多個(gè)方面和實(shí)施例涉及用于各種電子設(shè)備的聲波器件。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請依據(jù)美國法典第35卷第119節(jié)和PCT第8條主張2014年7月31日提交的題為“聲波器件”的共同未決日本專利申請No.2014-155795的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體合并于此以用于所有目的。

背景技術(shù)：

通常，聲波器件是眾所周知的，其可作為用作無線通信設(shè)備的分路濾波器(branching filter)或高頻濾波器的電子部件。日本專利申請公開No.2012-109925描述了常規(guī)聲波器件的例子。

引文列表

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利申請公開No.2012-109925

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

常規(guī)的聲波器件難以小型化，因?yàn)樾⌒突瘯共嬷笓Q能器電極(IDT電極)的激勵(lì)區(qū)域更靠近聲波器件的密封構(gòu)件，這會影響激勵(lì)特性。

多個(gè)方面和實(shí)施例涉及提供一種聲波器件，其相對于具有可比擬的特征和/或性能的常規(guī)聲波器件的尺寸而言可被小型化。

根據(jù)某些實(shí)施例，一種聲波器件包括：襯底；設(shè)置在所述襯底上方的IDT電極；連接到所述IDT電極的布線電極，所述布線電極的外周具有突起；密封激勵(lì)空間的密封體，所述IDT電極在所述激勵(lì)空間中激發(fā)聲波；以及設(shè)置在所述布線電極上方并且形成所述密封體的一部分的密封墻。

在外周給所述布線電極提供突起使得所述聲波器件能被小型化而不削弱激勵(lì)特性，因?yàn)樗鐾黄鸱乐沽诵纬伤雒芊怏w和所述密封墻的構(gòu)件進(jìn)入所述IDT電極的激勵(lì)區(qū)域。

所述聲波器件的各種實(shí)施例可包括下列特征中的任何一個(gè)或多個(gè)。

根據(jù)一實(shí)施例，一種聲波器件包括：襯底；設(shè)置在所述襯底上方的IDT電極；密封激勵(lì)空間的密封體，所述IDT電極在所述激勵(lì)空間中激發(fā)聲波；設(shè)置在所述襯底上方并且連接到所述IDT電極的布線電極，所述布線電極包括形成在所述布線電極的外周上并且配置為突出到所述激勵(lì)空間中的突起；以及設(shè)置在所述布線電極上方并且形成所述密封體的一部分的密封墻，所述密封墻通過所述突起與所述IDT電極間隔開。

在一示例中，所述布線電極包括設(shè)置在所述襯底的上表面上的第一布線電極、以及設(shè)置在所述第一布線電極的上表面上的第二布線電極，所述突起形成在所述第二布線電極的外周上。

在一示例中，所述聲波器件還包括覆蓋所述IDT電極的第一電介質(zhì)膜，所述第二布線電極的至少一部分設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜上方。在另一示例中，所述聲波器件還包括覆蓋所述IDT電極的第一電介質(zhì)膜，所述第二布線電極覆蓋所述第一電介質(zhì)膜的外周。在另一示例中，所述聲波器件還包括覆蓋所述IDT電極并且覆蓋所述第一布線電極的外周的第一電介質(zhì)膜。所述聲波器件還可包括覆蓋所述布線電極和所述第一電介質(zhì)膜的第二電介質(zhì)膜，所述密封墻設(shè)置在所述第二電介質(zhì)膜上方。在另一示例中，所述聲波器件還包括覆蓋所述IDT電極的第一電介質(zhì)膜，所述突起設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜的外周上方。

在一示例中，所述聲波器件還包括設(shè)置在所述密封體的上表面上的端電極、以及將所述布線電極連接到所述端電極的連接電極。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種聲波器件包括：壓電襯底；設(shè)置在所述壓電襯底的上表面上的IDT電極；設(shè)置在所述壓電襯底的上表面上并且連接到所述IDT電極的第一布線電極；第二布線電極，所述第二布線電極的至少一部分設(shè)置在所述第一布線電極的上表面上，所述第二布線電極包括形成在所述第二布線電極的外周上并且配置為突出到激勵(lì)空間中的突起；以及密封所述激勵(lì)空間的密封體，所述IDT電極在所述激勵(lì)空間中激發(fā)聲波，所述密封體包括設(shè)置在所述第二布線電極上方的密封墻，所述密封墻通過所述突起與所述IDT電極間隔開。

