本發(fā)明涉及在壓電基板上設(shè)置保護(hù)膜的彈性波裝置。

背景技術(shù)：

過去，作為諧振器或帶通濾波器而廣泛使用彈性波裝置。

例如在下述專利文獻(xiàn)1中公開了一種彈性波裝置，其具備壓電基板、IDT電極和覆蓋該IDT電極而形成的保護(hù)膜。在專利文獻(xiàn)1中，上述保護(hù)膜能由氧化鋁或藍(lán)寶石等電介質(zhì)材料形成。另外，上述保護(hù)膜的厚度被設(shè)為0.03λ～0.5λ。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：JP特開2013-168864號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

近年來，伴隨載波聚合等多頻帶的同時利用、LTE等高速通信化，對濾波器施加的電力增大。為此在專利文獻(xiàn)1那樣的彈性波裝置中，在IDT電極部發(fā)熱，有時電特性變動，或IDT電極部熔融。

在該情況下，能通過將熱傳導(dǎo)率高的電介質(zhì)所構(gòu)成的保護(hù)膜形成在IDT電極部來使散熱進(jìn)行。但為了使散熱充分進(jìn)行，需要使保護(hù)膜的膜厚較厚。若使IDT電極上的保護(hù)膜的膜厚較厚，則有時諧振器特性會劣化。

本發(fā)明的目的在于，提供散熱性高且難以出現(xiàn)諧振器特性等電特性的劣化的彈性波裝置。

用于解決課題的手段

本發(fā)明所涉及的彈性波裝置具備：壓電基板；IDT電極，其層疊在上述壓電基板上，具有第1、第2匯流條、和與該第1、第2匯流條連接的第1、第2電極指；安裝電極，其與上述IDT電極電連接；保護(hù)膜，其覆蓋上述IDT電極而形成；和熱傳導(dǎo)性材料層，其有絕緣性，形成在除了上述IDT電極的激勵區(qū)域上以及上述安裝電極上以外的區(qū)域的至少一部分。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的某特定的局面中，進(jìn)一步具備：布線電極，其設(shè)置為將上述IDT電極的上述第1、第2匯流條和上述安裝電極連接。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的另外特定的局面中，上述布線電極具有將2個金屬層層疊的層疊結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的其他特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層被設(shè)置為與上述布線電極的至少一部分相接。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再另外特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層層疊在上述布線電極上。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層被上述布線電極以及上述壓電基板所夾。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層與上述布線電極相鄰。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層與上述安裝電極連接。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層的厚度厚于上述保護(hù)膜的厚度。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述保護(hù)膜由SiO₂和SiN當(dāng)中至少一方構(gòu)成。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述熱傳導(dǎo)性材料層由從氧化鋁、藍(lán)寶石、氮化鋁、金剛石、摻雜鈧的氮化鋁、SiO₂以及SiN所構(gòu)成的群中選擇的至少1種電介質(zhì)構(gòu)成。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，構(gòu)成梯型的濾波器電路。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的再其他特定的局面中，上述梯型的濾波器電路的串聯(lián)臂諧振器當(dāng)中除了與上述安裝電極連接的諧振器以外的諧振器和上述安裝電極通過上述熱傳導(dǎo)性材料層連接。

發(fā)明的效果

在本發(fā)明中，由于在除了IDT電極的第1、第2電極指上以及安裝電極上以外的區(qū)域的至少一部分設(shè)置有絕緣性的熱傳導(dǎo)性材料層，因此能提供散熱性高且難以出現(xiàn)諧振器特性等的電特性的劣化的彈性波裝置。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第1實施方式所涉及的彈性波裝置的示意俯視圖。

圖2是表示將圖1所示的彈性波裝置的保護(hù)膜除去的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

圖3是表示將圖1所示的彈性波裝置的保護(hù)膜以及熱傳導(dǎo)性材料層除去的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

