在本公開中所呈現(xiàn)的實(shí)施例通常涉及光學(xué)調(diào)制，尤其涉及用于光學(xué)調(diào)制器器件的驅(qū)動(dòng)器布置。

背景技術(shù)：

許多電-光器件采用自由載流子色散效應(yīng)(freecarrierdispersioneffect)來改變折射率的實(shí)部和虛部。這種應(yīng)用的采用是由于未變形的純晶體硅未表現(xiàn)出線性的電-光(普克爾斯(pockels))效應(yīng)，并且由franz-keldysh效應(yīng)和kerr效應(yīng)引起折射率的改變是非常弱的。光學(xué)器件(諸如mach-zehnder調(diào)制器、基于全內(nèi)反射(tir)的結(jié)構(gòu)、十字開關(guān)、y型開關(guān)、環(huán)形諧振器、以及fabry-perot諧振器)的特定區(qū)域中的相位調(diào)制可以被用于調(diào)制輸出強(qiáng)度。

電-光器件中的自由載流子濃度可以通過載流子的注入、累加、消耗、或反轉(zhuǎn)而被改變?，F(xiàn)今為止所調(diào)查的大多數(shù)器件表現(xiàn)了一些共同的特性，諸如要求長(zhǎng)的相互交互長(zhǎng)度(例如，5-10mm)以及大于1ka/cm³的注入電流密度，從而獲得顯著的調(diào)制深度。

附圖說明

以使得能夠詳細(xì)地理解本公開的上述特征的方式，可通過參考實(shí)施例(其中的一些實(shí)施例被示出在附圖中)來獲得對(duì)上面簡(jiǎn)述的公開的更具體描述。然而，要注意的是，附圖僅示出了本公開的典型實(shí)施例并因此不被視為限制其范圍，因?yàn)榇斯_可允許其他同等有效的實(shí)施例。

圖1根據(jù)本文所描述的實(shí)施例示出了絕緣體上硅(soi)電-光調(diào)制器器件的截面圖。

圖2根據(jù)本文所描述的實(shí)施例示出了多段的電-光調(diào)制器器件。

圖3a和3b根據(jù)本文所描述的實(shí)施例示出了示例性調(diào)制器器件的框圖。

圖4是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性轉(zhuǎn)換級(jí)的框圖。

圖5是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性轉(zhuǎn)換級(jí)的示意圖。

圖6a是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)的示意圖。

圖6b是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性輸出放大級(jí)的示意圖。

圖7是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的與示例性調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的輸出耦接的調(diào)制器區(qū)段的示意圖。

圖8是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)調(diào)制器器件的互補(bǔ)式互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)輸出信號(hào)的方法。

為了輔助理解，在可能的地方，相同的參考標(biāo)號(hào)已經(jīng)被用于指定圖中共用的同等元件。應(yīng)當(dāng)想到，在一個(gè)實(shí)施例中所公開的元件可以在其他實(shí)施例中有利地被使用，而無需特別說明。

具體實(shí)施方式

概述

本公開中的一個(gè)實(shí)施例是用于將差分輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換到互補(bǔ)式互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)輸出信號(hào)的轉(zhuǎn)換布置。轉(zhuǎn)換布置包括被配置為基于差分輸入信號(hào)產(chǎn)生第一放大信號(hào)的差分放大器，以及與差分放大器的相應(yīng)的差分輸出耦接并且被配置為基于第一放大信號(hào)來產(chǎn)生第二放大信號(hào)的至少兩個(gè)互阻放大器(tia)。tia的相應(yīng)偏置電壓基于第一放大信號(hào)。轉(zhuǎn)換布置還包括共模反饋布置，該共模反饋布置與tia的輸出耦接并且被配置為基于第二放大信號(hào)來控制第一放大信號(hào)，由此控制偏置電壓?；パa(bǔ)式cmos輸出信號(hào)基于第二放大信號(hào)。

另一個(gè)實(shí)施例是被配置為接收差分輸入信號(hào)并且產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)調(diào)制器器件的互補(bǔ)式互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)輸出信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器布置。驅(qū)動(dòng)器布置包括被配置來進(jìn)行以下操作的轉(zhuǎn)換布置：在差分放大級(jí)處放大差分輸入信號(hào)用于產(chǎn)生第一放大信號(hào)，以及使用與差分放大級(jí)的相應(yīng)的差分輸出耦接的至少兩個(gè)互阻放大器(tia)放大第一放大信號(hào)來產(chǎn)生第二放大信號(hào)。tia的相應(yīng)偏置電壓基于第一放大信號(hào)。轉(zhuǎn)換布置還被配置來基于第二放大信號(hào)并且使用與差分放大級(jí)耦接的反饋布置來產(chǎn)生用于差分放大級(jí)的控制信號(hào)?？刂菩盘?hào)到差分放大級(jí)的應(yīng)用操作以控制tia的偏置電壓。

另一個(gè)實(shí)施例是產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)調(diào)制器器件的互補(bǔ)式互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)輸出信號(hào)的方法。方法包括：接收差分輸入信號(hào)，用差分放大器放大差分輸入信號(hào)來產(chǎn)生第一放大信號(hào)，以及用與差分放大器的相應(yīng)輸出耦接的互阻放大器(tia)放大第一放大信號(hào)來產(chǎn)生第二放大信號(hào)。tia的相應(yīng)偏置電壓基于第一放大信號(hào)。方法還包括基于第二放大信號(hào)以及用耦接差分放大器的反饋布置，產(chǎn)生用于差分放大器的控制信號(hào)，以及向差分放大器應(yīng)用控制信號(hào)，由此控制tia的偏置電壓?；パa(bǔ)式cmos輸出信號(hào)基于第二放大信號(hào)。

