本發(fā)明涉及印刷線路板用基板以及印刷線路板用基板的制造方法。
背景技術(shù)：
：印刷線路板用基板被廣泛使用，基板均包括絕緣性基膜和設(shè)置在基膜表面上的金屬層，并且通過蝕刻該金屬層以形成導(dǎo)電圖案，從而將基板用于獲得印刷線路板。需要這樣的印刷線路用基板，該基板在基膜和金屬層之間具有高剝離強(qiáng)度，使得當(dāng)將折疊力施加到通過使用印刷線路板用基板來形成的印刷線路板時(shí)，金屬層不會(huì)與基膜分離。鑒于此，已經(jīng)提出了與通過在聚酰亞胺基膜的表面上層疊銅箔以形成金屬層由此形成基板相關(guān)的技術(shù)，其中通過將銅箔的與基膜接合的表面的10點(diǎn)平均粗糙度(rz)調(diào)節(jié)在0.7μm至2.2μm的范圍內(nèi)來增加基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度(參見專利文獻(xiàn)1)。引用列表專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本未審查專利申請(qǐng)公開no.2014-141083技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)問題在上述專利申請(qǐng)公開中公開的基板中，由于銅箔的接合面存在凹凸，所以銅箔的表面上的凸部嵌入基膜的內(nèi)部。嵌入基膜內(nèi)部的這些部分難以通過蝕刻去除。為了去除嵌入基膜中的金屬，需要增加蝕刻劑的濃度或延長(zhǎng)蝕刻時(shí)間。然而，當(dāng)通過用高濃度蝕刻劑進(jìn)行蝕刻或通過進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的蝕刻來形成導(dǎo)電圖案時(shí)，所得的線路形狀由于側(cè)面蝕刻而顯著地逐漸變細(xì)。因此，該專利申請(qǐng)公開中所披露的基板的導(dǎo)電圖案形成性差。上述專利申請(qǐng)公開中所披露的基板中的金屬層在與基膜接合的表面上存在凹凸。因此，當(dāng)在通過蝕刻金屬層而形成的導(dǎo)電圖案中傳播高頻時(shí)，通過趨膚效應(yīng)而集中在表面附近的電流會(huì)沿著接合表面上的凹凸流動(dòng)。其結(jié)果是，增加了電流的實(shí)質(zhì)傳輸路徑的長(zhǎng)度，從而導(dǎo)致?lián)p耗增加的問題。因此，期望提供一種提高基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度的方法，該方法的構(gòu)成不同于上述專利申請(qǐng)公開中所披露的基板的構(gòu)成。鑒于上述情況而做出本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種印刷線路板用基板以及這種印刷線路板用基板的制造方法，該基板具有良好的蝕刻性并且在基膜和金屬層之間具有高剝離強(qiáng)度。問題的解決方案為了解決上述問題的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的印刷線路板用基板包括具有絕緣性的基膜，以及形成在所述基膜的至少一個(gè)表面?zhèn)壬系慕饘賹?。在印刷線路板用基板中，在所述基膜和所述金屬層之間設(shè)置有多個(gè)微細(xì)顆粒，并且所述微細(xì)顆粒是由與所述金屬層的主金屬相同的金屬形成的，或者是由所述主金屬的金屬化合物形成的。為了解決上述問題的根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的制造印刷線路板用基板的方法為這樣一種用于制造印刷線路板用基板的方法，該基板包括具有絕緣性的基膜；以及形成在所述基膜的至少一個(gè)表面?zhèn)壬系慕饘賹印Ｔ摲椒ò▽⒑薪饘偌{米顆粒的導(dǎo)電性組合物涂覆至所述基膜的一個(gè)表面?zhèn)壬系牟襟E；以及燒制所涂覆的所述導(dǎo)電性組合物的步驟。在該方法中，所述燒制步驟包括在所述基膜和所述金屬層之間形成多個(gè)微細(xì)顆粒的步驟，所述微細(xì)顆粒是由與所述金屬層的主金屬相同的金屬形成的，或者是由所述主金屬的金屬化合物形成的。發(fā)明的有益效果根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的印刷線路板用基板具有良好的蝕刻性并且在基膜和金屬層之間具有高剝離強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的制造印刷線路板用基板的方法，可以制造這樣的印刷線路板用基板，該基板具有良好的蝕刻性，并且在基膜和金屬層之間具有高剝離強(qiáng)度。附圖說明[圖1]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的印刷線路板用基板的示意性截面圖。[圖2]圖2為示出印刷線路板用基板的制造方法的流程圖，該基板為圖1中所示的基板。[圖3a]圖3a為試驗(yàn)品1的截面的電子顯微照片。[圖3b]圖3b為試驗(yàn)品2的截面的電子顯微照片。[圖3c]圖3c為試驗(yàn)品3的截面的電子顯微照片。[圖4a]圖4a為試驗(yàn)品1的截面中的銅元素含量的映射圖像。[圖4b]圖4b為試驗(yàn)品2的截面中的銅元素含量的映射圖像。[圖4c]圖4c為試驗(yàn)品3的截面中的銅元素含量的映射圖像。[圖5a]圖5a為試驗(yàn)品1的截面中的碳含量的映射圖像。[圖5b]圖5b為試驗(yàn)品2的截面中的碳含量的映射圖像。[圖5c]圖5c為試驗(yàn)品3的截面中的碳含量的映射圖像。[圖6a]圖6a為試驗(yàn)品1的截面中的氧含量的映射圖像。[圖6b]圖6b為試驗(yàn)品2的截面中的氧含量的映射圖像。[圖6c]圖6c為試驗(yàn)品3的截面中的氧含量的映射圖像。具體實(shí)施方式[本發(fā)明的實(shí)施方案的說明]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的印刷線路板用基板包括具有絕緣性的基膜，以及形成在所述基膜的至少一個(gè)表面?zhèn)壬系慕饘賹?。在印刷線路板用基板中，在基膜和金屬層之間設(shè)置有多個(gè)微細(xì)顆粒，并且所述微細(xì)顆粒是由與金屬層的主金屬相同的金屬形成的，或者是由主金屬的金屬化合物形成的。