在一示例中，所述聲波器件還包括覆蓋所述IDT電極的第一電介質(zhì)膜。在另一示例中，所述第一電介質(zhì)膜設(shè)置在所述第一布線電極的外周之上，所述第二布線電極的一部分設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜的外周之上。所述聲波器件還可包括覆蓋所述第二布線電極和所述第一電介質(zhì)膜的第二電介質(zhì)膜，所述密封墻設(shè)置在所述第二電介質(zhì)膜上方。

另一些方面和實(shí)施例涉及提供使用這種聲波器件的聲波濾波器和天線雙工器、以及使用其的模塊和通信設(shè)備。

在一實(shí)施例中，天線雙工器包括發(fā)射濾波器和接收濾波器，所述發(fā)射濾波器和所述接收濾波器中的至少一個(gè)包括根據(jù)上述實(shí)施例、示例或配置中的任一項(xiàng)的聲波器件。

另一實(shí)施例涉及包括該天線雙工器的模塊。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種模塊包括聲波濾波器，所述聲波濾波器包括上述實(shí)施例、示例或配置中的任一項(xiàng)的聲波器件。

另一實(shí)施例涉及包括上述實(shí)施例、示例或配置的聲波器件的通信裝置。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種聲波器件的制造方法包括如下步驟：提供襯底；在所述襯底的上表面上形成IDT電極；在所述襯底上方形成連接到所述IDT電極的布線電極，所述布線電極包括形成在所述布線電極的外周上并且配置為突出到激勵(lì)空間中的突起，所述IDT電極在所述激勵(lì)空間中激發(fā)聲波；以及形成密封所述激勵(lì)空間的密封體，所述密封體包括設(shè)置在所述布線電極上方并且通過所述突起與所述IDT電極間隔開的密封墻。

在一示例中，形成所述布線電極包括在所述襯底的上表面上形成第一布線電極，以及在所述第一布線電極的上表面上形成第二布線電極，包括在所述第二布線電極的外周上形成所述突起。

在另一示例中，所述方法還包括形成覆蓋所述IDT電極的第一電介質(zhì)膜。在這個(gè)示例中，形成所述第二布線電極可包括在所述第一電介質(zhì)膜的外周之上形成所述第二布線電極的一部分。在一示例中，形成所述第一電介質(zhì)膜包括形成覆蓋所述第一布線電極的外周的所述第一電介質(zhì)膜。

所述方法還可包括形成覆蓋所述第二布線電極和所述第一電介質(zhì)膜的第二電介質(zhì)膜。在一示例中，形成所述密封體包括在所述第二電介質(zhì)膜之上形成所述密封墻。

在另一示例中，所述方法還包括如下步驟：形成穿過所述密封墻延伸到所述布線電極的連接電極；在所述密封墻之上形成端電極；以及通過所述連接電極將所述端電極連接到所述布線電極。

下面將詳細(xì)論述這些示例性方面和實(shí)施例的又另一些方面、實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)。這里公開的實(shí)施例可以根據(jù)這里公開的原理中的至少一種以任何方式與其它實(shí)施例相組合，對“一實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“一替代實(shí)施例”、“各種實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”等的提及不一定是互斥的，旨在表明所描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)、或特性可被包括在至少一個(gè)實(shí)施例中。文中這些術(shù)語的出現(xiàn)不一定全部都涉及同一實(shí)施例。

附圖說明

下面將參照附圖論述至少一實(shí)施例的各個(gè)方面，附圖無意是按比例繪制的。包括附圖以提供對各個(gè)方面和實(shí)施例的示范和進(jìn)一步理解，并且其被包括在本說明書中構(gòu)成本說明書的一部分，但是無意定義對本發(fā)明的限制。在附圖中，各圖中示出的每個(gè)相同或近乎相同的部件由類似的數(shù)字表示。為了清楚起見，可能并非每個(gè)部件在每幅附圖中都被標(biāo)注。附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件的一實(shí)施例的橫截面視圖和所述聲波器件的一部分的對應(yīng)俯視圖的圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件的另一實(shí)施例的橫截面視圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件的另一實(shí)施例的橫截面視圖；

