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電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):12143204閱讀:282來源:國知局
電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的制作方法與工藝

本發(fā)明主張2014年6月12日提出申請(qǐng)的第82/011,556號(hào)美國臨時(shí)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán),所述美國臨時(shí)申請(qǐng)案的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般來說涉及構(gòu)成電子電路的一部分或全部的P裝置及N裝置的絕對(duì)或相對(duì)強(qiáng)度的漂移的檢測(cè)以及對(duì)應(yīng)信號(hào)或信號(hào)集的觸發(fā)。



背景技術(shù):

在CMOS電路中,P裝置或N裝置的絕對(duì)強(qiáng)度或者P裝置對(duì)N裝置的相對(duì)強(qiáng)度確定電路的數(shù)個(gè)特性(例如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度及上升/下降時(shí)間)。P裝置或N裝置的絕對(duì)或相對(duì)強(qiáng)度可由于制造過程公差的標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)展或由于例如負(fù)偏壓熱不穩(wěn)定性(NBTI)、正偏壓熱不穩(wěn)定性(PBTI)或熱載子注入(HCI)等現(xiàn)象隨時(shí)間而漂移。

在現(xiàn)有技術(shù)中,解決方案是:通過提供較長時(shí)序間隔、較大基極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度及較長的用于取決于上升/下降時(shí)間而捕獲數(shù)據(jù)的時(shí)間來提供可處置此漂移的電路。然而,此種類型的額外負(fù)擔(dān)是成本高的。

附圖說明

通過實(shí)例的方式而非限制的方式在附圖的各圖中圖解說明本發(fā)明,且在所述圖中相似參考編號(hào)指代類似元件,且在所述圖中:

圖1a是基本P/N分壓器傳感器的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖1b是P/N電壓傳感器及電平觸發(fā)式電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

圖2是觸發(fā)補(bǔ)償電路的過程的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖3是觸發(fā)電路的電路實(shí)施方案的一個(gè)實(shí)施例。

圖4a圖解說明針對(duì)其中所感測(cè)分壓器輸出X保持高于設(shè)定觸發(fā)器所需要的電平的情形,圖3的電路的模擬輸出。

圖4b圖解說明針對(duì)其中所感測(cè)分壓器輸出X降到切換觸發(fā)器所需要的電平的情形,圖3的電路的模擬輸出。

圖5是觸發(fā)補(bǔ)償電路的過程的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

圖6是傳感器(包含多個(gè)傳感器)的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

圖7是指示DC電平及時(shí)間相依觸發(fā)電平的分壓器輸出節(jié)點(diǎn)X的時(shí)序圖。

圖8是SRAM預(yù)充電及補(bǔ)償電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

圖9a是具有P裝置上升時(shí)間升壓器補(bǔ)償電路的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

圖9b是時(shí)鐘與數(shù)據(jù)保持時(shí)間隨時(shí)鐘上升時(shí)間而變的時(shí)序圖,其展示劣化及補(bǔ)償效應(yīng)。

圖10a是讀取輔助電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

圖10b是寫入輔助電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明通過在P裝置與N裝置類型之間的差高于閾值時(shí)設(shè)定觸發(fā)器來解決所述兩個(gè)裝置類型之間的漂移問題。觸發(fā)器可用以起始或接入補(bǔ)償器以補(bǔ)償漂移。

為了將目標(biāo)功能塊隨時(shí)間的行為維持在預(yù)定規(guī)格內(nèi),在所述塊中包含傳感器電路,所述傳感器電路實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并感測(cè)所述塊中的P裝置與N裝置之間的漂移且在差高于閾值時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)。當(dāng)所監(jiān)測(cè)的節(jié)點(diǎn)偏離預(yù)設(shè)定可接受范圍時(shí),觸發(fā)信號(hào)可耦合于補(bǔ)償器(例如校正電路)中。觸發(fā)信號(hào)可改變電路的時(shí)序,或以其它方式補(bǔ)償漂移。

