壓電路306中使用NMOS晶體管。除此以外，圖3的實(shí)施例的操作類似于圖2的實(shí)施例的操作。電路350可被用作圖1的架構(gòu)中的電平移位電路110。

圖3包括電流源304，其從R11和R12形成的分壓器接收輸入共模電壓Vcom。電流源304類似于上述電流源204(圖2)地操作。例如，隨著Vcom減小，通過PMOS晶體管P13和NMOS晶體管M11的電流I11增大。隨著Vcom增大，通過晶體管P13和M11的電流I11減小。電流I11被電流I12鏡像，電流I12通過晶體管P14和M12。

晶體管P15和P16的柵極兩者連接至晶體管P14的柵極。因此，藉由前饋控制，電流I11在晶體管P15和P16處分別通過電流I13和I14來被鏡像。隨著Vcom隨時(shí)間改變，電流I13和I14反向改變。

閾值電壓電路306包括NMOS晶體管M3和M4。晶體管M3在其漏極處通過分流電容器C11接收差分信號(hào)的正分量rxinp。正分量rxinp也被施加在電阻器R13處，電阻器R13也影響晶體管M3的響應(yīng)。

類似地，晶體管M4在其漏極處通過分流電容器C12接收差分信號(hào)的負(fù)分量rxinn。負(fù)分量rxinn也被施加在電阻器R14處，電阻器R14影響晶體管M4的響應(yīng)。

M3和M4的源極分別通過偏置晶體管M5和M6與接地隔離，M5和M6的柵極由M11的柵極電壓控制。一般而言，隨著I11增大，通過晶體管M5和M6的電流也增大。

如圖所示，隨著電流I13從VDD走到接地，電路350為I13提供經(jīng)過晶體管P15和M5的電流路徑。電流I13在晶體管P15和M5中的每一者處經(jīng)歷電壓降，且正是這些電壓降決定了輸出節(jié)點(diǎn)308a處的電壓。

電流I14還在VDD與接地之間的晶體管P16和M6處經(jīng)歷電壓降。正是這些電壓降決定了輸出節(jié)點(diǎn)308b處的電壓。輸出節(jié)點(diǎn)308處的經(jīng)電平移位的共模電壓是具有正分量和負(fù)分量eqinp和eqinn的差分信號(hào)的共模電壓。

如上所提及的，一般在穩(wěn)態(tài)操作期間不希望輸入共模電壓Vcom中有大改變。盡管如此，輸出節(jié)點(diǎn)308處的經(jīng)電平移位的輸出電壓是通過電流I13和I14與輸入共模電壓Vcom的反向前饋關(guān)系以穩(wěn)定方式來產(chǎn)生的。在圖2和圖3的實(shí)施例中，一些應(yīng)用可包括在穩(wěn)態(tài)操作期間將經(jīng)電平移位的共模電壓設(shè)為VDD/2。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，要將晶體管P15、P16、M3、M4、M5、M6(以及各個(gè)電阻器)選擇成使得電流I13和I14的電流路徑的電阻器分壓器性質(zhì)將輸出接地308處的電壓下降一半。以此種方式，輸出節(jié)點(diǎn)308處的電壓穩(wěn)定地校正至VDD/2。

當(dāng)然，為VDD/2的經(jīng)電平移位的共模電壓僅是示例，且其他實(shí)施例可包括任何恰適的經(jīng)電平移位共模電壓?？赏ㄟ^將電路250(圖2)和350(圖3)設(shè)計(jì)成使得輸出節(jié)點(diǎn)208和308處的電壓降分別具有期望電壓來產(chǎn)生其他經(jīng)電平移位的共模電壓。

返回至差分信號(hào)的AC分量，在高頻操作期間，差分信號(hào)的AC部分無可察覺衰減地通過分流電容器C11和C12。因此，該AC部分調(diào)制輸出節(jié)點(diǎn)308處的電壓，且差分信號(hào)中的信息對(duì)于從閾值電壓電路306接收該輸出信號(hào)的電路(未示出)而言是可感知的。

但隨著差分信號(hào)中的AC頻率下降，該AC部分在電容器C11和C12處的衰減增加(因?yàn)殡S頻率減小，電容器的阻抗增大)。圖3的電路也向節(jié)點(diǎn)310提供輸入差分信號(hào)。如圖3中所示，正分量rxinp被施加于節(jié)點(diǎn)310a，節(jié)點(diǎn)310a藉由電阻器R13與晶體管M3的源極分開。因此，分量rxinp的AC信號(hào)調(diào)制節(jié)點(diǎn)308a處的電壓。類似地，負(fù)分量rxinn被施加于節(jié)點(diǎn)310b并且藉此調(diào)制節(jié)點(diǎn)308b處所見的電壓。因此，在寬范圍頻率上保留了差分信號(hào)的AC部分，正如在M3和M4的漏極處通過P15和P16的前饋控制產(chǎn)生了穩(wěn)定且提高的共模電壓。

現(xiàn)在將討論用于電路250和350的示例方法。

示例使用方法

圖4中示出了使用圖2和3的共模電壓電平移位器的示例方法400的流程圖。該方法在框410中開始，其包括接收具有第一共模電壓電平的差分信號(hào)。

在圖2和3的示例中，收到的差分信號(hào)包括相對(duì)較低的共模電壓，且該電路將該共模電壓電平上移至另一電平。該差分信號(hào)還包括攜帶信息的AC部分。下游電路(未示出)可接收該AC部分并檢測比特或?qū)ζ鋱?zhí)行其他處理。