示例的實(shí)施例

本公開所示出的實(shí)施例通常涉及光學(xué)調(diào)制，尤其涉及用于光學(xué)調(diào)制器器件的驅(qū)動(dòng)器布置。許多小的和低功率的電子器件使用基于電流模式邏輯(cml)或其他差分信號(hào)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行通信。這些標(biāo)準(zhǔn)的一些通用的示例包括rs-232、rs-422、rs-485、雙絞線上的以太網(wǎng)、串行總線(pciexpress)、顯示端口(displayport)、hdmi、usb等等。為了用由差分信號(hào)所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)調(diào)制電路，數(shù)據(jù)信號(hào)通常要求放大以滿足調(diào)制器的輸入要求。

分布式放大器拓?fù)涮峁┝艘粋€(gè)放大方案，但是可能出于一些原因并不是理想的。分布式放大器的電路要求大量的面積。當(dāng)與其他拓?fù)鋵?duì)比時(shí)，分布式放大器的單端輸出僅僅提供有限的電壓擺幅。對(duì)于分布式放大器的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行建模并且將它與調(diào)制器電路匹配，可以是相對(duì)復(fù)雜的。分布式放大器還消耗大量的功率：晶體管經(jīng)常被偏置于a類模式并且要求顯著的動(dòng)態(tài)余量(headroom)來保持晶體管在線性模式中操作。

另一方面，cml放大器拓?fù)淇梢蕴峁┐蠹s兩倍的單端放大器的電壓擺幅。然而，cml放大器也被偏置于a類模式(要求巨大的偏置電流)，以及輸出的電壓擺幅仍舊僅僅是電源電壓的一部分。功率消耗也受到支持高速調(diào)制所需的其他電流參數(shù)的影響。例如，為了用具有2皮法(pf)量級(jí)的電容的mach-zender干涉儀(mzi)調(diào)制器來驅(qū)動(dòng)高速數(shù)據(jù)，cml放大器的負(fù)載電阻一定要非常小來提供適當(dāng)小的時(shí)間常數(shù)。然而，選擇如此小的電阻導(dǎo)致針對(duì)特定電壓值要求大量的電流。因此，cml放大器拓?fù)涞墓β蕮p耗也是相當(dāng)大的。

根據(jù)本文所公開的各種實(shí)施例，基于cmos的反相放大器(inverteramplifier)被使用在調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器布置中。當(dāng)與分布式放大器或cml放大器拓?fù)湎啾容^時(shí)，cmos反相放大器拓?fù)涮峁┮恍﹥?yōu)勢(shì)，諸如非常小的功率損耗、高增益的帶寬、以及軌到軌驅(qū)動(dòng)性能。這些性質(zhì)使得基于cmos的反相放大器尤其好地適用來驅(qū)動(dòng)mos電容器光學(xué)調(diào)制器，它的緊湊尺寸和高效率允許調(diào)制器精確地被塑造為集總元件。在一些實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器布置的差分前端被用來保護(hù)所期望的小信號(hào)增益/帶寬優(yōu)勢(shì)，而驅(qū)動(dòng)布置內(nèi)的后續(xù)反相器(例如，互阻型放大器)被偏置于它們的跳變點(diǎn)處(即，閾值電壓vth處)來保護(hù)所期望的大信號(hào)驅(qū)動(dòng)性能。在一些實(shí)施例中，對(duì)于反相器偏置的控制是用共模反饋布置實(shí)現(xiàn)的，該共模反饋布置與反相器的輸出耦接并且與差分前端的電流源負(fù)載耦接。

圖1根據(jù)本文所描述的實(shí)施例示出了絕緣體上硅(soi)電-光調(diào)制器件的截面視圖。調(diào)制器件100包括表層101、隱埋絕緣層102(也被稱為隱埋氧化物(box)層)，以及半導(dǎo)體襯底103。盡管本文的實(shí)施例是指表層101和襯底103作為硅，本公開并不局限于這樣。例如，其他的半導(dǎo)體或光學(xué)投射的材料可以被用來形成本文所示出的調(diào)制器件100的結(jié)構(gòu)。此外，表層101和襯底103可以由相同的材料組成，但是在其他實(shí)施例中，這些層101和103可以由不同的材料組成。

表層101的厚度可以從小于100納米到大于1微米的范圍變化。更具體地，表層101可以在100-300納米厚度之間。絕緣層102的厚度可依據(jù)期望的應(yīng)用而變化。絕緣層102的厚度可以直接取決于耦接到調(diào)制器件100的模式大小和所期望的效率。如此，絕緣層102的厚度可以從小于1微米到10微米的范圍變化。襯底103的厚度可以根據(jù)調(diào)制器件100的具體應(yīng)用而大范圍地變化。例如，襯底103可以是典型的半導(dǎo)體晶片的厚度(例如100-700微米)或可以是被變薄并安裝在另一個(gè)襯底上。

對(duì)于光學(xué)應(yīng)用，硅表層101和絕緣層102(例如，二氧化硅、氮化硅等等)可以提供對(duì)比的折射率，這將光信號(hào)垂直約束在表層101的波導(dǎo)中。在之后的處理步驟中，調(diào)制器器件100的表層101可以被蝕刻以形成一個(gè)或多個(gè)硅波導(dǎo)。因?yàn)橄啾冉^緣體(例如二氧化硅)，硅具有高折射率，當(dāng)光信號(hào)穿過表層傳播時(shí)，它主要保留在波導(dǎo)中。

調(diào)制器件100可以包括摻雜第一導(dǎo)通類型(例如，類型p)的上層硅區(qū)域105，柵極電介質(zhì)層150將該上層硅區(qū)域105與摻雜第二不同的導(dǎo)通類型(例如，類型n)的下層硅區(qū)域110隔開。上層區(qū)域105、柵極電介質(zhì)層150、以及下層區(qū)域110的布置形成硅-絕緣體-硅電容器(也被稱為siscap)指導(dǎo)，該電容器指導(dǎo)提供經(jīng)過調(diào)制器件100的光信號(hào)的高效的、高速的光學(xué)調(diào)制。具體地，圖1表示了siscap結(jié)構(gòu)的橫截面，其中光信號(hào)在投射進(jìn)頁(yè)面里或投射出頁(yè)面的方向中傳播。圖1示出了由絕緣層102和圍繞區(qū)域105和110的電介質(zhì)材料135(例如，二氧化硅或氮化硅)對(duì)光信號(hào)的光模160的約束。另外，區(qū)域105和110的厚度和寬度可以被選擇用來輔助對(duì)光模的約束。例如，當(dāng)接近光模的中心165時(shí)，該光模的強(qiáng)度160通?？梢栽黾?。通過選擇區(qū)域105和110的特性，可以形成或更好地定義光模的較高強(qiáng)度的部分來允許對(duì)光信號(hào)的更有效的調(diào)制。