圖4(a)是本發(fā)明的第1實施方式所涉及的彈性波裝置中設(shè)置布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖4(b)是未設(shè)布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖4(c)是1端口型彈性波諧振器的電極結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

圖5(a)是本發(fā)明的第2實施方式所涉及的彈性波裝置中設(shè)置布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖5(b)是未設(shè)布線電極的區(qū)域的示意截面圖。

圖6(a)是本發(fā)明的第3實施方式所涉及的彈性波裝置中設(shè)置布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖6(b)是未設(shè)布線電極的區(qū)域的示意截面圖。

具體實施方式

下面參考附圖來說明本發(fā)明的具體的實施方式，由此使本發(fā)明變得明了。

圖1是本發(fā)明的第1實施方式所涉及的彈性波裝置的示意俯視圖，圖2是表示將圖1所示的彈性波裝置的保護(hù)膜除去的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖3是表示將圖1所示的彈性波裝置的保護(hù)膜以及熱傳導(dǎo)性材料層除去的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。另外，圖4(a)是第1實施方式所涉及的彈性波裝置中設(shè)置有布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖4(b)是未設(shè)有布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖4(c)是1端口型彈性波諧振器的電極結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

如圖1所示那樣，本發(fā)明所涉及的彈性波裝置1具有矩形板狀的壓電基板2。壓電基板2由LiTaO₃或LiNbO₃那樣的壓電單晶基板構(gòu)成。壓電基板2由壓電陶瓷形成。

如圖3所示那樣，在壓電基板2上構(gòu)成梯型的濾波器電路。即，在壓電基板2上分別設(shè)置由彈性波諧振器構(gòu)成的串聯(lián)臂諧振器S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2、和并聯(lián)臂諧振器P1～P4。串聯(lián)臂諧振器S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2以及并聯(lián)臂諧振器P1～P4，由1端口型彈性波諧振器構(gòu)成。

1端口型彈性波諧振器具有圖4(c)所示的電極結(jié)構(gòu)。即，IDT電極3和配置于IDT電極3的彈性波傳播方向兩側(cè)的反射器9、10形成在壓電基板上。由此構(gòu)成1端口型彈性波諧振器。

IDT電極3能由Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W或以這些金屬的任一者為主體的合金等的適宜的金屬材料形成。IDT電極3既可以是單層，也可以是層疊2種以上的金屬層的層疊體。

IDT電極3具有多條第1電極指3c和多條第2電極指3d。多條第1電極指3c以及多條第2電極指3d在與彈性波傳播方向正交的方向上延伸。多條第1電極指3c和多條第2電極指3d相互交替插入。多條第1、第2電極指3c、3d分別與圖3所示的第1、第2匯流條3a、3b連接。在IDT電極3中，將激勵聲表面波的區(qū)域設(shè)為激勵區(qū)域E，其是電位互不相同的第1電極指3c和第2電極指3d在聲表面波傳播方向上相互重合的區(qū)域。

在圖3中，將串聯(lián)臂諧振器S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2以及并聯(lián)臂諧振器P1～P4中的IDT電極的多條第1電極指和多條第2電極指相互交替插入的部分，用矩形框狀的通過將對角線彼此連結(jié)而成的塊概略示出。若以串聯(lián)臂諧振器S1-1為代表更詳細(xì)進(jìn)行說明，則串聯(lián)臂諧振器S1-1的第1、第2匯流條3a、3b分別位于塊的電極指所延伸的方向的兩端。串聯(lián)臂諧振器S1-1的第2匯流條3b共用串聯(lián)臂諧振器S1-2的第1匯流條3a。另外，關(guān)于其他串聯(lián)臂諧振器S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2以及并聯(lián)臂諧振器P1～P4，也與串聯(lián)臂諧振器S1-1同樣示出。