圖4A是根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件制造方法的一示例的流程圖；

圖4B是根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件制造方法的另一示例的流程圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件制造方法的一部分的流程圖，其可以是圖4A或4B的方法的一部分；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一些方面的包括聲波器件的天線雙工器的一示例的框圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明一些方面的包括聲波器件的模塊的一示例的框圖；以及

圖8是根據(jù)本發(fā)明一些方面的包括圖6的天線雙工器的通信設(shè)備的一示例的框圖。

具體實(shí)施方式

如上所述，一些方面和實(shí)施例涉及一種聲波器件，其通過在布線電極的外周上包括突起而具有改善的小型化能力，所述突起防止了密封體和/或密封墻侵入IDT電極的激勵(lì)區(qū)域上，由此防止了較小(小型化)的聲波器件的激勵(lì)特性劣化。

將理解，這里論述的方法和裝置的實(shí)施例在應(yīng)用時(shí)不限于下面描述或附圖所示的部件構(gòu)造和布置的細(xì)節(jié)。方法和裝置能實(shí)施在其他實(shí)施例中并且以各種方式實(shí)踐或執(zhí)行。這里僅出于示范的目的提供了具體實(shí)施方式的示例，而無意成為限制。此外，這里使用的短語和術(shù)語是用于描述，而不應(yīng)視為限制。這里使用的“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”及其變型意味著涵蓋其后所列項(xiàng)和其等價(jià)物、以及附加項(xiàng)。對“或”的提及可解釋為包括性的，從而用“或”描述的任何術(shù)語可表明描述項(xiàng)中的單個(gè)、超過一個(gè)、以及全部中的任何一種。任何涉及前和后、左和右、頂和底、上和下等是為了描述的方便，無意將本申請的系統(tǒng)和方法或它們的組合限制在任一位置或空間取向。特別地，諸如“上方”、“下方”、“上表面”、“下表面”等的指示方向的術(shù)語用于指定相對方向，其僅取決于包括在聲波器件中的諸如襯底、IDT電極等之類的部件之間的相對位置關(guān)系，因此無意指定諸如垂直方向等之類的絕對方向。

參考圖1，示出根據(jù)一實(shí)施例的聲波器件的示例。圖1示出了聲波器件11的橫截面視圖，以及聲波器件的一部分的對應(yīng)俯視圖。沿線A-AA截取的橫截面視圖對應(yīng)于由虛線包圍的區(qū)域。如圖1所示，聲波器件11包括襯底12、設(shè)置在襯底12的上表面上的叉指換能器電極(IDT電極)13、設(shè)置在襯底12的上表面上的布線電極14、覆蓋IDT電極13的第一電介質(zhì)膜15、密封激勵(lì)空間16的密封體17、以及設(shè)置在密封體17的上表面上的端電極18，IDT電極13在激勵(lì)空間16中激發(fā)聲波。

在一示例中，襯底12優(yōu)選地形成為壓電襯底，其可由諸如例如鉭酸鋰、鈮酸鋰、石英晶體等之類的壓電單晶體制成。

IDT電極13由設(shè)置在襯底12的上表面上的對置的梳形電極形成，以形成用于響應(yīng)于電信號輸入而在襯底12的上表面上激發(fā)特定聲波的諧振器。IDT電極13可由諸如鋁、銅、銀、金、鈦、鎢、鉬、鉑或鉻之類的單種金屬元素，或例如主要由這些元素中的一種或多種組成的合金，或其層狀結(jié)構(gòu)制成。例如，IDT電極13的厚度(當(dāng)IDT電極13具有層狀結(jié)構(gòu)時(shí)，厚度為該結(jié)構(gòu)的總厚度)范圍為0.2至0.6μm。