在一個(gè)實(shí)施例中,系統(tǒng)包含使用取決于關(guān)鍵P裝置的強(qiáng)度的分壓器技術(shù)來實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)所述P裝置的相對(duì)強(qiáng)度的電路,從而當(dāng)所述P裝置的相對(duì)強(qiáng)度降到低于預(yù)設(shè)電平時(shí)觸發(fā)且鎖存校正信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中,電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的目的是:通過使用分壓器中的P晶體管作為其它P晶體管的代理來檢測(cè)P型電路元件的降級(jí)。相同概念可應(yīng)用于其中傳感器的閾值由于N裝置的劣化(由熱載子注入(HCI)或另一原因?qū)е?而變高的情形。因此,電路實(shí)現(xiàn)對(duì)偏斜的補(bǔ)償,而不論所述偏差是否是制造問題、隨時(shí)間的降級(jí)、另一失敗原因的結(jié)果。

所附權(quán)利要求書中陳述被認(rèn)為是本發(fā)明的特性的新穎特征。然而,通過參考結(jié)合附圖閱讀的以下對(duì)說明性實(shí)施例的詳細(xì)說明,將最佳地理解本發(fā)明本身以及優(yōu)選使用模式、其它目標(biāo)及其優(yōu)點(diǎn),其中相似參考編號(hào)指示相似組件。

圖1a是電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。其經(jīng)設(shè)計(jì)以通過分壓器電路100實(shí)時(shí)感測(cè)P裝置相對(duì)于N裝置的相對(duì)強(qiáng)度且一旦分壓器的輸出X越過目標(biāo)閾值便切換感測(cè)電路110。傳感器電路110的輸出TRIG激活一或多個(gè)補(bǔ)償電路120。

圖1b是電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的電路圖的一個(gè)實(shí)施例。圖1b對(duì)應(yīng)于圖1a的塊100及110。P裝置P150及N裝置N160經(jīng)定大小以在“接通”時(shí)輸出初始分壓器電平X。此定義開始感測(cè)節(jié)點(diǎn)X 170參考電壓。

由于P裝置P150的性能可為時(shí)間及活動(dòng)相依的,因此系統(tǒng)經(jīng)設(shè)計(jì)以監(jiān)測(cè)并在性能低于閾值時(shí)觸發(fā)。舉例來說,NBTI效應(yīng)使P裝置P150的質(zhì)量降級(jí)。P裝置P150是借助信號(hào)CTRL來進(jìn)行門控,而N裝置N160是借助互補(bǔ)信號(hào)來進(jìn)行門控,以確保成對(duì)地切換分壓器的P150與N160對(duì)。在一個(gè)實(shí)施例中,是由反相器190產(chǎn)生。

隨著P裝置P150的強(qiáng)度隨時(shí)間減弱,感測(cè)節(jié)點(diǎn)X 170電壓電平漂移降低直到其觸發(fā)信號(hào)觸發(fā)器為止。在一個(gè)實(shí)施例中,信號(hào)觸發(fā)器是經(jīng)設(shè)計(jì)以在信號(hào)感測(cè)節(jié)點(diǎn)X的預(yù)定電平下觸發(fā)的施密特(Schmitt)觸發(fā)器180。盡管電路展示施密特觸發(fā)器180,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解,可使用例如反相器、感測(cè)放大器等替代觸發(fā)器。觸發(fā)器180激活補(bǔ)償機(jī)制(未展示)。補(bǔ)償電路提供對(duì)P裝置P150的降級(jí)的補(bǔ)償,如所描述。如上文所提及,補(bǔ)償電路還可補(bǔ)償N裝置N160的降級(jí)。P裝置P150及N裝置N160是CMOS電路中的其它P型裝置及N型裝置的替代者。因此,將P裝置P150或N型裝置N160的降級(jí)視為系統(tǒng)中的其它P裝置類似地降級(jí)的指示符。