在印刷線路板用基板中，由于在基膜和金屬層之間設(shè)置有由與金屬層的主金屬相同的金屬形成的、或者由所述主金屬的金屬化合物形成的多個(gè)微細(xì)顆粒，所以提高了基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度。據(jù)推測(cè)其原因如下，但其細(xì)節(jié)尚未明確。微細(xì)顆?？赡芘c形成金屬層的金屬結(jié)合并且容易地與形成基膜的樹脂等結(jié)合。因此，為了填充金屬層和基膜之間的間隙而設(shè)置的微細(xì)顆粒提高了金屬層和基膜之間的剝離強(qiáng)度。此外，通過在基膜和金屬層之間設(shè)置微細(xì)顆粒而使剝離強(qiáng)度提高的這種結(jié)構(gòu)不會(huì)使金屬層的蝕刻性劣化。因此，印刷線路板用基板具有良好的導(dǎo)電圖案形成性。微細(xì)顆粒的平均粒徑優(yōu)選為0.1nm以上20nm以下。因此，當(dāng)微細(xì)顆粒的平均粒徑在上述范圍內(nèi)時(shí)，可以更可靠地提高基膜與金屬層之間的剝離強(qiáng)度。微細(xì)顆粒優(yōu)選是由金屬氧化物或金屬氫氧化物形成的。因此，當(dāng)微細(xì)顆粒是由金屬氧化物或金屬氫氧化物形成時(shí)，提高了金屬層和微細(xì)顆粒之間的結(jié)合性。因此，可以更可靠地提高基膜與金屬層之間的剝離強(qiáng)度。微細(xì)顆粒優(yōu)選存在于基膜和金屬層之間以形成層。因此，當(dāng)微細(xì)顆粒存在于所述基膜和所述金屬層之間以形成層時(shí)，可以均勻地提高基膜與金屬層之間的剝離強(qiáng)度。金屬層優(yōu)選包括通過燒制金屬納米顆粒而形成的金屬粒層。因此，當(dāng)金屬層包括通過燒制金屬納米顆粒而形成的金屬粒層時(shí)，有利于形成金屬層。由于金屬納米顆粒具有大的表面積并且容易與周圍物質(zhì)反應(yīng)，所以金屬納米顆粒容易產(chǎn)生微細(xì)顆粒。金屬層優(yōu)選還包括位于金屬粒層的一個(gè)表面?zhèn)壬系腻儗?，該鍍層是通過化學(xué)鍍或電鍍而形成的。如此，當(dāng)金屬層還包括位于金屬粒層的一個(gè)表面?zhèn)壬系耐ㄟ^化學(xué)鍍或電鍍而形成的鍍層時(shí)，可以容易地以低成本增加金屬層的厚度或強(qiáng)度。主金屬優(yōu)選為銅。因此，當(dāng)主金屬為銅時(shí)，能夠以低成本形成具有低電阻的金屬層。在基膜中的由金屬層側(cè)的表面延伸至50nm的深度處的區(qū)域中，氧含量?jī)?yōu)選為20原子％以上60原子％以下。當(dāng)在基膜中的由金屬層側(cè)的表面延伸至50nm的深度處的區(qū)域中，氧含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，可以進(jìn)一步提高基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案的制造印刷線路板用基板的方法包括將含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物涂覆至基膜的一個(gè)表面?zhèn)壬系牟襟E；以及燒制所涂覆的所述導(dǎo)電性組合物的步驟，該基板包括具有絕緣性的基膜；以及形成在所述基膜的至少一個(gè)表面?zhèn)壬系慕饘賹印Ｔ谠摲椒ㄖ?，所述燒制步驟包括在所述基膜和所述金屬層之間形成多個(gè)微細(xì)顆粒的步驟，所述微細(xì)顆粒是由與所述金屬層的主金屬相同的金屬形成的，或者是由所述主金屬的金屬化合物形成的。根據(jù)制造印刷線路板用基板的方法，在非常少量的氧的存在下對(duì)金屬納米顆粒進(jìn)行燒制以形成金屬層的燒制步驟中(該燒制步驟是在含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物的涂覆步驟之后進(jìn)行的)，在基膜和金屬層之間形成多個(gè)微細(xì)顆粒，該微細(xì)顆粒是由與所述金屬層的主金屬相同的金屬形成的，或者是由所述主金屬的金屬化合物形成的。因此，這些微細(xì)顆粒可以提高基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度。據(jù)認(rèn)為，金屬納米顆粒通過加熱而擴(kuò)散至基膜中并且所擴(kuò)散的金屬納米顆粒與非常少量的氧的反應(yīng)，由此在燒制步驟中形成這些微細(xì)顆粒。此外，由于微細(xì)顆粒不會(huì)降低金屬層的蝕刻性，所以能夠可靠地確保導(dǎo)電圖案形成性。因此，用于制造印刷線路板用基板的方法實(shí)現(xiàn)了這樣的印刷線路板用基板的制造，該基板具有良好的蝕刻性并且在基膜和金屬層之間具有高剝離強(qiáng)度。本文中，術(shù)語“微細(xì)顆粒”是指通過電子顯微鏡確認(rèn)其形狀的顆粒。該微細(xì)顆?？梢詾橛蛇B接在一起的多個(gè)顆粒物質(zhì)形成的顆粒。金屬層的術(shù)語“主金屬”是指：在形成微細(xì)顆粒附近的金屬層的金屬中，具有最高含量(以原子數(shù)計(jì))的金屬(其與微細(xì)顆粒之間的距離為微細(xì)顆粒的平均粒徑的10倍以下)。術(shù)語“平均粒徑”是指通過對(duì)用透射電子顯微鏡(tem)拍攝的截面圖像上的10個(gè)以上顆粒的粒徑進(jìn)行測(cè)定并對(duì)這些粒徑進(jìn)行平均而得到的值。術(shù)語“氧含量”是指通過能量分散x射線光譜(edx)測(cè)定的含量(以原子數(shù)計(jì))。術(shù)語“基膜的表面”是指這樣的區(qū)域的邊界面，在該區(qū)域中存在作為基膜骨架的分子結(jié)構(gòu)(例如，在樹脂的情況下為碳鏈)。[本發(fā)明的實(shí)施方案的詳細(xì)說明]將參考附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的印刷線路板用基板進(jìn)行詳細(xì)描述。[印刷線路板用基板]圖1所示的印刷線路板用基板包括具有絕緣性的基膜1和形成在基膜1的至少一個(gè)表面?zhèn)壬系慕饘賹?。該印刷線路板用基板用于通過包括蝕刻金屬層2的步驟的方法形成導(dǎo)電圖案，從而獲得印刷線路板。形成導(dǎo)電圖案的具體方法的實(shí)例包括減去法和半加成法。印刷線路板用基板包括設(shè)置在基膜1和金屬層2之間的多個(gè)微細(xì)顆粒3。該微細(xì)顆粒3存在于基膜1和金屬層2之間以形成層。