本申請(qǐng)要求2014年5月23日提交的共同擁有的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第62/002,751號(hào)以及2015年3月10提交的美國(guó)非臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第14/643,854號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用明確地合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)總體上涉及電子器件，并且更加具體地涉及發(fā)射器和接收器。

現(xiàn)有技術(shù)的描述

在射頻(RF)收發(fā)器中，通信信號(hào)通常由接收電路裝置(有時(shí)稱(chēng)為接收鏈路)來(lái)接收和下變頻。接收鏈路通常包括接收濾波器、低噪聲放大器(LNA)、混頻器、本地振蕩器(LO)、壓控振蕩器(VCO)、基帶濾波器、以及其他部件，以恢復(fù)通信信號(hào)中包含的信息。收發(fā)器還包括使得能夠向另一收發(fā)器中的接收器傳輸通信信號(hào)的電路裝置。收發(fā)器可以能夠在多個(gè)頻率范圍(通常稱(chēng)為頻帶)上操作。另外，單個(gè)收發(fā)器可以被配置為使用多個(gè)載波信號(hào)來(lái)操作，這些多個(gè)載波信號(hào)可以在相同的頻帶中但是可以在頻率上不交疊，一種稱(chēng)為非連續(xù)載波的布置。

在一些實(shí)例中，單個(gè)發(fā)射器或接收器被配置為使用多個(gè)發(fā)射頻率和/或多個(gè)接收頻率來(lái)操作。對(duì)于能夠同時(shí)接收兩個(gè)或多個(gè)接收信號(hào)的接收器，可以同時(shí)對(duì)兩個(gè)或多個(gè)接收路徑進(jìn)行操作。這樣的系統(tǒng)有時(shí)稱(chēng)為“載波聚合”系統(tǒng)。術(shù)語(yǔ)“載波聚合”可以指代包括帶間載波聚合和帶內(nèi)載波聚合的系統(tǒng)。帶內(nèi)載波聚合指代對(duì)相同的通信頻帶中的兩個(gè)單獨(dú)的載波信號(hào)的處理。帶間載波聚合指代對(duì)不同的通信頻帶中的兩個(gè)單獨(dú)的載波信號(hào)的處理。

接收器架構(gòu)可以使用多個(gè)LNA來(lái)支持同時(shí)下行信道。LNA輸入可以連接在一起以減小用于與收發(fā)器對(duì)接的射頻(RF)連接的數(shù)目。LNA可以單獨(dú)地并且可以同時(shí)地操作。單獨(dú)操作指代一次在單個(gè)載波信號(hào)上操作；同時(shí)操作指代同時(shí)在兩個(gè)或多個(gè)載波信號(hào)上操作。LNA的輸出被分離以在不同的下行信道之間提供隔離。與當(dāng)在單個(gè)載波上獨(dú)立地操作時(shí)相比，由于當(dāng)在多個(gè)載波上同時(shí)操作時(shí)的輸入匹配的劣化和/或不同信號(hào)路徑之間的噪聲耦合，當(dāng)在多個(gè)在載波上同時(shí)操作時(shí)LNA可以呈現(xiàn)劣化的噪聲因數(shù)(NF)。

附圖說(shuō)明

在附圖中，相似的附圖標(biāo)記遍及各個(gè)視圖指代相似的部分，除非另外指出。對(duì)于具有字母字符的附圖標(biāo)記、諸如“102a”或“102b”，字母字符表示可以區(qū)分存在于相同附圖中的兩個(gè)相似的部分或元件。用于附圖標(biāo)記的字母字符表示在意圖包括在所有附圖中具有相同附圖標(biāo)記的所有部分的情況下可以省略。

圖1是示出與無(wú)線通信系統(tǒng)通信的無(wú)線設(shè)備的圖。

圖2A是示出可以由圖1的無(wú)線設(shè)備使用的連續(xù)帶內(nèi)載波聚合(CA)的示例的圖形圖。

圖2B是示出可以由圖1的無(wú)線設(shè)備使用的非連續(xù)帶內(nèi)CA的示例的圖形圖。

圖2C是示出可以由圖1的無(wú)線設(shè)備使用的相同的頻帶組中的帶間CA的示例的圖形圖。

圖2D是示出可以由圖1的無(wú)線設(shè)備使用的不同的頻帶組中的帶間CA的示例的圖形圖。

圖3是示出可以被包括在圖1的無(wú)線設(shè)備中的部件的框圖。

圖4圖示可以被包括在圖1的無(wú)線設(shè)備中的LNA和變壓器電路的示例實(shí)施例。

圖5圖示可以在圖1的無(wú)線設(shè)備中執(zhí)行的方法的示例性實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

詞語(yǔ)“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實(shí)例或說(shuō)明”。本文中描述為“示例性”的任何方面都不一定應(yīng)當(dāng)被理解為比其他方面優(yōu)選或有利。

在本描述中，術(shù)語(yǔ)“應(yīng)用”還可以包括具有可執(zhí)行內(nèi)容的文件，諸如對(duì)象代碼、腳本、字節(jié)代碼、標(biāo)記語(yǔ)言文件和修補(bǔ)程序。另外，本文中提及的“應(yīng)用”可以包括本質(zhì)上不可執(zhí)行的文件，諸如可能需要被打開(kāi)的文檔或者需要被訪問(wèn)的其他數(shù)據(jù)文件。

術(shù)語(yǔ)“內(nèi)容”可以包括具有可執(zhí)行內(nèi)容的文件，諸如對(duì)象代碼、腳本、字節(jié)代碼、標(biāo)記語(yǔ)言文件和修補(bǔ)程序。另外，本文中提及的“內(nèi)容”還可以包括本質(zhì)上不可執(zhí)行的文件，諸如可能需要被打開(kāi)的文檔或者需要被訪問(wèn)的其他數(shù)據(jù)文件。

如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“獨(dú)立操作”指代一次在單個(gè)載波信號(hào)上操作的放大器，諸如低噪聲放大器(LNA)，并且術(shù)語(yǔ)“同時(shí)操作”指代同時(shí)在兩個(gè)或多個(gè)載波信號(hào)上操作的放大器，諸如LNA。

圖1是示出與無(wú)線通信系統(tǒng)120通信的無(wú)線設(shè)備110的圖。無(wú)線通信系統(tǒng)120可以是長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)系統(tǒng)、碼分多址(CDMA)系統(tǒng)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)系統(tǒng)、無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)、或者某個(gè)其他無(wú)線系統(tǒng)。CDMA系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)寬帶CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EVDO)、時(shí)分同步CDMA(TD-SCDMA)、或者某個(gè)其他版本的CDMA。為了簡(jiǎn)單，圖1示出了包括兩個(gè)基站130和132以及一個(gè)系統(tǒng)控制器140的無(wú)線通信系統(tǒng)120。通常，無(wú)線通信系統(tǒng)可以包括任何數(shù)目的基站以及網(wǎng)絡(luò)實(shí)體的任意集合。