在本實施方式中，第1、第2匯流條3a、3b具有將2個金屬層層疊的層疊結(jié)構(gòu)。然而第1、第2匯流條3a、3b也可以是單層。

如圖3所示那樣，串聯(lián)臂諧振器S1-1、S4-2，與構(gòu)成安裝電極的隆起焊盤電極11連接。更具體地，串聯(lián)臂諧振器S1-1經(jīng)由與第1匯流條3a相連的布線電極6以及接收端子7a而連接到Au或Au合金所構(gòu)成的隆起焊盤電極11。另一方面，串聯(lián)臂諧振器S4-2，經(jīng)由與第2匯流條3b相連的布線電極6以及天線端子7b而連接到隆起焊盤電極11。另外，安裝電極也能由焊料球構(gòu)成。彈性波裝置1經(jīng)由隆起焊盤電極11安裝在安裝基板的表面上。與隆起焊盤電極11接合的表面連接盤電極設(shè)置在安裝基板的表面，背面連接盤電極設(shè)置在安裝基板的背面。表面連接盤電極和背面連接盤電極以連接導(dǎo)體連接。另外，優(yōu)選安裝基板的熱容大于壓電基板2的熱容。另外，優(yōu)選安裝基板的體積大于壓電基板2的體積。

在串聯(lián)臂諧振器S1-1與串聯(lián)臂諧振器S4-2之間，串聯(lián)連接串聯(lián)臂諧振器S1-2、S2、S3、S4-1。串聯(lián)臂諧振器S1-2、S2、S3、S4-1不經(jīng)由布線電極6與隆起焊盤電極11連接。

并聯(lián)臂諧振器P1的一端與接地端子8a連接，另一端與串聯(lián)臂諧振器S1-1連接。并聯(lián)臂諧振器P2的一端與接地端子8b連接，另一端與串聯(lián)臂諧振器S1-2、S2連接。并聯(lián)臂諧振器P3的一端與接地端子8b連接，另一端與串聯(lián)臂諧振器S2以及S3連接。并且并聯(lián)臂諧振器P4的一端與接地端子8b連接，另一端與串聯(lián)臂諧振器S3、S4-1連接。

布線電極6能由適宜的金屬材料形成。在本實施方式中，布線電極6具有將2個金屬層層疊的層疊結(jié)構(gòu)。但布線電極6也可以是單層。

如圖2所示那樣，在除了串聯(lián)臂諧振器S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2以及并聯(lián)臂諧振器P1～P4的IDT電極的第1、第2電極指上、和隆起焊盤電極11上以外的區(qū)域，層疊有由具有絕緣性的材料所構(gòu)成的熱傳導(dǎo)性材料層5。

更具體地，設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5，來將串聯(lián)臂諧振器S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2以及并聯(lián)臂諧振器P1～P4的IDT電極的第1、第2電極指、和隆起焊盤電極11連接。

通過設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5，能將在IDT電極3產(chǎn)生的熱散熱到彈性波裝置1的外部。特別在本實施方式那樣熱傳導(dǎo)性材料層5與隆起焊盤電極11連接的情況下，能更加進(jìn)一步提高散熱性。這是因為，在IDT電極3發(fā)熱的熱經(jīng)由與熱傳導(dǎo)性材料層5相連的隆起焊盤電極11傳遞到安裝彈性波裝置1的安裝基板，散熱到彈性波裝置1的外部的緣故。

因此，如本實施方式那樣，在不與隆起焊盤電極11連接的串聯(lián)臂諧振器S1-2、S2、S3、S4-1通過熱傳導(dǎo)性材料層5與隆起焊盤電極11連接的情況下，能更加進(jìn)一步有效果地改善散熱性。

在本實施方式中，如圖1所示那樣，在串聯(lián)臂諧振器S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2、并聯(lián)臂諧振器P1～P4以及熱傳導(dǎo)性材料層5上，進(jìn)一步設(shè)置保護(hù)膜4。保護(hù)膜4為了調(diào)整頻率而設(shè)。