柵極電介質(zhì)層150建立由虛線框所示出的電荷調(diào)制區(qū)域(或電荷累積區(qū)域)155，在該區(qū)域中自由載流子(例如電子和空穴)流進(jìn)和流出p-摻雜和n-摻雜區(qū)域105和110。這樣做生成有源區(qū)(由wactive所定義)，其中與調(diào)制器件100相關(guān)聯(lián)的開關(guān)功能(例如，以1gb/或更高的開關(guān)速度，諸如10gb/s、28gb/s、40gb/s等等)可以由跨越柵極電介質(zhì)層150所施加的電勢(shì)所控制。在一個(gè)實(shí)施例中，電勢(shì)被用于改變通過例如在mach-zehnder干涉儀(mzi)中的調(diào)制器傳播的光信號(hào)的相位。然而，本文所描述的調(diào)制器還被用在其他類型的器件中，例如環(huán)形諧振器、fabry-perot空腔等等。

柵極電介質(zhì)層150可以被稱為“柵極電介質(zhì)”或“柵極氧化物”，其中應(yīng)當(dāng)理解，氧化物僅僅是可被用在調(diào)制器器件中的電介質(zhì)的示例形式。柵極電介質(zhì)層150可以包括允許自由載流子的快速充電/放電(例如，實(shí)現(xiàn)1gb/s或更高的開關(guān)速度)的任何材料。適合的材料的非限制列表包括二氧化鉿、氮氧化物、三氧化二鉍、氮化硅、二氧化硅、以及這些材料的組合。此外，用高介電常數(shù)(高k)介電材料作為柵極電介質(zhì)提供了比具有更低的介電常數(shù)的電介質(zhì)更高的電容和更大的電荷密度(假設(shè)相同的厚度和電勢(shì))。例如，二氧化鉿和氮化硅(高k介電材料)具有比二氧化硅更高的介電常數(shù)，因此與二氧化硅相比能夠使得更大的電荷密度經(jīng)過柵極介電層。用更高的電勢(shì)可以增加調(diào)制效率，即：相對(duì)于所施加的電壓量，光信號(hào)被相移的量。

盡管本文所描述的這些圖示出了將柵極介電層放置在相反摻雜的波導(dǎo)之間，但這不是必須的。對(duì)于本文所描述的所有實(shí)施例，如果柵極介電層150被省略并且兩個(gè)波導(dǎo)直接接觸形成p-n連接，調(diào)制器仍舊可以執(zhí)行光學(xué)調(diào)制。在這個(gè)示例中，p-n結(jié)建立電荷調(diào)制區(qū)域，自由載流子在該區(qū)域中流入和流出波導(dǎo)。然而，柵極介電層150的包括可以改善光學(xué)調(diào)制的效率。

如示出的，上層區(qū)域105摻雜p型，下層區(qū)域摻雜n型。然而，對(duì)于摻雜類型被指定的所有實(shí)施例，摻雜類型可以相反：例如上層區(qū)域105可以是n型摻雜而下層區(qū)域110是p型摻雜。此外，用作調(diào)制器件100的電容結(jié)構(gòu)的電極的區(qū)域105和110可以是硅基的。例如，區(qū)域105、110的材料可以包括應(yīng)變硅(strainedsilicon)、sixge1-x、基本單晶硅(即，晶體硅)、多晶硅、非晶硅、鍺、iii-v化合物(例如氮化硼、砷化鎵、砷化銦等等)、以及它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，下層區(qū)域110可以包括晶體硅，而上層區(qū)域105可以包括多晶硅。然而，在其他實(shí)施例中，區(qū)域105和110兩者可以由晶體硅或多晶硅組成。

區(qū)域105、110的寬度可以被選擇來保持電接觸125，該電接觸可以是金屬的或由硅化物形成，并且過孔被放置為遠(yuǎn)離光模160。因?yàn)閷?dǎo)電材料可對(duì)光學(xué)調(diào)制具有不利影響，所以區(qū)域105、110可以被設(shè)計(jì)使得任何導(dǎo)電接觸大體上在光模160的邊界的外部。此外，如圖1所示出的，與區(qū)域105、110中光學(xué)調(diào)制所發(fā)生的部分(即，硅部分120、145)相比，區(qū)域105，110中被放置為鄰近接觸125的部分(即硅部分115、140)被更重地?fù)诫s。這種布置可以改善在基于硅的區(qū)域105、110和接觸125之間的電連接，因此減少了與調(diào)制器件110相關(guān)聯(lián)的電阻和相關(guān)的rc時(shí)間常數(shù)。此外，鄰近到外部電壓源的電連接放置的波導(dǎo)的逐漸加重的摻雜部分可以被用于本文所描述的任何實(shí)施例。此外，隨著離光模160的距離的增加，區(qū)域105、110中摻雜物的濃度可以增加。因?yàn)閾诫s物具有對(duì)光信號(hào)的不利影響，所以在光模所位于的區(qū)域105、110中的摻雜物濃度可以是輕摻雜。隨著離光模的距離增加，摻雜物濃度可以地逐步或以基本連續(xù)的方式增加。這么做改善了區(qū)域105、110的導(dǎo)電性并且緩解了摻雜物對(duì)光信號(hào)的負(fù)面影響。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，電接觸125被省略并且過孔130與重?fù)诫s硅區(qū)域115、140直接接觸。