布線電極14是設(shè)置在襯底12的上表面上的金屬布線，且連接到IDT電極13以形成聲波器件11的電路。

在一些示例中，布線電極14包括設(shè)置在襯底12的上表面上的第一布線電極19和設(shè)置在第一布線電極19上方的第二布線電極20。就材料和/或?qū)咏Y(jié)構(gòu)而言，第一布線電極19可具有與IDT電極13相同的配置。

第一電介質(zhì)膜15覆蓋第一布線電極19的外周。覆蓋第一布線電極19外周的第一電介質(zhì)膜15保護(hù)IDT電極13和第一布線電極19免受腐蝕和機(jī)械應(yīng)力。

第二布線電極20形成在第一布線電極19上方并且其一部分形成在第一電介質(zhì)膜15上方。第二布線電極20的一部分可形成在第一布線電極19的覆蓋有第一電介質(zhì)膜15的區(qū)域上方，從而使得第二布線電極20的這部分可形成在不同層級(在襯底12的表面上方的不同高度)與第一布線電極19交叉的布線。這可改善布線設(shè)計(jì)的靈活性。

第二布線電極20的外周形成在第一電介質(zhì)膜15上方，突起22形成在第二布線電極20的外周上。突起22可以在在第一電介質(zhì)膜15的外周上方形成第二布線電極20以允許第二布線電極20與第一電介質(zhì)膜15交疊的工藝中形成，而不需要任何其他工藝。

將布線電極14配置為第一布線電極19和第二布線電極20的分層結(jié)構(gòu)可增大布線電極14的厚度。結(jié)果，布線電極14的電阻可降低從而減少聲波器件11的損耗。增大的厚度也可有效地耗散IDT電極13產(chǎn)生的熱量。

在一示例中，第一電介質(zhì)膜15是用于覆蓋襯底12的上表面的絕緣膜，并且是主要由例如氧化硅(SiO₂)組成的無機(jī)絕緣膜，以保護(hù)IDT電極13不受化學(xué)降解和機(jī)械應(yīng)力。第一電介質(zhì)膜15可由具有與襯底12的頻率溫度系數(shù)符號相反的頻率溫度系數(shù)的成分形成，從而使得由于溫度改變引起的聲波器件11的頻率特性的波動(dòng)可得到抑制。用第二布線電極20覆蓋第一電介質(zhì)膜15的外周防止了濕氣進(jìn)入第一電介質(zhì)膜15和襯底12之間，并且還保護(hù)了第一電介質(zhì)膜15的外周免受外加應(yīng)力。

繼續(xù)參考圖1，密封體17密封激勵(lì)空間16，激勵(lì)空間16用于IDT電極13在襯底12的表面中激發(fā)表面聲波。密封體17可由例如光固化聚酰亞胺樹脂或光固化環(huán)氧樹脂形成，并且可在其內(nèi)包括(金屬等的)加強(qiáng)構(gòu)件。密封體17包括密封墻23，其從側(cè)表面支持激勵(lì)空間16并且密封激勵(lì)空間16。密封墻23可設(shè)置在第二布線電極20上方，并且通過突起22與IDT電極13的激勵(lì)區(qū)域分隔開。在一些示例中，密封墻23由與密封體17相同的材料形成。

如上所述，包括突起22的布線電極14可防止形成密封體17的密封構(gòu)件進(jìn)入IDT電極13的激勵(lì)空間，從而可以防止聲波器件11的激勵(lì)特性的劣化。特別地，密封墻23通過突起22與IDT電極13間隔開，從而防止密封體17進(jìn)入IDT電極13的激勵(lì)區(qū)域，并且聲波器件11的可靠性得到改善。

在一示例中，端電極18是由金屬制成的電極，并且設(shè)置在密封體17的上表面上。端電極18通過柱狀連接電極21連接到襯底12上的布線電極14，并且可用作聲波器件11的輸入/輸出端子或接地端子以用于與外部電路(未示出)相接合。將端電極18設(shè)置在密封體17的上表面上并且通過連接電極21將布線電極14連接到端電極18可進(jìn)一步有助于允許減小聲波器件11的尺寸。