無(wú)線設(shè)備110也可以稱(chēng)為用戶(hù)設(shè)備(UE)、移動(dòng)臺(tái)、終端、接入終端、訂戶(hù)單元、臺(tái)等。無(wú)線設(shè)備110可以是手機(jī)、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、無(wú)線調(diào)制解調(diào)器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、手持式設(shè)備、膝上型計(jì)算機(jī)、智能本、上網(wǎng)本、平板計(jì)算機(jī)、無(wú)繩電話、無(wú)線本地回路(WLL)站、藍(lán)牙設(shè)備等。無(wú)線設(shè)備110可以與無(wú)線通信系統(tǒng)120通信。無(wú)線設(shè)備110還可以從廣播站(例如廣播站134)接收信號(hào)，從一個(gè)或多個(gè)全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(GNSS)中的衛(wèi)星(例如衛(wèi)星150)接收信號(hào)，等等。無(wú)線設(shè)備110可以支持用于無(wú)線通信的一個(gè)或多個(gè)無(wú)線電技術(shù)，諸如LTE、WCDMA、CDMA 1X、EVDO、TD-SCDMA、GSM、802.11等。

無(wú)線設(shè)備110可以支持載波聚合，載波聚合包括在多個(gè)載波上的操作。載波聚合也可以稱(chēng)為多載波操作。無(wú)線設(shè)備110可以能夠在低頻帶(LB)頻帶組(例如其中一個(gè)或多個(gè)頻帶中包括的最高頻率不超過(guò)1000兆赫茲(MHz)的一個(gè)或多個(gè)頻帶的“頻帶組”)、中頻帶(MB)頻帶組(例如其中一個(gè)或多個(gè)頻帶中包括的最低頻率超過(guò)1000MHz并且其中一個(gè)或多個(gè)頻帶中包括的最高頻率不超過(guò)2300MHz的一個(gè)或多個(gè)頻帶的頻帶組)和/或高頻帶(HB)頻帶組(例如其中一個(gè)或多個(gè)頻帶中包括的最低頻率超過(guò)2300MHz的一個(gè)或多個(gè)頻帶的頻帶組)中操作。例如，低頻帶可以覆蓋698到960MHz，中頻帶可以覆蓋1475到2170MHz，高頻帶可以覆蓋2300到2690MHz以及3400到3800MHz。低頻帶、中頻帶和高頻帶指代三組頻帶(或者三個(gè)頻帶組)，其中每個(gè)頻帶組包括大量頻帶(或者簡(jiǎn)稱(chēng)為“帶”)。在一些實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)頻帶可以具有小于或等于200MHz的帶寬并且包括一個(gè)或多個(gè)載波。在LTE中，每個(gè)載波可以覆蓋多達(dá)20MHz。LTE版本11支持35個(gè)頻帶，這些頻帶稱(chēng)為L(zhǎng)TE/UMTS頻帶并且在3GPP TS 36.101中列出。

無(wú)線設(shè)備110可以包括具有多個(gè)DC耦合的放大級(jí)的放大器，多個(gè)DC耦合的放大級(jí)具有獨(dú)立地可控的增益，諸如參考圖4進(jìn)一步詳細(xì)描述的。在載波聚合操作模式下，無(wú)線設(shè)備110可以在不同的放大級(jí)放大不同的載波信號(hào)。在非載波聚合操作模式下，無(wú)線設(shè)備110可以在彼此并行操作的多個(gè)放大級(jí)放大載波信號(hào)。由于多個(gè)放大級(jí)的增益獨(dú)立地可控，所以無(wú)線設(shè)備110可以提供改善的性能同時(shí)處理具有不同能量水平的載波信號(hào)，諸如從不同基站和/或從不同無(wú)線網(wǎng)絡(luò)接收的載波信號(hào)。在使用單個(gè)元件匹配網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)放大器處，無(wú)線設(shè)備110可以支持各種載波聚合模式，諸如帶間和帶內(nèi)載波聚合。因此，與使用更復(fù)雜的匹配網(wǎng)絡(luò)和非DC耦合放大級(jí)的放大器相比，可以減小放大器的芯片面積和成本。

通常，載波聚合(CA)可以分類(lèi)成兩個(gè)類(lèi)型——帶內(nèi)CA和帶間CA。帶內(nèi)CA指代在相同頻帶內(nèi)的多個(gè)載波上的操作。帶間CA指代在不同頻帶中的多個(gè)載波上的操作。

圖2A是示出低頻帶組210、中頻帶組212和高頻帶組214、以及連續(xù)帶內(nèi)載波聚合(CA)的示例的圖形圖。在圖2A所示的示例中，無(wú)線設(shè)備110配置有在低頻帶中的4個(gè)連續(xù)載波216到219。無(wú)線設(shè)備110可以在相同的頻帶組內(nèi)的4個(gè)連續(xù)載波216到219上發(fā)送和/或接收傳輸。無(wú)線設(shè)備110可以包括具有第一放大級(jí)202和第二放大級(jí)204的LNA。第一放大級(jí)202可以直流(DC)耦合至第二放大級(jí)204。放大級(jí)202、204可以接收輸入RF信號(hào)，輸入RF信號(hào)包括對(duì)應(yīng)于第一載波216的第一載波信號(hào)以及對(duì)應(yīng)于第二載波217的第二載波信號(hào)。第一放大級(jí)202被配置為放大第一載波信號(hào)，第二放大級(jí)204被配置為放大第二載波信號(hào)。第二放大級(jí)204與第一放大級(jí)202并行操作。因此，無(wú)線設(shè)備110可以放大所接收的信號(hào)的第一部分，第一部分對(duì)應(yīng)于第一載波216，同時(shí)放大所接收的信號(hào)的第二部分，第二部分對(duì)應(yīng)于第二載波217。

圖2B是示出非連續(xù)帶內(nèi)CA的示例的圖形圖。在圖2B所示的示例中，無(wú)線設(shè)備110被配置為使用低頻帶組210中的一個(gè)頻帶中的4個(gè)非連續(xù)載波來(lái)發(fā)送和/或接收無(wú)線通信。載波可以以5MHz、10MHz或某個(gè)其他的量分離。無(wú)線設(shè)備110可以在相同頻帶內(nèi)的4個(gè)非連續(xù)載波上發(fā)送和/或接收傳輸。