在一個(gè)實(shí)施例中，有源區(qū)的寬度(即，對(duì)應(yīng)于柵極介電層150的寬度)小于1微米，并且更具體地小于0.5微米。區(qū)域105、110的厚度可以在50-200納米之間變化。在一個(gè)實(shí)施例中，為將光模中最大的光強(qiáng)度集中在電荷調(diào)制區(qū)域中，區(qū)域105、110的相應(yīng)的厚度相同。柵極介電層150的厚度可以從20納米到1或2納米。

盡管圖1中示出了調(diào)制器件100的一個(gè)簡(jiǎn)單的示例，其他實(shí)施例可以包括提供調(diào)制器件100的所期望的性能的各種其他的幾何結(jié)構(gòu)。例如，其他實(shí)施例可以將區(qū)域105、110中的一個(gè)大體地整體放置在區(qū)域105、110中的另一個(gè)之上(即，垂直布置)。其他實(shí)施例還可以包括在區(qū)域105，110的一個(gè)或多個(gè)上的凸起部分，該部分可以幫助進(jìn)一步約束光模160以及改善調(diào)制器件100的效率。

圖2根據(jù)本文所描述的實(shí)施例示出多段電-光調(diào)制器件。具體地，圖2示出了mzi類型的調(diào)制器件200，該調(diào)制器件200包括接收光信號(hào)(例如，持續(xù)的波信號(hào))的輸入205以及傳輸基于用于驅(qū)動(dòng)光學(xué)調(diào)制器段2201-n、2251-n的電信號(hào)而被調(diào)制的光信號(hào)的輸出235。輸入205包括y分配器210，該y分配器210將進(jìn)入的連續(xù)波分流到分支2151、2152中的每一個(gè)中。經(jīng)分流的光信號(hào)各自經(jīng)過如上文所描述的各種調(diào)制段2201-n、2251-n。每一個(gè)分支215的調(diào)制段220、225可以被組合進(jìn)對(duì)230，使得對(duì)2301對(duì)應(yīng)調(diào)制段2201、2251，對(duì)2302對(duì)應(yīng)調(diào)制段2202、2252等等。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)對(duì)230被用于調(diào)制器件200的熱偏置。例如，通過對(duì)(一個(gè)或多個(gè)的)熱偏置對(duì)提供適合的信號(hào)來加熱調(diào)制器件200，調(diào)制器件200可以被直流偏置在它的正交點(diǎn)處。盡管對(duì)每個(gè)分支2151、2151示出了n段，但是每個(gè)分支中也可能具有不同數(shù)量的調(diào)制段。之后，來自分支215的每一個(gè)的經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)用y分配器被重新結(jié)合以在輸出245處形成經(jīng)調(diào)制的輸出光信號(hào)。此外，在調(diào)制器件200中示出的結(jié)構(gòu)可以結(jié)合本文公開的任何調(diào)制器和特性而使用。調(diào)制器件200可以被用來提供任何適合的多級(jí)調(diào)制技術(shù)，諸如pam-4、pam-8、pam-16、qpsk、qam等等。

圖3a和3b是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的示例性調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的框圖。通常，驅(qū)動(dòng)器布置300示出調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例的高級(jí)功能，并且驅(qū)動(dòng)器布置350示出了驅(qū)動(dòng)器布置300的一個(gè)示例的實(shí)現(xiàn)方式。盡管驅(qū)動(dòng)器布置300的功能被示出作為多個(gè)功能級(jí)的序列，但是其他的實(shí)施例可以提供不同的序列和/或不同的功能級(jí)。例如，功能級(jí)(或級(jí)的部分)可以以不同的順序被執(zhí)行，可以包括附加級(jí)或者省略某些級(jí)，和/或可以同時(shí)執(zhí)行某些功能級(jí)。此外，各種功能級(jí)可以作為單獨(dú)的集成電路，或者功能級(jí)的一些或全部被包括在共同的集成電路內(nèi)。

如所示的，驅(qū)動(dòng)器布置300接收差分輸入信號(hào)302。通常，差分信令是使用在兩個(gè)成對(duì)的線路或路徑(稱為差分對(duì))上所發(fā)送的兩個(gè)互補(bǔ)的信號(hào)來以電的形式傳輸信息的方法。因?yàn)橥獠啃盘?hào)干擾(例如噪聲)傾向于以相似的方式影響兩條線路，并且因?yàn)樗鶄鬏數(shù)男畔⒈话诨パa(bǔ)信號(hào)的差別中，所以當(dāng)與單端信號(hào)信令進(jìn)行比較時(shí)，差分信令通常提供對(duì)電磁噪聲的改善的抗干擾性。通常，單端信令用與未經(jīng)配對(duì)的參考電壓(例如，接地電壓)相關(guān)的一個(gè)信號(hào)來傳輸信息。差分信令的噪聲抗干擾性可以有利于低電壓的、高速的電子系統(tǒng)(例如現(xiàn)代通信系統(tǒng))。差分輸入信號(hào)302可以模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)。差分輸入信號(hào)302可以對(duì)應(yīng)特定的通信標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)的一些示例包括rs-232、rs-422、rs-485、雙絞線上的以太網(wǎng)、串行總線(pciexpress)、顯示端口(displayport)、hdmi、以及usb。

在許多情況下，調(diào)制器可以在它的輸入處要求特定的信號(hào)特性，該特性不匹配差分輸入信號(hào)302中所包括的數(shù)據(jù)的特性(例如，可由通信標(biāo)準(zhǔn)指示)。在一些實(shí)施例中，調(diào)制器的調(diào)制效率取決于由驅(qū)動(dòng)器布置的電路所提供的電壓輸出范圍。例如，siscap器件的某一配置可以針對(duì)大于1伏(v)的電壓顯現(xiàn)出調(diào)制效率方面的巨大改進(jìn)。用更高的電壓來驅(qū)動(dòng)siscap器件可以增加器件的凈電容，這提升了對(duì)用于調(diào)制目的的rc帶寬的控制。因此，當(dāng)被配置用來輸出高于1v的電壓(例如，在1.2v-2.2v之間)而非在0到1v之間的電壓時(shí)，產(chǎn)生電壓擺幅為1v的驅(qū)動(dòng)器布置可以更好地適用于驅(qū)動(dòng)siscap器件。