因此，總言之且如上所述，聲波器件11包括：襯底12；設(shè)置在襯底12上方的IDT電極13；設(shè)置在襯底12上方并且連接到IDT電極13的布線電極14，布線電極14包括在外周上的突起22；密封激勵(lì)空間16的密封體17，IDT電極13在激勵(lì)空間16中激發(fā)聲波；以及設(shè)置在布線電極14上方并且形成密封體17的一部分的密封墻23。因此，可防止形成密封體17的密封構(gòu)件進(jìn)入IDT電極13的激勵(lì)區(qū)域，從而使得聲波器件11可被小型化而不削弱激勵(lì)特性。

此外，在聲波器件11的一些示例中，布線電極14配置為包括設(shè)置在襯底12的上表面上的第一布線電極19和設(shè)置在第一布線電極19的上表面上的第二布線電極20，第二布線電極20具有在外周上的突起22。因此，連接到IDT電極13的布線電極14的厚度可增大以減小布線電極14的電阻從而減少聲波器件11的損耗，并且還有效地耗散IDT電極13產(chǎn)生的熱量，從而使得聲波器件11的可靠性可得到改善。此外，可獨(dú)立于第二布線電極20的布線圖案來設(shè)計(jì)第一布線電極19的布線圖案，因此可根據(jù)密封墻23的定位來設(shè)置突起22。

另外，聲波器件11包括覆蓋IDT電極13且還覆蓋第一布線電極19的外周的第一電介質(zhì)膜15。因此，可以更有效地保護(hù)IDT電極13和布線電極14免受腐蝕和機(jī)械應(yīng)力，從而使得聲波器件11的可靠性可得到改善。

此外，在聲波器件11中，第二布線電極20的一部分可設(shè)置在第一電介質(zhì)膜15上方，使得這些布線可布置為第二布線電極20的該部分和經(jīng)過第一電介質(zhì)膜15下面的第一布線電極19之間在不同層級處彼此交叉，從而容易地改善設(shè)計(jì)靈活性。另外，第一電介質(zhì)膜15的外周可覆蓋有第二布線電極20，從而更有效地保護(hù)第一電介質(zhì)膜15免受濕氣和應(yīng)力，由此改善聲波器件11的可靠性。

如上所述，在聲波器件11的某些示例中，突起22設(shè)置在第一電介質(zhì)膜15的外周上方，從而不需要任何附加工藝即可形成突起22。特別地，在第一電介質(zhì)膜15的外周上方形成第二布線電極20可實(shí)現(xiàn)第一電介質(zhì)膜15和第二布線電極20之間在厚度上的交疊結(jié)構(gòu)。

參考圖2，以橫截面示出了根據(jù)本發(fā)明一些方面的聲波器件31的另一實(shí)施例。圖2所示的聲波器件31的與圖1所示的實(shí)施例的聲波器件11相同的部件由相同的附圖標(biāo)記指示且不再進(jìn)一步描述。圖2所示的聲波器件31與圖1所示的聲波器件11的不同之處在于，有第二電介質(zhì)膜32覆蓋第一電介質(zhì)膜15和第二布線電極20。

類似于聲波器件11，聲波器件31可通過包括形成在布線電極14的外周上的突起33而防止形成密封體17的密封構(gòu)件進(jìn)入IDT電極13的激勵(lì)區(qū)域。如上所述，這防止了聲波器件31的激勵(lì)特性的劣化，因此可以使聲波器件小型化。

聲波器件31還包括覆蓋第一電介質(zhì)膜15和第二布線電極20的第二電介質(zhì)膜32。密封墻23設(shè)置在第二電介質(zhì)膜32上，如圖2所示。提供如此定位的第二電介質(zhì)膜23可有助于更有效地防止對IDT電極13的腐蝕。此外，對第二布線電極20的腐蝕可通過用第二電介質(zhì)膜32覆蓋第二布線電極20的暴露到激勵(lì)空間16的部分而得到防止。結(jié)果，聲波器件31的可靠性可得到進(jìn)一步改善。