圖2C是示出相同頻帶組中的帶間CA的示例的圖形圖。在圖2C所示的示例中，無(wú)線設(shè)備110被配置為使用低頻帶組210中的兩個(gè)頻帶220、222中的4個(gè)載波來(lái)發(fā)送和/或接收無(wú)線通信。無(wú)線設(shè)備110可以在相同頻帶組中的不同頻帶中的4個(gè)載波上發(fā)送和/或接收傳輸。

圖2D是示出不同頻帶組中的帶間CA的示例的圖形圖。在圖2D所示的示例中，無(wú)線設(shè)備110被配置為使用不同頻帶組中的兩個(gè)頻帶中的4個(gè)載波(其中2個(gè)載波在低頻帶組210中的一個(gè)頻帶中并且2個(gè)載波在中頻帶組212中的另一頻帶中)來(lái)發(fā)送和/或接收無(wú)線通信。無(wú)線設(shè)備110可以在不同頻帶組中的不同頻帶中的4個(gè)載波上發(fā)送和/或接收傳輸。

圖2A到2D示出載波聚合的四個(gè)示例。針對(duì)頻帶和頻帶組的其他組合，也可以支持載波聚合。

圖3是示出無(wú)線設(shè)備300(例如圖1的無(wú)線設(shè)備110的示例性實(shí)現(xiàn))的框圖。圖3示出了收發(fā)器320的示例?？傮w而言，發(fā)射器330和接收器350中的信號(hào)的調(diào)節(jié)可以由一個(gè)或多個(gè)級(jí)的放大器、濾波器、上變頻器、下變頻器等來(lái)執(zhí)行。這些電路框可以不同于圖3所示的配置來(lái)布置。另外，圖3中未示出的其他電路框也可以用于調(diào)節(jié)發(fā)射器330和接收器350中的信號(hào)。除非另外指出，否則圖3、或者附圖中的任何其他附圖中的任何信號(hào)可以是單端或差分的。圖3中的一些電路框也可以省略。

在圖3所示的示例中，無(wú)線設(shè)備300通常包括收發(fā)器320和數(shù)據(jù)處理器310。數(shù)據(jù)處理器310可以包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序代碼的存儲(chǔ)器(未示出)，并且通?？梢园M和數(shù)字處理元件。收發(fā)器320包括支持雙向通信的發(fā)射器330和接收器350?？傮w而言，無(wú)線設(shè)備300可以包括用于任何數(shù)目的通信系統(tǒng)和頻帶的任何數(shù)目的發(fā)射器和/或接收器。收發(fā)器320的全部或部分可以在一個(gè)或多個(gè)模擬集成電路(IC)、RF IC(RFIC)、混合信號(hào)IC等上來(lái)實(shí)現(xiàn)。

發(fā)射器或接收器可以使用超外差架構(gòu)或者直接變換架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在超外差架構(gòu)中，在多個(gè)級(jí)中在射頻(RF)與基帶之間對(duì)信號(hào)進(jìn)行頻率變換，例如針對(duì)接收器在一個(gè)級(jí)中從RF到中頻(IF)，并且然后在另一級(jí)中從IF到基帶。在直接變換架構(gòu)中，在一個(gè)級(jí)中在RF與基帶之間對(duì)信號(hào)進(jìn)行頻率變換。超外差和直接變換架構(gòu)可以使用不同的電路框和/或具有不同的要求。在圖3所示的示例中，發(fā)射器330和接收器350使用直接變換架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在發(fā)射路徑中，數(shù)據(jù)處理器310處理要發(fā)射的數(shù)據(jù)并且向發(fā)射器330提供同相(I)和正交(Q)模擬輸出信號(hào)。在示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)處理器310包括用于將由數(shù)據(jù)處理器310生成的數(shù)字信號(hào)變換成I和Q模擬輸出信號(hào)(例如I和Q輸出電流)用于進(jìn)一步處理的數(shù)模變換器(DAC)314a和314b。

在發(fā)射器330內(nèi)，低通濾波器332a和332b分別對(duì)I和Q模擬發(fā)射信號(hào)濾波以去除由在先數(shù)模變換引起的不期望的圖像。放大器(Amp)334a和334b分別對(duì)來(lái)自低通濾波器332a和332b的信號(hào)放大，并且提供I和Q基帶信號(hào)。上變頻器340使用來(lái)自TX LO信號(hào)生成器390的I和Q發(fā)射(TX)本地振蕩器(LO)信號(hào)對(duì)I和Q基帶信號(hào)進(jìn)行上變頻，并且提供經(jīng)上變頻的信號(hào)。濾波器342對(duì)經(jīng)上變頻的信號(hào)濾波以去除由上變頻引起的不期望的圖像以及接收頻帶中的噪聲。功率放大器(PA)344對(duì)來(lái)自濾波器342的信號(hào)放大以獲取期望的輸出功率水平，并且提供發(fā)射RF信號(hào)。發(fā)射RF信號(hào)通過(guò)雙工器或開(kāi)關(guān)346來(lái)路由并且經(jīng)由天線348來(lái)發(fā)射。

在接收路徑中，天線348接收通信信號(hào)并且提供所接收的RF信號(hào)，所接收的RF信號(hào)通過(guò)雙工器或開(kāi)關(guān)346來(lái)路由并且被提供給低噪聲放大器(LNA)352。LNA 352可以包括被配置為獨(dú)立地或者同時(shí)地在一個(gè)或多個(gè)載波信號(hào)上操作的單個(gè)LNA。例如，LNA 352可以包括與圖2的第二放大級(jí)204并聯(lián)耦合的第一放大級(jí)202。LNA 352可以包括被配置為獨(dú)立地或者同時(shí)地在一個(gè)或多個(gè)載波信號(hào)上操作的兩個(gè)或多個(gè)LNA。

雙工器346被設(shè)計(jì)成利用特定的RX到TX雙工器頻率分離進(jìn)行操作，使得RX信號(hào)與TX信號(hào)隔離。所接收的RF信號(hào)通過(guò)LNA 352被放大并且通過(guò)濾波器354被濾波以獲得期望的RF輸入信號(hào)。下變頻混頻器361a和361b將濾波器354的輸出與來(lái)自RX LO信號(hào)生成器380的I和Q接收(RX)LO信號(hào)(即LO_I和LO_Q)混頻以生成I和Q基帶信號(hào)。I和Q基帶信號(hào)通過(guò)放大器362a和362b被放大并且通過(guò)低通濾波器364a和364b被進(jìn)一步濾波以獲取I和Q模擬輸入信號(hào)，這些I和Q模擬輸入信號(hào)被提供給數(shù)據(jù)處理器310。在所示的示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)處理器310包括用于將模擬輸入信號(hào)變換成數(shù)字信號(hào)以由數(shù)據(jù)處理器310來(lái)進(jìn)一步處理的模數(shù)變換器(ADC)316a和316b。接收器350可以包括下變頻混頻器、濾波器和ADC的一個(gè)或多個(gè)附加集合以處理可以從LNA 352輸出的多個(gè)信號(hào)(例如在載波聚合操作模式下)。