<基膜>基膜1的材料的實(shí)例包括柔性樹脂，如聚酰亞胺、液晶聚合物、氟樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯；剛性材料，如浸漬有酚醛樹脂的紙、浸漬有環(huán)氧樹脂的紙、玻璃復(fù)合材料、浸漬有環(huán)氧樹脂的玻璃纖維布、特氟隆(teflon，注冊(cè)商標(biāo))和玻璃基材；以及剛性-柔性材料，其為硬質(zhì)材料和軟質(zhì)材料的復(fù)合材料。這些材料中，從允許微細(xì)顆粒3大量生成并且對(duì)金屬氧化物等呈現(xiàn)高的接合強(qiáng)度的觀點(diǎn)來看，聚酰亞胺是優(yōu)選的。此外，特別優(yōu)選的是非熱塑性聚酰亞胺，其即使在燒制金屬納米顆粒的步驟中其也不易于流動(dòng)，并且能夠保持微細(xì)顆粒3以形成層。由于基膜1的厚度是根據(jù)通過使用印刷線路板用基板制造的印刷線路板的規(guī)格而確定的，所以對(duì)其厚度沒有特別的限制。例如，基膜1的平均厚度的下限優(yōu)選為5μm，更優(yōu)選為12μm?；?的平均厚度的上限優(yōu)選為2mm，更優(yōu)選為1.6mm。當(dāng)基膜1的平均厚度小于該下限時(shí)，基膜1的強(qiáng)度可能不足。另一方面，當(dāng)基膜1的平均厚度超過該上限時(shí)，可能難以實(shí)現(xiàn)印刷線路板的厚度的減小。在基膜1中的由金屬層2側(cè)的表面延伸至50nm的深度處的區(qū)域中，氧含量的下限優(yōu)選為20原子％，更優(yōu)選為22原子％。在基膜1中的由金屬層2側(cè)的表面延伸至50nm的深度處的區(qū)域中，氧含量的上限優(yōu)選為60原子％，更優(yōu)選為50原子％。當(dāng)在基膜1中的由金屬層2側(cè)的表面延伸至50nm的深度處的區(qū)域中，氧含量低于該下限時(shí)，基膜1和金屬層2之間的剝離強(qiáng)度的提高可能不足。另一方面，當(dāng)在基膜1中的由金屬層2側(cè)的表面延伸至50nm的深度處的區(qū)域中，氧含量超過該上限時(shí)，基膜1可能容易破裂。在基膜1中，優(yōu)選對(duì)其上將要形成金屬層2的表面進(jìn)行親水化處理。親水化處理的實(shí)例包括通過等離子體照射使表面親水化的等離子體處理和用堿溶液使表面親水化的堿處理。通過使基膜1進(jìn)行這樣的親水化處理，容易進(jìn)行下述金屬層2的形成(作為具體實(shí)例，導(dǎo)電性組合物的涂覆)。<金屬層>金屬層2包括通過對(duì)金屬納米顆粒進(jìn)行燒制而形成的金屬粒層4，以及通過化學(xué)鍍或電鍍?cè)诮饘倭?的一個(gè)表面?zhèn)?與基膜1相對(duì)的表面?zhèn)?上形成的鍍層5。(金屬粒層)通過將含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物涂覆在基膜1的一個(gè)表面上，并對(duì)該導(dǎo)電性組合物進(jìn)行熱處理(即，對(duì)金屬納米顆粒進(jìn)行燒制)而形成金屬粒層4。當(dāng)用透射電子顯微鏡觀察該金屬粒層4的截面時(shí)，確認(rèn)了由金屬納米顆粒得到的晶粒。這些晶粒通過燒結(jié)而連接在一起并且不再是獨(dú)立的顆粒。金屬粒層4的平均厚度的下限優(yōu)選為0.05μm，更優(yōu)選為0.1μm。金屬粒層4的平均厚度的上限優(yōu)選為2μm，更優(yōu)選為1.5μm。當(dāng)金屬粒層4的平均厚度小于該下限時(shí)，可能在金屬粒層4中產(chǎn)生狹縫，這可能導(dǎo)致導(dǎo)電性的降低。另一方面，當(dāng)金屬粒層4的平均厚度超過該上限時(shí)，可能難以實(shí)現(xiàn)金屬層2的厚度的減小，或者在下述鍍層5的形成期間，金屬粒層4中的孔可能無法被金屬填充，這可能導(dǎo)致金屬粒層4和金屬層2的導(dǎo)電性不足和強(qiáng)度不足。對(duì)形成金屬粒層4的金屬納米顆粒的主金屬?zèng)]有特別的限制。然而，為了將構(gòu)成下述微細(xì)顆粒3的金屬元素供給至與基膜1間的界面，主金屬優(yōu)選為這樣的金屬，該金屬會(huì)生成基于主金屬的金屬氧化物或衍生自金屬氧化物的基團(tuán)、以及基于主金屬的金屬氫氧化物或衍生自金屬氫氧化物的基團(tuán)。優(yōu)選金屬的實(shí)例包括銅、鎳、鋁、金和銀。在這些金屬之中，廉價(jià)的、具有良好的導(dǎo)電性并且與基膜1的密著性良好的銅是特別優(yōu)選的。形成金屬粒層4的金屬納米顆粒的平均粒徑的下限優(yōu)選為1nm，更優(yōu)選為10nm，甚至更優(yōu)選為20nm，并且特別優(yōu)選為30nm。金屬納米顆粒的平均粒徑的上限優(yōu)選為500nm，更優(yōu)選為100nm。當(dāng)金屬納米顆粒的平均粒徑小于該下限時(shí)，可能降低導(dǎo)電性組合物中的金屬納米顆粒的分散性和穩(wěn)定性。另一方面，當(dāng)金屬納米顆粒的平均粒徑超過該上限時(shí)，金屬納米顆?？赡軆A向于析出，而在所涂覆的導(dǎo)電性組合物中，金屬納米顆粒的密度不太可能均勻。(鍍層)通過在金屬粒層4的與基膜1相對(duì)的表面上進(jìn)行化學(xué)鍍來形成鍍層5。因此，由于鍍層5是通過化學(xué)鍍形成的，所以形成金屬粒層4的金屬納米顆粒之間的間隙被鍍層5的金屬填充。當(dāng)在金屬粒層4中留下間隙時(shí)，可能會(huì)從這種間隙部發(fā)生斷裂，因此金屬粒層4傾向于與基膜分離。相反，由于間隙部被鍍層5填充，所以防止了金屬粒層4的分離。用于化學(xué)鍍的金屬的實(shí)例包括銅、鎳和銀，它們都具有良好的導(dǎo)電性。當(dāng)將銅用于形成金屬粒層4的金屬納米顆粒時(shí)，考慮到對(duì)金屬粒層4的密著性，優(yōu)選使用銅或鎳。通過化學(xué)鍍形成的鍍層5的平均厚度的下限優(yōu)選為0.2μm，更優(yōu)選為0.3μm。通過化學(xué)鍍形成的鍍層5的平均厚度的上限優(yōu)選為1μm，更優(yōu)選為0.5μm。當(dāng)通過化學(xué)鍍形成的鍍層5的平均厚度小于該下限時(shí)，金屬粒層4的間隙部可能沒有被鍍層5充分地填充，這可能導(dǎo)致導(dǎo)電性的降低。另一方面，當(dāng)通過化學(xué)鍍形成的鍍層5的平均厚度超過該上限時(shí)，化學(xué)鍍所需的時(shí)間可能會(huì)延長(zhǎng)，這可能導(dǎo)致生產(chǎn)效率的降低?？蛇x地，在通過化學(xué)鍍形成薄層后，優(yōu)選進(jìn)一步進(jìn)行電鍍以形成具有較大厚度的鍍層5。