圖3示出了根據(jù)另一實(shí)施例的聲波器件41的橫截面視圖。圖4所示的聲波器件41的與圖1所示的實(shí)施例的聲波器件11和/或圖2所示的實(shí)施例的聲波器件31的部件相同的部件由類似的附圖標(biāo)記指示并且不再進(jìn)一步描述。圖3所示的聲波器件41與圖1所示的聲波器件11和圖2所示的聲波器件31的不同之處在于，第一電介質(zhì)膜15和第二電介質(zhì)膜32被去除。

即便第一電介質(zhì)膜15和第二電介質(zhì)膜32沒有出現(xiàn)在聲波器件41中，布線電極14具有突起42以防止形成密封體17的密封構(gòu)件進(jìn)入IDT電極13的激勵(lì)區(qū)域，使得聲波器件41可被小型化而不會使激勵(lì)特性劣化，如上面論述的那樣。

這里公開的聲波器件的實(shí)施例和示例可用作例如使用在諸如無線通信設(shè)備之類的各種電子設(shè)備中的電子部件。

參考圖4A，示出了根據(jù)某些方面和實(shí)施例的聲波器件的制造方法400的一示例的流程圖。第一步驟402包括提供壓電襯底12。如上所述，例如，壓電襯底可由諸如鉭酸鋰、鈮酸鋰、石英晶體等之類的壓電單晶體制成。步驟403包括在壓電襯底12上形成IDT電極13。如上所述，例如，IDT電極13可由諸如鋁、銅、銀、金、鈦、鎢、鉬、鉑或鉻之類的單金屬元素，或主要由前述元素中的一種或多種組成的合金，或其分層結(jié)構(gòu)制成。因此，形成IDT電極13的步驟403可包括使用各種已知的金屬沉積技術(shù)中的任意技術(shù)，例如，諸如濺射、電鍍等，任選地借助于光刻技術(shù)來將IDT電極形成為期望的形狀。

步驟410包括在壓電襯底12的上表面上形成布線電極14并且將布線電極連接到IDT電極。如上所述，在某些示例中，布線電極14可具有與IDT電極13相同或相似的配置，因此可類似地使用例如已知的金屬沉積和光刻技術(shù)形成。當(dāng)布線電極14包括第一布線電極19和形成在第一布線電極上方的第二布線電極20時(shí)，第一布線電極19和IDT電極13可在相同步驟中形成。步驟410包括在布線電極14的外周上形成突起22，如上所述，突起22延伸到IDT電極13上方的激勵(lì)空間16中。

步驟404包括形成密封結(jié)構(gòu)以密封激勵(lì)空間16。形成密封結(jié)構(gòu)包括形成密封體17和密封墻23以維持和密封激勵(lì)空間16。如上所述，突起22防止密封結(jié)構(gòu)侵入激勵(lì)空間16中。在某些示例中，例如，步驟404包括形成光固化或光敏樹脂的密封體17和密封墻23，諸如光固化聚酰亞胺樹脂或光固化環(huán)氧樹脂。因此，步驟404可包括借助于已知的光刻技術(shù)執(zhí)行圖案化方法。更具體地，步驟404可包括在襯底12和/或布線電極14的上表面上施加光敏樹脂成分，然后利用曝光、顯影和固化步驟來圖案化該成分。

如上所述且參考圖4B，在某些示例中，方法400'還包括在密封體17的上表面上形成端電極18的步驟405。在一示例中，端電極18由金屬制成，因此，步驟405可包括使用各種已知的金屬沉積技術(shù)中的任何技術(shù)來形成端電極，包括但不限于濺射、電鍍等。

在某些示例中，端電極18通過柱狀連接電極21連接到布線電極14。因此，方法400'可包括將端電極18連接到布線電極14的步驟406。步驟406可包括在步驟405之前在密封體17中通過例如刻蝕來形成開口以暴露布線電極14的一部分。在一示例中，步驟405和406包括在開口中形成柱狀連接電極21并且將端電極18連接到柱狀連接電極21。可選地，在開口中形成柱狀連接電極21可作為形成端電極18的工藝的一部分來執(zhí)行?；蛘撸稍谛纬啥穗姌O18之前形成柱狀連接電極21。