在圖3中，TX LO信號(hào)生成器390生成用于上變頻的I和Q TX LO信號(hào)，而RX LO信號(hào)生成器380生成用于下變頻的I和Q RX LO信號(hào)。每個(gè)LO信號(hào)是具有具體的基頻的周期信號(hào)。鎖相環(huán)(PLL)392從數(shù)據(jù)處理器310接收定時(shí)信息并且生成用于調(diào)節(jié)來(lái)自LO信號(hào)生成器390的TX LO信號(hào)的頻率和/或相位的控制信號(hào)。類(lèi)似地，PLL 382從數(shù)據(jù)處理器310接收定時(shí)信息并且生成用于調(diào)節(jié)來(lái)自LO信號(hào)生成器380的RX LO信號(hào)的頻率和/或相位的控制信號(hào)。

無(wú)線設(shè)備300可以支持CA并且可以(i)以不同的頻率在多個(gè)下行載波上接收由一個(gè)或多個(gè)小區(qū)發(fā)射的多個(gè)下行信號(hào)和/或(ii)在多個(gè)上行載波上向一個(gè)或多個(gè)小區(qū)發(fā)射多個(gè)上行信號(hào)。

圖4圖示可以被包括在無(wú)線設(shè)備(諸如圖1到圖2的無(wú)線設(shè)備110)中的LNA和變壓器電路400的示例性實(shí)施例。LNA 410可以對(duì)應(yīng)于圖3的LNA 352。LNA 410包括可以對(duì)應(yīng)于圖2到圖3的第一放大級(jí)202的第一放大級(jí)402。LNA 410還包括可以對(duì)應(yīng)于圖2到圖3的第二放大級(jí)204的第二放大級(jí)404。在帶內(nèi)載波聚合(帶內(nèi)CA)操作模式下，第一放大級(jí)402和第二放大級(jí)404放大輸入信號(hào)的不同載波分量，并且分別向第一衰退電感器432和第二衰退電感器442提供電流，該電流貢獻(xiàn)LNA 410的輸入阻抗。在非載波聚合(非CA)或帶間載波聚合(帶間CA)操作模式下，轉(zhuǎn)移路徑455啟用第一放大級(jí)402和第二放大級(jí)404以放大輸入信號(hào)的相同的載波分量。轉(zhuǎn)移路徑455包括轉(zhuǎn)移晶體管456并且提供電流路徑，該電流路徑使得電流能夠穿過(guò)第二衰退電感器442，以在其中提供單個(gè)輸出的LNA操作模式(即非CA和帶間CA)下提供阻抗匹配并且使得非CA和帶間CA模式下的輸入阻抗能夠非常接近帶內(nèi)CA模式下的輸入阻抗。例如，通過(guò)第二衰退電感器442的電流使得帶內(nèi)CA模式下的輸入阻抗的電阻分量能夠匹配或者接近匹配非CA模式下的輸入阻抗的電阻分量，但是輸入阻抗的電抗分量可以不匹配。如以上描述的，可編程衰退電路470中的可編程變壓器430使得帶內(nèi)CA模式下的輸入阻抗與非CA模式下的輸入阻抗基本上相同。

第一放大級(jí)402包括串聯(lián)耦合在第一放大級(jí)402的第一輸出與第一電感器(L1)432之間的第一晶體管(第一增益晶體管(M1)420)和第三晶體管(第一共源共柵晶體管(M3)424)。第一增益晶體管420可以放大在第一增益晶體管420的柵極處接收的輸入信號(hào)變化，以生成在第一放大級(jí)402的輸出處提供的輸出電流的變化。第二放大級(jí)404包括串聯(lián)耦合在第二放大級(jí)404的第二輸出與第二電感器(L2)442之間的第二晶體管(第二增益晶體管(M2)422)和第四晶體管(第二共源共柵晶體管(M4)426)。第二增益晶體管422可以放大在第二增益晶體管422的柵極處接收的輸入信號(hào)變化，以生成在第二放大級(jí)404的輸出處提供的輸出電流的變化。

第一放大級(jí)402并聯(lián)耦合至第二放大級(jí)404。為了說(shuō)明，第一增益晶體管420的柵極和第二增益晶體管422的柵極耦合至輸入匹配電路的輸出，使得兩個(gè)放大級(jí)402、404在基本上相同的時(shí)間接收基本上相同的輸入信號(hào)。第一放大級(jí)402可以耦合至第一負(fù)載電路，第一負(fù)載電路引起第一放大級(jí)402具有使所接收的輸入信號(hào)的在第一載波信號(hào)的頻率范圍外的分量衰減的第一頻率響應(yīng)。第二放大級(jí)404可以耦合至第二負(fù)載電路，第二負(fù)載電路引起第二放大級(jí)404具有使所接收的輸入信號(hào)的在第二載波信號(hào)的頻率范圍外的分量衰減的第二頻率響應(yīng)。因此，第一放大級(jí)402和第二放大級(jí)404可以放大所接收的信號(hào)的不同分量。

LNA 410被配置為通過(guò)單元件輸入匹配網(wǎng)絡(luò)403在連接401(例如從圖3的雙工器或開(kāi)關(guān)346)之上接收射頻(RF)輸入信號(hào)(RF_in)。在示例性實(shí)施例中，單元件輸入匹配網(wǎng)絡(luò)403可以包括電感器。然而，可以實(shí)現(xiàn)其他匹配電路裝置。RF_in信號(hào)通過(guò)連接406被提供給第一增益晶體管420的柵極和第二增益晶體管422的柵極。輸入匹配網(wǎng)絡(luò)403的輸出被DC耦合(即沒(méi)有任何中間電容器或電感器)至第一增益晶體管420的柵極和第二增益晶體管422的柵極。第一增益晶體管420的柵極對(duì)應(yīng)于第一放大級(jí)402的輸入并且被DC耦合至第二增益晶體管422的柵極。第二增益晶體管422的柵極對(duì)應(yīng)于第二放大級(jí)404的輸入。

