本發(fā)明涉及具備基板、被安裝在基板的主面的電子部件、和埋設(shè)了該電子部件的埋設(shè)層的電子部件內(nèi)置基板。
背景技術(shù)：
：近年來，受到便攜型電子設(shè)備的薄型化的影響，如國際公開第2011/135926號(hào)(專利文獻(xiàn)1)那樣，提出了一種通過將電子部件埋設(shè)于基板內(nèi)部從而實(shí)現(xiàn)了基板的薄型化的電子部件內(nèi)置基板。圖44為專利文獻(xiàn)1所記載的電子部件內(nèi)置基板100的截面圖。在圖44所記載的電子部件內(nèi)置基板100中，在基板108安裝有電子部件101、102，且形成有對(duì)這些電子部件101、102進(jìn)行了埋設(shè)的埋設(shè)層109。這種電子部件內(nèi)置基板100具有如下優(yōu)點(diǎn)，即，輕量，且由于不會(huì)如陶瓷基板那樣伴有高溫?zé)?，因此?duì)于所內(nèi)置的電子部件而言限制較少。在此，作為被專利文獻(xiàn)1所記載的電子部件內(nèi)置基板100的埋設(shè)層109所埋設(shè)的電子部件101、102而考慮層疊陶瓷電容器。在圖45中示出層疊陶瓷電容器201的截面圖。層疊陶瓷電容器201具備陶瓷層疊體202、和被設(shè)置于陶瓷層疊體202的表面的第1外部電極203以及第2外部電極204。陶瓷層疊體202是陶瓷電介質(zhì)層205插入到第1內(nèi)部電極206和第2內(nèi)部電極207之間而形成的電容器元件以并聯(lián)連接的方式層疊而成的。這種層疊陶瓷電容器201在可靠性以及耐久性的方面優(yōu)良，且能夠?qū)崿F(xiàn)小型大電容。在小型大電容的層疊陶瓷電容器201中，作為構(gòu)成陶瓷層疊體202的陶瓷電介質(zhì)層205的材料，大多使用以鈦酸鋇為基本材料的高介電常數(shù)的陶瓷材料。當(dāng)對(duì)具備這種陶瓷層疊體202的層疊陶瓷電容器201施加電壓時(shí)，通過電致伸縮效應(yīng)以及逆壓電效應(yīng)，從而陶瓷層疊體202會(huì)產(chǎn)生與被施加的電壓的大小相應(yīng)的形變。伴隨于此，陶瓷層疊體202將反復(fù)進(jìn)行向?qū)盈B方向的膨脹、和向與層疊方向正交的面方向的收縮。近年來，由于隨著層疊陶瓷電容器201的小型化、薄層化的發(fā)展，被施加于介電體的電場(chǎng)強(qiáng)度變高，因此上述的陶瓷層疊體202的形變的程度也變大了。在此，如圖46(A)所示，考慮如下情況，即，層疊陶瓷電容器201通過連接構(gòu)件S而被安裝于基板B。當(dāng)電壓被施加于層疊陶瓷電容器201時(shí)，如圖46(B)所示，陶瓷層疊體202所產(chǎn)生的形變經(jīng)由連接構(gòu)件S使被粘接固定于層疊陶瓷電容器201的基板B進(jìn)行振動(dòng)。這種基板B的振動(dòng)，在基板B安裝有例如震動(dòng)傳感器等加速度傳感器的情況下，有可能會(huì)引起加速度傳感器的誤動(dòng)作。此外，在其振動(dòng)頻率為可聽域即20Hz～20kHz的情況下，將作為可聽音而被人類的耳朵聽到。該現(xiàn)象也被稱為“鳴叫(acousticnoise：聲學(xué)噪音)”，隨著電子設(shè)備的寂靜化而成為筆記本電腦、便攜電話、數(shù)碼照相機(jī)等的各種應(yīng)用的電源電路等中的設(shè)計(jì)課題。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：國際公開第2011/135926號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題在將層疊陶瓷電容器201以上述方式通過連接構(gòu)件S安裝于基板B，進(jìn)而如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣埋設(shè)于埋設(shè)層的情況下，可認(rèn)為連接構(gòu)件S和埋設(shè)層均將陶瓷層疊體202的形變向基板B進(jìn)行傳遞。在該情況下，有可能存在前述的基板B的振動(dòng)變大、且可聽音變大的情形。因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種即使電壓被施加于埋設(shè)層內(nèi)的電子部件而電子部件產(chǎn)生了形變，也可減少基板的振動(dòng)，進(jìn)而防止或減少產(chǎn)生由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的電子部件內(nèi)置基板。用于解決課題的手段在本發(fā)明中，為了即使埋設(shè)層內(nèi)的電子部件被施加電壓而電子部件產(chǎn)生了形變，也降低基板的振動(dòng)，進(jìn)而防止或降低由振動(dòng)造成的可聽音的產(chǎn)生，而實(shí)現(xiàn)了關(guān)于基板的彈性模量的改良。進(jìn)而，在本發(fā)明中，為了上述目的，還實(shí)現(xiàn)了關(guān)于基板的厚度、埋設(shè)層的厚度、以及電子部件的高度的關(guān)系、電子部件的配置方法、或者埋設(shè)層的形狀的改良。本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板具備：基板；第1電子部件，被安裝在基板的主面；埋設(shè)層，其被設(shè)置在基板的主面，且對(duì)第1電子部件進(jìn)行埋設(shè)。第1電子部件包括具備陶瓷層疊體和外部電極的層疊陶瓷電容器。陶瓷層疊體具有包括被交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極的層疊部、和將層疊部夾于其間的第1側(cè)部及第2側(cè)部，且具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。外部電極與內(nèi)部電極連接，且被設(shè)置在陶瓷層疊體的表面。在作為與基板的主面正交的方向的厚度方向上，第1側(cè)部位于層疊部和基板的主面之間。并且，埋設(shè)層的彈性模量小于基板的彈性模量。在上述的電子部件內(nèi)置基板中，即使埋設(shè)層內(nèi)的第1電子部件被施加電壓而第1電子部件產(chǎn)生了形變，也可降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由墓板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。另外，此處所說的可聽頻域，如前所述為20Hz～20kHz的頻域。本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板優(yōu)選具備以下特征(第1優(yōu)選方式)。即，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板的中央面處于穿過陶瓷層疊體的位置。在此，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板的中央面是指，在電子部件內(nèi)置基板的內(nèi)部假定為距電子部件內(nèi)置基板的一個(gè)主面的距離和距另一個(gè)主面的距離相等的面。在上述的電子部件內(nèi)置基板中，即使第1電子部件產(chǎn)生了形變，與電子部件內(nèi)置基板的厚度方向上的中央面相比上側(cè)部分和下側(cè)部分也會(huì)互相抵消彼此的振動(dòng)。因此，可降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第2優(yōu)選方式)。即，在厚度方向上，陶瓷層疊體的第1側(cè)部的厚度厚于第2側(cè)部的厚度。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第2優(yōu)選方式中，能夠加長層疊部和基板的距離。在該情況下，基板的厚度、埋設(shè)層的厚度、以及第1電子部件的高度的關(guān)系變得易于調(diào)整。即，易于設(shè)計(jì)為，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板的中央面處于穿過層疊體的位置。因此，可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)的降低變得容易，進(jìn)而由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生的防止或降低變得容易。此外，例如像日本特開2013-65820號(hào)公報(bào)所記載的那樣，通過對(duì)用于將第1電子部件與基板連接的連接構(gòu)件的頂峰的距基板的高度、和層疊部的高度的關(guān)系進(jìn)行調(diào)整，從而能夠進(jìn)一步有效地實(shí)施可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)的降低。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1優(yōu)選方式中，還優(yōu)選具備以下特征(第3優(yōu)選方式)。即，第1電子部件還具備與外部電極連接的電極端子，電極端子與基板連接。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第3優(yōu)選方式中，與第2優(yōu)選方式相同，能夠加長層疊部和基板的距離，基板的厚度、埋設(shè)層的厚度、以及第1電子部件的高度的關(guān)系變得易于調(diào)整。因此，能夠獲得與第2優(yōu)選方式相同的效果。此外，例如像日本特開2010-123614號(hào)公報(bào)所記載的那樣，通過對(duì)電極端子的形狀進(jìn)行調(diào)整，從而能夠進(jìn)一步有效地實(shí)施可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)的降低。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1優(yōu)選方式中，還優(yōu)選具備以下特征(第4優(yōu)選方式)。即，第1電子部件還具備位于第1側(cè)部和基板之間的內(nèi)插器，內(nèi)插器與基板連接。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第4優(yōu)選方式中，與第2以及第3優(yōu)選方式相同，能夠加長層疊部和基板的距離，基板的厚度、埋設(shè)層的厚度、以及第1電子部件的高度的關(guān)系變得易于調(diào)整。因此，能夠獲得與第2以及第3優(yōu)選方式相同的效果。此外，例如像日本特開2012-204572號(hào)公報(bào)所記載的那樣，通過對(duì)層疊陶瓷電容器相對(duì)于內(nèi)插器的連接方向進(jìn)行規(guī)定，或者使內(nèi)插器采用特定的構(gòu)造，從而能夠進(jìn)一步有效地實(shí)施可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)的降低。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1至第4優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第5優(yōu)選方式)。即，在厚度方向上，電子部件內(nèi)置基板的中央面位于第1電子部件的層疊部的中央面和陶瓷層疊體的第2側(cè)部之間。在此，厚度方向上的第1電子部件的層疊部的中央面是指，在層疊部的內(nèi)部假定為與基板連接的狀態(tài)下的第1電子部件的層疊部的、距與基板的主面平行且最近的側(cè)面的距離和距與基板的主面平行且最遠(yuǎn)的側(cè)面的距離相等的面。后述的厚度方向上的第2電子部件的層疊部的中央面也與上述相同地定義。進(jìn)而，所謂與基板的主面平行，并非是嚴(yán)格意義上的平行，而是指即使在側(cè)面存在凹凸的情況、側(cè)面稍有傾斜的情況，也宏觀地視為平行的位置關(guān)系。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第5優(yōu)選方式中，與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比上側(cè)部分和下側(cè)部分更有效地互相抵消彼此的振動(dòng)。因此，能可靠地降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而能可靠地防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板中，優(yōu)選還具備以下特征(第6優(yōu)選方式)。即，本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板還具備：第2電子部件，被安裝在基板的主面，且被埋設(shè)于埋設(shè)層。第2電子部件包括具備陶瓷層疊體和外部電極的層疊陶瓷電容器。陶瓷層疊體具有包括被交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極的層疊部、和將層疊部夾于其間的一對(duì)側(cè)部，且具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。外部電極與內(nèi)部電極連接，且被設(shè)置在陶瓷層疊體的表面。第1電子部件的陶瓷層疊體的側(cè)面和第2電子部件的陶瓷層疊體的側(cè)面隔著埋設(shè)層而互相對(duì)置。在作為與基板的主面正交的方向的厚度方向上，第1電子部件的層疊部的中央面和基板的主面的間隔寬于第2電子部件的層疊部的中央面和基板的主面的間隔。并且，在厚度方向上，電子部件內(nèi)置基板的中央面位于第1電子部件的層疊部的中央面和第2電子部件的層疊部的中央面之間。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第6優(yōu)選方式中，電子部件內(nèi)置基板的中央面位于比第1電子部件的層疊部的中央面更靠基板側(cè)，且位于比第2電子部件的層疊部的中央面更靠埋設(shè)層的外表面?zhèn)?。在上述的位置關(guān)系中，當(dāng)電壓被施加于第1電子部件時(shí)，第1電子部件所產(chǎn)生的形變會(huì)使比電子部件內(nèi)置基板的中央面更靠基板側(cè)的部分產(chǎn)生使基板的另一個(gè)主面變形為凹面的這樣的彎曲力矩。另一方面，當(dāng)電壓被施加于第2電子部件時(shí)，第2電子部件所產(chǎn)生的形變會(huì)使比電子部件內(nèi)置基板的中央面更靠埋設(shè)層的外表面?zhèn)鹊牟糠之a(chǎn)生使埋設(shè)層的外表面變形為凹面的這樣的彎曲力矩。即，在電子部件內(nèi)置基板的中央面處于上述的位置時(shí)，即使第1電子部件以及第2電子部件產(chǎn)生了形變，與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比靠基板側(cè)的部分和靠埋設(shè)層的外表面?zhèn)鹊牟糠忠矔?huì)互相抵消彼此的彎曲力矩，其結(jié)果為，互相抵消由基于彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)。因此，第1電子部件以及第2電子部件的各層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板的中央面的位置關(guān)系滿足上述的條件，從而可降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第6優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第7優(yōu)選方式)。即，在厚度方向上，第1電子部件的層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板的中央面的間隔短于第2電子部件的層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板的中央面的間隔。例如，如果設(shè)為第1電子部件與第2電子部件相比厚度方向上的寬度較大，電壓施加時(shí)的形變的程度大于第2電子部件，則與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比靠基板側(cè)的部分所產(chǎn)生的彎曲力矩大于與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比靠埋設(shè)層的外表面?zhèn)鹊牟糠炙a(chǎn)生的彎曲力矩。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第7優(yōu)選方式中，在厚度方向上，第1電子部件的層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板的中央面的間隔短于第2電子部件的層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板的中央面的間隔。通過這樣設(shè)置，從而能夠有效地取得欲使與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比靠基板側(cè)的部分變形的彎曲力矩、和欲使與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比靠埋設(shè)層的外表面?zhèn)鹊牟糠肿冃蔚膹澢氐钠胶?。即，與電子部件內(nèi)置基板的中央面相比靠基板側(cè)的部分和靠埋設(shè)層的外表面?zhèn)鹊牟糠钟行У鼗ハ嗟窒苫诒舜说膹澢氐淖冃嗡鸬恼駝?dòng)。因此，第1電子部件以及第2電子部件的各層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板的中央面的位置關(guān)系滿足上述的條件，從而可進(jìn)一步降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可有效地防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板中，優(yōu)選還具備以下特征(第8優(yōu)選方式)。即，本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板還具備：第2電子部件，被安裝基板的主面，且被埋設(shè)于埋設(shè)層。