在轉(zhuǎn)換級(jí)304，差分輸入信號(hào)302由驅(qū)動(dòng)器電路所轉(zhuǎn)換來產(chǎn)生互補(bǔ)cmos信號(hào)。除了其他功能之外，轉(zhuǎn)換可以包括差分輸入信號(hào)的各級(jí)放大。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換級(jí)304提供軌到軌互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)。在互補(bǔ)cmos信號(hào)中所包括的信息可以在處理級(jí)306中被進(jìn)一步處理，并且生成的信號(hào)可以在放大級(jí)308中被放大以生成適用于驅(qū)動(dòng)調(diào)制器的互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)310。放大級(jí)308可以包括多級(jí)放大器電路，它們共同地將輸出信號(hào)推升至用于操作調(diào)制器的期望電壓范圍中。在一些實(shí)施例中，在輸出放大級(jí)308之前執(zhí)行處理級(jí)306允許處理級(jí)電路的尺寸顯著小于如果對(duì)輸出信號(hào)310執(zhí)行相同的處理功能時(shí)所需的尺寸。

驅(qū)動(dòng)器布置350提供驅(qū)動(dòng)器布置300的一個(gè)示例。電流模式邏輯(cml)輸入信號(hào)352在驅(qū)動(dòng)器布置350的cml至cmos轉(zhuǎn)換級(jí)354處被接收。cml是差分?jǐn)?shù)字邏輯族群中的一種類型，通常被配置來以最高40gb/s的速率甚至通過用印刷電路板的更高速率來傳輸數(shù)據(jù)。由于相對(duì)小的輸出電壓擺幅以及相對(duì)快的電流切換，cml通常被用于高速電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。像其他邏輯器家族一樣，cml可以指定附加的要求，例如終端電路(如將在下文所討論的)。在一個(gè)實(shí)施例中，cml至cmos轉(zhuǎn)換級(jí)354包括差分放大器，它的輸出被耦接至少一個(gè)互阻放大器(tia)。在一個(gè)實(shí)施例中，cml至cmos轉(zhuǎn)換級(jí)354包括跟隨(一個(gè)或多個(gè))tia的一個(gè)或多個(gè)放大級(jí)，來將信號(hào)推升至適用于驅(qū)動(dòng)基于cmos的調(diào)制器的軌到軌互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)。

來自cml至cmos轉(zhuǎn)換級(jí)的輸出信號(hào)在被放大至用于調(diào)制器的期望輸出電平之前可具有附加的處理要執(zhí)行。如同所示，數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)356允許在操作期間改變輸出信號(hào)數(shù)據(jù)。例如，數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)356可以允許測(cè)試信號(hào)或其他所期望的信號(hào)被選擇用于輸出到調(diào)制器。跟隨數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)356，信號(hào)在輸出放大級(jí)358處被放大至輸出信號(hào)360，該輸出信號(hào)360具有適用于驅(qū)動(dòng)基于cmos的調(diào)制器的輸出范圍。

圖4是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性轉(zhuǎn)換級(jí)的框圖。轉(zhuǎn)換級(jí)400通常對(duì)應(yīng)cml至cmos轉(zhuǎn)換級(jí)354。

cml輸入信號(hào)352在差分輸入402a、402b處被接收。對(duì)應(yīng)cml輸入信號(hào)352的差分信號(hào)405p、405n在差分放大級(jí)415處被接收之前經(jīng)過終端電路410。例如，根據(jù)cml要求，終端電路410可以包括50歐姆的電阻器用于每個(gè)差分輸入402，以及對(duì)于參考電壓(例如vdd)的上拉。當(dāng)然，對(duì)于其它類型的差分輸入信號(hào)，終端電路的其他配置可以是可能的。

差分信號(hào)405p、405n在差分放大級(jí)415處被接收并被放大。來自差分放大級(jí)415的輸出信號(hào)420p、420n被提供給第一反相器放大級(jí)425。在一個(gè)實(shí)施例中，反相器放大級(jí)425包括一個(gè)或多個(gè)tia。在一個(gè)實(shí)施例中，反相器放大級(jí)425包括應(yīng)用于每個(gè)輸入信號(hào)420p、420n的一個(gè)tia。第一反相器放大級(jí)425的輸出是信號(hào)430a和430b。信號(hào)430a、430b中的每一者被提供給共模反饋級(jí)435并且提供給第二反相器放大級(jí)445?；谛盘?hào)430a、430b，共模反饋級(jí)435輸出控制信號(hào)440到差分放大級(jí)415?？刂菩盘?hào)440被用于通過修改輸出信號(hào)420p、420n的屬性來控制反相器放大級(jí)425的偏置。

第二反相器放大級(jí)445包括一級(jí)或多級(jí)的反相器，它們中的一些可以包括交叉耦合反相器。來自第二反相器放大級(jí)445的輸出信號(hào)450a、450b被提供給輸出452a、452b，并且共同被視作輸出信號(hào)460。在一個(gè)實(shí)施例中，來自轉(zhuǎn)換級(jí)400的輸出信號(hào)460是軌到軌互補(bǔ)cmos信號(hào)，該信號(hào)具有適用于驅(qū)動(dòng)基于cmos的調(diào)制器的輸出范圍。

圖5是根據(jù)本文所述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性轉(zhuǎn)換級(jí)的示意視圖。通常，轉(zhuǎn)換布置500對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換級(jí)400的一種可能的實(shí)現(xiàn)方式。

差分輸入信號(hào)(例如cml輸入信號(hào)352)在差分輸入402a、402b處被接收。輸入402a、402b是導(dǎo)電接觸，例如線路、焊盤、或路徑。如上文所描述的，差分信號(hào)405p、405n可以在差分放大路徑415處被接收之前經(jīng)過終端電路410。