第一增益晶體管420的源極耦合至第一衰退電感器432。第一衰退電感器432針對(duì)第一增益晶體管420提供源極衰退。第一增益晶體管420的漏極耦合至第一共源共柵晶體管424的源極。第一增益晶體管420和第一共源共柵晶體管424包括被配置為放大第一載波信號(hào)的第一放大級(jí)402(例如第一LNA級(jí))，諸如圖2的第一放大級(jí)202。第一共源共柵晶體管424的漏極對(duì)應(yīng)于第一放大級(jí)402的輸出并且耦合至第一變壓器462。在示例性實(shí)施例中，第一變壓器462被配置為將來(lái)自第一共源共柵晶體管424的漏極的單端CA1RF輸出信號(hào)(CA1_RFout)變換成被提供給第一下變頻器(未示出)的差分信號(hào)輸出。

第二增益晶體管422的源極耦合至第二衰退電感器442。第二衰退電感器442針對(duì)第二增益晶體管422提供源極衰退。第二增益晶體管422的漏極耦合至第二共源共柵晶體管426的源極。第二增益晶體管422和第二共源共柵晶體管426包括被配置為放大第二載波信號(hào)的第二放大級(jí)404(例如第二LNA級(jí))，諸如圖2的第二放大級(jí)204。第二共源共柵晶體管426的漏極對(duì)應(yīng)于第二放大級(jí)404的輸出并且耦合至第二變壓器464。在示例性實(shí)施例中，第二變壓器464被配置為將來(lái)自第二共源共柵晶體管426的漏極的單端CA2RF輸出信號(hào)(CA2_RFout)變換成被提供給第二下變頻器(未示出)的差分信號(hào)輸出。

為了向第一增益晶體管420提供可編程源極衰退，可編程衰退電路470包括變壓器430，變壓器430包括輔助電感器434，輔助電感器434接近第一衰退電感器432，使得輔助電感器434磁性耦合至第一衰退電感器432。輔助電感器434耦合至輔助晶體管436的源極。輔助晶體管436的漏極耦合至系統(tǒng)電壓源，并且輔助晶體管436的柵極可以通過(guò)DC控制信號(hào)(Ven aux)來(lái)控制，DC控制信號(hào)(Ven aux)控制流經(jīng)輔助晶體管436的電流量并且相應(yīng)地控制流經(jīng)輔助電感器434(變壓器430的“開(kāi)關(guān)電感器”)的電流量。激活輔助晶體管436引起電流在包括串聯(lián)耦合至開(kāi)關(guān)輔助電感器434的輔助晶體管436的可編程衰退電路470的輔助路徑中流動(dòng)。開(kāi)關(guān)電感器434的激活通過(guò)電感器432和434之間的相互耦合來(lái)影響向第一增益晶體管420提供的整個(gè)源極衰退。輔助晶體管436的柵極還通過(guò)AC耦合電容423耦合至連接406上的RF_in信號(hào)。流經(jīng)輔助晶體管436的電流量由經(jīng)由輔助路徑啟用輸入472向輔助晶體管436的柵極施加的DC電壓(Ven aux)來(lái)確定。流經(jīng)輔助晶體管436的電流與流經(jīng)輔助電感器434的電流有關(guān)(例如成比例)。

在示例性實(shí)施例中，第一衰退電感器432與輔助電感器434之間的耦合可以是正的(+K)。如下面進(jìn)一步詳細(xì)描述的，在帶內(nèi)CA模式下，第一放大級(jí)402和第二放大級(jí)404耦合至單獨(dú)的負(fù)載電路，并且在非載波聚合模式(非CA模式)下，第一放大級(jí)402和第二放大級(jí)404耦合至相同的負(fù)載電路。由于在帶內(nèi)CA模式下在第一增益晶體管420和第二增益晶體管422中流動(dòng)的第一電流大于在非CA模式下在第一增益晶體管420和第二增益晶體管422中流動(dòng)的第二電流，所以LNA 410的輸入處的阻抗基于LNA 410根據(jù)CA模式還是非CA模式操作來(lái)變化。阻抗的變化影響單元件匹配網(wǎng)絡(luò)403的阻抗匹配。因此，如果輔助晶體管436在非CA模式下打開(kāi)ON，則第一衰退電感器432與輔助電感器434之間的電感耦合(K)應(yīng)當(dāng)為正(+K)，以維持輸入阻抗匹配。

在示例性實(shí)施例中，輔助晶體管436可以被激活，使得由第一衰退電感器432提供的源極衰退可以被控制，以修改非CA模式和CA模式二者下的LNA輸入阻抗，從而在兩種模式下實(shí)現(xiàn)單元件匹配。為了說(shuō)明，輸入匹配電路403可以包括一個(gè)或多個(gè)部件，諸如電容器或電感器。雖然可以針對(duì)每個(gè)載波頻帶和/或由LNA 410支持的每個(gè)操作模式提供多個(gè)部件集合，然而可以通過(guò)在輸入匹配電路403中使用單個(gè)電路元件(例如單個(gè)電感器或電容器)來(lái)減小成本和面積要求。并非在LNA的輸入阻抗變化時(shí)修改輸入匹配電路403的部件，可編程衰退電路470可以用于修改輸入阻抗。單獨(dú)的增益晶體管420和422可以稱(chēng)為用于支持CA模式和非CA模式下的操作的“split gm”架構(gòu)。雖然圖4描繪耦合至第一放大級(jí)402的可編程衰退電路470以及耦合至第二放大級(jí)404的第二源極衰退電感器442，然而在其他實(shí)現(xiàn)中，可編程衰退電路470可以被包括在第一放大級(jí)402中并且第二源極衰退電感器442可以被包括在第二放大級(jí)404中。