第2電子部件包括具備陶瓷層疊體和外部電極的層疊陶瓷電容器。陶瓷層疊體具有包括被交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極的層疊部、和將層疊部夾于其間的一對(duì)側(cè)部，且具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。外部電極與內(nèi)部電極連接，且被設(shè)置在陶瓷層疊體的表面。第1電子部件的陶瓷層疊體的側(cè)面和第2電子部件的陶瓷層疊體的側(cè)面隔著埋設(shè)層而互相對(duì)置。并且，第1電子部件的陶瓷層疊體中的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極的層疊方向、與第2電子部件的陶瓷層疊體中的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極的層疊方向互相正交。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第8優(yōu)選方式中，在各個(gè)電子部件被施加電壓時(shí)，第1電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)、和第2電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)彼此互相抵消。即，即使被埋設(shè)于埋設(shè)層的各個(gè)電子部件產(chǎn)生了由電壓的施加所引起的形變，也能夠降低經(jīng)由埋設(shè)層的振動(dòng)的傳遞。因此，通過在電子部件內(nèi)置基板的電路上如上述那樣配置第1電子部件和第2電子部件，從而可降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或減低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第8優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第9優(yōu)選方式)。即，第1電子部件和第2電子部件經(jīng)由導(dǎo)電圖案而被直接連接。另外，第1電子部件和第2電子部件的連接可以為并聯(lián)連接或串聯(lián)連接中的任一種。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第9優(yōu)選方式中，被施加于第1電子部件和第2電子部件的電壓實(shí)質(zhì)上沒有相位偏差。即，第1電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)、和第2電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)彼此可靠地互相抵消。因此，通過在電子部件內(nèi)置基板的電路上如上述那樣配置第1電子部件和第2電子部件，從而能可靠地降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而能可靠地防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第8或第9優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第10優(yōu)選方式)。即，在以基板的主面為基準(zhǔn)面時(shí)，第1電子部件的層疊部的中心的高度處于第2電子部件的層疊部的最低部的高度和最高部的高度之間，第2電子部件的層疊部的中心的高度處于第1電子部件的層疊部的最低部的高度和最高部的高度之間。在此，以基板的主面為基準(zhǔn)面時(shí)的第1電子部件的層疊部的最低部的高度和最高部的高度是指，與基板連接的狀態(tài)下的第1電子部件的層疊部的、距離基板的主面的高度最低的部位的高度和最高的部位的高度。第2電子部件的層疊部的最低部的高度和最高部的高度也與上述相同地定義。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第10優(yōu)選方式中，第1電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)、和第2電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)在不交錯(cuò)的情況下有效地發(fā)生干涉。即，在各個(gè)電子部件所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層而產(chǎn)生的振動(dòng)彼此可靠地互相抵消。因此，通過在電子部件內(nèi)置基板的電路上如上述那樣配置第1電子部件和第2電子部件，從而能可靠地降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而能可靠地防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板中，優(yōu)選還具備以下特征(第11優(yōu)選方式)。即，埋設(shè)層的表面具有凹部。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第11優(yōu)選方式中，由于在埋設(shè)層的外表面具有凹部，因此該凹部抑制經(jīng)由埋設(shè)層的第1電子部件的振動(dòng)的傳遞。其結(jié)果為，可抑制可聽頻域內(nèi)的電子部件內(nèi)置基板的大的振動(dòng)。因此，可降低伴隨著第1電子部件的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第11優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第12優(yōu)選方式)。即，凹部被設(shè)置為在可聽頻域內(nèi)減小伴隨著第1電子部件的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的基板的振動(dòng)。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第12優(yōu)選方式中，凹部有效地抑制經(jīng)由埋設(shè)層的第1電子部件的振動(dòng)的傳遞。其結(jié)果為，可有效地抑制可聽頻域內(nèi)的基板的大的振動(dòng)。因此，可進(jìn)一步降低伴隨著第1電子部件的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可進(jìn)一步防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第12優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第13優(yōu)選方式)。即，凹部在以基板的主面為基準(zhǔn)面時(shí)，凹部的最低部的高度低于第1電子部件的層疊部的中心的高度。在此，以基板的主面為基準(zhǔn)面時(shí)的凹部的最低部的高度是指，凹部的底部中的、距基板的主面的高度最低的部位的高度。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第13優(yōu)選方式中，由于凹部的最低部的高度低于第1電子部件的層疊部的中心的高度，因此埋設(shè)層中的變形較大的部分與其他部分分離，從而能夠更有效地抑制經(jīng)由埋設(shè)層的第1電子部件的振動(dòng)的傳遞。因此，能可靠地降低伴隨著第1電子部件的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的基板的振動(dòng)，進(jìn)而能可靠地防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第11至第13優(yōu)選方式中，優(yōu)選具備以下特征(第14優(yōu)選方式)。即，凹部還具備：插入構(gòu)件，彈性模量比埋設(shè)層高，且占據(jù)凹部的體積的至少一部分。在上述的電子部件內(nèi)置基板的第14優(yōu)選方式中，由于凹部具備彈性模量比埋設(shè)層高且占據(jù)凹部的體積的至少一部分的插入構(gòu)件，因此在埋設(shè)層中傳遞的第1電子部件的振動(dòng)的波形因插入構(gòu)件的部分而紊亂。即，能夠更有效地抑制經(jīng)由埋設(shè)層的第1電子部件的振動(dòng)的傳遞。因此，能可靠地降低伴隨著第1電子部件的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的基板的振動(dòng)，進(jìn)而能可靠地防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。此外，通過在凹部內(nèi)插入彈性模量比埋設(shè)層高的插入構(gòu)件，從而能夠使局部較薄的埋設(shè)層的厚度接近于未形成凹部的狀態(tài)。因此，能夠使耐濕性、電子部件內(nèi)置基板的剛性從僅形成有凹部的狀態(tài)得以提高。發(fā)明效果在本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板中，即使埋設(shè)層內(nèi)的第1電子部件被施加電壓而第1電子部件產(chǎn)生了形變，也可降低可聽頻域內(nèi)的基板的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由基板的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。附圖說明圖1為作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1的俯視圖。圖2為圖1所示的電子部件內(nèi)置基板1的截面圖。圖2(A)為圖1的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖2(B)為圖1的包括X1-X1線的面的向視截面圖。圖3為用于對(duì)在圖1所示的電子部件內(nèi)置基板1中改變了第1電子部件10的安裝方向的示例進(jìn)行說明的、相當(dāng)于圖2(A)的截面圖。圖4為用于對(duì)在圖1所示的電子部件內(nèi)置基板1中埋設(shè)層R包括樹脂材料部RM和被設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部CM的示例進(jìn)行說明的、相當(dāng)于圖2(A)的截面圖。圖5為表示通過模擬而求出被設(shè)置于圖1所示的電子部件內(nèi)置基板1的埋設(shè)層R的厚度和音壓的關(guān)系的結(jié)果的圖表。圖6為作為圖1所示的電子部件內(nèi)置基板1的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1-1的、相當(dāng)于圖1的俯視圖。圖7為圖6所示的電子部件內(nèi)置基板1-1的、相當(dāng)于圖2的截面圖。圖8為作為圖1所示的電子部件內(nèi)置基板1的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1-2的、相當(dāng)于圖1的俯視圖。圖9為圖8所示的電子部件內(nèi)置基板1-2的、相當(dāng)于圖2的截面圖。圖10為用于對(duì)圖1以及圖2所示的電子部件內(nèi)置基板1的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示安裝工序的圖。圖11為用于對(duì)圖1以及圖2所示的電子部件內(nèi)置基板1的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示埋設(shè)層形成工序的圖。圖12為作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第2實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1A的俯視圖。圖13為圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A的截面圖。圖13(A)為圖12的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖13(B)為圖12的包括X1-X1線的面的向視截面圖。圖14為用于對(duì)在圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A中埋設(shè)層R包括樹脂材料部RM和被設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部CM的示例進(jìn)行說明的、相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖15為用于對(duì)在圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A中改變了第1電子部件10以及第2電子部件20當(dāng)中的至少一者的安裝方向的示例進(jìn)行說明的、相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖16為用于對(duì)在圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A中改變了第1電子部件10以及第2電子部件20的相對(duì)位置的示例進(jìn)行說明的、相當(dāng)于圖12的俯視圖。圖17為用于對(duì)圖12以及圖13所示的電子部件內(nèi)置基板1A的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示安裝工序的圖。圖18為用于對(duì)圖12以及圖13所示的電子部件內(nèi)置基板1A的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示埋設(shè)層形成工序的圖。圖19為作為圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1A-1的、相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖20為作為圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1A-2的截面圖。圖20(A)為相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖20(B)為圖20(A)的包括X21-X21線的面的向視截面圖。圖21為作為圖12所示的電子部件內(nèi)置基板1A的第3變形例的電子部件內(nèi)置基板1A-3的截面圖。圖21(A)為相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖21(B)為圖21(A)的包括X31-X31線的面的向視截面圖。圖22為作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第3實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1B的截面圖。圖22(A)為圖22(B)的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖22(B)為圖22(A)的包括Z1-Z1線的面的向視截面圖。圖23為對(duì)圖22所示的電子部件內(nèi)置基板1B所具備的第1電子部件10以及第2電子部件20的、被施加電壓時(shí)的形變的狀態(tài)進(jìn)行說明的概略截面圖。圖23(A)為相當(dāng)于圖22(A)的概略截面圖。圖23(B)為相當(dāng)于圖22(B)的概略截面圖。圖24為作為圖22所示的電子部件內(nèi)置基板1B的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1B-1的、相當(dāng)于圖22(B)的截面圖。圖25為作為圖22所示的電子部件內(nèi)置基板1B的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1B-2的、相當(dāng)于圖22(A)的截面圖。圖26為對(duì)圖25所示的電子部件內(nèi)置基板1B-2所具備的第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30的、被施加電壓時(shí)的形變的狀態(tài)進(jìn)行說明的概略截面圖。圖27為圖25所示的電子部件內(nèi)置基板1B-2的進(jìn)一步的變形例的、相當(dāng)于圖22(A)的截面圖。圖28為作為圖22所示的電子部件內(nèi)置基板1B的第3變形例的電子部件內(nèi)置基板1B-3的、相當(dāng)于圖22(A)的截面圖。圖29為作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第4實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1C的俯視圖。圖30為圖29所示的電子部件內(nèi)置基板1C的截面圖。圖30(A)為圖29的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖30(B)為圖29的包括X1-X1線的面的向視截面圖。圖31為用于對(duì)圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示安裝工序的圖。圖32為用于對(duì)圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示埋設(shè)層形成工序的圖。圖33為用于對(duì)圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示凹部形態(tài)決定工序的圖。圖34為用于對(duì)圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示凹部形成工序的圖。圖35為用于對(duì)圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的另一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示在基板B為集合體AG的狀態(tài)下實(shí)施了凹部形成工序之后，分割為電子部件內(nèi)置基板1C的示例的圖。圖36為用于對(duì)圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的另一例進(jìn)行說明的圖，且為示意性地表示在將集合體AG分割為各個(gè)基板B之后，對(duì)它們實(shí)施凹部形成工序從而成為電子部件內(nèi)置基板1C的示例的圖。圖37為作為圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-1的俯視圖。圖38為圖37所示的電子部件內(nèi)置基板1C-1的截面圖。圖38(A)為圖37的包括Y2-Y2線的面的向視截面圖。圖38(B)為圖37的包括X2-X2線的面的向視截面圖。圖39為作為圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-2的俯視圖。圖40為圖39所示的電子部件內(nèi)置基板1C-2的截面圖。圖40(A)為圖39的包括Y2-Y2線的面的向視截面圖。圖40(B)為圖39的包括X2-X2線的面的向視截面圖。圖41為作為圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的第3變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-3的俯視圖。圖42為圖41所示的電子部件內(nèi)置基板1C-3的截面圖。圖42(A)為圖41的包括Y3-Y3線的面的向視截面圖。圖42(B)為圖41的包括X3-X3線的面的向視截面圖。圖43為作為圖29以及圖30所示的電子部件內(nèi)置基板1C的第4至第6變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-4至1C-6的截面圖。圖43(A)表示電子部件內(nèi)置基板1C-4。圖43(B)表示電子部件內(nèi)置基板1C-5。圖43(C)表示電子部件內(nèi)置基板1C-6。圖44為