通過進(jìn)行電鍍，然后進(jìn)行化學(xué)鍍，可以容易且精確地調(diào)整導(dǎo)電層的厚度，并且可以在相對(duì)短的時(shí)間內(nèi)形成具有形成印刷線路所需厚度的導(dǎo)電層。用于電鍍的金屬的實(shí)例包括銅、鎳和銀，它們都具有良好的導(dǎo)電性。根據(jù)待形成的印刷線路的類型來確定電鍍后的鍍層5的厚度，并且對(duì)其沒有特別的限制。例如，電鍍后的鍍層5的平均厚度的下限優(yōu)選為1μm，更優(yōu)選為2μm。電鍍后的鍍層5的平均厚度的上限優(yōu)選為100μm，更優(yōu)選為50μm。當(dāng)電鍍后的鍍層5的平均厚度小于該下限時(shí)，金屬層2的強(qiáng)度可能不足。另一方面，當(dāng)電鍍后的鍍層5的平均厚度超過該上限時(shí)，印刷線路板用基板的厚度的減小以及通過使用該印刷線路板用基板制造的印刷線路板的厚度的減小可能變得難以實(shí)現(xiàn)。<微細(xì)顆粒>設(shè)置在基膜1和金屬層2之間的多個(gè)微細(xì)顆粒3提高了剝離強(qiáng)度，即，基膜1和金屬層2之間的接合強(qiáng)度。特別地，由于存在微細(xì)顆粒3從而形成層，可以均勻地提高基膜1和金屬層2之間的剝離強(qiáng)度。當(dāng)用透射電子顯微鏡觀察印刷線路板用基板的截面時(shí)，確認(rèn)該微細(xì)顆粒3為與基膜1和金屬層2不同的微細(xì)顆粒。微細(xì)顆粒3是由與金屬層2的主金屬相同的金屬(即，在金屬層2的微細(xì)顆粒附近的區(qū)域內(nèi)形成金屬粒層4的金屬納米顆粒的主要成分)形成的，或者是由主金屬的金屬化合物形成的。特別優(yōu)選的微細(xì)顆粒3是由作為金屬納米顆粒的主要成分的金屬的氧化物或氫氧化物形成的，該金屬納米顆粒形成金屬粒層4。金屬的氧化物和氫氧化物容易與基膜1接合。當(dāng)形成金屬粒層4的金屬納米顆粒含有銅作為主要成分時(shí)，微細(xì)顆粒3優(yōu)選由氧化銅或氫氧化銅形成。微細(xì)顆粒3的平均粒徑的下限優(yōu)選為0.1nm，更優(yōu)選為0.5nm，甚至更優(yōu)選為1nm。微細(xì)顆粒3的平均粒徑的上限優(yōu)選為20nm，更優(yōu)選為10nm。當(dāng)微細(xì)顆粒3的平均粒徑小于該下限時(shí)，可能不能充分地提供提高基膜1和金屬層2之間的剝離強(qiáng)度的效果。另一方面，當(dāng)微細(xì)顆粒3的平均粒徑超過該上限時(shí)，為了使顆粒生長(zhǎng)，印刷線路板用基板的制造成本可能不必要地增加。微細(xì)顆粒3的層的厚度優(yōu)選等于或大于微細(xì)顆粒3的平均粒徑，并且等于或小于金屬粒層4的金屬粒的平均尺寸。具體而言，微細(xì)顆粒3的層的平均厚度的下限優(yōu)選為0.1nm，更優(yōu)選為0.5nm。微細(xì)顆粒3的層的平均厚度的上限優(yōu)選為100nm，更優(yōu)選為50nm。當(dāng)微細(xì)顆粒3的層的平均厚度小于該下限時(shí)，可能不足以提供提高基膜1和金屬層2之間的剝離強(qiáng)度的效果。另一方面，當(dāng)微細(xì)顆粒3的層的平均厚度超過該上限時(shí)，由于微細(xì)顆粒3之間的分離，所以可能容易引起基膜1和金屬層2之間的分離?？蛇x地，在微細(xì)顆粒3的層中，微細(xì)顆粒3的數(shù)目可能在基膜1側(cè)減少，即，存在的微細(xì)顆粒3的密度可能在朝向基膜1側(cè)的方向上逐漸降低。具體而言，由于所存在的微細(xì)顆粒3進(jìn)入微細(xì)的凹陷部或位于形成基膜1的樹脂的表面上的聚合物鏈之間，所以微細(xì)顆粒3可以更牢固地接合至基膜1上，并且可以更有效地提高基膜1與金屬層2之間的剝離強(qiáng)度。[印刷線路板用基板的制造方法]圖2中的制造印刷線路板用基板的方法為用于制造圖1中的印刷線路板用基板的方法。印刷線路板用基板的制造方法包括：制備含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物的步驟(步驟s1：制備步驟)，將制備步驟中制備的導(dǎo)電性組合物涂覆在基膜1的一個(gè)表面?zhèn)壬?步驟s2：涂覆步驟)，使涂覆步驟中所涂覆的導(dǎo)電性組合物干燥的步驟(步驟s3：干燥步驟)，對(duì)在干燥步驟中干燥的導(dǎo)電性組合物進(jìn)行熱處理以燒結(jié)金屬納米顆粒的步驟(步驟s4：燒制步驟)，以及在通過燒制步驟中金屬納米顆粒的燒制形成的層的一個(gè)表面?zhèn)壬线M(jìn)行鍍覆的步驟(步驟s5：鍍覆步驟)。步驟s4的燒制步驟包括在基膜1和金屬層2之間形成多個(gè)微細(xì)顆粒3的步驟，該微細(xì)顆粒3是由與金屬層2的主金屬相同的金屬形成的，或者是由所述主金屬的金屬化合物形成的。<制備步驟>在步驟s1的制備步驟中，將分散劑溶解在分散介質(zhì)中，并將金屬納米顆粒分散在分散介質(zhì)中。具體而言，分散劑包圍金屬納米顆粒以抑制聚集，并且令人滿意地將金屬納米顆粒分散在分散介質(zhì)中。分散劑可以以溶液的形式添加至反應(yīng)體系中，其中在該溶液中，分散劑溶解于水或水溶性有機(jī)溶劑中。(金屬納米顆粒的制造方法)在此，對(duì)將分散在導(dǎo)電性組合物中的金屬納米顆粒的制造方法進(jìn)行描述?？梢酝ㄟ^(例如)高溫處理法、液相還原法或氣相法制造金屬納米顆粒。優(yōu)選通過液相還原法來制造金屬納米顆粒，使用該方法能夠以相對(duì)較低的成本生產(chǎn)具有均勻粒徑的顆粒。為了通過液相還原法制造金屬納米顆粒，(例如)將分散劑和作為用于形成金屬納米顆粒的金屬離子源的水溶性金屬化合物溶解在水中，加入還原劑以使金屬離子的還原反應(yīng)進(jìn)行一定的時(shí)間。液相還原法可以提供具有均勻球形或顆粒形狀并具有非常小的尺寸的金屬納米顆粒。作為金屬離子源的水溶性金屬化合物的實(shí)例包括：在銅的情況下，硝酸銅(ii)(cu(no3)2)和硫酸銅(ii)五水合物(cuso4·5h2o)；在銀的情況下，硝酸銀(i)(agno3)和甲磺酸銀(ch3so3ag)；在金的情況下，四氯金酸(iii)四水合物(haucl4·4h2o)；以及在鎳的情況下，氯化鎳(ii)六水合物(nicl2·6h2o)和硝酸鎳(ii)六水合物(ni(no3)2·6h2o)。對(duì)于其他金屬納米顆粒，也可以使用諸如氯化物、硝酸鹽化合物和硫酸鹽化合物之類的水溶性化合物。當(dāng)使用液相還原方法制備金屬納米顆粒時(shí)，可以使用在液相(水溶液)反應(yīng)體系中能夠使金屬離子還原并析出的各種還原劑。