在示例性實(shí)施例中，包括轉(zhuǎn)移晶體管456的轉(zhuǎn)移路徑455耦合至第一放大級(jí)402并且耦合至第二放大級(jí)404。轉(zhuǎn)移晶體管456被配置為向第一放大級(jí)402選擇性地轉(zhuǎn)移第二放大級(jí)404中的電流。例如，可以向轉(zhuǎn)移晶體管456的柵極施加控制信號(hào)(Ven_divert)以使得電流流經(jīng)轉(zhuǎn)移晶體管456，從而在第一共源共柵晶體管424的輸出與第二增益晶體管422的輸出之間提供電流路徑。由于輸入匹配電路403可以被“調(diào)諧”以在放大級(jí)402和404都有效并且衰退電感器432、442都接收電流的情況下匹配LNA的輸入阻抗，因此，與沒(méi)有電流流經(jīng)第二源極衰退電感器442相比，通過(guò)轉(zhuǎn)移晶體管456轉(zhuǎn)移一些電流以使其流經(jīng)第二源極衰退電感器442改善了非CA模式下的輸入阻抗匹配。轉(zhuǎn)移晶體管456的漏極可以耦合至第一共源共柵晶體管424的漏極。轉(zhuǎn)移晶體管456的源極可以耦合至在第二增益晶體管422的漏極與第二共源共柵晶體管426的源極之間的節(jié)點(diǎn)457。轉(zhuǎn)移晶體管456的柵極可以由控制信號(hào)(Ven_divert)來(lái)控制，以啟用和停用轉(zhuǎn)移晶體管456。在示例性實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移晶體管456可以被配置為經(jīng)由控制信號(hào)(Ven_divert)從第一共源共柵晶體管424的漏極向第一增益晶體管422的漏極轉(zhuǎn)移部分電流，使得電流在非CA或帶間CA模式下流經(jīng)第二衰退晶體管442從而幫助維持LNA 410的輸入阻抗以實(shí)現(xiàn)單元件輸入匹配。

LNA 410包括耦合至第一放大級(jí)402并且被配置為控制第一放大級(jí)402的第一增益的第一電路裝置476。第一電路裝置476包括第一增益控制晶體管(第一“泄放”晶體管)452，第一泄放晶體管452被配置為響應(yīng)于第一泄放晶體管452的柵極處的可調(diào)節(jié)控制信號(hào)Vgain_1來(lái)從第一放大級(jí)402選擇性地轉(zhuǎn)移第一泄放電流Ibleed_1490。轉(zhuǎn)移第一泄放電流490減小了第一放大級(jí)402的輸出處的電流量。如本文中使用的，第一放大級(jí)402的“增益”對(duì)應(yīng)于在第一放大級(jí)402的輸出處提供的電流與在第一放大級(jí)402的輸入處的信號(hào)的幅度的比率。經(jīng)由第一泄放晶體管452泄放電流遠(yuǎn)離第一放大級(jí)402的輸出減小了第一放大級(jí)402的增益。LNA 410還包括第二電路裝置478，第二電路裝置478耦合至第二放大級(jí)404并且被配置為獨(dú)立于第一放大級(jí)402的第一增益來(lái)控制第二放大級(jí)404的第二增益。第二電路裝置478包括第二增益控制晶體管(第二“泄放”晶體管)454，第二泄放晶體管454被配置為響應(yīng)于第二泄放晶體管454的柵極處的可調(diào)節(jié)控制信號(hào)Vgain_2來(lái)從第二放大級(jí)404選擇性地轉(zhuǎn)移第二泄放電流Ibleed_2 492。LNA 410因此可以被配置為分別向共源共柵晶體管424的相應(yīng)CA1輸出和共源共柵晶體管426的CA2輸出提供不同的增益水平。第一泄放晶體管452的源極耦合至在第一增益晶體管420的漏極與第一共源共柵晶體管424的源極之間的節(jié)點(diǎn)453。第二泄放晶體管454的源極耦合至在第二增益晶體管422的漏極與第二共源共柵晶體管426的源極之間的節(jié)點(diǎn)455。

當(dāng)在其中輸出被提供給第一變壓器462或第二變壓器464的非CA模式或帶間CA模式下操作時(shí)，第一增益晶體管420接通，第二增益晶體管422接通，第一共源共柵晶體管424接通，并且第二共源共柵晶體管426斷開(kāi)。第二增益晶體管422保持處于非CA模式或帶間CA模式以保持輸入匹配。轉(zhuǎn)移晶體管456可以接通以轉(zhuǎn)移來(lái)自第一共源共柵晶體管424的輸出的電流的部分通過(guò)第二增益晶體管422和第二衰退電感器442，使得穿過(guò)第二衰退電感器442的電流幫助保持在其中提供單個(gè)輸出的LNA操作模式(即非CA和帶間CA模式)下輸入匹配，并且使得非CA和帶間CA模式下的輸入阻抗能夠與帶內(nèi)CA模式下的輸入阻抗基本上相同。

在本示例性實(shí)施例中，輔助晶體管436還接通使得輔助電感器434中有電流流動(dòng)。在輔助電感器434中流動(dòng)的電流引起在輔助電感器434與第一衰退電感器432之間發(fā)生磁性耦合，從而改變?cè)诜荂A或帶間CA模式下向第一增益晶體管420提供的第一衰退電感。

當(dāng)在其中輸入被同時(shí)提供給第一變壓器462和第二變壓器464的帶內(nèi)CA模式下操作時(shí)，第一增益晶體管420接通，第二增益晶體管422接通，第一共源共柵晶體管424接通，并且第二共源共柵晶體管426接通。在本示例性實(shí)施例中，通過(guò)第一增益晶體管420和第二增益晶體管422的電流高于在非CA或帶間CA模式下通過(guò)第一增益晶體管420的電流。在其中電流流經(jīng)第一增益晶體管420和第二增益晶體管422的帶內(nèi)CA模式下，通過(guò)將轉(zhuǎn)移晶體管456斷開(kāi)以阻擋電流從第一共源共柵晶體管424的輸出流向第二增益晶體管422的輸出和第二衰退電感器442，針對(duì)第一增益晶體管420和第二增益晶體管422實(shí)現(xiàn)了恒定輸入匹配、增益平衡和噪聲因數(shù)維持。在本示例性實(shí)施例中，輔助晶體管436也斷開(kāi)使得在帶內(nèi)CA模式下在輔助電感器436中沒(méi)有電流流動(dòng)。因此，在本示例性實(shí)施例中，除了由第二源極衰退電感器442向第二增益晶體管422提供的第二衰退，由第一源極衰退電感器432向第一增益晶體管420提供的第二衰退電感(不同于在輔助晶體管436接通時(shí)提供的第一衰退電感)提供充足的源極衰退，以實(shí)現(xiàn)可接受的噪聲因數(shù)性能。