背景技術(shù)：
的電子部件內(nèi)置基板100的截面圖。圖45為用于對(duì)本發(fā)明要解決的課題進(jìn)行說明的、層疊陶瓷電容器201的截面圖。圖46為用于對(duì)本發(fā)明要解決的課題進(jìn)行說明的、將層疊陶瓷電容器201安裝于基板B的狀態(tài)的截面圖。圖46(A)為未被施加電壓的狀態(tài)。圖46(B)為對(duì)被施加電壓時(shí)的形變的狀態(tài)進(jìn)行說明的概略截面圖。具體實(shí)施方式以下示出本發(fā)明的實(shí)施方式，進(jìn)一步地對(duì)作為本發(fā)明的特征之處進(jìn)行詳細(xì)說明。-電子部件內(nèi)置基板的第1實(shí)施方式-使用圖1～圖4來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1進(jìn)行說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖1為電子部件內(nèi)置基板1的俯視圖。圖2(A)為圖1的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖2(B)為圖1的包括X1-X1線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置基板1具備基板B、第1電子部件10和埋設(shè)層R。第1電子部件10被安裝在具有實(shí)質(zhì)上平行的一個(gè)主面和另一個(gè)主面的基板B的一個(gè)主面上。埋設(shè)層R如后述那樣使用作為填料而使玻璃材料、二氧化硅等分散的樹脂材料來形成。埋設(shè)層R被設(shè)置在基板B的一個(gè)主面，使得埋設(shè)第1電子部件10。埋設(shè)層R的彈性模量小于基板B的彈性模量。另外，如后述的圖3那樣，埋設(shè)層R電可以被形成為包括樹脂材料部和被設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部?；錌為相當(dāng)于前述的圖44的多層基板，未圖示內(nèi)部電極、過孔等，而以簡化的方式進(jìn)行圖示?；錌與圖44所示的多層基板相同，具備絕緣層和布線層。絕緣層包括玻璃、二氧化硅等的紡織布或者無紡織布、和絕緣性的樹脂。此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，為了強(qiáng)調(diào)第1電子部件10，基板B和第1電子部件10的大小關(guān)系與實(shí)際的大小關(guān)系不同。第1電子部件10包括：層疊陶瓷電容器，其具備陶瓷層疊體11、第1外部電極12以及第2外部電極13。陶瓷層疊體11具備層疊部CP1、將層疊部CP1夾于其間的第1側(cè)部P11和第2側(cè)部P12。層疊部CP1相當(dāng)于陶瓷電介質(zhì)層14被插入到第1內(nèi)部電極15和第2內(nèi)部電極16之間而形成的電容器元件層疊而成的、所謂的靜電電容顯現(xiàn)部。第1側(cè)部P11以及第2側(cè)部P12相當(dāng)于對(duì)層疊部CP1進(jìn)行保護(hù)免受外部環(huán)境影響的、所謂的第1保護(hù)部以及第2保護(hù)部。此外，陶瓷層疊體11具有對(duì)置的兩個(gè)端面和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。在此，將與基板B的一個(gè)主面正交的方向定義為電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向。當(dāng)這樣定義時(shí)，將被安裝在基板B的第1電子部件10的層疊部CP1處的厚度方向的最下表面、即與基板B的一個(gè)主面平行且最接近基板B的側(cè)面設(shè)為最下表面CP11。此外，將層疊部CP1處的厚度方向的最上表面、即與基板B的一個(gè)主面平行且離基板B最遠(yuǎn)的側(cè)面設(shè)為最上表面CP1u。并且，將穿過最下表面CP11和最上表面CP1u之間的中央的中央面設(shè)為CP1m。而且，所謂各個(gè)側(cè)面與基板B的一個(gè)主面平行，并不意味著嚴(yán)格地平行，而是指即使在側(cè)面存在有凹凸的情況、側(cè)面稍有傾斜的情況下，也具有在宏觀上看來可視為平行的位置關(guān)系。在第1實(shí)施方式中，第1電子部件10被安裝在基板B，使得陶瓷層疊體11的電容器元件被層疊的方向即層疊方向與基板B的一個(gè)主面正交。并且，在厚度方向上，陶瓷層疊體11中的層疊部CP1的下側(cè)、即位于層疊部CP1和基板B的一個(gè)主面之間的部分成為第1側(cè)部P11，層疊部CP1的上側(cè)成為第2側(cè)部P12。另外，電子部件內(nèi)置基板1如圖3所示那樣也可以將第1電子部件10安裝在基板B，使得陶瓷層疊體11的層疊方向沿著基板B的一個(gè)主面。圖3相當(dāng)于圖1的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖(圖2(A))。在這種情況下，在厚度方向上也是：陶瓷層疊體11中的層疊部CP1的下側(cè)、即位于層疊部CP1和基板B的一個(gè)主面之間的部分成為第1側(cè)部P11，層疊部CP的上側(cè)成為第2側(cè)部P12。由于陶瓷電介質(zhì)層14具有電致伸縮性或逆壓電效應(yīng)，因此包括陶瓷電介質(zhì)層14的第1電子部件10在電壓施加時(shí)會(huì)產(chǎn)生形變。作為代表性的具有電致伸縮性或逆壓電效應(yīng)的陶瓷材料，可列舉出例如以鈦酸鋇為基本材料的高介電常數(shù)的陶瓷材料。雖然在第1實(shí)施方式中，作為第1電子部件10而例示了層疊陶瓷電容器，但是本發(fā)明也能夠適用于作為第1電子部件10而使用了電介質(zhì)層由樹脂材料構(gòu)成的層疊電容器、即層疊型金屬化薄膜電容器的情況。陶瓷層疊體11具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面、和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。第1外部電極12與第1內(nèi)部電極15連接，第2外部電極13與第2內(nèi)部電極16連接。第1外部電極12以及第2外部電極13分別被設(shè)置在陶瓷層疊體11的表面。在圖2(A)以及圖2(B)中，第1電子部件10使用例如焊料這樣的連接構(gòu)件S而被連接在第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12上。第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12的材質(zhì)以及連接構(gòu)件的材質(zhì)能夠從現(xiàn)有的材質(zhì)中適當(dāng)選擇使用。作為焊料以外的連接部劑，例如能夠使用導(dǎo)電性粘接劑、過孔導(dǎo)體等。第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12處于包括未圖示的導(dǎo)電圖案而形成的布線上。對(duì)于第1電子部件10，通過該布線而被施加電壓。另外，如果對(duì)于由基板B的厚度、埋設(shè)層R的厚度以及第1電子部件10的高度的調(diào)整所造成的電子部件內(nèi)置基板1的振動(dòng)的抑制不產(chǎn)生影響，則電子部件內(nèi)置基板1可以安裝多個(gè)第1電子部件10。此外，同樣地，也可以在電子部件內(nèi)置基板1安裝層疊陶瓷電容器以外的電子部件。由于包括層疊陶瓷電容器的第1電子部件10如前所述大多使用以鈦酸鋇為基本材料的高介電常數(shù)的陶瓷材料，因此有可能會(huì)由于電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生振動(dòng)。雖然該振動(dòng)會(huì)經(jīng)由連接構(gòu)件S被傳遞到粘接固定在第1電子部件10的基板B，但是在第1電子部件10被埋設(shè)于埋設(shè)層R的情況下，也會(huì)經(jīng)由埋設(shè)層R而被傳遞到基板B。雖然埋設(shè)層R作為形變的傳遞介質(zhì)而發(fā)揮功能，但是由于將埋設(shè)層R的彈性模量設(shè)得小于基板B的彈性模量，因此埋設(shè)層R會(huì)對(duì)形變的傳遞進(jìn)行緩沖。其結(jié)果為，較之于埋設(shè)層R的彈性模量等于或大于基板B的彈性模量時(shí)，降低了基板B的振動(dòng)。電子部件內(nèi)置基板1的厚度通過基板B的厚度TB與埋設(shè)層R的厚度TR之和來表示。在此，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP如前所述被定義為如下的面，即，假定為距電子部件內(nèi)置基板1的一個(gè)主面(基板B的外表面)的距離T1與距另一個(gè)主面(埋設(shè)層R的外表面)的距離T2相等的面。并且，在電子部件內(nèi)置基板1中，在厚度方向上，第1側(cè)部P11位于層疊部CP1和基板B的一個(gè)主面之間。進(jìn)而，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板的中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置。在電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向上的中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置時(shí)，即使第1電子部件10產(chǎn)生了形變，與電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向上的中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分也會(huì)相互抵消彼此的振動(dòng)。電子部件內(nèi)置基板1振動(dòng)的原因在于，通過電壓施加而發(fā)生了形變的第1電子部件10的端面會(huì)產(chǎn)生欲使電子部件內(nèi)置基板1彎曲的力矩。在中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置時(shí)，與電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP相比作用于上側(cè)部分的力矩和作用于下側(cè)部分的力矩的朝向相反，且它們的大小相近。即，與中央面MP相比作用于上側(cè)部分的力矩和作用于下側(cè)部分的力矩彼此互相抵消。因此，可認(rèn)為是，與中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分互相抵消了彼此的振動(dòng)，從而抑制了電子部件內(nèi)置基板1的振動(dòng)的產(chǎn)生。另外，如圖4所示，埋設(shè)層R也可以被形成為包括樹脂材料部RM和設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部CM。圖4相當(dāng)于圖1的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖(圖2(A))。如后所述，樹脂材料部RM能夠使用例如作為填料而使玻璃材料、二氧化硅等分散的絕緣性的樹脂材料來形成。導(dǎo)電材料部CM能夠通過例如導(dǎo)電性樹脂材料的涂敷、金屬材料的濺射等所謂的薄膜形成法等來形成。在該情況下，導(dǎo)電材料部CM的外表面成為電子部件內(nèi)置基板1的另一個(gè)主面。因此，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP的位置也與之相匹配地決定。在此，通過基于有限元法的模擬，從而驗(yàn)證了如下內(nèi)容，即，在電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置時(shí)，與中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分互相抵消了彼此的振動(dòng)。圖5為表示被設(shè)置于基板B的一個(gè)主面的埋設(shè)層的厚度TR和與振動(dòng)的大小相對(duì)應(yīng)的音壓(將可聽域內(nèi)產(chǎn)生的振動(dòng)中的、最大的振幅轉(zhuǎn)換為聲音的大小)的關(guān)系的圖表。音壓表示在第1電子部件10的L方向(在圖2(B)中與基板B水平的方向)上所產(chǎn)生的聲音(所謂“鳴叫”)的大小。在模擬中，假定如下情況，即，第1電子部件10被安裝為第1內(nèi)部電極15以及第2內(nèi)部電極16與基板B平行。此外，第1電子部件10(層疊陶瓷電容器)的層疊部CP1的層疊方向的厚度為0.47mm、第1側(cè)部P11的厚度為0.04mm、以及第2側(cè)部P12的厚度為0.04mm。進(jìn)而，基板B的厚度TB設(shè)為0.8mm、基板B的彈性模量EB設(shè)為20GPa、以及以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的層疊部CP1的層疊方向的中央面CPm的高度設(shè)為0.315mm?；錌的彈性模量EB使用作為一般使用的玻璃環(huán)氧樹脂基板的彈性模量(彎曲彈性模量)而被認(rèn)為較妥當(dāng)?shù)闹?。設(shè)為第1電子部件10被埋設(shè)于L方向的長度為24mm的埋設(shè)層R內(nèi)，計(jì)算出由埋設(shè)層R的厚度TR的變化所引起的音壓的變化。在圖5中，示出了將埋設(shè)層R的彈性模量ER設(shè)為15GPa、25GPa以及35GPa時(shí)的三種模擬結(jié)果。首先，關(guān)注于基板B和埋設(shè)層R的第2部分R2互相抵消了彼此的振動(dòng)從而音壓變?yōu)闃O小的埋設(shè)層R的厚度TR。在埋設(shè)層R的彈性模量ER為上述各值時(shí)，音壓變?yōu)闃O小的埋設(shè)層R的厚度TR分別為1.6mm、1.3mm以及1.15mm。根據(jù)上述內(nèi)容，在埋設(shè)層R的彈性模量ER為15GPa時(shí)，電子部件內(nèi)置墓板1的厚度為基板B的厚度TB與埋設(shè)層R的厚度TR之和，成為2.4mm。因此，以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向的中央面MP的高度成為(2.4/2)-0.8＝0.4mm。另一方面，由于層疊部CP1的中央面CP1m的高度為0.315mm、層疊部CP1的層疊方向的厚度為0.47mm，因此以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的層疊部CP1的層疊方向的最下表面CP11的高度成為0.315-(0.47/2)＝0.08mm。此外，層疊部CP1的層疊方向的最上表面CP1u的高度成為0.315+(0.47/2)＝0.55mm。此外，在埋設(shè)層R的彈性模量ER為25GPa時(shí)，電子部件內(nèi)置基板1的厚度為基板B的厚度TB與埋設(shè)層R的厚度TR之和，成為2.1mm。因此，以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向的中央面MP的高度成為(2.1/2)-0.8＝0.25mm。另一方面，以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的層疊部CP1的層疊方向的最下表面CP11的高度以及最上表面CP1u的高度，與上述相同分別成為0.08mm以及0.55mm。進(jìn)而，在埋設(shè)層R的彈性模量ER為35GPa時(shí)，電子部件內(nèi)置基板1的厚度為基板B的厚度TB與埋設(shè)層的厚度TR之和，成為1.95mm。因此，以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向的中央面MP的高度成為(1.95/2)-0.8＝0.175mm。另一方面，以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面的層疊部CP1的層疊方向的最下表面CP11的高度以及最上表面CP1u的高度，與上述相同分別成為0.08mm以及0.55mm。如果對(duì)以上結(jié)果進(jìn)行歸納總結(jié)，則如以下的表1以及表2所示。[表1]靜電電容顯現(xiàn)部最下表面0.08中央面0.315最上表面0.55[表2]根據(jù)表1和表2的比較可知，電子部件內(nèi)置基板的中央面MP為層疊部CP1的厚度方向的最下表面CP11的高度以上且最上表面CP1u的高度以下，即在位于穿過層疊部CP1的位置時(shí)，可降低由振動(dòng)所引起的可聽音的產(chǎn)生。