圖2是電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。P/N分壓器200的感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的輸出由信號(hào)觸發(fā)傳感器電路210感測(cè)。當(dāng)感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓降到低于閾值時(shí),傳感器電路210被觸發(fā)。當(dāng)所述情況發(fā)生時(shí),信號(hào)觸發(fā)傳感器電路210的輸出改變。在一個(gè)實(shí)施例中,一旦傳感器電路210被觸發(fā),觸發(fā)鎖存器220便鎖存輸出,因此一旦經(jīng)觸發(fā),由傳感器電路210輸出的值便不再改變。傳感器電路210的輸出被輸出到補(bǔ)償電路230。在一個(gè)實(shí)施例中,代替被鎖存的單個(gè)觸發(fā)器,系統(tǒng)可包含多個(gè)觸發(fā)器,觸發(fā)器中的每一者可在與所述觸發(fā)器相關(guān)聯(lián)的閾值被滿足時(shí)經(jīng)鎖存。

補(bǔ)償電路230用以補(bǔ)償P裝置的降級(jí)。舉例來說,可將并行P裝置接入到電路中,或可增加電壓偏壓電平,或可延長保持時(shí)間,使得數(shù)據(jù)得以及時(shí)鎖存。系統(tǒng)還可接入讀取輔助或?qū)懭胼o助電路或用于補(bǔ)償電路中的P裝置的降級(jí)的其它電路元件。

圖3是針對(duì)P型裝置的電路偏斜補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。分壓器的基本構(gòu)建塊是晶體管N300、N301、P302及N303。N型裝置N300與N301的晶體管對(duì)旨在建立分壓器的“時(shí)間恒定”組件,而成對(duì)的P型裝置P302與N型裝置N303經(jīng)設(shè)計(jì)以在時(shí)間“零”處具有在強(qiáng)度上與N300:N301相同的分壓器比率。然而,P302與N303對(duì)的輸出是時(shí)間相依的,因?yàn)镻型裝置會(huì)降級(jí)。P302及N303由控制信號(hào)CTRL及其補(bǔ)體進(jìn)行門控。在一個(gè)實(shí)施例中,N301也由進(jìn)行門控,而N300由Vdd進(jìn)行門控。

分壓器輸出感測(cè)節(jié)點(diǎn)X在CTRL未被斷言且被斷言時(shí)被拉到“Vdd-Vtn”的“高”,且在CTRL被斷言且未被斷言時(shí)處于電平X。電平X基于P302及N303的相對(duì)強(qiáng)度。在一個(gè)實(shí)施例中,當(dāng)P302及N303平衡在例如0.9V的Vdd下時(shí),Vdd-Vtn是0.65V,而電平X是0.45V。在一個(gè)實(shí)施例中,在此示范性情景中,可在0.3V下觸發(fā)觸發(fā)器304。在此上下文中,Vdd是供應(yīng)電壓,且Vtn是N裝置的閾值電壓。當(dāng)然,這些電壓電平僅是示范性的,且實(shí)際電平X及觸發(fā)電平基于正被監(jiān)測(cè)的電路的需要而可為不同的。

節(jié)點(diǎn)X處的所述電壓是到信號(hào)觸發(fā)傳感器電路(此處由施密特觸發(fā)器304表示)的輸入。感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓隨著P302減弱而隨時(shí)間漂移降低,直到其低得足以觸發(fā)傳感器電路304為止。在一個(gè)實(shí)施例中,一旦施密特觸發(fā)器304被觸發(fā),輸出信號(hào)TRIG便經(jīng)斷言為“高”,從而允許鎖存器N305將節(jié)點(diǎn)(感測(cè)節(jié)點(diǎn)X)拉低,從而將TRIG鎖定于“高”(即經(jīng)啟用)狀態(tài)中。TRIG是用于用以正被補(bǔ)償?shù)奶囟üδ艿难a(bǔ)償塊的激活信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中,信號(hào)由簡(jiǎn)單反相器305從信號(hào)CTRL產(chǎn)生。盡管圖3圖解說明對(duì)P型裝置的此種評(píng)估,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解,并行測(cè)試也可用以對(duì)N型裝置評(píng)估使用效應(yīng)。