還原劑的實(shí)例包括硼氫化鈉、次磷酸鈉、肼、諸如三價(jià)鈦離子和二價(jià)鈷離子之類的過渡金屬離子、抗壞血酸、諸如葡萄糖和果糖之類的還原糖、以及諸如乙二醇和甘油之類的多元醇。其中，在鈦氧化還原法中使用三價(jià)鈦離子，其中在將三價(jià)鈦離子氧化成四價(jià)離子期間，通過氧化還原作用還原金屬離子以使金屬納米顆粒析出。通過鈦氧化還原法獲得的金屬納米顆粒具有小且均勻的粒徑。此外，鈦氧化還原法可以提供具有球形或顆粒形狀的金屬納米顆粒。因此，鈦氧化還原法的使用能夠使金屬納米顆粒以更高的密度填充，因此金屬粒層4可以形成為更致密的層?？梢酝ㄟ^以下方法來調(diào)節(jié)金屬納米顆粒的粒徑：調(diào)節(jié)金屬化合物、分散劑和還原劑的種類和混合比；以及在金屬化合物的還原反應(yīng)期間，調(diào)節(jié)(例如)攪拌速度、溫度、時(shí)間和ph。例如，為了得到粒徑非常小的金屬納米顆粒，優(yōu)選將反應(yīng)體系的ph調(diào)整為7以上13以下。此時(shí)，可以使用ph調(diào)節(jié)劑，以將反應(yīng)體系的ph調(diào)節(jié)到上述范圍內(nèi)。作為ph調(diào)節(jié)劑，可以使用常用的酸或堿，如鹽酸、硫酸、氫氧化鈉或碳酸鈉。特別地，為了防止周圍組件的劣化，優(yōu)選硝酸和氨，因?yàn)樗鼈儾缓瑝A金屬、堿土金屬、諸如氯之類的鹵素元素、硫、磷和硼等雜質(zhì)元素。當(dāng)使用液相還原方法來制造金屬納米顆粒時(shí)，對(duì)在液相(水溶液)反應(yīng)體系中析出的金屬納米顆粒進(jìn)行(例如)過濾、洗滌、干燥和粉碎的步驟，并且可以將所得的粉末用于制備導(dǎo)電性組合物。在這種情況下，可以將粉狀金屬納米顆粒、作為分散介質(zhì)的水、分散劑和任選的水溶性有機(jī)溶劑以預(yù)定比例混合，以制備含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物。在這種情況下，優(yōu)選使用析出金屬納米顆粒的液相(水溶液)作為起始材料來制備導(dǎo)電性組合物。具體而言，對(duì)含有析出的金屬納米顆粒的液相(水溶液)進(jìn)行(例如)超濾、離心、用水洗滌和電滲析以除去雜質(zhì)的方法，并且任選地濃縮以除去水?；蛘?，反向加入水以調(diào)節(jié)金屬納米顆粒的濃度，然后任選地以預(yù)定比例混合水溶性有機(jī)溶劑，以制備含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物。該方法能夠抑制由于干燥期間金屬納米顆粒的聚集而導(dǎo)致產(chǎn)生粗糙且不規(guī)則的顆粒。因此，可以容易地形成致密且均勻的金屬粒層4。(分散介質(zhì))作為導(dǎo)電性組合物的分散介質(zhì)，可以使用水、高極性溶劑、或者其兩種或三種以上的混合物。在這些之中，優(yōu)選使用作為主要成分的水和與水相容的高極性溶劑的混合物。相對(duì)于100質(zhì)量份的金屬納米顆粒，作為導(dǎo)電性組合物中的分散介質(zhì)的主要成分的水的含量的下限優(yōu)選為20質(zhì)量份，更優(yōu)選為50質(zhì)量份。相對(duì)于100質(zhì)量份的金屬納米顆粒，作為導(dǎo)電性組合物中的分散介質(zhì)的主要成分的水的含量的上限優(yōu)選為1,900質(zhì)量份，更優(yōu)選為1,000質(zhì)量份。分散介質(zhì)中的水使分散劑充分膨脹，從而使被分散劑包圍的金屬納米顆粒令人滿意地分散。當(dāng)水的含量低于該下限時(shí)，可能不能充分地提供由水賦予的這種使分散劑膨脹的效果。另一方面，當(dāng)水的含量超過該上限時(shí)，導(dǎo)電性組合物具有低含量的金屬納米顆粒，并且可能不會(huì)在基膜1的表面上形成具有所需厚度和密度的良好金屬粒層4。任選地加入到導(dǎo)電性組合物中的有機(jī)溶劑可以選自各種水溶性有機(jī)溶劑。其具體實(shí)例包括：醇類，如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇和叔丁醇；酮類，如丙酮和甲基乙基酮；酯類，(例如)諸如乙二醇或甘油的之類的多元醇；以及二醇醚類，如乙二醇單乙醚和二甘醇單丁醚。相對(duì)于100質(zhì)量份的金屬納米顆粒，水溶性有機(jī)溶劑的含量的下限優(yōu)選為30質(zhì)量份，更優(yōu)選為80質(zhì)量份。相對(duì)于100質(zhì)量份的金屬納米顆粒，水溶性有機(jī)溶劑的含量的上限優(yōu)選為900質(zhì)量份，更優(yōu)選為500質(zhì)量份。當(dāng)水溶性有機(jī)溶劑的含量小于該下限時(shí)，可能不能充分地提供調(diào)節(jié)導(dǎo)電性組合物的粘度和調(diào)節(jié)蒸氣壓的效果，該效果是由有機(jī)溶劑所賦予的。另一方面，當(dāng)水溶性有機(jī)溶劑的含量超過該上限時(shí)，可能不能提供由水賦予的使分散劑溶脹的效果，這可能導(dǎo)致金屬納米顆粒在導(dǎo)電性組合物中發(fā)生聚集。(分散劑)從防止印刷線路板用基板劣化的觀點(diǎn)出發(fā)，導(dǎo)電性組合物中所含的分散劑優(yōu)選不含硫、磷、硼、鹵素和堿。分散劑的優(yōu)選實(shí)例包括：胺系聚合物分散劑，諸如聚乙烯亞胺和聚乙烯吡咯烷酮；在其分子中具有羧基的烴系聚合物分散劑，諸如聚丙烯酸和羧甲基纖維素；以及具有極性基團(tuán)的聚合物分散劑，諸如poval(聚乙烯醇)、苯乙烯-馬來酸共聚物、烯烴-馬來酸共聚物、以及在單個(gè)分子中具有聚乙烯亞胺部分和聚環(huán)氧乙烷部分的共聚物。分散劑的分子量的下限優(yōu)選為2,000，更優(yōu)選為5,000。分散劑的分子量的上限優(yōu)選為300,000，更優(yōu)選為100,000。當(dāng)分散劑的分子量小于該下限時(shí)，可能不能充分地提供防止金屬納米顆粒聚集以保持分散的效果。其結(jié)果是，可能不會(huì)在基膜1上形成致密且?guī)缀醪淮嬖谌毕莸慕饘倭?。另一方面，當(dāng)分散劑的分子量超過該上限時(shí)，分散劑可能過于龐大，并且在涂覆導(dǎo)電性組合物之后進(jìn)行的熱處理期間，可能抑制金屬納米顆粒之間的燒結(jié)，這可能導(dǎo)致空隙的產(chǎn)生。此外，在這種情況下，可能降低金屬粒層4在致密性方面的膜質(zhì)量，或者分散劑的分解殘留物可能導(dǎo)致導(dǎo)電性的降低。