另外，如前述那樣，優(yōu)選如下情況，即，在基板B的表面以及內(nèi)部中的至少一方通過多個(gè)層而形成有由Cu等金屬構(gòu)成的導(dǎo)電圖案的情況、或者在基板B的絕緣層埋設(shè)有玻璃等的紡織布的情況。在該情況下，埋設(shè)層的彈性模量ER存在成為基板的彈性模量EB以下的趨勢(shì)。即，可以說，在埋設(shè)層R的彈性模量ER為基板B的彈性模量ER以下、且電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP處于穿過層疊部CP1的中央面CP1m以上的部分的位置時(shí)，與電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分有效地互相抵消了彼此的振動(dòng)。因此，通過被形成在基板B的一個(gè)主面的埋設(shè)層R的厚度TR滿足上述條件，從而能可靠地降低基板B的振動(dòng)，進(jìn)而能可靠地防止或降低由振動(dòng)所引起的可聽音的產(chǎn)生。另外，在圖1以及圖2所示的實(shí)施方式中，陶瓷層疊體11的第1側(cè)部P11的厚度和第2側(cè)部P12的厚度實(shí)質(zhì)上相同。另一方面，也可以使陶瓷層疊體11的第1側(cè)部P11的厚度厚于第2側(cè)部P12的厚度。由此，與前述的圖1以及圖2所示的實(shí)施方式相比，能夠加長層疊部CP1和基板B的距離。在該情況下，基板B的厚度TR、埋設(shè)層R的厚度TR、以及第1電子部件10的高度的關(guān)系變得容易調(diào)整。即，易于設(shè)計(jì)為，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置。因此，容易降低可聽頻域內(nèi)的基板B的振動(dòng)，進(jìn)而容易防止或降低由基板B的振動(dòng)所引起的可聽音的產(chǎn)生。此外，通過對(duì)用于將第1電子部件10連接到第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12上的連接構(gòu)件S的頂峰的距基板B的高度和層疊部CP1的高度的關(guān)系進(jìn)行調(diào)整，從而能夠更有效地實(shí)施電子部件內(nèi)置基板1的振動(dòng)的降低。<第1實(shí)施方式的第1變形例>使用圖6以及圖7來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1-1進(jìn)行說明。圖6為電子部件內(nèi)置基板1-1的俯視圖。圖7(A)為圖6的包括Y2-Y2線的面的向視截面圖。圖7(B)為圖6的包括X2-X2線的面的向視截面圖。在電子部件內(nèi)置基板1-1中，第1電子部件10為帶電極端子的層疊電容器。帶電極端子的層疊電容器具備通過連接構(gòu)件S而一側(cè)與第1外部電極12連接的第1電極端子T11、和一側(cè)與第2外部電極13連接的第2電極端子T12。而且，該第1電子部件10通過第1電極端子T11的另一側(cè)與第1安裝連接盤L11連接，并且第2電極端子T12的另一側(cè)與第2安裝連接盤L12連接，從而被安裝在基板B的一個(gè)主面。另外，基板B與前述的第1實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。在電子部件內(nèi)置基板1-1中，與使第1電子部件10的第1側(cè)部P11的厚度厚于第2側(cè)部P12的厚度的情況相同，能夠加長層疊部CP1和基板B的距離。即，對(duì)基板B的厚度TR、埋設(shè)層R的厚度TR、以及第1電子部件10的高度的關(guān)系進(jìn)行調(diào)整，從而易于設(shè)計(jì)為，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1-1的中央面MP位于穿過層疊部CP1的位置。因此，由與電子部件內(nèi)置基板1-1的厚度方向上的中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分的振動(dòng)的互相抵消所引起的振動(dòng)的降低變得容易，進(jìn)而由基板B的振動(dòng)所引起的可聽音的產(chǎn)生的防止或降低變得容易。<第1實(shí)施方式的第2變形例>使用圖8以及圖9來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1-2進(jìn)行說明。圖8為電子部件內(nèi)置基板1-2的俯視圖。圖9(A)為圖8的包括Y3-Y3線的面的向視截面圖。圖9(B)為圖8的包括X3-X3線的面的向視截面圖。在電子部件內(nèi)置基板1-2中，第1電子部件10具有所謂的內(nèi)插器I。內(nèi)插器I具有實(shí)質(zhì)上平行的一個(gè)主面和另一個(gè)主面，且在一個(gè)主面設(shè)置有第1中繼連接盤IL11以及第2中繼連接盤IL12，在另一個(gè)主面設(shè)置有第3中繼連接盤IL21以及第4中繼連接盤IL22。第1中繼連接盤IL11以及第2中繼連接盤IL12分別與第3中繼連接盤IL21以及第4中繼連接盤IL22導(dǎo)通。內(nèi)插器I的第1中繼連接盤IL11以及第2中繼連接盤IL12通過連接構(gòu)件S而分別與第1外部電極12以及第2外部電極13連接。此外，被設(shè)置于內(nèi)插器I的另一個(gè)主面的第3中繼連接盤IL21以及第4中繼連接盤IL22通過連接構(gòu)件S而分別與基板B上的第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12連接。其結(jié)果為，第1外部電極12經(jīng)由內(nèi)插器I而與第1安裝連接盤L11連接。此外，第2外部電極13經(jīng)由內(nèi)插器I而與第2安裝連接盤L12連接。另外，基板B與前述的第1實(shí)施方式及其第1變形例相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。在電子部件內(nèi)置基板1-2中，與使陶瓷層疊體11的第1側(cè)部P11的厚度厚于第2側(cè)部P12的厚度的情況、以及電子部件內(nèi)置基板1-1相同，能夠加長層疊部CP1和基板B的距離。即，對(duì)基板B的厚度TB、埋設(shè)層R的厚度TR、以及第1電子部件10的高度的關(guān)系進(jìn)行調(diào)整，從而易于設(shè)計(jì)為，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置。因此，由與電子部件內(nèi)置基板1-2的厚度方向上的中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分的振動(dòng)的互相抵消所引起的振動(dòng)的降低變得容易，進(jìn)而由振動(dòng)所引起的可聽音的產(chǎn)生的防止或降低變得容易。<電子部件內(nèi)置基板的制造方法>使用圖10以及圖11來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第1實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1的制造方法的一例進(jìn)行說明。圖10以及圖11為分別示意性地表示在電子部件內(nèi)置基板1的制造方法的一例中依次被實(shí)施的安裝工序以及埋設(shè)層形成工序的圖。另外，圖10以及圖11的各圖相當(dāng)于圖1的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖(圖2(A))。<安裝工序>圖10(A)以及圖10(B)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1的制造方法的安裝工序的圖。通過安裝工序，從而第1電子部件10成為被安裝在基板B的一個(gè)主面的狀態(tài)。圖10(A)表示準(zhǔn)備第1電子部件10、和安裝第1電子部件10的基板B的階段。第1電子部件10為具有前述的構(gòu)造且在電壓施加時(shí)發(fā)生形變的層疊陶瓷電容器。基板B在一個(gè)主面具備用于對(duì)第1電子部件10進(jìn)行連接的第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12(未圖示第2安裝連接盤L12)。圖10(B)表示通過將第1電子部件10使用連接構(gòu)件S而連接至第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12，由此安裝在基板B的一個(gè)主面的階段。此時(shí)，在作為與基板B的一個(gè)主面正交的方向的厚度方向上，第1側(cè)部P11位于層疊部CP1和基板B的一個(gè)主面之間。<埋設(shè)層形成工序>圖11(A)以及圖11(B)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1的制造方法的埋設(shè)層形成工序的圖。通過埋設(shè)層形成工序，從而成為在基板B的一個(gè)主面設(shè)置有埋設(shè)了第1電子部件10的埋設(shè)層R的狀態(tài)。圖11(A)表示在安裝有第1電子部件10的基板B的一個(gè)主面通過例如分配器D涂敷液狀的樹脂LR以使得成為由單點(diǎn)劃線所示的給定的厚度的階段。用于涂敷的裝置并不限于上述的分配器D，也能夠使用現(xiàn)有的涂敷裝置。例如，也可以使用簾式涂敷機(jī)、旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)等各種涂敷機(jī)。此外，液狀的樹脂LR并不限于由單一樹脂材料構(gòu)成的樹脂，能夠使用在絕緣性的樹脂材料中作為填料而包括玻璃材料、二氧化硅等的樹脂。進(jìn)而，埋設(shè)層R并不限于涂敷如圖11(A)那樣的液狀的樹脂LR的方法，也可以通過如下方法來形成，即，在半固化狀態(tài)下將薄片狀的預(yù)成型料載置于基板B的一個(gè)主面，進(jìn)行按壓以使得埋設(shè)第1電子部件10。圖11(B)表示通過對(duì)埋設(shè)有第1電子部件10的液狀的樹脂LR進(jìn)行加熱并使其固化，從而成為固化后的埋設(shè)層R的階段。另外，如前所述，埋設(shè)層R也可以被形成為包括樹脂材料部RM和設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部CM(參照?qǐng)D4)。電子部件內(nèi)置基板1的厚度由基板B的厚度TB與埋設(shè)層R的厚度TR之和來表示。在此，電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向的中央面MP如前所述被定義為如下的面，即，假定為距電子部件內(nèi)置基板1的一個(gè)主面(基板B的外表面)的距離T1與距另一個(gè)主面(埋設(shè)層R的外表面)的距離T2相等的面。并且，埋設(shè)層R被設(shè)置為，電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP處于穿過層疊部CP1的位置，換而言之，電子部件內(nèi)置基板1的中央面M為層疊部CP1的厚度方向的最下表面CP11的高度以上且最上表面CP1u的高度以下。上述關(guān)系可被認(rèn)為是表示了如下條件，即，如前所述，即使第1電子部件10產(chǎn)生了形變，與電子部件內(nèi)置基板1的厚度方向的中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分也互相抵消了彼此的振動(dòng)。另外，優(yōu)選的是，在埋設(shè)層形成工序中，將埋設(shè)層R的彈性模量ER設(shè)為基板B的彈性模量ER以下，將埋設(shè)層R設(shè)置為在厚度方向上電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP成為穿過層疊部CP1的中央面CPm以上的部分的位置。在該情況下，與電子部件內(nèi)置基板1的中央面MP相比上側(cè)部分和下側(cè)部分有效地互相抵消了彼此的振動(dòng)。關(guān)于埋設(shè)層R的厚度TR的調(diào)整，可以將液狀的樹脂LR固化時(shí)的體積變化估計(jì)在內(nèi)，涂敷液狀的樹脂LR使得在固化后成為厚度TR。此外，也可以預(yù)先多一點(diǎn)涂敷液狀的樹脂LR，通過在固化后去除多余的樹脂，從而將埋設(shè)層R的厚度TR設(shè)為期望的值。-電子部件內(nèi)置基板的第2實(shí)施方式-使用圖12以及圖13來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第2實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1A進(jìn)行說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖12為電子部件內(nèi)置基板1A的俯視圖。圖12中的虛線表示對(duì)埋設(shè)層R進(jìn)行透視時(shí)的第1電子部件10及第2電子部件20的各個(gè)構(gòu)成要素、以及第1安裝連接盤L11、第2安裝連接盤L12、第3安裝連接盤L21及第4安裝連接盤L22。圖13(A)為圖12的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖13(B)為圖12的包括X11-X11線的面的向視截面圖。圖13(C)為圖12的包括X12-X12線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置墓板1A具備：墓板B、第1電子部件10以及第2電子部件20、和埋設(shè)層R?；錌具有實(shí)質(zhì)上平行的一個(gè)主面和另一個(gè)主面。第1電子部件10以及第2電子部件20被安裝在基板B的一個(gè)主面。圖12表示被安裝在基板B上以使得第1電子部件10的陶瓷層疊體11的長度方向的中央面和第2電子部件20的陶瓷層疊體21的長度方向的中央面被包括在同一面(包括Y1-Y1線的面)內(nèi)的示例?；錌為相當(dāng)于前述的圖44的多層基板，未圖示內(nèi)部電極、過孔等，而以簡化的方式進(jìn)行圖示?；錌與圖44所示的多層基板相同，具備絕緣層和布線層。絕緣層包括玻璃、二氧化硅等的紡織布或者無紡織布、和絕緣性的樹脂。此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，為了強(qiáng)調(diào)第1電子部件10以及第2電子部件20，基板B和第1電子部件10以及第2電子部件20的大小關(guān)系與實(shí)際的大小關(guān)系不同。第1電子部件10包括：層疊陶瓷電容器，其具備陶瓷層疊體11和第1外部電極12以及第2外部電極13。陶瓷層疊體11具備層疊部CP1、將層疊部CP1夾于其間的第1側(cè)部P11和第2側(cè)部P12。層疊部CP1相當(dāng)于陶瓷電介質(zhì)層14被插入到第1內(nèi)部電極15和第2內(nèi)部電極16之間而形成的電容器元件層疊而成的、所謂的靜電電容顯現(xiàn)部。第1側(cè)部P11以及第2側(cè)部P12相當(dāng)于對(duì)層疊部CP1進(jìn)行保護(hù)免受外部環(huán)境影響的、所謂的第1保護(hù)部以及第2保護(hù)部。此外，陶瓷層疊體11具有對(duì)置的兩個(gè)端面和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。第1電子部件10的第1外部電極12以及第2外部電極13分別被設(shè)置在陶瓷層疊體11的表面。第1外部電極12在陶瓷層疊體11的一個(gè)端面處與第1內(nèi)部電極15連接。此外，第2外部電極13在陶瓷層疊體11的另一個(gè)端面處與第2內(nèi)部電極16連接。第2電子部件20與第1電子部件10相同，包括具備陶瓷層疊體21、第1外部電極22以及第2外部電極23的層疊陶瓷電容器。陶瓷層疊體21具備層疊部CP2、將層疊部CP2夾于其間的第1側(cè)部P21和第2側(cè)部P22。層疊部CP2相當(dāng)于陶瓷電介質(zhì)層24被插入到第1內(nèi)部電極25和第2內(nèi)部電極26之間而形成的電容器元件層疊而成的、所謂的靜電電容顯現(xiàn)部。第1側(cè)部P21以及第2側(cè)部P22相當(dāng)于對(duì)層疊部CP2進(jìn)行保護(hù)免受外部環(huán)境影響的、所謂的第1保護(hù)部以及第2保護(hù)部。此外，陶瓷層疊體21具有對(duì)置的兩個(gè)端面和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。第2電子部件20的第1外部電極22以及第2外部電極23分別被設(shè)置在陶瓷層疊體21的表面。第1外部電極22在陶瓷層疊體21的一個(gè)端面處與第1內(nèi)部電極25連接。此外，第2外部電極23在陶瓷層疊體21的另一個(gè)端面處與第2內(nèi)部電極26連接。由于第1電子部件10以及第2電子部件20各自所具備的陶瓷電介質(zhì)層具有電致伸縮性或者逆壓電效應(yīng)，因此在電壓施加時(shí)會(huì)發(fā)生形變。作為代表性的具有電致伸縮性或者逆壓電效應(yīng)的陶瓷材料，可列舉出例如以鈦酸鋇為基本材料的高介電常數(shù)的陶瓷材料。在圖13(A)以及圖13(B)中，第1電子部件10使用連接構(gòu)件S而被連接在第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12上。同樣地，第2電子部件20使用連接構(gòu)件S而被連接在第3安裝連接盤L21以及第4安裝連接盤L22上。第1安裝連接盤L11、第2安裝連接盤L12、第3安裝連接盤L21及第4安裝連接盤L22的材質(zhì)以及連接構(gòu)件的材質(zhì)能夠從現(xiàn)有的材質(zhì)中適當(dāng)選擇使用。作為連接構(gòu)件S，例如能夠使用焊料、導(dǎo)電性粘接劑、以及過孔導(dǎo)體等。第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12處于包括未圖示的導(dǎo)電圖案而形成的布線上。對(duì)于第1電子部件10，通過該布線而被施加電壓。同樣地，第3安裝連接盤L21以及第4安裝連接盤L22處于包括未圖示的導(dǎo)電圖案而形成的布線上。對(duì)于第2電子部件20，通過該布線而被施加電壓。