在框420，差分信號(hào)通過分流電容器對(duì)被耦合至輸出節(jié)點(diǎn)對(duì)。在圖2的實(shí)施例中，該差分信號(hào)通過電容器C1和C2耦合至晶體管P1和P2的源極。在圖3的實(shí)施例中，差分信號(hào)通過電容器C11和C12耦合至晶體管M3和M4的漏極。電容器阻擋信號(hào)的直流(DC)分量且因此分流電容器阻擋輸入差分信號(hào)的收到共模電壓。

在高頻處，差分信號(hào)的AC部分被傳遞到輸出節(jié)點(diǎn)，如以下關(guān)于框450更詳細(xì)說明的。

在框430，該電路生成由第一共模電壓電平驅(qū)動(dòng)的電流。在圖2和3的實(shí)施例中，輸入差分信號(hào)的共模電壓電平(Vcom)被電阻器分壓器電路檢測到并被傳遞到電流發(fā)生器。

各個(gè)實(shí)施例可使用任何恰適的電流發(fā)生器來產(chǎn)生框430的電流。例如，圖2和3的實(shí)施例采用其中PMOS晶體管的柵極被耦合至Vcom信號(hào)的電流源。隨著Vcom增大，該電流源處的電流減小(反之亦然)。因此，在上述實(shí)施例中，框430處生成的電流是以關(guān)于第一共模電壓反向的關(guān)系來控制的。

在框440，框430處產(chǎn)生的電流通過輸出節(jié)點(diǎn)來鏡像以在輸出節(jié)點(diǎn)處生成第二共模電壓。在圖2和3的實(shí)施例中，通過將諸晶體管的柵極綁定在一起來完成前饋控制。因此，電流源中的晶體管的柵極處的電壓被施加于耦合至第一輸出節(jié)點(diǎn)的晶體管的柵極。當(dāng)通過電流源的電流增大時(shí)，以上提及的柵極耦合致使通過耦合至第一輸出節(jié)點(diǎn)的晶體管的電流增大。

該電流源中的晶體管柵極處的電壓還被施加于耦合至第二輸出節(jié)點(diǎn)的晶體管的柵極。當(dāng)通過電流源的電流增大時(shí)，通過耦合至第二輸出節(jié)點(diǎn)的晶體管的電流增大。

在框440產(chǎn)生由電流源控制并響應(yīng)于第一共模電壓的電流。第一和第二輸出節(jié)點(diǎn)被置于該電路內(nèi)從而沿相應(yīng)電流路徑的電壓降導(dǎo)致諸輸出節(jié)點(diǎn)處的期望電壓。在一些實(shí)施例中，諸輸出節(jié)點(diǎn)處的共模電壓在接地與VDD之間的某處，且該共模電壓可藉由框440的電流鏡像在諸輸出節(jié)點(diǎn)處以高度穩(wěn)定性來產(chǎn)生。

在框450，該電路根據(jù)差分信號(hào)的AC部分來調(diào)制輸出節(jié)點(diǎn)的電壓。如以上在框420所說明的，輸入差分信號(hào)經(jīng)由分流電容器對(duì)來耦合至輸出節(jié)點(diǎn)。當(dāng)AC信號(hào)處于高頻時(shí)，該AC信號(hào)相對(duì)無衰減地通過這些分流電容器。

相反，當(dāng)AC信號(hào)處于相對(duì)低頻時(shí)，這些分流電容器的阻抗為高。圖2的實(shí)施例通過將差分信號(hào)施加于這些輸出節(jié)點(diǎn)處的晶體管對(duì)的柵極來調(diào)制這些輸出節(jié)點(diǎn)的電壓。圖3的實(shí)施例通過將差分信號(hào)施加于這些輸出節(jié)點(diǎn)處的晶體管對(duì)的源極來調(diào)制這些輸出節(jié)點(diǎn)的電壓。因此，各個(gè)實(shí)施例將差分信號(hào)施加于諸輸出晶體管的端口以保留AC信號(hào)的信息(甚至在較低頻率的情況下)。

各實(shí)施例的范圍并不限于圖4中示出的具體方法。其他實(shí)施例可添加、省略、重新安排、或修改一個(gè)或多個(gè)動(dòng)作。例如，在許多現(xiàn)實(shí)世界應(yīng)用中，框410-450的動(dòng)作并不按順序執(zhí)行，而是隨著電平移位電路操作而被并發(fā)地執(zhí)行。而且，隨著該電路接收第一共模電壓電平并輸出另一共模電壓電平，框410-450的動(dòng)作被連續(xù)執(zhí)行。

而且，各個(gè)實(shí)施例也可執(zhí)行其他動(dòng)作。例如，其他下游電路可接收經(jīng)電平移位的差分信號(hào)并從中檢測二進(jìn)制電壓電平?？梢匀魏吻∵m方式來執(zhí)行比特檢測，例如，通過常規(guī)的比特檢測過程且本文不再進(jìn)一步討論。

如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員至此將領(lǐng)會(huì)的并取決于手頭的具體應(yīng)用，可以在本公開的設(shè)備的材料、裝置、配置和使用方法上做出許多修改、替換和變動(dòng)而不會(huì)脫離本公開的精神和范圍。有鑒于此，本公開的范圍不應(yīng)當(dāng)被限定于本文中所解說和描述的特定實(shí)施例的范圍(因?yàn)槠鋬H是作為本公開的一些示例)，而應(yīng)當(dāng)與所附權(quán)利要求及其功能等同方案完全相當(dāng)。