差分放大路徑415包括差分放大器501，該差分放大器501包括具有第一導(dǎo)通類型(即，n-溝道)的第一對(duì)mos器件(即，晶體管510a、510b)，第一對(duì)mos器件中的每一個(gè)被配置來接收差分輸入信號(hào)中的一個(gè)差分信號(hào)。通常，第一對(duì)mos器件還可以被稱為差分對(duì)。差分對(duì)通常提供一些噪聲抗干擾特性和共模抑制，這產(chǎn)生了適用于小輸入信號(hào)的提高的輸入靈敏度。差分放大器501還包括具有不同導(dǎo)通類型(即，p-溝道)的第二對(duì)mos器件(即，晶體管515a、515b)。第二對(duì)mos器件中的每一個(gè)通常充當(dāng)?shù)谝粚?duì)相應(yīng)的mos器件的電流源負(fù)載。例如，晶體管515a耦接晶體管510a，并且515b耦接510b。差分放大器501還包括與晶體管510a、510b的源極耦接的另一個(gè)mos器件(即，晶體管520)，并且該另一個(gè)mos器件可以充當(dāng)電流源。晶體管520的操作可以用在輸入502處施加的偏置信號(hào)505來進(jìn)行控制，該輸入502與晶體管520的柵極耦合。差分放大器501的輸出是信號(hào)420p、420n，這些信號(hào)表示差分對(duì)的共模輸出并且在晶體管510a、510b的相應(yīng)漏極處被提供。

輸出信號(hào)420p、420n在第一反相器放大級(jí)425處被接收。如所示的，第一反相器放大級(jí)425包括與差分放大器501的一個(gè)輸出耦接的互阻放大器(tia)525a，以及與差分放大器501的另一輸出耦接的tia525b。每一個(gè)tia525a、525b包括相應(yīng)的反相器530和反饋電阻器531。第一反相器放大級(jí)425通常被配置來產(chǎn)生基于第一放大信號(hào)(即，信號(hào)420n、420p)的第二放大信號(hào)(即，信號(hào)430a、430b)。因?yàn)槊恳粋€(gè)tia525的輸入和輸出經(jīng)過相應(yīng)的反饋電阻器531被耦合，tia的輸入和共模輸出可以被控制以具有接近反相器530的跳變點(diǎn)(trippoint)的電壓值。

如果差分對(duì)的輸出與cmos反相器(例如，在(一個(gè)或多個(gè))第二反相器放大級(jí)445中所包括的那些反相器)直接耦接而未先經(jīng)過第一反相器放大級(jí)425中的tia525，工藝相關(guān)的電壓偏移將在差分對(duì)共模輸出(在信號(hào)420n、420p中反映)與cmos反相器的跳變點(diǎn)之間出現(xiàn)。電壓偏移將限制在第一cmos反相器處可用的增益，并且這種不期望的影響可以沿著依次的反相器鏈被放大。電壓偏移的效果可以顯著地影響調(diào)制器的操作，或在一些情況下可以完全地破壞調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的輸出。

在一些實(shí)施例中，通過測(cè)量在tia525的輸出(即，信號(hào)430a、430b)處的共模，并且通過將共模與反相放大器跳變點(diǎn)相比較，電壓偏置被減輕?；诓钪档姆答伝蚩刂菩盘?hào)(例如，可以可選地被濾波)可以被提供給差分放大器501的電流源負(fù)載(即，晶體管515a、515b)來調(diào)整差分對(duì)的共模輸出。由控制信號(hào)對(duì)于差分對(duì)共模輸出做出的調(diào)整被傳播到tia525的輸入，進(jìn)而調(diào)整tia的偏置以跟隨反相器530的跳變點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，tia的共模輸出被選擇以具有接近序列中的后續(xù)反相器(例如放大級(jí)4451的反相器545a、545b)的跳變點(diǎn)的電壓值，這導(dǎo)致可在后續(xù)反相器處具有大增益，其中由后續(xù)反相器產(chǎn)生幾乎完全軌到軌的cmos輸出電平。

如圖所示，共模反饋級(jí)435包括電阻器535a、535b，這些電阻器各自與對(duì)應(yīng)的tia525的輸出耦合，并且與反相器536的輸入耦合。控制信號(hào)可以包括用于過濾或調(diào)節(jié)控制信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)組件。反相器536的輸出可以具有與電壓源vdd連接的電容器537，使得執(zhí)行頻率補(bǔ)償。

在一個(gè)實(shí)施例中，(已調(diào)節(jié)的)控制信號(hào)與p-溝道晶體管515a、515b的柵極耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，電阻器535a、535b和/或反相器536的特性被選擇以提供所期望的控制信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制信號(hào)被選擇為使得：在靜態(tài)條件下，經(jīng)過晶體管515a、515b中的每一個(gè)的電流與經(jīng)過相應(yīng)的晶體管510a、510b的電流相等。換言之，沒有電流流入tia525，這將導(dǎo)致跨越tia沒有電壓降，并且反相器530的跳變點(diǎn)不被干擾。

信號(hào)430a、430b還被提供至第二反相器放大級(jí)4451、4452，如所示，它們包括交叉耦合反相器546、557、以及551、552。來自第二反相器放大級(jí)445的輸出信號(hào)450a、450b被提供給輸出452a、452b并且共同被視作輸出信號(hào)460。在一個(gè)實(shí)施例中，來自轉(zhuǎn)換級(jí)400的輸出信號(hào)460是軌到軌互補(bǔ)cmos信號(hào)，該信號(hào)具有適用于驅(qū)動(dòng)基于cmos的調(diào)制器的輸出范圍。