同樣如上所述，在某些實(shí)施例中，布線電極14包括第一布線電極19和第二布線電極20。因此，在該方法的某些示例中，形成布線電極的步驟410可由圖5所示的工藝替代或補(bǔ)充。圖5為示出聲波器件的制造方法的一部分410'的一示例的流程圖，其可在圖4A和/或4B的方法中被包括在步驟410處。

參照圖5，步驟412包括在襯底12的上表面上形成第一布線電極19。如上所述，第一布線電極19可與IDT電極13在相同步驟中形成。步驟416包括在第一布線電極19上方形成第二布線電極20。如上所述，在某些實(shí)施例中，例如，如圖3所示，步驟416包括在第一布線電極19上形成第二布線電極20。然而，在另一些示例中，第二布線電極20的至少一部分通過電介質(zhì)膜與第一布線電極19分隔開。因此，方法410'可任選地包括形成覆蓋第一布線電極19的外周的第一電介質(zhì)膜15的步驟414，例如，如圖1和2所示的那樣。在某些示例中，例如，電介質(zhì)膜15為諸如SiO₂膜之類的絕緣膜，步驟414可包括使用各種已知的沉積技術(shù)和任選地圖案化技術(shù)中的任何技術(shù)。形成第二布線電極的步驟416可包括在第一電介質(zhì)膜的外周上方形成部分第二布線電極20，使得第一電介質(zhì)膜位于部分第一和第二布線電極之間，例如，如圖1和2所示的那樣。

方法400、400'和/或410還可任選地包括形成覆蓋第一電介質(zhì)膜15和第二布線電極20的第二電介質(zhì)膜32的步驟418，例如，如圖2所示的那樣。在該示例中，形成密封結(jié)構(gòu)的步驟404可包括在第二電介質(zhì)膜32上形成密封墻23。

如上所述，多個(gè)方面和實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)具有改善的可靠性和/或性能的聲波器件，并且其可被小型化而不削弱激勵(lì)特性。受益于本公開，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，將諸如聲波濾波器、天線雙工器、模塊或通信設(shè)備之類的部件或設(shè)備配置為例如使用根據(jù)本公開的聲波器件實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)通過由聲波器件提供的益處而具有增強(qiáng)或改善的特征的這種部件或設(shè)備。

根據(jù)一實(shí)施例，聲波器件可用于提供具有改善的特性的天線雙工器。圖6示出了可包括這里公開的聲波器件實(shí)施例的天線雙工器的一示例的框圖。天線雙工器600包括連接到共用的天線端子606的發(fā)射濾波器602和接收濾波器604。發(fā)射濾波器602包括用于將發(fā)射濾波器連接到發(fā)射機(jī)電路(未示出)的發(fā)射側(cè)端子603，接收濾波器包括用于將接收濾波器連接到接收機(jī)電路(未示出)的接收側(cè)端子605。發(fā)射濾波器602和接收濾波器604中的任一個(gè)或二者可包括聲波器件11、31和/或41中的一個(gè)或多個(gè)。通過將天線雙工器600配置為使用聲波器件11、31和/或41，可以實(shí)現(xiàn)具有改善的特性和增強(qiáng)的性能(起因于上述聲波器件的改善的特性)的天線雙工器。

此外，聲波器件11、31、41的實(shí)施例可任選地作為天線雙工器600的部件被包括到例如最終用在諸如無線通信設(shè)備之類的設(shè)備中的模塊內(nèi)，以提供具有增強(qiáng)的性能的模塊。圖7為示出包括聲波器件11、31和/或41的模塊700的一示例的框圖。模塊700還包括用于提供信號互連的連接702、用于電路封裝的諸如例如封裝基板之類的封裝704、以及諸如例如放大器、前置濾波器、調(diào)制器、解調(diào)器、下變頻器等之類的其他電路晶片706，如半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)人員鑒于本公開而將知曉的那樣。。在某些實(shí)施例中，模塊700中的聲波器件11、31或41可由天線雙工器600替代以提供例如RF模塊。