參考圖4a及圖4b,圖4a是針對(duì)其中所感測(cè)分壓器輸出X保持高于切換觸發(fā)激活施密特觸發(fā)器所需要的電平的情形,圖3的電路的代表性模擬輸出。在此模擬中,施密特觸發(fā)器由簡(jiǎn)單反相器取代以捕獲最壞情形TRIG輸出不穩(wěn)定性,因?yàn)閭鞲衅麟娐?反相器或施密特觸發(fā)器)正經(jīng)受接近于觸發(fā)電壓的輸入電平X。控制信號(hào)400展示CTRL信號(hào)的正常切換。信號(hào)X 401展示感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓在“Vdd-Vtn”的高與低(未低得足以切換感測(cè)電路)之間轉(zhuǎn)變。觸發(fā)信號(hào)402展示在反相器傳感器不具有施密特觸發(fā)器的遲滯區(qū)特性的情形下,傳感器的輸出停留在零處、具有陡而“低”的瞬發(fā)性波動(dòng)(此處大約為200mV)。

圖4b是針對(duì)其中所感測(cè)分壓器輸出X充分地下降以觸發(fā)施密特觸發(fā)器的情形,圖3的電路的代表性模擬輸出。其還展示鎖存到永久“高”狀態(tài)中的信號(hào)TRIGGER 402a??刂菩盘?hào)400a展示CTRL信號(hào)的正常切換。感測(cè)節(jié)點(diǎn)X 401a處的電壓展示節(jié)點(diǎn)X在“Vdd-Vtn”的高與低(降低到足以切換感測(cè)電路)之間轉(zhuǎn)變。Trigger 402a展示傳感器電路的輸出。一旦TRIG首次切換為“高”,其便激活圖3的鎖存器N305,從而將信號(hào)TRIG鎖定為高,而不管控制信號(hào)CTRL如何轉(zhuǎn)變。

圖5是補(bǔ)償觸發(fā)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的流程圖???00及框501的過程展示在感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處感測(cè)分壓器電路的輸出的傳感器電路(施密特觸發(fā)器或反相器)的時(shí)間相依環(huán)路。只要感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓保持高于閾值,如在框501處所確定,系統(tǒng)便繼續(xù)測(cè)量感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓,且觸發(fā)器保持非作用,且返回到框500以再次進(jìn)行測(cè)量。在一個(gè)實(shí)施例中,此測(cè)量是連續(xù)的。在另一實(shí)施例中,測(cè)量可為周期性的。

當(dāng)感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓降到低于閾值(如在框501處所測(cè)量)時(shí),傳感器電路接通,從而在框502處斷言信號(hào)TRIG。在框504處,傳感器電路觸發(fā)激活鎖存器。在一個(gè)實(shí)施例中,鎖存器鎖定傳感器輸入“LO”及TRIG輸出“HI”。在框503處,對(duì)輸出信號(hào)TRIG的斷言激活一或多個(gè)補(bǔ)償電路。以此方式,系統(tǒng)可使用觸發(fā)器來補(bǔ)償P晶體管及/或N晶體管的質(zhì)量的改變。在一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)于多電平觸發(fā)器來說,過程可在接入第二或后續(xù)補(bǔ)償電路之前返回到框500以繼續(xù)測(cè)量感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓。多電平觸發(fā)器提供用于觸發(fā)各種補(bǔ)償電路的多個(gè)閾值。在將補(bǔ)償電路鎖存到系統(tǒng)中之后,系統(tǒng)繼續(xù)測(cè)試感測(cè)節(jié)點(diǎn)X處的電壓,且可依約定而接入額外補(bǔ)償電路元件。