在示例性實(shí)施例中，在非CA/帶間CA和帶內(nèi)CA操作模式下，晶體管452和晶體管454可以用于控制向第一共源共柵晶體管424和第二共源共柵晶體管426的相應(yīng)輸出施加的增益。當(dāng)晶體管452通過(guò)被施加給其柵極的控制信號(hào)接通時(shí)，在節(jié)點(diǎn)453處的在第一增益晶體管420的輸出處的電流的部分可以被去除并且被引起作為第一泄放電流490流經(jīng)晶體管452到電壓源Vdd。類(lèi)似地，當(dāng)晶體管454通過(guò)被施加給其柵極的控制信號(hào)接通時(shí)，在節(jié)點(diǎn)455處的在第二增益晶體管422的輸出處的電流的部分可以被去除并且被引起作為第二泄放電流492流經(jīng)晶體管454作為到電壓源Vdd的電流。以這一方式，可以獨(dú)立于向CA2_RFout信號(hào)施加的增益來(lái)調(diào)節(jié)向CA1_RFout信號(hào)施加的增益。獨(dú)立地調(diào)節(jié)由兩個(gè)放大級(jí)402、404施加的增益的這一能力使得LNA 410能夠同時(shí)放大可以從兩個(gè)不同的基站接收并且因此可以具有不同功率水平的兩個(gè)不同的載波。

控制能夠從第一增益晶體管420的輸出以及從第二增益晶體管422的輸出去除的電流的量可以使用大量不同方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，包括例如僅在數(shù)字上控制的并且可編程的電路、或者模擬控制電路。

可以提供將第一增益晶體管420的柵極耦合至其源極的電容器(Cgs)425(例如內(nèi)部或“片上”電容器)。在示例性實(shí)施例中，Cgs 425的電容可以可配置以提供LNA 410與輸入信號(hào)RFin的改善的輸入匹配。例如，Cgs 425可以在第一頻帶中被編程為第一值并且在第二頻帶中被編程為第二值。

LNA 410因此可以在不調(diào)節(jié)輸入匹配電路403的部件的情況下支持非CA、帶間CA和帶內(nèi)CA操作模式。轉(zhuǎn)移晶體管456和可編程衰退電路470使得輸入阻抗值能夠基于LNA 410在帶內(nèi)CA模式還是非CA或帶間CA模式下操作來(lái)被調(diào)節(jié)用于輸入匹配。另外，由第一放大級(jí)402和第二放大級(jí)404施加的獨(dú)立地可控的增益使得LNA 410能夠放大來(lái)自不同基站和/或不同無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的可以具有不同能量水平的載波。

參考圖5，描繪方法的示例性實(shí)施例并且其總體表示為500。方法500可以在包括具有多個(gè)放大級(jí)的放大器的無(wú)線設(shè)備、諸如圖1的包括圖4的LNA 410的無(wú)線設(shè)備110中執(zhí)行。例如，方法500可以由圖4的LNA 410來(lái)執(zhí)行。

在502，在放大器的第一放大級(jí)接收輸入信號(hào)，第一放大級(jí)被配置為放大第一載波信號(hào)。例如，輸入信號(hào)可以是經(jīng)由輸入匹配電路403在圖4的第一增益晶體管420的柵極處接收的RF信號(hào)。為了說(shuō)明，可以經(jīng)由雙工器或開(kāi)關(guān)346從圖3的天線348接收RF信號(hào)。

在504，在放大器的第二放大級(jí)接收輸入信號(hào)，第二放大級(jí)被配置為放大第二載波信號(hào)。例如，可以經(jīng)由輸入匹配電路403在第二增益晶體管422的柵極處接收輸入信號(hào)。第二放大級(jí)被直流(DC)耦合至第一放大級(jí)，諸如DC耦合至第一放大級(jí)402的圖4的第二放大級(jí)404。

在506，在被配置為控制第一放大級(jí)的第一增益的第一增益控制電路裝置處接收第一增益控制信號(hào)。例如，可以向圖4的第一泄放晶體管452的柵極施加第一增益控制電壓。在508，在耦合至第二放大級(jí)并且被配置為獨(dú)立于第一增益來(lái)控制第二放大級(jí)的第二增益的第二增益控制電路裝置處接收第二增益控制信號(hào)。例如，可以向圖4的第二泄放晶體管454的柵極施加第二增益控制電壓。第一增益控制電壓和第二增益控制電壓可以通過(guò)控制電路、諸如通過(guò)圖3的數(shù)據(jù)處理器310基于放大器的操作模式(例如針對(duì)來(lái)自不同基站的不同載波使用不同增益的帶內(nèi)CA模式)來(lái)選擇、生成或以其他方式提供。

方法500還可以包括向耦合至第一放大級(jí)并且耦合至第二放大級(jí)的轉(zhuǎn)移晶體管提供轉(zhuǎn)移控制信號(hào)。例如，在非CA操作模式下，可以向圖4的轉(zhuǎn)移晶體管456的柵極施加轉(zhuǎn)移啟用信號(hào)Ven_divert，以從第二放大級(jí)404向第一放大級(jí)402轉(zhuǎn)移電流。

方法500實(shí)現(xiàn)多個(gè)放大級(jí)的操作，這些多個(gè)放大級(jí)被DC耦合并且均可以向其相應(yīng)載波信號(hào)提供獨(dú)立地可控的增益水平。除了非載波聚合模式，因此可以使用利用單元件匹配網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)放大器來(lái)支持各種載波聚合模式、諸如帶間和帶內(nèi)載波聚合。因此，與使用更加復(fù)雜的匹配網(wǎng)絡(luò)和非DC耦合放大級(jí)的放大器相比，可以減小放大器的芯片面積和成本。

雖然圖5描繪方法500的元素的特定順序，然而應(yīng)當(dāng)理解，在其他實(shí)施例中，方法500的元素可以按照另一順序來(lái)執(zhí)行。另外，方法500的元素中的兩個(gè)或多個(gè)(或全部)可以同時(shí)或基本上同時(shí)執(zhí)行。例如，可以與向第一放大級(jí)提供輸入信號(hào)(在502)同時(shí)(或者基本上同時(shí))向第二放大級(jí)提供輸入信號(hào)(在504)。作為另一示例，可以在基本上相同的時(shí)間向相應(yīng)增益控制電路裝置施加第一增益控制信號(hào)和第二增益控制信號(hào)。

結(jié)合所公開(kāi)的實(shí)施例，描述了一種裝置，其包括用于放大第一載波信號(hào)的第一部件。例如，用于放大第一載波信號(hào)的第一部件可用包括圖2或圖3的第一放大級(jí)202、圖4的第一放大級(jí)402、另一放大增益級(jí)電路、或者其任意組合。

裝置還包括用于放大第二載波信號(hào)的第二部件，并且用于放大的第一部件被直流(DC)耦合至用于放大的第二部件。例如，用于放大第二載波信號(hào)的第二部件可以包括圖2或圖3的第二放大級(jí)204、圖4的第二放大級(jí)404、另一放大增益級(jí)電路、或者其任意組合。DC耦合可以包括部件之間的導(dǎo)電耦合而沒(méi)有中間電抗提供部件，諸如電感器或電容器。