相對(duì)于100質(zhì)量份的金屬納米顆粒，導(dǎo)電性組合物中的分散劑的含量的下限優(yōu)選為1質(zhì)量份，更優(yōu)選為5質(zhì)量份。相對(duì)于100質(zhì)量份的金屬納米顆粒，導(dǎo)電性組合物中的分散劑的含量的上限優(yōu)選為60質(zhì)量份，更優(yōu)選為40質(zhì)量份。當(dāng)分散劑的含量小于該下限時(shí)，可能不能充分地提供防止聚集的效果。另一方面，當(dāng)分散劑的含量超過該上限時(shí)，在涂覆導(dǎo)電性組合物之后進(jìn)行熱處理期間，過量的分散劑可以抑制燒制(包括對(duì)金屬納米顆粒進(jìn)行燒結(jié))，這可能導(dǎo)致產(chǎn)生空隙或聚合物分散劑的分解殘留物可能作為雜質(zhì)而殘留在金屬粒層4中，這可能導(dǎo)致導(dǎo)電性的降低。<涂覆步驟>在步驟s2的涂覆步驟中，將含有金屬納米顆粒的導(dǎo)電性組合物涂覆到基膜1的至少一個(gè)表面上。涂覆導(dǎo)電性組合物的方法的實(shí)例包括常規(guī)已知的涂布方法，如旋涂、噴涂、棒涂、模具涂布、狹縫涂布、輥涂和浸涂。或者，可以通過(例如)絲網(wǎng)印刷或使用分配器從而將導(dǎo)電性組合物僅涂覆到基膜1的一個(gè)表面的一部分。<干燥步驟>在步驟s3的干燥步驟中，將涂覆到基膜1上的導(dǎo)電性組合物中的分散介質(zhì)蒸發(fā)，從而干燥該導(dǎo)電性組合物。例如，作為干燥導(dǎo)電性組合物的方法，可以采用自然干燥、加熱干燥或用暖風(fēng)干燥。然而，該方法是這樣的方法，其中干燥前的導(dǎo)電性組合物不會(huì)受到可能使其表面粗糙的強(qiáng)風(fēng)。<燒制步驟>在步驟s4的燒制步驟中，使分散介質(zhì)熱分解，并且通過加熱使金屬納米顆粒一體化在一起以形成金屬粒層4。以這種方式對(duì)金屬納米顆粒進(jìn)行燒結(jié)，能夠在基膜1的表面上相對(duì)容易地形成金屬粒層4和金屬層2。該燒制步驟包括形成多個(gè)微細(xì)顆粒3以使其設(shè)置于基膜1和金屬層2之間的步驟。具體而言，在燒制步驟中，設(shè)置在基膜1和金屬層2之間的至少一些微細(xì)顆粒3的形成與金屬納米顆粒的一體化是并行的。由于金屬納米顆粒具有大的表面積并且易于與周圍物質(zhì)反應(yīng)，所以金屬納米顆粒容易產(chǎn)生微細(xì)顆粒。微細(xì)顆粒3是由金屬納米顆粒的主金屬或主金屬的氧化物或氫氧化物形成的。由于微細(xì)顆粒3與由樹脂形成的基膜1的親和性高，所以主要在基膜1和金屬納米顆粒的層之間的界面處形成微細(xì)顆粒3。因此，當(dāng)形成大量的微細(xì)顆粒3時(shí)，微細(xì)顆粒3處于這樣的狀態(tài)，其中通過燒制金屬納米顆粒而使微細(xì)顆粒3以形成層的狀態(tài)存在，該層介于基膜1和金屬粒層4之間。由此形成的設(shè)置在基膜1與金屬粒層4(金屬層2)之間的微細(xì)顆粒3對(duì)基膜1和金屬粒層4的密著性相對(duì)較高，從而提高了基膜1和金屬層2之間的剝離強(qiáng)度。在具體的實(shí)例中，當(dāng)將銅用于金屬納米顆粒時(shí)，主要在金屬納米顆粒的層與基膜1的界面附近生成由氧化銅形成的微細(xì)顆粒3和由氫氧化銅形成的微細(xì)顆粒3，優(yōu)選大量地生成由氧化銅形成的微細(xì)顆粒3。其中，由氧化銅形成的微細(xì)顆粒容易與形成基膜1的樹脂結(jié)合，從而增加金屬粒層4和基膜1之間的密著強(qiáng)度。根據(jù)金屬納米顆粒和分散劑的種類，選擇該燒制步驟中的處理溫度，即，金屬納米顆粒的燒結(jié)溫度。具體而言，金屬納米顆粒的燒結(jié)溫度的下限優(yōu)選為260℃，更優(yōu)選為300℃。金屬納米顆粒的燒結(jié)溫度的上限優(yōu)選為400℃，更優(yōu)選為380℃。當(dāng)金屬納米顆粒的燒結(jié)溫度低于該下限時(shí)，可能不會(huì)發(fā)生微細(xì)顆粒3的生成。另一方面，當(dāng)金屬納米顆粒的燒結(jié)溫度超過該上限時(shí)，基膜1可能會(huì)變形或損壞。優(yōu)選在含有一定量氧氣的氣氛中進(jìn)行燒制步驟中的熱處理。熱處理期間氣氛的氧濃度的下限優(yōu)選為10體積ppm，更優(yōu)選為100體積ppm。熱處理期間氣氛的氧濃度的上限優(yōu)選為500體積ppm，更優(yōu)選為400體積ppm。當(dāng)熱處理期間氣氛的氧濃度低于該下限時(shí)，產(chǎn)生的微細(xì)顆粒3的量減少，并且可能不能充分提供提高基膜1和金屬層2之間的密著強(qiáng)度的效果。另一方面，當(dāng)熱處理期間氣氛的氧濃度超過該上限時(shí)，金屬納米顆粒會(huì)被氧化并且可能不產(chǎn)生微細(xì)顆粒3，這可能導(dǎo)致基膜1和金屬層2之間的密著強(qiáng)度不足。<鍍覆步驟>在步驟s5的鍍覆步驟中，在金屬粒層4的與基膜1相對(duì)的表面上，通過化學(xué)鍍或電鍍來形成鍍層5，其中金屬粒層4是在步驟s4的燒制步驟中形成的。在該鍍覆步驟中，當(dāng)使用化學(xué)鍍來形成鍍層5時(shí)，如上所述，化學(xué)鍍中使用的金屬可以是(例如)銅、鎳或銀。例如，當(dāng)進(jìn)行鍍銅時(shí)，使用包含非常少量的鎳的銅鍍液作為化學(xué)鍍中使用的銅鍍液。使用包含鎳或鎳化合物的銅鍍液能夠形成具有低應(yīng)力的鍍層5。相對(duì)于100摩爾的銅，銅鍍液優(yōu)選包含(例如)0.1摩爾以上60摩爾以下的鎳。銅鍍液可以任選地包含其他組分，如配位劑、還原劑和ph調(diào)節(jié)劑。在化學(xué)鍍中，可以使用鈀作為鍍覆金屬的析出催化劑。在使用鈀作為析出催化劑的情況下，在活化步驟中，使金屬粒層4的表面與氯化鈀溶液接觸，從而使鈀離子吸附在金屬粒層4的表面上，并且在所述還原步驟中，吸附在金屬粒層4上的鈀離子被還原成金屬鈀。在(例如)進(jìn)行化學(xué)銅鍍覆的情況下，在化學(xué)鍍銅步驟中，(例如)將所得的基膜浸漬到含有硫酸銅和福爾馬林的水溶液中，從而以鈀作為催化劑而在金屬粒層4的表面上形成銅覆膜。在(例如)進(jìn)行化學(xué)鎳鍍覆的情況下，在化學(xué)鍍鎳步驟中，(例如)將所得的基膜浸漬到含有硫酸鎳和次磷酸鈉的水溶液中，從而以鈀作為催化劑而在金屬粒層4的表面上形成鎳覆膜。當(dāng)需要金屬層2具有(例如)1μm以上的平均厚度時(shí)，使用電鍍來形成鍍層5，或者在進(jìn)行化學(xué)鍍之后，進(jìn)一步進(jìn)行電鍍直到導(dǎo)電層具有所需厚度。