在此，將與基板B的一個(gè)主面正交的方向定義為電子部件內(nèi)置基板1A的厚度方向。在如此定義時(shí)，將厚度方向上的第1電子部件10的層疊部CP1的中央面設(shè)為CP1m。此外，將厚度方向上的第2電子部件20的層疊部CP2的中央面設(shè)為CP2m。在電子部件內(nèi)置基板1A中，第1電子部件10被安裝在基板B，使得陶瓷層疊體11中的電容器元件的層疊方向與厚度方向成為同一方向。并且，在厚度方向上，陶瓷層疊體11中的層疊部CP1的下側(cè)、即位于層疊部CP1和基板B的一個(gè)主面之間的部分成為第1側(cè)部P11，層疊部CP1的上側(cè)成為第2側(cè)部P12。此外，第2電子部件20也被安裝在基板B，使得陶瓷層疊體21中的電容器元件的層疊方向與厚度方向成為同一方向。并且，在厚度方向上，陶瓷層疊體21中的層疊部CP2的下側(cè)、即位于層疊部CP2和基板B的一個(gè)主面之間的部分成為第1側(cè)部P21，層疊部CP2的上側(cè)成為第2側(cè)部P22。如后所述，埋設(shè)層R使用作為填料而使玻璃材料、二氧化硅等分散的樹脂材料來形成。埋設(shè)層R被設(shè)置在基板B的一個(gè)主面，以埋設(shè)第1電子部件10以及第2電子部件20。由于包括層疊陶瓷電容器的第1電子部件10以及第2電子部件20如前述那樣大多使用以鈦酸鋇為基本材料的高介電常數(shù)的陶瓷材料，因此有可能會(huì)因電壓施加時(shí)的形變而振動(dòng)。雖然該振動(dòng)會(huì)經(jīng)由連接構(gòu)件S而被傳遞到安裝有第1電子部件10以及第2電子部件20的基板B，但是在第1電子部件10以及第2電子部件20被埋設(shè)于埋設(shè)層R的情況下，該振動(dòng)也能夠經(jīng)由埋設(shè)層R而被傳遞到基板B。電子部件內(nèi)置基板1A的厚度由基板B的厚度TB與埋設(shè)層R的厚度TR之和來表示。在此，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP被定義為如下的面，即，假定為距電子部件內(nèi)置基板1A的一個(gè)主面(基板B的另一個(gè)主面)的距離T1以及距另一個(gè)主面(埋設(shè)層R的外表面)的距離T2相等的面。在電子部件內(nèi)置基板1A中，第1電子部件10的側(cè)面和第2電子部件20的側(cè)面隔著埋設(shè)層R而對(duì)置。此外，第1電子部件10成為比第2電子部件20大型的層疊陶瓷電容器。因此，在厚度方向上，第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和基板B的一個(gè)主面的間隔d1m比第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m和基板的一個(gè)主面的間隔d2m要寬。并且，在厚度方向上，電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP位于第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m之間。換言之，電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP位于比第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m更靠基板B側(cè)，且比第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m更靠埋設(shè)層R的外表面?zhèn)?。另外，在圖13(A)中，電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP處于距第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m的間隔d1和距第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m的間隔d2大致相等的這樣的位置。另一方面，如后所述，也可以使得通過對(duì)埋設(shè)層R的形成厚度進(jìn)行調(diào)整，從而對(duì)上述的間隔d1以及間隔d2進(jìn)行調(diào)整。電子部件內(nèi)置基板1A振動(dòng)的原因在于，通過電壓施加而發(fā)生了形變的第1電子部件10以及第2電子部件20的端面會(huì)產(chǎn)生欲使電子部件內(nèi)置基板1A彎曲的力矩。在上述位置關(guān)系中，當(dāng)電壓被施加于第1電子部件10時(shí)，第1電子部件10所產(chǎn)生的形變會(huì)使與中央面MP相比靠基板B側(cè)的部分(下側(cè)部分)產(chǎn)生使基板B的另一個(gè)主面變形為凹面的這樣的彎曲力矩。另一方面，當(dāng)電壓被施加于第2電子部件20時(shí)，第2電子部件20所產(chǎn)生的形變會(huì)使與中央面MP相比靠埋設(shè)層R的外表面?zhèn)鹊牟糠?上側(cè)部分)產(chǎn)生使埋設(shè)層R的外表面變形為凹面的這樣的彎曲力矩。在電子部件內(nèi)置基板1A的厚度方向上的中央面MP處于上述位置時(shí)，即使第1電子部件10以及第2電子部件20產(chǎn)生了形變，上述的下側(cè)部分和上側(cè)部分也會(huì)互相抵消彼此的彎曲力矩，作為其結(jié)果，會(huì)互相抵消由基于彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)。因此，第1電子部件10以及第2電子部件20的各層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP的位置關(guān)系滿足上述條件，從而可降低電子部件內(nèi)置基板1A的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。另外，如圖14所示，埋設(shè)層R也可以被形成為包括樹脂材料部RM、和被設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部CM。圖14相當(dāng)于圖12的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖(圖13(A))。如后所述，樹脂材料部RM能夠使用例如作為填料而使玻璃材料、二氧化硅等分散的絕緣性的樹脂材料來形成。導(dǎo)電材料部CM能夠通過例如導(dǎo)電性樹脂材料的涂敷、金屬材料的濺射等所謂的薄膜形成法等來形成。在該情況下，導(dǎo)電材料部CM的外表面成為電子部件內(nèi)置基板1A的另一個(gè)主面。因此，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP的位置也與之相匹配地決定。此外，電子部件內(nèi)置基板1A也可以如圖15所示那樣第1電子部件10以及第2電子部件20中的至少一者被安裝在基板B，使得電容器元件的層疊方向與厚度方向正交。在圖15中，示出第2電子部件20的電容器元件的層疊方向與厚度方向正交的示例。進(jìn)而，電子部件內(nèi)置基板1A也可以如圖16所示那樣第1電子部件10以及第2電子部件20被安裝在基板B上，使得第1電子部件10的陶瓷層疊體11的長度方向的中央面和第2電子部件20的陶瓷層疊體21的長度方向的中央面不包括在同一面內(nèi)。另外，如果對(duì)于由基板B的厚度、埋設(shè)層R的厚度、以及第1電子部件10及第2電子部件20的高度的調(diào)整所引起的電子部件內(nèi)置基板1A的振動(dòng)的抑制不產(chǎn)生影響，則電子部件內(nèi)置基板1A也可以安裝多個(gè)第1電子部件10以及第2電子部件20。此外，同樣地，在電子部件內(nèi)置基板1A也可以安裝層疊陶瓷電容器以外的電子部件。雖然在第2實(shí)施方式中，作為第1電子部件10以及第2電子部件20的具體例而例示了層疊陶瓷電容器，但并不限于此，本發(fā)明也能夠適用于如下情況，即，第1電子部件10以及第2電子部件20中的至少一者使用了電介質(zhì)層由樹脂材料構(gòu)成的層疊電容器、即層疊型金屬化薄膜電容器的情況。另外，雖然在電子部件內(nèi)置基板1A中，第1電子部件10的陶瓷層疊體11中的第1側(cè)部P11的厚度與第2側(cè)部P12的厚度實(shí)質(zhì)上相同，但也可以使第1側(cè)部P11的厚度厚于第2側(cè)部P12的厚度。在該情況下，在厚度方向上，易于對(duì)第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m與電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP的間隔d1和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m與電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP的間隔d2進(jìn)行調(diào)整。在將埋設(shè)層R設(shè)置為上述的間隔d1短于間隔d2的情況下，如前所述，能夠有效地取得欲使與電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP相比下側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩、和欲使與電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP相比上側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩的平衡。即，與電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP相比下側(cè)部分和上側(cè)部分有效地抵消由基于彼此的彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)。因此，第1電子部件10以及第2電子部件20的各層疊部的中央面和電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP的位置關(guān)系滿足上述條件，從而可降低電子部件內(nèi)置基板1A的振動(dòng)，進(jìn)而可防止或降低由振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。<電子部件內(nèi)置基板的制造方法>使用圖17以及圖18來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第2實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1A的制造方法的一例進(jìn)行說明。圖17以及圖18為分別示意性地表示在電子部件內(nèi)置基板1A的制造方法的一例中依次實(shí)施的安裝工序以及埋設(shè)層形成工序的圖。另外，圖17以及圖18的各圖相當(dāng)于圖13的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖(圖14(A))。<安裝工序>圖17(A)以及圖17(B)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1A的制造方法的安裝工序的圖。通過安裝工序，從而第1電子部件10以及第2電子部件20成為被安裝在基板B的一個(gè)主面的狀態(tài)。圖17(A)表示準(zhǔn)備第1電子部件10以及第2電子部件20、和對(duì)第1電子部件10以及第2電子部件20進(jìn)行安裝的基板B的階段。第1電子部件10以及第2電子部件20包括具有前述的構(gòu)造且在電壓施加時(shí)會(huì)產(chǎn)生形變的層疊陶瓷電容器?；錌在一個(gè)主面具備用于連接第1電子部件10的第1安裝連接盤L11及第2安裝連接盤L12(未圖示第2安裝連接盤L12)、以及用于連接第2電子部件20的第3安裝連接盤L21及第4安裝連接盤L22(未圖示第4安裝連接盤L22)。圖17(B)表示通過將第1電子部件10以及第2電子部件20使用連接構(gòu)件S而連接至上述的各安裝連接盤，由此安裝在基板B的一個(gè)主面的階段。在安裝工序中，對(duì)第1電子部件10和第2電子部件20進(jìn)行分離安裝，使得第1電子部件10的側(cè)面和第2電子部件20的側(cè)面對(duì)置。進(jìn)而，在厚度方向上，使得第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m與基板B的一個(gè)主面的間隔d1m寬于第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m與基板B的一個(gè)主面的間隔d2m。在圖17的情況下，由于第1電子部件10為比第2電子部件20大型的層疊陶瓷電容器，因此各電子部件的層疊部的中央面與基板B的一個(gè)主面的間隔的關(guān)系得以滿足。此外，第1電子部件10以及第2電子部件20被安裝在基板B，使得各自具備的陶瓷層疊體的電容器元件的層疊方向與厚度方向成為同一方向。另外，如前所述，也可以第1電子部件10以及第2電子部件20中的至少一者被安裝在基板B，使得電容器元件的層疊方向與厚度方向正交(參照?qǐng)D15)。<安裝工序>圖18(A)至圖18(C)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1A的制造方法的埋設(shè)層形成工序的圖。通過埋設(shè)層形成工序，從而成為在基板B的一個(gè)主面設(shè)置有埋設(shè)了第1電子部件10以及第2電子部件20的埋設(shè)層R的狀態(tài)。圖18(A)表示在安裝有第1電子部件10以及第2電子部件20的基板B的一個(gè)主面通過例如分配器D涂敷液狀的樹脂LR以使得成為由單點(diǎn)劃線所示的給定的厚度的階段。此外，圖18(B)表示通過將液狀的樹脂LR涂敷至給定的厚度，從而形成有未固化的埋設(shè)層UCR的階段。用于涂敷的裝置并不限于上述的分配器D，也能夠使用現(xiàn)有的涂敷裝置。例如，也可以使用簾式涂敷機(jī)、旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)等各種涂敷機(jī)。此外，液狀的樹脂LR并不限于由單一樹脂材料構(gòu)成的樹脂，能夠使用在絕緣性的樹脂材料中作為填料而包括玻璃材料、二氧化硅等的樹脂。另外，未固化的埋設(shè)層UCR并不限于涂敷如圖18(A)那樣的液狀的樹脂LR的方法，也可以通過如下方式來賦予，即，在半固化狀態(tài)下將薄片狀的預(yù)成型料載置于基板B的一個(gè)主面，進(jìn)行按壓以使得埋設(shè)第1電子部件10以及第2電子部件20。圖18(C)表示通過對(duì)未固化的埋設(shè)層UCR進(jìn)行加熱并使其固化而作為埋設(shè)層R，從而完成了電子部件內(nèi)置基板1A的階段。另外，如前所述，埋設(shè)層R也可以被形成為包括樹脂材料部RM、和被設(shè)置于其表面的導(dǎo)電材料部CM(參照?qǐng)D14)。通過該階段，從而成為在基板B的一個(gè)主面設(shè)置有埋設(shè)了第1電子部件10以及第2電子部件20的埋設(shè)層R的狀態(tài)。如前所述，電子部件內(nèi)置基板1A的厚度由基板B的厚度TB與埋設(shè)層R的厚度TR之和來表示。在此，厚度方向上的電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP被定義為如下的面，即，假定為距電子部件內(nèi)置基板1A的一個(gè)主面(基板B的另一個(gè)主面)的距離T1與距另一個(gè)主面(埋設(shè)層R的外表面)的距離T2相等的的面。并且，埋設(shè)層R被設(shè)置為，在厚度方向上，電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP位于第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m之間。上述關(guān)系可被認(rèn)為是表示了如下條件，即，即使第1電子部件10以及第2電子部件20產(chǎn)生了形變，上述下側(cè)部分和上側(cè)部分也會(huì)互相抵消彼此的彎曲力矩，作為其結(jié)果，互相抵消由基于彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)的條件。關(guān)于埋設(shè)層R的厚度TR的調(diào)整，可以將未固化的埋設(shè)層UCR固化時(shí)的體積變化估計(jì)在內(nèi)，涂敷液狀的樹脂LR使得未固化的埋設(shè)層UCR在固化后成為厚度TR。此外，也可以預(yù)先事先形成比預(yù)定厚度厚的未固化的埋設(shè)層UCR，通過在固化后去除多余的樹脂，從而將埋設(shè)層R的厚度TR設(shè)為期望的值。<第2實(shí)施方式的第1變形例>使用圖19來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1A的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1A-1進(jìn)行說明。另外，雖然電子部件內(nèi)置基板1A-1在除了第1電子部件10以及第2電子部件20之外還具備第3電子部件30這點(diǎn)上與前述的電子部件內(nèi)置基板1A有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此將省略關(guān)于共通的部分的說明。另外，基板B與前述的各實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖19為電子部件內(nèi)置基板1A-1的、相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。電子部件內(nèi)置基板1A-1還具備被安裝在基板B的一個(gè)主面的第3電子部件30。第3電子部件30為具有與第1電子部件10以及第2電子部件20相同的構(gòu)造的層疊陶瓷電容器。第3電子部件30使用連接構(gòu)件S而被連接在第5安裝連接盤L31以及第6安裝連接盤L32(未圖示第6安裝連接盤L32)上。第5安裝連接盤L31以及第6安裝連接盤L32處于包括未圖示的導(dǎo)電圖案而形成的布線上。對(duì)于第3電子部件30，通過該布線而被施加電壓。此外，埋設(shè)層R被設(shè)置在基板B的一個(gè)主面以埋設(shè)第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30。