圖6是其中在各種電平下激活多個(gè)傳感器的較綜合電路代表的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。此使系統(tǒng)能夠激活數(shù)個(gè)補(bǔ)償電路,每次均是響應(yīng)于不同程度的P裝置或N裝置改變而被激活。

時(shí)間相依分壓器電路N600、N601、P602及N603的操作與圖3中所描述的操作相同。然而,代替一個(gè)傳感器電路對(duì)感測(cè)節(jié)點(diǎn)X的單個(gè)預(yù)指派電平做出反應(yīng),激活一組傳感器電路605、605a、605b、605c等等中的一或多者。

在感測(cè)節(jié)點(diǎn)X的預(yù)計(jì)劃電平下激活每一觸發(fā)器。在一個(gè)實(shí)施例中,觸發(fā)器具有越來越低的電壓閾值,使得每一觸發(fā)器具有不同閾值,且因此每一觸發(fā)器是在不同電壓電平下被觸發(fā)。在一個(gè)實(shí)施例中,每一觸發(fā)器激活單獨(dú)的補(bǔ)償電路610、610a、610b、610c。因此,當(dāng)達(dá)到第一觸發(fā)電平時(shí),激活觸發(fā)器605a,且激活第一補(bǔ)償電路610a。當(dāng)所述電路隨后降級(jí)到使得第二觸發(fā)器605b被觸發(fā)的電平(其為低于第一觸發(fā)器的閾值電壓)時(shí),激活第二補(bǔ)償電路610b。具有此觸發(fā)器與補(bǔ)償電路序列確保電路元件的后續(xù)降級(jí)可得到補(bǔ)償。在另一實(shí)施例中,每一觸發(fā)器可耦合到同一補(bǔ)償電路,且調(diào)整所述同一補(bǔ)償電路內(nèi)的設(shè)定??梢曅枰褂锰娲囊换蚨鄠€(gè)補(bǔ)償電路。補(bǔ)償電路可全部為相同類型或可為處于不同電平的不同類型。在一個(gè)實(shí)施例中,單個(gè)觸發(fā)器可激活一個(gè)以上補(bǔ)償電路。

在一個(gè)實(shí)施例中,鎖存器N607由表示具有最低激活閾值的傳感器的最后觸發(fā)信號(hào)TRIG 606激活。以此方式,隨著P晶體管繼續(xù)降級(jí),可將額外補(bǔ)償電路接入到電路中。此使得能夠延長電路的功能壽命,且減小嚴(yán)重電路問題的可能性。在一個(gè)實(shí)施例中,系統(tǒng)可替代N晶體管(而非P晶體管)測(cè)試,如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解。在此實(shí)例中,電路中的每一N型晶體管將由P型晶體管取代,且反之亦然。此外,Vdd將由接地取代,而Control及將保持不變。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解如何修改此電路以適當(dāng)?shù)販y(cè)試N晶體管降級(jí)。在一個(gè)實(shí)施例中,完整電路實(shí)施方案可包含對(duì)兩種類型的晶體管的測(cè)試。

在一個(gè)實(shí)施例中,電路可具有多個(gè)傳感器及補(bǔ)償電路。在一個(gè)實(shí)施例中,系統(tǒng)可具有單獨(dú)傳感器以用于快速P晶體管、慢速P晶體管、電路上不同位置中的晶體管、具有不同電壓電平輸入的晶體管等等。在一個(gè)實(shí)施例中,補(bǔ)償電路可為位置相依的。

圖7是分壓器輸出節(jié)點(diǎn)X隨時(shí)間而變的示范性曲線圖,其指示時(shí)間t=0處的DC電平及激活對(duì)應(yīng)傳感器電路的切換的時(shí)間相依觸發(fā)電平700、701、702等等。應(yīng)注意,補(bǔ)償電路可處理實(shí)際晶體管處的行為,但不影響所描述的傳感器電路的行為,因?yàn)檠a(bǔ)償并未施加到此電路。