根據(jù)待鍍金屬(例如銅、鎳或銀)而使用常規(guī)已知的電鍍?cè)?，并且選擇合適的條件，從而可以進(jìn)行這種電鍍，以便快速形成具有預(yù)定厚度且沒有缺陷的導(dǎo)電層。[印刷線路板]通過在圖1中的印刷線路板用基板中形成導(dǎo)電圖案來制造印刷線路板。通過減去法或半加成法，使導(dǎo)電圖案形成在印刷線路板用基板的金屬層2中，該金屬層2用作基底。例如，在減去法中，形成光敏抗蝕劑以覆蓋印刷線路板用基板的其上具有金屬層2的表面。通過(例如)曝光和顯影，使抗蝕劑圖案化以便對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案。隨后，使用圖案化的抗蝕劑作為掩模，通過蝕刻除去金屬層2中的除導(dǎo)電圖案以外的部分。最后，除去殘留的抗蝕劑，從而提供在基膜上包括導(dǎo)電圖案的印刷線路板。在半加成法中，形成光敏抗蝕劑以覆蓋印刷線路板用基板的其上具有金屬層2的表面。通過(例如)曝光和顯影，使抗蝕劑圖案化以便形成對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案的開口。隨后，通過使用圖案化的抗蝕劑作為掩模來進(jìn)行鍍覆，以在暴露在掩模的開口上的金屬層2上選擇性地形成導(dǎo)體層。接著，去除抗蝕劑，然后通過蝕刻去除導(dǎo)體層的表面、以及金屬層2中的其上不具有導(dǎo)體層的部分，從而提供在基膜上包括導(dǎo)電圖案的印刷線路板。通過使用印刷線路板用基板而形成的印刷線路板具有足夠小的厚度以滿足高密度印刷線路的要求，具有良好的蝕刻性，并且在基膜1和金屬層2之間具有高密著強(qiáng)度，使得導(dǎo)電圖案不易于與基膜1分離。[優(yōu)點(diǎn)]根據(jù)印刷線路板用基板，該基板是通過制造印刷線路板用基板的方法而制造的，在基膜1和金屬層2之間設(shè)置有多個(gè)與基膜1和金屬層2具有高密著性的微細(xì)顆粒3。因此，印刷線路板用基板在基膜1和金屬層2之間具有高剝離強(qiáng)度。此外，根據(jù)印刷線路板用基板，通過多個(gè)微細(xì)顆粒3而不是將金屬嵌入基膜1中來提高基膜1和金屬層2之間的剝離強(qiáng)度，因此表現(xiàn)出金屬層2和微細(xì)顆粒3的良好蝕刻性能。因此，根據(jù)印刷線路板用基板，通過蝕刻可以容易地去除金屬層2和微細(xì)顆粒3。印刷線路板用基板以高精度實(shí)現(xiàn)印刷線路板的制造。[其他實(shí)施方案]應(yīng)當(dāng)理解，本文公開的實(shí)施方案僅僅是說明性的，并且在所有方面都不是限制性的。本發(fā)明的范圍并不限于實(shí)施方案的構(gòu)造，而是由權(quán)利要求來限定。本發(fā)明的范圍旨在涵蓋在權(quán)利要求的等同物的含義和范圍內(nèi)的所有修改。印刷線路板用基板中的微細(xì)顆?？梢杂沙私饘僭?、氧和氫之外還含有其他元素的化合物形成。在印刷線路板用基板中，微細(xì)顆?？梢圆贿B續(xù)地設(shè)置在基膜和金屬層之間，而未明確地形成層。印刷線路板用基板可以不包括鍍層。因此，可以省略印刷線路板用基板的制造方法中的鍍覆步驟。在(例如)使用印刷線路板用基板并通過半加成法來形成印刷線路板的情況下，由于金屬層可能具有小的厚度，所以考慮省略鍍層。印刷線路板用基板的制造方法可以包括在鍍覆步驟之后的退火步驟?？梢酝ㄟ^進(jìn)行退火步驟來使微細(xì)顆粒生長(zhǎng)。因此，(例如)可以通過調(diào)節(jié)退火步驟中的處理溫度和時(shí)間，從而調(diào)節(jié)微細(xì)顆粒的粒徑。退火步驟的處理溫度的下限優(yōu)選為260℃，更優(yōu)選為300℃。退火步驟的處理溫度的上限優(yōu)選為400℃，更優(yōu)選為380℃。當(dāng)退火步驟的處理溫度低于該下限時(shí)，微細(xì)顆?？赡懿簧L(zhǎng)。另一方面，當(dāng)退火步驟的處理溫度超過該上限時(shí)，(例如)基膜可能會(huì)損壞。退火步驟的處理時(shí)間的下限優(yōu)選為10分鐘，更優(yōu)選為30分鐘。退火步驟的處理時(shí)間的上限優(yōu)選為720分鐘，更優(yōu)選為360分鐘。當(dāng)退火步驟的處理時(shí)間小于該下限時(shí)，微細(xì)顆粒可能不能充分地生長(zhǎng)。另一方面，當(dāng)退火步驟的處理時(shí)間超過該上限時(shí)，微細(xì)顆?？赡軙?huì)腐蝕金屬層，或者可能不必要地增加印刷線路板用基板的生產(chǎn)成本。在印刷線路板用基板的制造方法中，可以不使用金屬納米顆粒而形成金屬層。實(shí)施例現(xiàn)在將基于印刷線路板用基板的試驗(yàn)生產(chǎn)的結(jié)果來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。不能基于對(duì)試驗(yàn)品的描述而限制性地解釋本發(fā)明。<試驗(yàn)品>為了確認(rèn)本發(fā)明的效果，在不同的條件下制造了印刷線路板用基板的試驗(yàn)品1至5。(試驗(yàn)品1)在試驗(yàn)品1中，使用由kanekacorporation制造的厚度為25μm的聚酰亞胺膜“apical(注冊(cè)商標(biāo))25npi”作為基膜，并且使用導(dǎo)電性組合物來形成金屬粒層和微細(xì)顆粒，其中該導(dǎo)電性組合物是通過將平均粒徑為64nm的銅顆粒作為金屬納米顆粒以26質(zhì)量％的濃度分散在水中而制備的。具體而言，將該導(dǎo)電性組合物涂覆至基膜的表面(涂覆步驟)并在空氣中干燥。隨后，通過在氧濃度為100體積ppm的氮?dú)鈿夥罩?，?50℃的溫度下將所得基膜加熱30分鐘以進(jìn)行熱處理(燒制步驟)。即，通過該熱處理，燒制金屬納米顆粒以形成金屬粒層并形成設(shè)置在基膜和金屬粒層之間的微細(xì)顆粒。隨后，在所形成的金屬粒層的表面上進(jìn)行銅化學(xué)鍍(鍍覆步驟)，使得平均厚度變?yōu)?.4μm。進(jìn)一步進(jìn)行銅電鍍以形成平均總厚度為18μm的金屬層。此外，在350℃的溫度下使其上具有金屬層的基膜進(jìn)行30分鐘的退火處理，從而獲得試驗(yàn)品1。(試驗(yàn)品2)在與試驗(yàn)品1相同的條件下制造試驗(yàn)品2，不同之處在于，使用平均粒徑為102nm的銅顆粒作為金屬納米顆粒。(試驗(yàn)品3)在與試驗(yàn)品1相同的條件下制造試驗(yàn)品3，不同之處在于，使用平均粒徑為38nm的銅顆粒作為金屬納米顆粒。