在電子部件內(nèi)置基板1A-1的厚度方向上，第3電子部件30的層疊部CP3的中央面CP3m位于比電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP更靠基板B側(cè)。而且，電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP和第3電子部件30的層疊部CP3的中央面CP3m的間隔d3為電子部件內(nèi)置基板1A的中央面MP和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m的間隔d2以下。因此，在厚度方向上，第3電子部件30的層疊部CP3的中央面CP3m和基板B的一個(gè)主面的間隔d3m寬于第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m和基板B的一個(gè)主面的間隔d2m。并且，第1電子部件10的一個(gè)側(cè)面與第2電子部件20的側(cè)面隔著埋設(shè)層R而對(duì)置，第1電子部件10的另一個(gè)側(cè)面與第3電子部件30的側(cè)面隔著埋設(shè)層R而對(duì)置。如前所述，由第1電子部件10所產(chǎn)生的形變所引起的彎曲力矩大于由第2電子部件20所產(chǎn)生的形變所引起的彎曲力矩。在這種情況下，使得電子部件內(nèi)置基板1A-1還具備第3電子部件30，且第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30具有上述位置關(guān)系。并且，使得電子部件內(nèi)置基板1A-1的厚度方向上的中央面MP位于第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m之間。通過采用這種方式，從而能夠有效地取得欲使與電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP相比下側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩、和欲使與電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP相比上側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩的平衡。因此，與電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP相比下側(cè)部分和上側(cè)部分有效地抵消由基于彼此的彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)。因此，第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30的位置關(guān)系滿足上述條件，從而可進(jìn)一步地降低電子部件內(nèi)置基板1A-1的振動(dòng)，進(jìn)而可有效地防止或降低由基板B的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生。在第1變形例中，作為第3電子部件30的具體例而例示了層疊陶瓷電容器。并不限于此，本發(fā)明也能夠適用于如下情況，即，第1電子部件10至第3電子部件30中的至少一者使用了電介質(zhì)層由樹脂材料構(gòu)成的層疊電容器、即層疊型金屬化薄膜電容器的情況。<電子部件內(nèi)置基板的制造方法>電子部件內(nèi)置基板1A-1的制造方法基本上以前述的電子部件內(nèi)置基板1的制造方法中的安裝工序以及埋設(shè)層形成工序?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)。即，在安裝工序中，將第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30安裝在基板B的一個(gè)主面，使得第1電子部件10的一個(gè)側(cè)面與第2電子部件20的側(cè)面分離對(duì)置、且第1電子部件10的另一個(gè)側(cè)面與第3電子部件30的側(cè)面分離對(duì)置。此外，在埋設(shè)層形成工序中，在基板B的一個(gè)主面設(shè)置有對(duì)第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30進(jìn)行埋設(shè)，使得在厚度方向上電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP位于第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m之間的埋設(shè)層R。此時(shí)，使得第3電子部件30的層疊部CP3的中央面CP3m位于比電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP更靠基板B側(cè)，且電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP和第3電子部件30的層疊部CP3的中央面CP3m的間隔d3為電子部件內(nèi)置基板1A-1的中央面MP和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m的間隔d2以下。在上述制造方法中，能夠高效地制造出進(jìn)一步降低了振動(dòng)、有效地防止或降低了由振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板1A-1。<第2實(shí)施方式的第2變形例>使用圖20來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1A的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1A-2進(jìn)行說明。另外，雖然電子部件內(nèi)置基板1A-2的第1電子部件10的形態(tài)與前述的電子部件內(nèi)置基板1A有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此將省略共通的部分的說明。另外，基板B與前述的各實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖20(A)為電子部件內(nèi)置墓板1A-2的、相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖20(B)為圖20(A)的包括X21-X21線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置基板1A-2的第1電子部件10為帶電極端子的層疊電容器。帶電極端子的層疊電容器具備通過連接構(gòu)件S而一側(cè)與第1外部電極12連接的第1電極端子T11、和一側(cè)與第2外部電極13連接的第2電極端子T12。并且，該第1電子部件10通過第1電極端子T11的另一側(cè)與第1安裝連接盤L11連接，且第2電極端子T12的另一側(cè)與第2安裝連接盤L12連接，從而被安裝在基板B的一個(gè)主面。另外，基板B與前述的各實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。在電子部件內(nèi)置基板1A-2中，在厚度方向上，易于對(duì)第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m與電子部件內(nèi)置基板1A-2的中央面MP的間隔d1、和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m與電子部件內(nèi)置基板1A-2的中央面MP的間隔d2進(jìn)行調(diào)整。此外，將埋設(shè)層R設(shè)置為上述間隔d1短于間隔d2，使得電子部件內(nèi)置基板1A-2的厚度方向上的中央面MP位于第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m之間。在這樣設(shè)置的情況下，能夠有效地取得欲使與電子部件內(nèi)置基板1A-2的中央面MP相比下側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩、和欲使與電子部件內(nèi)置基板1B的中央面MP相比上側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩的平衡。因此，與電子部件內(nèi)置基板1A-2的中央面MP相比下側(cè)部分和上側(cè)部分有效地互相抵消由基于彼此的彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)。因此，由與電子部件內(nèi)置基板1A-2的厚度方向上的中央面MP相比下側(cè)部分和上側(cè)部分的振動(dòng)的互相抵消所實(shí)現(xiàn)的振動(dòng)的降低變得容易，進(jìn)而由振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生的防止或降低變得容易。<第2實(shí)施方式的第3變形例>使用圖21來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1A的第3變形例的電子部件內(nèi)置基板1A-3進(jìn)行說明。另外，雖然電子部件內(nèi)置基板1A-2的第1電子部件10的形態(tài)與前述的電子部件內(nèi)置基板1A有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此將省略關(guān)于共通的部分的說明。另外，基板B與前述的各實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖21(A)為電子部件內(nèi)置基板1A-3的、相當(dāng)于圖13(A)的截面圖。圖21(B)為圖21(A)的包括X31-X31線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置基板1A-3的第1電子部件10具有所謂的內(nèi)插器I。內(nèi)插器I具有實(shí)質(zhì)上平行的一個(gè)主面和另一個(gè)主面，且在一個(gè)主面設(shè)置有第1中繼連接盤IL11以及第2中繼連接盤IL12，在另一個(gè)主面設(shè)置有第3中繼連接盤IL21以及第4中繼連接盤IL22。第1中繼連接盤IL11以及第2中繼連接盤IL12分別與第3中繼連接盤IL21以及第4中繼連接盤IL22導(dǎo)通。內(nèi)插器I的第1中繼連接盤IL11以及第2中繼連接盤IL12通過連接構(gòu)件S而分別與第1外部電極12以及第2外部電極13連接。此外，被設(shè)置于內(nèi)插器I的另一個(gè)主面的第3中繼連接盤IL21以及第4中繼連接盤IL22通過連接構(gòu)件S而分別與基板B上的第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12連接。其結(jié)果為，第1外部電極12經(jīng)由內(nèi)插器I而與第1安裝連接盤L11連接。此外，第2外部電極13經(jīng)由內(nèi)插器I而與第2安裝連接盤L12連接。在電子部件內(nèi)置基板1A-3中，在厚度方向上，易于對(duì)第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m與電子部件內(nèi)置基板1A-3的中央面MP的間隔d1、和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m與電子部件內(nèi)置基板1A-3的中央面MP的間隔d2進(jìn)行調(diào)整。此外，將埋設(shè)層R設(shè)置為上述間隔d1短于間隔d2，使得電子部件內(nèi)置基板1A-3的厚度方向上的中央面MP位于第1電子部件10的層疊部CP1的中央面CP1m和第2電子部件20的層疊部CP2的中央面CP2m之間。在這樣設(shè)置的情況下，能夠有效地取得欲使與電子部件內(nèi)置基板1A-3的中央面MP相比下側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩、和欲使與電子部件內(nèi)置基板1B的中央面MP相比上側(cè)部分發(fā)生變形的彎曲力矩的平衡。因此，與電子部件內(nèi)置基板1A-3的中央面MP相比下側(cè)部分和上側(cè)部分有效地抵消由基于彼此的彎曲力矩的變形所引起的振動(dòng)。因此，由與電子部件內(nèi)置基板1A-3的厚度方向上的中央面MP相比下側(cè)部分和上側(cè)部分的振動(dòng)的抵消所實(shí)現(xiàn)的振動(dòng)的降低變得容易，進(jìn)而由振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生的防止或降低變得容易。-電子部件內(nèi)置基板的第3實(shí)施方式-使用圖22以及圖23來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第3實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1B進(jìn)行說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖22為電子部件內(nèi)置基板1B的截面圖。圖22(A)為圖22(B)的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖22(B)為圖22(A)的包括Z1-Z1線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置基板1B具備基板B、第1電子部件10以及第2電子部件20、和埋設(shè)層R。第1電子部件10以及第2電子部件20被安裝在基板B的一個(gè)主面。埋設(shè)層R被設(shè)置在基板B的一個(gè)主面以埋設(shè)第1電子部件10以及第2電子部件20?；錌為相當(dāng)于前述的圖44的多層基板，未圖示內(nèi)部電極、過孔等，而以簡化的方式進(jìn)行圖示?；錌與圖44所示的多層基板相同，具備絕緣層和布線層。絕緣層包括玻璃、二氧化硅等的紡織布或者無紡織布、和絕緣性的樹脂。此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，為了強(qiáng)調(diào)第1電子部件10以及第2電子部件20，基板B和第1電子部件10以及第2電子部件20的大小關(guān)系與實(shí)際的大小關(guān)系不同。第1電子部件10包括具備陶瓷層疊體11、第1外部電極12以及第2外部電極13的層疊陶瓷電容器。陶瓷層疊體11成為通過作為保護(hù)層的陶瓷電介質(zhì)層14而夾著層疊部CP1的構(gòu)造，其中，所述層疊部CP1為陶瓷電介質(zhì)層14被插入到第1內(nèi)部電極15和第2內(nèi)部電極16之間而形成的電容器元件層疊而成的部件。陶瓷層疊體11具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面、和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。第1外部電極12與第1內(nèi)部電極15連接，第2外部電極13與第2內(nèi)部電極16連接。第1外部電極12以及第2外部電極13分別被設(shè)置在陶瓷層疊體11的表面。第2電子部件20包括具有與第1電子部件10相同的構(gòu)造的層疊陶瓷電容器。第2電子部件20具備陶瓷層疊體21、第1外部電極22以及第2外部電極23。陶瓷層疊體21成為通過作為保護(hù)層的陶瓷電介質(zhì)層24而夾著層疊部CP2的構(gòu)造，其中，所述層疊部CP2為陶瓷電介質(zhì)層24被插入到第1內(nèi)部電極25和第2內(nèi)部電極26之間而形成的電容器元件層疊而成的部件。陶瓷層疊體21具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面、和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。第1外部電極22與第1內(nèi)部電極25連接，第2外部電極23與第2內(nèi)部電極26連接。第1外部電極22以及第2外部電極23分別被設(shè)置在陶瓷層疊體21的表面。第1電子部件10使用例如焊料這樣的連接構(gòu)件S而被連接在第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12上。同樣地，第2電子部件20同樣使用焊料這樣的連接構(gòu)件S而被連接在第3安裝連接盤L21以及第4安裝連接盤L22上。第1安裝連接盤L11至第4安裝連接盤L22的材質(zhì)以及連接構(gòu)件S的材質(zhì)能夠從現(xiàn)有的材質(zhì)中話當(dāng)洗擇使用。第1安裝連接盤L11以及第3安裝連接盤L21處于包括導(dǎo)電圖案CT1～CT3而形成的布線上，第2安裝連接盤L12以及第4安裝連接盤L22處于包括導(dǎo)電圖案CT4～CT6而形成的布線上。即，在圖22(B)中，第1電子部件10和第2電子部件20通過導(dǎo)電圖案CT2以及CT5而被并聯(lián)且直接連接。在此，被直接連接意味著，通過利用導(dǎo)電圖案將安裝有第1電子部件10的安裝連接盤和安裝有第2電子部件20的安裝連接盤連接起來，從而第1電子部件10和第2電子部件20電導(dǎo)通。因此，對(duì)于第1電子部件10以及第2電子部件20，被施加了實(shí)質(zhì)上無相位偏差的電壓。此外，第1電子部件10的側(cè)面和第2電子部件20的側(cè)面隔著埋設(shè)層R而互相對(duì)置。在圖22(A)以及圖22(B)中，如上所述，在第1電子部件10和第2電子部件20之間未被安裝其他的電子部件。然而，如果對(duì)于后述的從雙方的電子部件向埋設(shè)層R傳遞的振動(dòng)的抵消不產(chǎn)生影響，則也可以安裝其他的電子部件。第1電子部件10被安裝在基板B，使得陶瓷層疊體11的層疊方向SD1與基板B的一個(gè)主面的法線方向平行。另一方面，第2電子部件20被安裝在基板B，使得陶瓷層疊體21的層疊方向SD2與基板B的一個(gè)主面平行。即，在電子部件內(nèi)置基板1B中，第1電子部件10的陶瓷層疊體11的層疊方向SD1和第2電子部件20的陶瓷層疊體21的層疊方向SD2互相正交。另外，此處所說的正交是指，包括在第1電子部件10以及第2電子部件20的安裝時(shí)姿態(tài)發(fā)生傾斜等的安裝偏差的情況。