圖8是SRAM預(yù)充電電路的補(bǔ)償電路的一個(gè)實(shí)施例。P裝置800及801是經(jīng)定大小以滿足對(duì)設(shè)定BL 802及803的值的特定時(shí)序約束的初始裝置。P裝置810及820是由傳感器電路的TRIG信號(hào)觸發(fā)的補(bǔ)償裝置。當(dāng)將先前未經(jīng)使用的P裝置810及820接入到電路中時(shí),電路返回到預(yù)劣化狀態(tài)。此使預(yù)充電強(qiáng)度及時(shí)序達(dá)到預(yù)劣化狀態(tài)。盡管僅展示一組替代晶體管,但系統(tǒng)可包含可視需要接入到電路中的多個(gè)層級(jí)的替代晶體管。

圖9a是用于時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的劣化上升時(shí)間的數(shù)據(jù)保持補(bǔ)償?shù)难a(bǔ)償電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。補(bǔ)償電路包含在先前P型裝置充分劣化以導(dǎo)致時(shí)鐘偏斜時(shí)接入到電路中的補(bǔ)償P裝置910。圖9b圖解說明示范性時(shí)鐘信號(hào)及數(shù)據(jù)信號(hào)。時(shí)鐘信號(hào)901表示時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的初始上升時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施例中,時(shí)鐘信號(hào)902的虛線表示時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器因P型裝置的劣化而劣化的上升時(shí)間。間隙903表示初始數(shù)據(jù)保持時(shí)間。如可見,在劣化的情況下存在不充分的保持時(shí)間。通過將N型晶體管910接入補(bǔ)償電路而恢復(fù)時(shí)鐘(由白色箭頭展示)??赏ㄟ^使用此補(bǔ)償電路來設(shè)計(jì)電路,使得時(shí)鐘頻率不需要考慮到時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的上升時(shí)間的預(yù)期劣化。

圖10a是讀取輔助電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。在一個(gè)實(shí)施例中,可實(shí)施讀取輔助電路,從而減弱字線的電壓電平,因此減弱讀取操作期間對(duì)存取N裝置的驅(qū)動(dòng)。所述減弱可為幾毫伏?;趥鞲衅鞯膲K輸出,可產(chǎn)生1到“n”個(gè)控制信號(hào)1004以精細(xì)調(diào)諧“泄放器”N裝置的強(qiáng)度。通過將泄放器N裝置中的一或多者接入到電路中,將如所期望地調(diào)諧字線的電壓電平。

圖10b是寫入輔助電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。一種實(shí)施寫入輔助的方式是:通過形成具有多個(gè)P型裝置的分壓器網(wǎng)絡(luò)而使去往存儲(chǔ)器陣列的VDD在寫入期間“崩潰”。分壓器網(wǎng)絡(luò)(如所展示)可包含可通過控制1到控制n而獨(dú)立地被激活的一或多個(gè)分壓器。系統(tǒng)基于由傳感器電路檢測(cè)到的強(qiáng)度差而產(chǎn)生控制信號(hào),如上文所論述。通過接入網(wǎng)絡(luò)中的分壓器中的一或多者而實(shí)現(xiàn)適當(dāng)電平的電壓崩潰。

當(dāng)然,經(jīng)提供用于讀取及寫入輔助的示范性電路僅是實(shí)例。在不背離本發(fā)明的情況下,可利用調(diào)整由觸發(fā)電路所檢測(cè)到的偏斜的任何方法(不論是當(dāng)前已知還是后來開發(fā))。

在前述說明書中,已參考特定示范性實(shí)施例對(duì)所揭示的實(shí)施例進(jìn)行了描述。然而,將顯而易見,可在不背離所附權(quán)利要求書中所陳述的本發(fā)明的較廣泛精神及范圍的情況下對(duì)本發(fā)明做出各種修改及改變。因此,應(yīng)將說明書及圖式視為說明性而非限制性意義。

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