此外，將聲波濾波器和/或天線雙工器配置為使用聲波器件11、31和/或41的實(shí)施例可獲得使用其實(shí)現(xiàn)具有增強(qiáng)的性能的通信設(shè)備的效果。圖8是通信設(shè)備800(例如，無線或移動(dòng)設(shè)備)的一示例的示意性框圖，通信設(shè)備800可包括天線雙工器600，如上所述，天線雙工器600可包含一個(gè)或多個(gè)聲波器件11、31和/或41。通信設(shè)備800可代表例如多頻帶和/或多模式設(shè)備，諸如多頻帶/多模式移動(dòng)電話。在某些實(shí)施例中，通信設(shè)備800可包括天線雙工器600、通過發(fā)射側(cè)端子603連接到天線雙工器的發(fā)射電路802、通過接收側(cè)端子605連接到天線雙工器600的接收電路804、以及通過天線端子606連接到天線雙工器的天線806。發(fā)射電路802和接收電路804可為收發(fā)機(jī)的一部分，收發(fā)機(jī)可生成用于通過天線806發(fā)射的RF信號并且可從天線806接收傳入的RF信號。通信設(shè)備800還可包括控制器808、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)810、處理器812和電池814。

將理解，與RF信號的發(fā)射和接收相關(guān)聯(lián)的各種功能可通過在圖8中表示為發(fā)射電路802和接收電路804的一個(gè)或多個(gè)部件實(shí)現(xiàn)。例如，單個(gè)部件可配置為提供發(fā)射和接收兩個(gè)功能。在另一示例中，發(fā)射和接收功能可通過單獨(dú)的部件提供。

類似地，將理解，與RF信號的發(fā)射和接收相關(guān)聯(lián)的各種天線功能可通過在圖8中共同表示為天線806的一個(gè)或多個(gè)部件實(shí)現(xiàn)。例如，單個(gè)天線可配置為提供發(fā)射和接收兩個(gè)功能。在另一示例中，發(fā)射和接收功能可通過單獨(dú)的天線提供。在通信設(shè)備為多頻帶設(shè)備的又一示例中，與通信設(shè)備800相關(guān)聯(lián)的不同頻帶可具有不同的天線。

為便于接收和發(fā)射路徑之間的切換，天線雙工器600可配置為將天線806電連接到選定的發(fā)射或接收路徑。因此，天線雙工器600可提供與通信設(shè)備800的操作相關(guān)聯(lián)的多個(gè)開關(guān)功能。另外，如上所述，天線雙工器600包括配置為提供RF信號的濾波的發(fā)射濾波器602和接收濾波器604。如上所述，發(fā)射濾波器602和接收濾波器604中的任一個(gè)或二者可包括聲波器件11、31和/或41的實(shí)施例，并因此通過受益于使用聲波器件11、31和/或41而實(shí)現(xiàn)的小型化能力和改善的連接可靠性而提供增強(qiáng)的特征和/或性能。

如圖8所示，在某些實(shí)施例中，可提供控制器808以用于控制與天線雙工器600和/或其他操作部件的操作相關(guān)聯(lián)的各種功能。在某些實(shí)施例中，處理器812可配置為便于用于通信設(shè)備800的操作的各種過程的實(shí)施。通過處理器812執(zhí)行的過程可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)施。這些計(jì)算機(jī)程序指令可被提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)或用于生產(chǎn)機(jī)器的其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器，使得經(jīng)由計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器運(yùn)行的指令創(chuàng)建用于操作通信設(shè)備800的機(jī)制。在某些實(shí)施例中，這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)810中。電池814可為任何適于用在通信設(shè)備800中的電池，包括例如鋰離子電池。

上面已描述了至少一實(shí)施例的若干方面，將理解，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，將容易想到各種替代、修改和改進(jìn)。這些替代、修改和改進(jìn)旨在是本公開的一部分并且旨在落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，前面的描述和附圖僅是示例性的，本發(fā)明的范圍應(yīng)根據(jù)對所附權(quán)利要求的適當(dāng)理解及其等價(jià)物來確定。