在這個(gè)配置中，不論輸入信號(hào)的共模電平如何，并且不管工藝、電源電壓、或溫度(pvt)中的任何變化，差分放大器501和tia525的共模輸出可以被保持處于相同電平。此外，在一些實(shí)施例中，所有的反相器被匹配使得作為大信號(hào)驅(qū)動(dòng)器操作的后續(xù)反相器(例如，反相器545a、545b、550a、550b)也被偏置于靠近它們的跳變點(diǎn)。這個(gè)配置提供比具有阻性負(fù)載或電流源負(fù)載的傳統(tǒng)差分級(jí)的電路更大的共模抑制。相應(yīng)地，更大的共模抑制允許驅(qū)動(dòng)器布置來跨越pvt工藝角生成更對(duì)稱的光學(xué)眼(opticaleye)。

因?yàn)閠ia525的輸入阻抗相對(duì)小，發(fā)生在差分對(duì)的輸出處的任何電壓偏離也相當(dāng)小。相應(yīng)地，在由溝道長(zhǎng)度調(diào)制(其是輸入信號(hào)幅度的函數(shù))所引起的經(jīng)過晶體管510a、510b、515a、515b的電流的變化也相對(duì)小。反相器的偏置點(diǎn)還大體上不受電壓偏離的影響。此外，相對(duì)低的輸入阻抗對(duì)應(yīng)于由驅(qū)動(dòng)器布置所支持的更大帶寬。相反，某些cml至cmos轉(zhuǎn)換器對(duì)于相同的功率消耗量提供小得多的帶寬，并且更小的帶寬通常引起在所傳輸?shù)墓鈱W(xué)數(shù)據(jù)中的更多的符號(hào)間干擾(isi)。放大鏈中的連續(xù)的反相器可以以軌到軌的方式被驅(qū)動(dòng)，由此最小化維持最小動(dòng)態(tài)余量所需的任何過多的功率(例如，其他放大器設(shè)計(jì))。

圖6a是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)的示意視圖。具體地，布置600提供驅(qū)動(dòng)器布置350的數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)356的一個(gè)可能的實(shí)現(xiàn)方式。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)被配置來接收驅(qū)動(dòng)器布置的前一級(jí)的輸出信號(hào)。

布置600包括若干輸入602a、602b、612a以及612b。輸入602a、602b是被配置來與來自前一級(jí)的輸出耦合的導(dǎo)電接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入602a、602b與輸出452a、452b(見圖5)耦合，使得在輸出452a、452b處產(chǎn)生的輸出信號(hào)450a、450b與輸入信號(hào)605a、605b相同。輸入612a、612b是被配置來由其他信號(hào)615a、615b所驅(qū)動(dòng)的導(dǎo)電接觸。在一些實(shí)施例中，其他信號(hào)615包括用于調(diào)制器的測(cè)試信號(hào)。

布置600包括多個(gè)開關(guān)6201-6，這些開關(guān)選擇性地將輸入602、612中的一者與輸出632中的一者耦合。例如，在第一操作模式中，開關(guān)6202和6205被激活來將輸入602a、602b與輸出632a、632b耦合。在第二操作模式中，開關(guān)6203和6204被激活來反轉(zhuǎn)輸出的極性，使得輸入602a、602b與相應(yīng)的輸出632b、632a耦合。在第三操作模式中，開關(guān)6201和6206被激活以將輸入612a、612b與輸出632a、632b耦合。當(dāng)然，其他類型的多路復(fù)用是可能的。

在一些實(shí)施例中，可以優(yōu)選的是：在執(zhí)行輸出放大級(jí)358之前包括數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí)356。例如，對(duì)預(yù)放大的信號(hào)的操作允許布置600的組件尺寸顯著地小于如果對(duì)完全放大的輸出信號(hào)執(zhí)行相同功能時(shí)的尺寸。

圖6b是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的示例性輸出放大級(jí)的示意視圖。具體地，布置640提供驅(qū)動(dòng)布置350的輸出放大級(jí)358的一個(gè)可能的實(shí)現(xiàn)方式。在一個(gè)實(shí)施例中，輸出放大級(jí)被配置來接收驅(qū)動(dòng)器布置的前一級(jí)(例如，轉(zhuǎn)換級(jí)或數(shù)據(jù)多路復(fù)用級(jí))的輸出信號(hào)。

布置640包括被配置來接收輸入信號(hào)650a、650b的輸入652a、652b。該布置包括多個(gè)放大級(jí)6601-6605，它們中的每一個(gè)包括一對(duì)反相器665a、665b。相應(yīng)地，一些放大級(jí)(即，6601、6602)包括具有交叉耦合反相器675a、675的部分6701、6702，而其他放大級(jí)不包括這些部分。交叉耦合反相器可以被提供來確保(基于輸入信號(hào)650a、650b)被放大的中間信號(hào)彼此追蹤到所期望的程度。在一些放大級(jí)之后，輸出信號(hào)680a、680b被提供給輸出682a、682b，這在一些情形中代表驅(qū)動(dòng)器布置350的最終輸出信號(hào)(即，輸出信號(hào)360)。

圖7是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，與示例性調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器的輸出耦接的調(diào)制器段的示意視圖。具體地，視圖700代表siscap調(diào)制器器件的調(diào)制器段220、225的對(duì)230的等效電路模型。

每個(gè)調(diào)制器段220、225包括電阻rp和電阻rn，該電阻rp代表siscap器件的p型區(qū)域(例如，圖1的區(qū)域105)的電阻，該電阻rn代表n型區(qū)域(例如，區(qū)域110)的電阻。每個(gè)調(diào)制器段的電阻rp，rn經(jīng)過電容c相耦接，該電容c通常代表跨越siscap器件的柵氧化層、柵極介電層、或p-n結(jié)的電容。

在調(diào)制器的操作中，調(diào)制器的不同部分可以以不同的電壓被驅(qū)動(dòng)。在一個(gè)示例中，在每個(gè)調(diào)制器段的p型區(qū)域上的電接觸可以用相同的電壓(由連接710所表示)驅(qū)動(dòng)，而n型區(qū)域的電接觸用數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓源715被用于連接710。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓源715向連接710提供dc電壓，例如大約2.2v。