裝置包括用于控制用于放大的第一部件的第一增益的第一部件。用于控制第一增益的第一部件可以被配置為從用于放大的第一部件的第一輸出選擇性地轉(zhuǎn)移第一泄放電流。例如，用于控制第一增益的第一部件可以包括圖4的第一電路裝置476、圖4的第一泄放晶體管452、另一增益控制電路、或者其任意組合。

裝置還包括用于獨(dú)立于第一增益來(lái)控制第二級(jí)的第二增益的第二部件。用于控制第二增益的第二部件可以被配置為從用于放大的第二部件的第二輸出選擇性地轉(zhuǎn)移第二泄放電流。例如，用于控制第二增益的第二部件可以包括圖4的第二電路裝置478、圖4的第二泄放晶體管454、另一增益控制電路、或者其任意組合。

在具體的實(shí)施例中，裝置包括用于從用于放大的第二部件向用于放大的第一部件轉(zhuǎn)移電流的部件。例如，用于轉(zhuǎn)移電流的部件可以包括轉(zhuǎn)移晶體管456、被配置為在放大級(jí)之間轉(zhuǎn)移電流的另一開(kāi)關(guān)或電路、或者其任意組合。

在具體的實(shí)施例中，用于放大的第一部件包括用于提供衰退阻抗的部件。例如，用于提供衰退阻抗的部件可以包括輔助路徑，輔助路徑包括變壓器的開(kāi)關(guān)電感器。為了說(shuō)明，用于提供衰退阻抗的部件可以包括圖4的可編程衰退電路470、另一可調(diào)節(jié)阻抗電路、或者其任意組合。

本文中描述的具有單元件輸入匹配和雙增益控制的低噪聲放大器(LNA)可以在一個(gè)或多個(gè)IC、模擬IC、RFIC、混合信號(hào)IC、ASIC、印刷電路板(PCB)、電子器件等上來(lái)實(shí)現(xiàn)。具有單元件輸入匹配和雙增益控制的LNA也可以使用各種IC工藝技術(shù)來(lái)制造，諸如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、N溝道MOS(NMOS)、P溝道MOS(PMOS)、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、雙極型CMOS(BiCMOS)、硅鍺(SiGe)、砷化鎵(GaAs)、異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、絕緣體上硅(SOI)等。

實(shí)現(xiàn)本文中描述的具有單元件輸入匹配和雙增益控制的LNA的裝置可以是獨(dú)立的設(shè)備或者可以是較大設(shè)備的部分。設(shè)備可以是(i)獨(dú)立的IC，(ii)可以包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或指令的存儲(chǔ)器IC的一個(gè)或多個(gè)IC的集合，(iii)RFIC，諸如RF接收器(RFR)或RF發(fā)射器/接收器(RTR)，(iv)ASIC，諸如移動(dòng)臺(tái)調(diào)制解調(diào)器(MSM)、(v)可以嵌入在其他設(shè)備內(nèi)的模塊，(vi)接收器、手機(jī)、無(wú)線設(shè)備、手持機(jī)、或移動(dòng)單元，(vii)等。

在一個(gè)或多個(gè)示例性設(shè)計(jì)中，所描述的功能可以用硬件、軟件、固件、或者其任意組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果用軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，這些功能可以作為一個(gè)或多個(gè)指令或代碼存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上或者在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上發(fā)射。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)和通信介質(zhì)，包括促進(jìn)計(jì)算機(jī)程序從一個(gè)地方到另一地方的傳送的任何介質(zhì)。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是能夠由計(jì)算機(jī)訪問(wèn)的任何可用介質(zhì)。在示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)不是暫態(tài)或傳播信號(hào)的形式的數(shù)據(jù)，諸如基于物理存儲(chǔ)材料的光學(xué)反射或磁性方位、存儲(chǔ)在晶體管的浮動(dòng)?xùn)艠O或電容器的板子上的電荷的量等。作為示例而非限制，這樣的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM、或其他光盤(pán)存儲(chǔ)裝置、磁盤(pán)存儲(chǔ)裝置或其他磁性存儲(chǔ)器件、或者能夠用于承載或存儲(chǔ)指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的期望程序代碼并且能夠被計(jì)算機(jī)訪問(wèn)的任何其他介質(zhì)。另外，任何連接被適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。例如，如果使用同軸線纜、光纖線纜、雙絞線、數(shù)字訂戶(hù)線(DSL)、或無(wú)線技術(shù)(諸如紅外、射頻和微波)來(lái)從網(wǎng)站、服務(wù)器、或其他遠(yuǎn)程源來(lái)發(fā)射軟件，則同軸線纜、光纖線纜、雙絞線、DSL、或無(wú)線技術(shù)(諸如紅外、射頻和微波)被包括在介質(zhì)的定義內(nèi)。本文中使用的磁盤(pán)和光盤(pán)包括壓縮盤(pán)(CD)、激光光盤(pán)、光學(xué)光盤(pán)、數(shù)字多功能盤(pán)(DVD)、軟盤(pán)和藍(lán)光光盤(pán)，其中磁盤(pán)通常磁性地復(fù)制數(shù)據(jù)，而光盤(pán)使用激光器光學(xué)地復(fù)制數(shù)據(jù)。以上的組合應(yīng)當(dāng)也被包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。

如本描述中使用的，術(shù)語(yǔ)“部件”、“數(shù)據(jù)庫(kù)”、“模塊”、“系統(tǒng)”等意圖指代計(jì)算機(jī)相關(guān)實(shí)體，其是硬件、固件、硬件和軟件的組合、軟件、或者在執(zhí)行的軟件。為了說(shuō)明，圖3的數(shù)據(jù)處理器310可以執(zhí)行程序指令以選擇增益控制信號(hào)Vgain_1和Vgain_2的值并且控制圖4的轉(zhuǎn)移控制信號(hào)Ven_divert。例如，部件可以是但不限于在處理器上運(yùn)行的過(guò)程、處理器、對(duì)象、可執(zhí)行文件、執(zhí)行的線程、程序、和/或計(jì)算機(jī)。作為說(shuō)明，在計(jì)算設(shè)備上運(yùn)行的應(yīng)用和計(jì)算設(shè)備都可以是部件。一個(gè)或多個(gè)部件可以駐留在執(zhí)行的過(guò)程和/或線程中，并且部件可以位于一個(gè)計(jì)算機(jī)上和/或分布在兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)之間。另外，這些部件可以從其上存儲(chǔ)有各種數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的各種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)來(lái)執(zhí)行。

雖然已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明和描述了所選擇的方面，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以在不偏離如以下權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出各種替換和改變。