圖23為對(duì)電子部件內(nèi)置基板1B所具備的第1電子部件10以及第2電子部件20的、被施加電壓時(shí)的形變的狀態(tài)進(jìn)行說明的概略截面圖。為了易于理解形變的狀態(tài)，而僅以夸張的方式圖示了第1電子部件10的陶瓷層疊體11以及第2電子部件20的陶瓷層疊體21的外形變化。在此，圖23(A)為相當(dāng)于圖22(A)的概略截面圖。圖23(B)為相當(dāng)于圖22(B)的概略截面圖。如圖23(A)以及圖23(B)所示，在電壓被施加于各個(gè)電子部件時(shí)，第1電子部件10所產(chǎn)生的形變與第2電子部件20所產(chǎn)生的形變成為相反方向。其結(jié)果為，第1電子部件10所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層R而產(chǎn)生的振動(dòng)、和第2電子部件20所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層R而產(chǎn)生的振動(dòng)彼此互相抵消。也就是說，即使被埋設(shè)于埋設(shè)層R的各個(gè)電子部件產(chǎn)生了由電壓的施加所造成的形變，經(jīng)由埋設(shè)層R的振動(dòng)的傳遞也會(huì)被降低。<第3實(shí)施方式的第1變形例>使用圖24來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1B的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1B-1進(jìn)行說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖24為電子部件內(nèi)置基板1B-1的、相當(dāng)于圖22(B)的截面圖。在圖24中，第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12、和第3安裝連接盤L21以及第4安裝連接盤L22處于包括導(dǎo)電圖案CT1、CT5以及CT3而形成的布線上。即，在圖24中，第1電子部件10和第2電子部件20通過導(dǎo)電圖案CT5而被串聯(lián)且直接連接。因此，與電子部件內(nèi)置基板1B相同，對(duì)于第1電子部件10以及第2電子部件20，被施加實(shí)質(zhì)上無相位偏差的電壓。<第3實(shí)施方式的第2變形例>使用圖25以及圖26來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1B的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1B-2進(jìn)行說明。圖25為電子部件內(nèi)置基板1B-2的、相當(dāng)于圖22(A)的截面圖。電子部件內(nèi)置基板1B-2除了電子部件內(nèi)置基板1B之外，還具備第3電子部件30。另外，優(yōu)選的是，第1電子部件10以及第3電子部件30為具有相同的構(gòu)造的層疊陶瓷電容器。另外，基板B與前述的各實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。在此，第1電子部件10的陶瓷層疊體11的層疊方向SD1和第3電子部件30的陶瓷層疊體31的層疊方向SD3與基板B的一個(gè)主面的法線方向平行。此外，第2電子部件20的陶瓷層疊體21的層疊方向SD2與基板B的一個(gè)主面平行。即，第1電子部件10的陶瓷層疊體11的層疊方向SD1以及第3電子部件30的陶瓷層疊體31的層疊方向SD3、和第2電子部件20的陶瓷層疊體21的層疊方向SD2互相正交。圖26為對(duì)電子部件內(nèi)置基板1B-2所具備的第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30的、被施加電壓時(shí)的形變的狀態(tài)進(jìn)行說明的概略截面圖。與前述的圖23相同，為了易于理解形變的狀態(tài)，而僅以夸張的方式圖示了第1電子部件10的陶瓷層疊體11、第2電子部件20的陶瓷層疊體21以及第3電子部件30的陶瓷層疊體31的外形變化。如圖26所示，在電壓被施加于各個(gè)電子部件時(shí)，第1電子部件10以及第3電子部件30所產(chǎn)生的形變和第2電子部件20所產(chǎn)生的形變成為相反方向。在此，第1電子部件10、第2電子部件20以及第3電子部件30被設(shè)定為基于第1電子部件10以及第3電子部件30的振動(dòng)和基于第2電子部件20的振動(dòng)彼此互相抵消。在電子部件內(nèi)置基板1B-2中，使得通過基于兩個(gè)電子部件(第1電子部件10以及第3電子部件30)的振動(dòng)來抵消基于一個(gè)電子部件(第2電子部件20)的振動(dòng)。一般情況下，在層疊陶瓷電容器被施加電壓時(shí)所產(chǎn)生的形變量中，陶瓷層疊體的層疊方向的膨脹量比與陶瓷層疊體的層疊方向正交的方向的收縮量要大。因此，通過使第1電子部件10的數(shù)量多于第2電子部件20的數(shù)量，從而能夠更有效地互相抵消振動(dòng)。另外，第1電子部件10的數(shù)量與第2電子部件20的數(shù)量之比，并不限于圖25以及圖26所示的2∶1，可根據(jù)各電子部件所產(chǎn)生的形變量而適當(dāng)變更。各電子部件所產(chǎn)生的形變量也依賴于陶瓷電介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)以及電容器元件的層疊數(shù)。因此，選擇第1電子部件10的數(shù)量與第2電子部件20的數(shù)量之比，使得與上述的形變量的方向性相匹配地整體上有效地互相抵消振動(dòng)。例如，也可以使得在一個(gè)第2電子部件20的左右分別安裝多個(gè)第1電子部件10。在圖27中圖示了如下情況，即，作為電子部件內(nèi)置基板1B-2的更進(jìn)一步的變形例，而在一個(gè)第2電子部件20的左右分別安裝了兩個(gè)第1電子部件10，從而使第1電子部件10的數(shù)量與第2電子部件20的數(shù)量之比為4∶1。即，與電子部件內(nèi)置基板1B相同，即使被埋設(shè)于埋設(shè)層R的各電子部件產(chǎn)生了由電壓的施加所造成的形變，經(jīng)由埋設(shè)層R的振動(dòng)的傳遞也會(huì)被減低。<第3實(shí)施方式的第3變形例>使用圖28來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1B的第3變形例的電子部件內(nèi)置基板1B-3進(jìn)行說明。圖28為電子部件內(nèi)置基板1B-3的、相當(dāng)于圖22(A)的截面圖。如圖28所示，在電子部件內(nèi)置基板1B-3中，第1電子部件10的大小和第2電子部件20的大小不同。另外，基板B與前述的各實(shí)施方式相同，以簡化的方式進(jìn)行圖示。在電子部件內(nèi)置基板1B-3中，在以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面時(shí)，第1電子部件10的層疊部CP1的中心的高度10C處于第2電子部件20的層疊部CP2的最低部的高度20L和最高部的高度20U之間。此外，第2電子部件20的層疊部CP2的中心的高度20C處于第1電子部件10的層疊部CP1的最低部的高度10L和最高部的高度10U之間。即，在電子部件內(nèi)置基板1B-3中，第1電子部件10的層疊部CP1的中心的高度10C落入第2電子部件20的層疊部CP2的高度方向的寬度范圍內(nèi)。此外，第2電子部件20的層疊部CP2的中心的高度20C落入第1電子部件10的層疊部CP1的高度方向的寬度范圍內(nèi)。如前所述，層疊部為關(guān)于陶瓷電介質(zhì)層而將陶瓷電介質(zhì)層插入到兩個(gè)內(nèi)部電極之間而形成的電容器元件層疊而成的部分，且為層疊陶瓷電容器中的參與靜電電容的顯現(xiàn)的部分。此外，也是伴隨著電壓的施加通過電致伸縮效應(yīng)以及逆壓電效應(yīng)而產(chǎn)生與所施加的電壓的大小相應(yīng)的形變的振動(dòng)產(chǎn)生源。因此，在滿足上述條件時(shí)，兩個(gè)振動(dòng)產(chǎn)生源的距基板B的一個(gè)主面的高度位置基本重疊。換言之，第1電子部件10所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層R而產(chǎn)生的振動(dòng)、和第2電子部件20所產(chǎn)生的形變被傳遞到埋設(shè)層R而產(chǎn)生的振動(dòng)在不交錯(cuò)的情況下有效地發(fā)生干涉。其結(jié)果為，即使第1電子部件10的大小和第2電子部件20的大小不同，基于各個(gè)電子部件的振動(dòng)也會(huì)彼此可靠地互相抵消。即，即使被埋設(shè)于埋設(shè)層R的各電子部件產(chǎn)生了由電壓的施加所造成的形變，經(jīng)由埋設(shè)層R的振動(dòng)的傳遞也會(huì)被降低。<電子部件內(nèi)置基板的制造方法>電子部件內(nèi)置基板1B的制造方法基本上以前述的電子部件內(nèi)置基板1的制造方法中的安裝工序以及埋設(shè)層形成工序?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)。即，在安裝工序中，第1電子部件10以及第2電子部件20被安裝為第1電子部件10中的陶瓷電介質(zhì)層14、第1內(nèi)部電極15、第2內(nèi)部電極16的層疊方向SD1、和第2電子部件20中的陶瓷電介質(zhì)層24、第1內(nèi)部電極25、第2內(nèi)部電極26的層疊方向SD2互相正交。此外，在埋設(shè)層形成工序中，埋設(shè)層R被設(shè)置為第1電子部件10的側(cè)面和第2電子部件20的側(cè)面隔著埋設(shè)層R而互相對(duì)置。在上述的電子部件內(nèi)置基板的制造方法中，能夠高效地制造降低了基板B的振動(dòng)、進(jìn)而防止或降低了由基板B的振動(dòng)所造成的可聽音的產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板1B。-電子部件內(nèi)置基板的第4實(shí)施方式-使用圖29以及圖30來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第4實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1C進(jìn)行說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖29為電子部件內(nèi)置基板1C的俯視圖。圖30(A)為圖29的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。圖30(B)為圖29的包括X1-X1線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置基板1C具備基板B、第1電子部件10和埋設(shè)層R。第1電子部件10被安裝在基板B的一個(gè)主面。埋設(shè)層R被設(shè)置在基板B的一個(gè)主面以埋設(shè)第1電子部件10?；錌為相當(dāng)于前述的圖44的多層基板，未圖示內(nèi)部電極、過孔等，而以簡化的方式進(jìn)行圖示?；錌與圖44所示的多層基板相同，具備絕緣層和布線層。絕緣層包括玻璃、二氧化硅等的紡織布或者無紡織布、和絕緣性的樹脂。此外，在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中，為了強(qiáng)調(diào)第1電子部件10，基板B和第1電子部件10的大小關(guān)系與實(shí)際的大小關(guān)系不同。第1電子部件10包括具備陶瓷層疊體11、第1外部電極12以及第2外部電極13的層疊陶瓷電容器。陶瓷層疊體11成為通過作為保護(hù)層的陶瓷電介質(zhì)層14而夾著層疊部CP1的構(gòu)造，其中，所述層疊部CP1為陶瓷電介質(zhì)層14被插入到第1內(nèi)部電極15和第2內(nèi)部電極16之間而形成的電容器元件層疊而成的部件。陶瓷層疊體11具有互相對(duì)置的兩個(gè)端面、和連接兩個(gè)端面的側(cè)面。第1外部電極12與第1內(nèi)部電極15連接，第2外部電極13與第2內(nèi)部電極16連接。第1外部電極12以及第2外部電極13分別被設(shè)置在陶瓷層疊體11的表面。在圖30(A)以及圖30(B)中，第1電子部件10使用例如焊料這樣的連接構(gòu)件S而被連接在第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12上。第1安裝連接盤L11及第2安裝連接盤L12的材質(zhì)以及連接構(gòu)件S的材質(zhì)，能夠從現(xiàn)有的材質(zhì)中適當(dāng)選擇使用。第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12處于包括未圖示的導(dǎo)電圖案而形成的布線上。對(duì)于第1電子部件10，通過該布線而被施加電壓。另外，如果對(duì)于經(jīng)由后述的凹部RC的埋設(shè)層R的第1電子部件10的振動(dòng)的傳遞的抑制不產(chǎn)生影響，則電子部件內(nèi)置基板1C也可以安裝多個(gè)第1電子部件10。此外，同樣地，在電子部件內(nèi)置基板1C也可以安裝層疊陶瓷電容器以外的電子部件。埋設(shè)層R的外表面具有凹部RC。凹部RC被形成為使伴隨著第1電子部件10的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板1C的振動(dòng)縮小在可聽頻域、即20Hz～20kHz的范圍內(nèi)。雖然凹部RC在圖30(A)以及圖30(B)中被設(shè)置在埋設(shè)層R的外表面使得為半球狀且等間隔，但只要是顯現(xiàn)出例如下述的機(jī)理的這種形態(tài)以及位置即可，并不限定于此，如后述這樣能夠通過各種形態(tài)來形成。由于第1電子部件10包括層疊陶瓷電容器，且大多使用以鈦酸鋇為基本材料的高介電常數(shù)的陶瓷材料，因此有可能會(huì)由于電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生振動(dòng)。雖然該振動(dòng)會(huì)經(jīng)由連接構(gòu)件S而被傳遞到連接有第1電子部件10的基板B，但是在第1電子部件10被埋設(shè)于埋設(shè)層R的情況下，也會(huì)經(jīng)由埋設(shè)層R而被傳遞到基板B。在此，在埋設(shè)層R的外表面不具有凹部RC的情況下，沒有對(duì)經(jīng)由埋設(shè)層R的第1電子部件10的振動(dòng)的傳遞進(jìn)行抑制的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果為，有可能使被傳遞第1電子部件10的振動(dòng)的基板B發(fā)生共振，從而在可聽頻域內(nèi)大幅振動(dòng)。另一方面，在埋設(shè)層R的外表面上具有凹部RC的情況下，凹部RC對(duì)經(jīng)由埋設(shè)層R的第1電子部件10的振動(dòng)的傳遞進(jìn)行抑制。其結(jié)果為，可認(rèn)為是，不會(huì)產(chǎn)生基板B的共振，或即使產(chǎn)生了共振但基板B的振幅也較小，或者共振頻率偏移到可聽頻域外。在埋設(shè)層R的表面上設(shè)置凹部RC使得共振頻率偏移到可聽頻域外的情況下，即使在可聽頻域外基板B的振動(dòng)變大，也不會(huì)被感覺到所謂的“鳴叫”。即，不論上述哪一種方式，均可對(duì)可聽頻域內(nèi)的基板B的大的振動(dòng)進(jìn)行抑制。因此，伴隨著第1電子部件10的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的可聽頻域內(nèi)的基板B的振動(dòng)變小，從而能夠防止或降低可聽音的產(chǎn)生。另外，上述機(jī)理是推斷的，也存在由其他機(jī)理實(shí)現(xiàn)的可能性。<電子部件內(nèi)置基板的制造方法>使用圖31至圖34來對(duì)作為本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)置基板的第4實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的一例進(jìn)行說明。圖31至圖34為分別示意性地表示在電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的一例中被依次實(shí)施的安裝工序、埋設(shè)層形成工序、凹部形態(tài)決定工序以及凹部形成工序的圖。另外，圖31至圖34的各圖相當(dāng)于圖29的包括Y1-Y1線的面的向視截面圖。<安裝工序>圖31(A)以及圖31(B)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的安裝工序的圖。通過安裝工序，從而第1電子部件10成為被安裝在基板B的一個(gè)主面的狀態(tài)。圖31(A)表示準(zhǔn)備第1電子部件10、和安裝第1電子部件10的基板B的階段。如前所述，第1電子部件10包括第1外部電極12以及第2外部電極13被設(shè)置在陶瓷層疊體11的表面且在電壓施加時(shí)發(fā)生形變的層疊陶瓷電容器。在基板B的一個(gè)主面具備用于連接第1電子部件10的第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12(未圖示L12)。圖31(B)表示通過將第1電子部件10使用例如焊料這樣的連接構(gòu)件S而與第1安裝連接盤L11以及第2安裝連接盤L12接合，由此安裝在基板B的一個(gè)主面的階段。<埋設(shè)層形成工序>圖32(A)以及圖32(B)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的埋設(shè)層形成工序的圖。通過埋設(shè)層形成工序，從而成為在基板B的一個(gè)主面設(shè)置有埋設(shè)層R以埋設(shè)第1電子部件10的狀態(tài)。圖32(A)表示在安裝有第1電子部件10的基板B的一個(gè)主面通過例如分配器D涂覆液狀的樹脂LR使得成為由單點(diǎn)劃線所示的給定的厚度的階段。用于涂敷的裝置并不限于上述分配器D，也能夠使用現(xiàn)有的涂敷裝置。例如，也可以使用簾式涂敷機(jī)、旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)等各種涂敷機(jī)。