作為構(gòu)成保護(hù)膜4的材料并沒有特別限定，能由SiO₂或SiN等形成。

另外，作為構(gòu)成熱傳導(dǎo)性材料層5的材料，只要是熱傳導(dǎo)率高的絕緣體就沒有特別限定，例如能使用從氧化鋁、藍(lán)寶石、氮化鋁、金剛石以及摻雜鈧的氮化鋁所構(gòu)成的群選擇的至少1種電介質(zhì)。但也可以使用SiN或SiO₂等與保護(hù)膜4相同的材料。

作為熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度，并沒有特別限定，但期望比保護(hù)膜4的厚度更厚。具體地，作為熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度，優(yōu)選為1μm～60μm，更優(yōu)選為1μm～15μm。在熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度處于上述范圍內(nèi)的情況下，能更加進(jìn)一步有效果地提高散熱性。根據(jù)實驗確認(rèn)了，只要熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度為1μm以上，就能得到更加進(jìn)一步的散熱效果。熱傳導(dǎo)性材料層5所帶來的散熱效果通過增厚熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度而提高。另一方面，在將熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度成膜得厚于60μm的情況下，有時不再能無視制造工序中的晶片的翹曲等問題。因而若熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度為60μm以下，就能更加進(jìn)一步抑制晶片的翹曲，降低制造工序的難易度，因而優(yōu)選。進(jìn)而，根據(jù)熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度，會發(fā)生不得不增厚隆起焊盤電極11的厚度的情況。隆起焊盤電極11的厚度增加所引起的感性分量的增加有給濾波器電路的衰減特性帶來不良影響的情況。為了更加進(jìn)一步確實地抑制給衰減特性的不良影響，進(jìn)一步優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5的厚度是1μm以上、15μm以下的范圍內(nèi)。

以下參考圖4(a)以及圖4(b)的示意截面圖來更加詳細(xì)說明壓電基板2上的熱傳導(dǎo)性材料層5與布線電極6或保護(hù)膜4的位置關(guān)系。

如圖4(a)所示那樣，在設(shè)有布線電極6的區(qū)域，在布線電極6上設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5，在其上設(shè)置保護(hù)膜4。另外，在圖4(b)所示的未設(shè)布線電極6的區(qū)域，在壓電基板2上按照熱傳導(dǎo)性材料層5以及保護(hù)膜4的順序?qū)⑺鼈儗盈B。

如圖4(a)以及圖4(b)所示那樣，在IDT電極3的第1以及第2電極指在彈性波傳播方向上相互重合的激勵區(qū)域上，不設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5。俯視觀察壓電基板2，由于熱傳導(dǎo)性材料層5設(shè)置在不與IDT電極3的激勵區(qū)域重合的位置，因此能抑制熱傳導(dǎo)性材料層5給IDT電極3的激勵的影響。俯視觀察壓電基板2，進(jìn)一步優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5設(shè)置在不與反射器重合的位置。優(yōu)選以不在IDT電極3的第1、第2電極指上設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5，在IDT電極3的第1以及第2匯流條的至少一方上，設(shè)有熱傳導(dǎo)性材料層5的結(jié)構(gòu)來實施。