如所示的，n型區(qū)域的電接觸與輸入702a、702b耦接。與每個(gè)輸入702相對(duì)應(yīng)的信號(hào)705a、705b通常代表由驅(qū)動(dòng)器布置(例如，驅(qū)動(dòng)器布置350)所驅(qū)動(dòng)的經(jīng)放大的輸出信號(hào)。這樣，信號(hào)705a、705b通常代表完全軌到軌的數(shù)據(jù)信號(hào)和它的互補(bǔ)信號(hào)。即，如果信號(hào)705a對(duì)應(yīng)于由驅(qū)動(dòng)器布置所驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)(data)，則信號(hào)705b對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)的邏輯互補(bǔ)(notdata、data^*等等)。在一個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)705a、705b中的每一個(gè)被在0-1v之間的軌到軌電壓所驅(qū)動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)信號(hào)705a、705b用于輸出702a、702b的時(shí)候，跨越調(diào)制器段220、225的電壓在1.2v(即，2.2v-1v)和2.2v(即，2.2v-0)之間變化，該電壓對(duì)應(yīng)于siscap調(diào)制器器件的增加的調(diào)制效率的范圍。當(dāng)然，配置可以基于調(diào)制器器件的具體特性而改變，例如，電壓源715以及來自驅(qū)動(dòng)器布置的輸出電壓的不同的值。

圖8是根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)調(diào)制器器件的互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)的方法。方法800可以由驅(qū)動(dòng)器布置的各種組件(例如上文所描述的那些組件)執(zhí)行。

方法800在塊805處開始，其中，驅(qū)動(dòng)器布置接收差分輸入信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，差分輸入信號(hào)可以根據(jù)具體的通信標(biāo)準(zhǔn)(例如cml)而提供。

在塊815處，用差分放大器放大差分輸入信號(hào)來產(chǎn)生第一放大信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，使用mos器件的差分對(duì)來放大差分輸入信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大信號(hào)代表差分放大器的共模輸出。

在塊825處，用第一放大布置放大第一放大信號(hào)來產(chǎn)生第二放大信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大布置包括與差分放大器的輸出耦接的至少第一互阻放大器(tia)。在一個(gè)實(shí)施例中，相應(yīng)的tia與差分放大器的每個(gè)輸出耦接。在一個(gè)實(shí)施例中，用于第一tia的偏置電壓基于第一放大信號(hào)。

在塊835處，基于第二放大信號(hào)產(chǎn)生用于差分放大器的控制信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制信號(hào)是通過使用與(一個(gè)或多個(gè))tia的輸出所耦接的共模反饋布置生成的。在一個(gè)實(shí)施例中，共模反饋布置包括與(一個(gè)或多個(gè))tia的每個(gè)輸出耦接并且與反相器的輸入耦接的電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，共模反饋布置包括用于濾波和/或調(diào)節(jié)控制信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)組件。

在塊845處，控制信號(hào)被應(yīng)用于差分放大器，由此控制第一反相器放大布置的偏置。在一個(gè)實(shí)施例中，控制信號(hào)被提供用于與差分對(duì)耦接的mos器件(例如具有不同導(dǎo)通類型的電流負(fù)載)的柵極。例如，如果差分對(duì)包括n溝道的mos器件，電流負(fù)載可以是p溝道m(xù)os器件。由控制信號(hào)對(duì)于差分對(duì)共模輸出所做出的調(diào)整被傳播到tia的輸入處，進(jìn)而調(diào)整tia的偏置以跟隨相關(guān)聯(lián)的反相器的跳變點(diǎn)。

在塊855處，使用反相器放大布置來可選地放大第二放大信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，塊855與塊835和845同時(shí)發(fā)生。在一個(gè)實(shí)施例中，第二反相器放大布置被包括在驅(qū)動(dòng)器布置的轉(zhuǎn)換級(jí)中，并且包括一個(gè)或多個(gè)放大級(jí)，它們中的一些級(jí)可以包括交叉耦合反相器。在一個(gè)實(shí)施例中，軌到軌互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)是自轉(zhuǎn)換級(jí)中產(chǎn)生的。

在塊865處，對(duì)互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)可選地執(zhí)行數(shù)據(jù)多路復(fù)用。數(shù)據(jù)多路復(fù)用可包括改變信號(hào)的極性或包括測(cè)試信號(hào)或其他別的信號(hào)。

在塊875處，對(duì)互補(bǔ)cmos輸出信號(hào)可選地執(zhí)行輸出放大。輸出放大可以被執(zhí)行以將中間輸出信號(hào)推升到優(yōu)選的電壓范圍中用于驅(qū)動(dòng)相關(guān)聯(lián)的調(diào)制器。

在上文中，對(duì)本公開中呈現(xiàn)的實(shí)施例進(jìn)行了提及。然而本公開的范圍不局限于具體所描述的實(shí)施例。而是，所描述的特性以及元件的任何組合無論是否與不同的實(shí)施例相關(guān)，都被考慮用來實(shí)現(xiàn)和實(shí)施預(yù)期的實(shí)施例。此外，盡管本文所公開的實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)于其他可能的方案或優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，特定優(yōu)點(diǎn)是否是由給定實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的并不限制本公開的范圍。因此，以上的方面、特性、實(shí)施例、以及優(yōu)點(diǎn)僅僅是闡述性的，并且不被視作所附權(quán)利要求的要素或限制，除非在(一個(gè)或多個(gè))權(quán)利要求中特別地指出。

在附圖中的流程圖和框圖根據(jù)各種實(shí)施例示出了系統(tǒng)或方法的可能的實(shí)施方式的架構(gòu)、功能、和操作。應(yīng)當(dāng)注意，在一些替代的實(shí)施方式中，在框中所指出的功能可以按照未在圖中所指出的順序發(fā)生。例如，根據(jù)所涉及的功能，連續(xù)示出的兩個(gè)塊可以事實(shí)上幾乎同時(shí)被執(zhí)行，或這些塊可以有時(shí)以相反的順序執(zhí)行。

考慮前述內(nèi)容，本公開的范圍由下述的權(quán)利要求書所確定。