此外，液狀的樹脂LR并不限于由單一樹脂材料構(gòu)成的樹脂，也能夠使用在樹脂材料中作為填料而包括玻璃材料、二氧化硅等的樹脂。進(jìn)而，埋設(shè)層R并不限于涂覆如圖32(A)那樣的液狀的樹脂LR的方法，也可以通過如下方法來形成，即，在半固化狀態(tài)下將薄片狀的預(yù)成型料載置于基板B的一個(gè)主面，進(jìn)行按壓使得埋設(shè)第1電子部件10。圖32(B)表示通過對(duì)埋設(shè)有第1電子部件10的液狀的樹脂LR進(jìn)行加熱并使其固化，從而成為固化后的埋設(shè)層R的階段。<凹部形態(tài)決定工序>圖33(A)至圖33(C)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的凹部形態(tài)決定工序的圖。通過凹部形態(tài)決定工序，來決定應(yīng)該在后述的凹部形成工序中形成的凹部的形態(tài)。圖33(A)表示向埋設(shè)層形成工序后的電子部件內(nèi)置基板施加給定的頻率及振幅的交流電壓而使其產(chǎn)生振動(dòng)，并將所產(chǎn)生的振動(dòng)作為聲音而利用傳聲器M來進(jìn)行測(cè)量，通過示波器OS來顯示音壓的階段。在該階段中，由于在埋設(shè)層R的的外表面未形成有后述的凹部RC，因此從電子部件內(nèi)置基板測(cè)量出在可聽頻域內(nèi)較大的聲音。另外，所產(chǎn)生的振動(dòng)的測(cè)量，并不限于上述這種使用傳聲器M以及示波器OS的方法，也可以采用如下方式，即，通過例如激光位移計(jì)等來對(duì)電子部件內(nèi)置基板的位移進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)其位移周期而求取。在該情況下，由于還能夠一并測(cè)量出電子部件內(nèi)置基板的哪個(gè)位置位移較大，因此能夠求出在后述的凹部形成工序中對(duì)振動(dòng)抑制有效的凹部形成位置。圖33(B)表示鑒于圖33(A)中的測(cè)量結(jié)果而在埋設(shè)層R的外表面試驗(yàn)性地形成了凹部的階段。如在后述的凹部形成工序中所表示的那樣，凹部的形成能夠通過例如從激光加工機(jī)LM照射出激光光LB來對(duì)埋設(shè)層R的的外表面進(jìn)行挖掘從而實(shí)施。在所形成的凹部并非是為了顯現(xiàn)前述機(jī)理而足夠的形態(tài)的情況下，雖然從電子部件內(nèi)置基板產(chǎn)生的聲音與圖33(A)的情況相比變小了，但在該階段中還未變得足夠小。圖33(C)表示鑒于圖33(B)中的測(cè)量結(jié)果而進(jìn)一步加深在埋設(shè)層R的外表面所形成的凹部的階段。在該階段中，所形成的凹部RC成為為了顯現(xiàn)前述機(jī)理而足夠的形態(tài)，從而從電子部件內(nèi)置基板產(chǎn)生的聲音變得足夠小。以后，將該凹部RC設(shè)為形成于電子部件內(nèi)置基板的埋設(shè)層R的外表面的形態(tài)。該凹部形態(tài)決定工序可以使用成為實(shí)際產(chǎn)品的電子部件內(nèi)置基板1C的一組中的幾個(gè)來實(shí)施，或者也可以使用與實(shí)際產(chǎn)品不同的、試驗(yàn)性地制作的電子部件內(nèi)置基板的一組中的幾個(gè)來實(shí)施。此外，凹部形態(tài)決定工序也可以不以上述方式試驗(yàn)性地實(shí)施，而是通過如下方式來實(shí)施，即，使用例如基于有限元法的模擬，對(duì)伴隨著凹部的形成形態(tài)的變化的可聽頻域內(nèi)的電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)的變化進(jìn)行計(jì)算，由此來實(shí)施。<凹部形成工序>圖34(A)以及圖34(B)為示意性地表示電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法的凹部形成工序的圖。通過凹部形成工序，從而成為在埋設(shè)層R的外表面形成有凹部RC使得伴隨著第1電子部件10的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)減小的狀態(tài)。圖34(A)表示通過從激光加工機(jī)LM照射出激光光LB來對(duì)埋設(shè)層R的外表面進(jìn)行挖掘，從而實(shí)施由凹部形態(tài)決定工序所決定的形態(tài)的凹部RC的加工的階段。用于挖掘埋設(shè)層R的外表面的裝置并不限于上述的激光加工機(jī)LM，能夠使用現(xiàn)有的加工機(jī)。例如，也可以使用鉆孔加工機(jī)、劃片機(jī)以及噴砂裝置等。圖34(B)表示在埋設(shè)層R的外表面形成凹部RC使得伴隨著第1電子部件10的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)減小，從而完成了電子部件內(nèi)置基板1C的階段。另外，凹部RC無需在埋設(shè)層R的整個(gè)上表面等間隔地形成，只要形成在為了減小電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)而有效的位置即可。通過以上工序，從而可高效地制造出在可聽頻域內(nèi)的振動(dòng)小、且防止或降低了可聽音的產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板1C。另外，以上所說明的電子部件內(nèi)置基板1C的制造方法中的凹部形態(tài)決定工序，只要能實(shí)施一次即可，無需對(duì)相同構(gòu)成的電子部件內(nèi)置基板反復(fù)實(shí)施。此外，也可以使得，將減小電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)的凹部的形態(tài)估計(jì)在內(nèi)來假定，通過凹部形成工序而制成在埋設(shè)層R的外表面具有這種凹部RC的電子部件內(nèi)置基板1C之后，對(duì)所產(chǎn)生的振動(dòng)進(jìn)行確認(rèn)。在這些情況下，能夠省略凹部形態(tài)決定工序，并從埋設(shè)層形成工序轉(zhuǎn)移為凹部形成工序。如圖35(A)～(C)所示，本發(fā)明的第4實(shí)施方式所涉及的電子部件內(nèi)置基板1C也能夠通過在基板B為集合體AG的狀態(tài)下實(shí)施凹部形成工序來獲得。圖35(A)表示在基板B為集合體AG的狀態(tài)下，在一個(gè)主面設(shè)置有埋設(shè)層R以埋設(shè)第1電子部件10的階段。另外，關(guān)于第1電子部件10以外的、被安裝的電子部件等，省略圖示。圖35(B)表示在該狀態(tài)下實(shí)施凹部形成工序，從而形成了凹部RC的階段。圖35(C)表示在形成了凹部RC之后，沿著在圖35(B)上由雙點(diǎn)劃線所表示的分割線進(jìn)行分割，從而分割為各個(gè)電子部件內(nèi)置基板1C的階段。在該情況下，能夠高效地實(shí)施電子部件內(nèi)置基板1C的制造。另一方面，本發(fā)明的第4實(shí)施方式所涉及的電子部件內(nèi)置基板1C，如圖36(A)～(C)所示，也能夠在將集合體AG分割為各個(gè)基板B之后，通過對(duì)它們實(shí)施凹部形成工序，從而獲得。圖36(A)與圖35(A)相同，表示在基板B為集合體AG的狀態(tài)下，在一個(gè)主面設(shè)置有埋設(shè)層R以埋設(shè)第1電子部件10的階段。關(guān)于第1電子部件10以外的、被安裝的電子部件等，同樣省略了圖示。圖36(B)表示沿著在圖36(A)上由雙點(diǎn)劃線所表示的分割線而分割為各個(gè)基板B的階段。圖36(C)表示通過對(duì)被分割的各個(gè)基板B實(shí)施凹部形成工序來形成凹部RC，從而成為電子部件內(nèi)置基板1C的階段。在該情況下，由于能夠與各個(gè)電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)狀態(tài)相匹配地對(duì)凹部RC的形成方法進(jìn)行微調(diào)整，因此能夠獲得品質(zhì)偏差極小的電子部件內(nèi)置基板1C。<第4實(shí)施方式的第1變形例>使用圖37以及圖38來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1C的第1變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-1進(jìn)行說明。另外，雖然電子部件內(nèi)置基板1C-1的凹部RC的形態(tài)與電子部件內(nèi)置基板1C有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此省略共通的部分的說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖37為電子部件內(nèi)置基板1C-1的俯視圖。圖38(A)為圖37的包括Y2-Y2線的面的向視截面圖。圖38(B)為圖37的包括X2-X2線的面的向視截面圖。在電子部件內(nèi)置基板1C-1中，凹部RC成為在第1電子部件10的端面附近處被形成為與假想連接陶瓷層疊體11的互相對(duì)置的兩個(gè)端面的方向(長度方向)正交的槽狀。進(jìn)而，在以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面時(shí)，凹部RC的最低部的高度CB低于第1電子部件10的層疊部CP1的中心的高度10C。如果參照?qǐng)D46(B)，則可假定為，第1電子部件10的電壓施加時(shí)的形變，在以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面時(shí)的高度方向上，在第1電子部件10的層疊部CP1的中心附近處最大。換言之，這附近的埋設(shè)層R變形得最大，將第1電子部件10的振動(dòng)向基板B傳遞。即，通過將凹部RC形成為凹部RC的最低部的高度CB低于第1電子部件10的層疊部CP1的中心的高度10C來設(shè)置空間，從而能夠使埋設(shè)層R中的變形較大的部分與其他部分分離。在包括層疊陶瓷電容器的第1電子部件10中，給前述的“鳴叫”帶來較大影響的振動(dòng)，一般而言是長度方向側(cè)的振動(dòng)(參照?qǐng)D46(B))。因此，通過形成如與第1電子部件10的長度方向正交的這種槽狀的凹部RC來設(shè)置空間，從而可有效地抑制經(jīng)由埋設(shè)層R的第1電子部件10的振動(dòng)的傳遞。另外，雖然在圖37以及圖38所示的電子部件內(nèi)置基板1C-1中，凹部RC被形成為槽狀，但并不限于此，也可以為圓柱狀的孔。在該情況下，優(yōu)選的是，凹部RC如上所述被配置于在第1電子部件10的電壓施加時(shí)埋設(shè)層R變形最大的位置附近。此外，也可以形成多個(gè)這種孔。<第4實(shí)施方式的第2變形例>使用圖39以及圖40來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1C的第2變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-2進(jìn)行說明。另外，雖然電子部件內(nèi)置基板1C-2的凹部RC的形成位置與電子部件內(nèi)置基板1C-1有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此省略共通的部分的說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖39為電子部件內(nèi)置基板1C-2的俯視圖。圖40(A)為圖39的包括Y2-Y2線的面的向視截面圖。圖40(B)為圖39的包括X2-X2線的面的向視截面圖。在電子部件內(nèi)置基板1C-2中，凹部RC成為在第1電子部件10的側(cè)面附近處與陶瓷層疊體11的側(cè)面平行地形成的槽狀。進(jìn)而，與電子部件內(nèi)置基板1C-1相同，在以基板B的一個(gè)主面為基準(zhǔn)面時(shí)，凹部RC的最低部的高度CB低于第1電子部件10的層疊部CP1的中心的高度10C。根據(jù)第1電子部件10的向基板B安裝的安裝方式，與陶瓷層疊體11的側(cè)面正交的方向的振動(dòng)有時(shí)可能會(huì)對(duì)前述的“鳴叫”帶來較大影響。在這種情況下，如電子部件內(nèi)置基板1C-1這樣，通過形成槽狀的凹部RC來設(shè)置空間，從而能夠使陶瓷層疊體11的側(cè)面附近的埋設(shè)層R中的變形較大的部分與其他部分分離。另外，也可以使得槽狀的凹部RC形成在第1電子部件10的端面附近以及側(cè)面附近這兩方。在任意一個(gè)情況下，均優(yōu)選為，將其配置于在第1電子部件10的電壓施加時(shí)埋設(shè)層R變形最大的位置的附近。<第4實(shí)施方式的第3變形例>使用圖41以及圖42來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1C的第3變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-3進(jìn)行說明。另外，由于電子部件內(nèi)置基板1C-3和電子部件內(nèi)置基板1C、1C-1以及1C-2連凹部RC的形態(tài)都是共通的，因此省略共通的部分的說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖41為電子部件內(nèi)置基板1C-3的俯視圖。圖42(A)為圖41的包括Y3-Y3線的面的向視截面圖。圖42(B)為圖41的包括X3-X3線的面的向視截面圖。電子部件內(nèi)置基板1C-3還具備在凹部RC內(nèi)占據(jù)了凹部RC的體積的至少一部分的插入構(gòu)件IM。在圖41以及圖42中，凹部RC被插入構(gòu)件IM完全填充。插入構(gòu)件IM可選擇樹脂、金屬以及陶瓷等的彈性模量比埋設(shè)層R高的材料。此外，優(yōu)選的是，插入構(gòu)件IM的彈性模量為埋設(shè)層R的彈性模量的2倍以上?？烧J(rèn)為是，通過使凹部RC內(nèi)所具備的插入構(gòu)件IM的彈性模量高于埋設(shè)層R的彈性模量，從而被傳遞的第1電子部件10的振動(dòng)的波形因插入構(gòu)件IM的部分而紊亂。因此，可更有效地抑制經(jīng)由埋設(shè)層R的第1電子部件10的振動(dòng)的傳遞。因此，伴隨著第1電子部件10的電壓施加時(shí)的形變而產(chǎn)生的電子部件內(nèi)置基板的振動(dòng)可靠地變小，從而能夠可靠地防止或降低可聽音的產(chǎn)生。此外，凹部RC通過在凹部RC內(nèi)還具備彈性模量比埋設(shè)層R高的其他插入構(gòu)件IM，從而能夠使局部變薄的埋設(shè)層R的厚度接近于未形成有凹部RC的狀態(tài)。因此，能夠使耐濕性、電子部件內(nèi)置基板的剛性從僅形成有凹部RC的狀態(tài)得到提高。<第4實(shí)施方式的第4變形例>使用圖43來對(duì)作為電子部件內(nèi)置基板1C的第4至第6變形例的電子部件內(nèi)置基板1C-4至1C-6進(jìn)行說明。另外，雖然電子部件內(nèi)置基板1C-4以及1C-5在凹部RC內(nèi)具備插入構(gòu)件IM的位置與電子部件內(nèi)置基板1C-3有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此省略共通的部分的說明。此外，雖然電子部件內(nèi)置基板1C-6在還具備導(dǎo)電層CL這點(diǎn)上與電子部件內(nèi)置基板1C-5有所不同，但是由于除此以外是共通的，因此同樣省略共通的部分的說明。<電子部件內(nèi)置基板的構(gòu)造>圖43為電子部件內(nèi)置基板1C-4至1C-6的、相當(dāng)于圖41的包括X3-X3線的面的向視截面圖的截面圖。圖43(A)表示電子部件內(nèi)置基板1C-4。在電子部件內(nèi)置基板1C-4中，在凹部RC內(nèi)在第1電子部件10的層疊部CP1的中心附近處具備插入構(gòu)件IM。另外，插入構(gòu)件IM也可以不與凹部RC的底部相接。在該示例中，使得關(guān)注于在第1電子部件10的電壓施加時(shí)振動(dòng)最大的位置而具備插入構(gòu)件IM。因此，在將金屬以及陶瓷等作為插入構(gòu)件IM來使用的情況下，通過減少插入構(gòu)件IM的體積，從而能夠降低電子部件內(nèi)置基板1C-4的制造成本。圖43(B)表示電子部件內(nèi)置基板1C-5。在電子部件內(nèi)置基板1C-5中，具備插入構(gòu)件IM使得覆蓋凹部RC的內(nèi)表面。另外，插入構(gòu)件IM同樣也可以不與凹部RC的底部相接。在該示例中，凹部RC的大部分作為空間而被維持。因此，能夠同時(shí)獲得通過形成在前述的第1變形例中所說明的凹部RC來設(shè)置空間從而抑制振動(dòng)的傳遞的效果、和通過插入構(gòu)件IM的部分而使在第3變形例中所說明的振動(dòng)的波形紊亂的效果。進(jìn)而，在將金屬以及陶瓷等作為插入構(gòu)件IM來使用的情況下，通過減少插入構(gòu)件IM的體積，從而能夠降低電子部件內(nèi)置基板1C-5的制造成本。圖43(C)表示電子部件內(nèi)置基板1C-6。在電子部件內(nèi)置基板1C-6中，在埋設(shè)層R的表面形成有導(dǎo)電層CL。導(dǎo)電層CL與基板B所具備的未圖示的接地端子連接。在該示例中，通過將覆蓋凹部RC的內(nèi)表面的插入構(gòu)件IM和導(dǎo)電層CL連接在一起，從而能夠獲得較高的屏蔽效果。另外，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，在本發(fā)明的范圍內(nèi)能夠施加各種應(yīng)用、變形。符號(hào)說明1電子部件內(nèi)置基板10第1電子部件(層疊陶瓷電容器)11陶瓷層疊體12第1外部電極13第2外部電極14陶瓷電介質(zhì)層15第1內(nèi)部電極16第2內(nèi)部電極B基板CP1層疊部CP11層疊部CP1的厚度方向的最下表面CP1m層疊部CP1的厚度方向的中央面CP1u層疊部CP1的厚度方向的最上表面MP電子部件內(nèi)置基板的厚度方向的中央面P11第1側(cè)部P12第2側(cè)部R埋設(shè)層T1電子部件內(nèi)置基板的厚度方向的中央面的下側(cè)部分的厚度T2電子部件內(nèi)置基板的厚度方向的中央面的上側(cè)部分的厚度TB基板B的厚度EB基板B的彈性模量TR埋設(shè)層R的厚度ER埋設(shè)層R的彈性模量當(dāng)前第1頁1 2 3