如此在本實施方式中，由于在布線電極6或壓電基板2上設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5，因此在IDT電極3中發(fā)熱的情況下也能向彈性波裝置1的外部進(jìn)行散熱。特別是，關(guān)于不與隆起焊盤電極11直接連接的串聯(lián)臂諧振器S1-2、S2、S3、S4-1，由于經(jīng)由熱傳導(dǎo)性材料層5與隆起焊盤電極11連接，因此能更加進(jìn)一步有效果地散熱。另外，在有導(dǎo)電性的散熱路徑配置于IDT電極的近旁的構(gòu)成中，散熱路徑具有布線電極的功能。在該情況下，有在布線電極與IDT電極3之間產(chǎn)生容性分量或感性分量的課題。與此相對，在本實施方式中，由于是有絕緣性的散熱路徑，能減低在散熱路徑與IDT電極3之間產(chǎn)生的容性分量或感性分量。進(jìn)而，由于熱傳導(dǎo)性材料層5不設(shè)置在IDT電極3的第1、第2電極指上，因此難以出現(xiàn)阻礙聲表面波的激勵而讓諧振器特性降低等的電特性的劣化。優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5連續(xù)形成，以與IDT電極3的第1匯流條和安裝電極連接。在第1匯流條和隆起焊盤電極存在電位差的情況下，在有絕緣性的熱傳導(dǎo)性材料層5中也不發(fā)生短路。具體地，在熱傳導(dǎo)性材料層5與連接到信號線路的第1匯流條和連接到接地電位的隆起焊盤電極連接的情況下，不會發(fā)生在第1匯流條和隆起焊盤電極的短路。因此，能不用擔(dān)心短路而使熱傳導(dǎo)性材料層5與第1匯流條和隆起焊盤電極連接來進(jìn)行散熱。特別是，優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5與第1匯流條、和與第1匯流條的距離最短且與第1匯流條電位不同的隆起焊盤電極連接。與第1匯流條電位不同的隆起焊盤電極可以是多個。俯視觀察壓電基板，優(yōu)選僅在與第1、第2匯流條重合的位置、與布線電極重合的位置、以及與布線電極和布線電極的間隙的壓電基板部分重合的位置設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5。進(jìn)一步優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5與第1、第2匯流條、布線電極直接接觸而設(shè)。

圖5(a)是本發(fā)明的第2實施方式所涉及的彈性波裝置的設(shè)置布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖5(b)是未設(shè)布線電極的區(qū)域的示意截面圖。

如圖5(a)所示那樣，在第2實施方式中，在壓電基板2上按照布線電極6以及保護(hù)膜4的順序?qū)⑺鼈儗盈B，在保護(hù)膜4之上設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5。另外，如圖5(b)所示那樣，在未設(shè)布線電極6的區(qū)域，也在壓電基板2上按照保護(hù)膜4以及熱傳導(dǎo)性材料層5的順序?qū)⑺鼈儗盈B。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，具有與第1實施方式所涉及的彈性波裝置1相同的結(jié)構(gòu)。

在第2實施方式中，熱傳導(dǎo)性材料層5未直接層疊在布線電極6上。但由于在保護(hù)膜4上設(shè)置了熱傳導(dǎo)性材料層5，因此能經(jīng)由保護(hù)膜4以及熱傳導(dǎo)性材料層5進(jìn)行散熱。另外，與第1實施方式同樣，由于熱傳導(dǎo)性材料層5為在IDT電極3的第1、第2電極指上設(shè)置，因此難以出現(xiàn)諧振器特性等的電特性的劣化。因此，熱傳導(dǎo)性材料層5，也可以形成在將IDT電極3的第1、第2電極指上排除在外的保護(hù)膜4上。為了得到充分的散熱效果，優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5具備保護(hù)膜4以上的熱傳導(dǎo)率，更優(yōu)選熱傳導(dǎo)性材料層5具備高于保護(hù)膜4的熱傳導(dǎo)率。熱傳導(dǎo)率能根據(jù)材料而變更。

圖6(a)是本發(fā)明的第3實施方式所涉及的彈性波裝置的設(shè)置布線電極的區(qū)域的示意截面圖，圖6(b)是未設(shè)布線電極的區(qū)域的示意截面圖。

如圖6(a)所示那樣，在第3實施方式中，在壓電基板2上按照熱傳導(dǎo)性材料層5、布線電極6以及保護(hù)膜4的順序進(jìn)行層疊。即，在第3實施方式中，讓熱傳導(dǎo)性材料層5被壓電基板2和布線電極6所夾地來設(shè)置。另外，圖6(a)以及圖6(b)中雖未圖示，但在IDT電極3的第1、第2匯流條的下部也設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5。其他結(jié)構(gòu)都與第1實施方式相同。