(試驗(yàn)品4)在與試驗(yàn)品1相同的條件下制造試驗(yàn)品4，不同之處在于，使用平均粒徑為455nm的銅顆粒作為金屬納米顆粒。(試驗(yàn)品5)在與試驗(yàn)品1相同的條件下制造試驗(yàn)品5，不同之處在于，將燒制時(shí)間變?yōu)?00分鐘。<評(píng)價(jià)>關(guān)于試驗(yàn)品1至5，進(jìn)行了如下評(píng)價(jià)。(截面的拍攝)通過使用由jeolltd.制造的透射電子顯微鏡“jem-2100f”拍攝印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板的截面照片。圖3a至3c分別示出了印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板的截面圖像，該圖像是用透射電子顯微鏡拍攝的。在各圖像中，下面的暗部表示基膜，上面的亮部表示金屬粒層。在金屬粒層中，確認(rèn)了尺寸為約幾十納米到幾百納米的晶粒。在各圖像的上下方向的中間，經(jīng)證實(shí)在基膜和金屬粒層之間以層的形式存在粒徑為約若干納米的微細(xì)顆粒。即，在各試驗(yàn)品1至3中，形成了設(shè)置在基膜和金屬層之間的微細(xì)顆粒。(平均粒徑)在各圖像中，通過對(duì)10個(gè)以上的微細(xì)顆粒的直徑的測(cè)定值進(jìn)行平均來計(jì)算平均粒徑。(元素濃度)在3kv的加速電壓下，通過使用在截面的拍攝中所用的透射型電子顯微鏡的能量分散x射線分析功能來分析印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板的各截面，以確定在基膜和金屬層之間的界面附近區(qū)域中的銅、碳和氧的含量。在圖4a至6c中示出的二維映射圖中，通過顏色的亮和暗，以階段的方式(step-by-stepmanner)示出原子的含量(原子百分比)。這些圖像示出顏色越深，含量越小，并且顏色越淺，含量越大。圖4a至4c分別示出了印刷線路板用試驗(yàn)品1至3的基板的截面中銅含量的分析結(jié)果的二維映射圖像。銅含量的映射示出了各試驗(yàn)品1至3中存在金屬層或微細(xì)顆粒的區(qū)域。圖5a至5c分別示出了印刷線路板用試驗(yàn)品1至3的基板的截面中碳含量的分析結(jié)果的二維映射圖像。碳含量的映射示出了各試驗(yàn)品1至3中存在基膜的區(qū)域。圖6a至6c分別示出了印刷線路板用試驗(yàn)品1至3的基板的截面中氧含量的分析結(jié)果的二維映射圖像。當(dāng)氧含量的映射疊加在銅含量的映射和碳含量的映射上時(shí)，經(jīng)發(fā)現(xiàn)微細(xì)顆粒含有氧并且是由金屬氧化物或金屬氫氧化物形成的，并且在基膜的表面附近含有氧。(表面附近區(qū)域中的氧含量)對(duì)于印刷線路板的試驗(yàn)品1至5的各基板，在上述氧含量的分析結(jié)果的基礎(chǔ)上，計(jì)算出在基膜的表面附近的區(qū)域(即，在從基膜的表面到50nm深度處的范圍內(nèi))中的氧含量(映射數(shù)據(jù)的平均值)。(剝離強(qiáng)度)此外，對(duì)于印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板，根據(jù)jis-c6471(1995)，通過以相對(duì)于聚酰亞胺膜呈180°的方向剝離金屬層的方法從而測(cè)定基膜與金屬層之間的剝離強(qiáng)度。注意的是，據(jù)認(rèn)為：對(duì)于印刷線路板用基板，700gf/cm以上的剝離強(qiáng)度是足夠的。對(duì)于印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板，下面的表1總結(jié)了微細(xì)顆粒的平均粒徑、基膜的表面附近的區(qū)域(從表面到50nm深度處的范圍)中的氧含量、以及基膜與金屬層之間的剝離強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果。[表1]平均粒徑(nm)氧含量(原子％)剝離強(qiáng)度(gf/cm)試驗(yàn)品1122820試驗(yàn)品21027900試驗(yàn)品3524750試驗(yàn)品4832740試驗(yàn)品51846880<評(píng)價(jià)結(jié)果>如表1所示，由于在基膜和金屬層之間形成微細(xì)顆粒，所以印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板在基膜和金屬層之間均具有740gf/cm以上的足夠高的剝離強(qiáng)度。相反，雖然在表1中未示出，但是對(duì)于通過如下方式制造的印刷線路板用基板，基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度低，即小于700gf/cm，其中上述基板是在與試驗(yàn)產(chǎn)品1相同的條件下制造的，不同之處在于：調(diào)節(jié)了燒制步驟中的燒結(jié)溫度和氣氛的氧濃度，以便在基膜和金屬層之間不形成微細(xì)顆粒。這些結(jié)果表明設(shè)置于基膜和金屬層之間的多個(gè)微細(xì)顆粒提高了基膜和金屬層之間的剝離強(qiáng)度。在印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的基板中，在基膜和金屬層之間形成的微細(xì)顆粒的平均粒徑為1nm至18nm。據(jù)認(rèn)為，在各試驗(yàn)品中，由于設(shè)置在基膜和金屬層之間的多個(gè)微細(xì)顆粒的平均粒徑為0.1nm以上20nm以下，所以提高了金屬層的剝離強(qiáng)度。此外，在印刷線路板用試驗(yàn)品1至5的各基板中，基膜的表面附近的區(qū)域(從表面到50nm深度處的范圍)中的氧含量為20原子％以上60原子％以下，據(jù)信這進(jìn)一步提高了與微細(xì)顆粒的密著性。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明的印刷線路板用基板和制造印刷線路板用基板的方法實(shí)現(xiàn)了金屬層的良好的蝕刻性和高剝離強(qiáng)度，因此適合用于制造需要具有高密度印刷線路的印刷線路板。附圖標(biāo)記列表1基膜2金屬層3微細(xì)顆粒4金屬粒層5鍍層s1制備步驟s2涂覆步驟s3干燥步驟s4燒制步驟s5鍍覆步驟當(dāng)前第1頁12