在第3實施方式中，由于與布線電極6的下部相接地設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5，因此在IDT電極3產(chǎn)生的熱在熱傳導(dǎo)性材料層5傳遞，放出到彈性波裝置1的外部。詳細(xì)地，通過設(shè)于壓電基板2上的IDT電極3的激勵而產(chǎn)生的熱經(jīng)由布線電極6、隆起焊盤電極11傳遞到安裝基板。另外，熱傳導(dǎo)性材料層5被壓電基板2和布線電極6所夾來設(shè)置。

另外，圖4～圖6中雖未圖示，但在本發(fā)明，也可以朝向壓電基板2的主面觀察，與IDT電極3的第1、第2匯流條、反射器或布線電極6相鄰那樣設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層5。在該情況下，經(jīng)由熱傳導(dǎo)性材料層，5將在IDT電極3產(chǎn)生的熱放出。

在本發(fā)明中，如上述那樣，由于在除了IDT電極的激勵區(qū)域以及隆起焊盤電極上的區(qū)域的至少一部分設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層，因此能提供散熱性高、抗電性卓越的彈性波裝置。另外，在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置中，由于不在IDT電極的第1、第2電極指上設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層，因此諧振器特性等的電特性難以劣化。熱傳導(dǎo)性材料層不設(shè)置在第1、第2電極指上以及隆起焊盤電極的導(dǎo)體上。

另外，在本發(fā)明中，如上述那樣，在梯型的濾波器電路中，使不與隆起焊盤電極連接的串聯(lián)臂諧振器經(jīng)由熱傳導(dǎo)性材料層與隆起焊盤電極連接，由此能更進(jìn)一步有效果地提高散熱性。因此，本發(fā)明所涉及的彈性波裝置適于作為分波裝置的發(fā)送濾波器使用。

接下來說明具體的實驗例。

(實驗例)

在以下的條件下制作在LiTaO₃基板上具備發(fā)送濾波器以及接收濾波器的分波裝置，測定IDT電極的最高溫度。

·IDT電極：以Al為主材料、厚度200nm

·保護(hù)膜：由SiO₂形成、厚度30nm

·布線電極：以Al為主材料、厚度3μm

·熱傳導(dǎo)性材料層：由SiN形成

·熱傳導(dǎo)性材料層厚度：在布線電極上厚度1μm、在沒有布線電極的壓電基板上厚度4μm

·熱傳導(dǎo)性材料層圖案：在IDT電極的電極指以及隆起焊盤電極以外的部分制作

·經(jīng)由隆起焊盤電極在利用PCB基板的安裝基板安裝壓電基板

·對發(fā)送濾波器諧振器部施加0.8W的功率

·外部溫度：25℃

另外，在同樣的條件下還一并制作未設(shè)熱傳導(dǎo)性材料層的樣本，進(jìn)行比較研討。

設(shè)置熱傳導(dǎo)性材料層的樣本和未設(shè)熱傳導(dǎo)性材料層的樣本進(jìn)行比較，確認(rèn)到不與隆起焊盤電極連接的串聯(lián)臂諧振器的IDT電極的最高溫度降低了約10℃。

在未設(shè)熱傳導(dǎo)性材料層的情況下，由于未通過布線連接到隆起焊盤電極，因此散熱未效率良好地進(jìn)行，另一方面，在設(shè)置熱電導(dǎo)性材料層的情況下，由于熱傳導(dǎo)性材料層成為到隆起焊盤電極為止的熱流路，因此認(rèn)為效率良好地散熱。

標(biāo)號的說明

1 彈性波裝置

2 壓電基板

3 IDT電極

3a、3b 第1、第2匯流條

3c、3d 第1、第2電極指

4 保護(hù)膜

5 熱傳導(dǎo)性材料層

6 布線電極

7a 接收端子

7b 天線端子

7c 發(fā)送端子

8a、8b 接地端子

9、10 反射器

11 隆起焊盤電極

S1-1、S1-2、S2、S3、S4-1、S4-2 串聯(lián)臂諧振器

P1、P2、P3、P4 并聯(lián)臂諧振器