本申請涉及一種均勻度以及發(fā)熱特性優(yōu)秀的透明面狀發(fā)熱體。

背景技術(shù)：

隨著能源枯竭，世界各國對節(jié)能研究進行著大量的投資。順應(yīng)這種潮流而最近備受矚目的面狀發(fā)熱體是與通常使用的電發(fā)熱體相比能夠減少大約20％至大約40％的電力的產(chǎn)品，預(yù)計電能節(jié)約以及經(jīng)濟波及效果會大。

一般，面狀發(fā)熱體利用通電時產(chǎn)生的輻射熱，因此容易進行溫度調(diào)節(jié)，并且不污染空氣，具有衛(wèi)生和噪音方面的優(yōu)點，因此在加熱墊或電熱毯等寢具類中使用較多。此外，面狀發(fā)熱體廣泛用在住宅的地暖、辦公室以及作業(yè)現(xiàn)場等的產(chǎn)業(yè)用供暖、涂裝干燥等各種產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場的加熱裝置、塑料大棚或畜舍、農(nóng)業(yè)用設(shè)備、車用后視鏡、停車場的凍結(jié)防止裝置、休閑用防寒裝備、家電等中。

特別是最近積極地利用面狀發(fā)熱體，其替代歐洲的住宅供暖的較大部分，除了住宅領(lǐng)域之外，也能夠應(yīng)用為產(chǎn)業(yè)用干燥器、農(nóng)產(chǎn)品干燥器、健康醫(yī)療輔助產(chǎn)品以及建筑輔料等，作為這樣的新材料，預(yù)計不僅是在國內(nèi)，在國外也將具有較高的使用可能性。

此外，正在持續(xù)地研究對面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)以及材料進行各種變更，從而實現(xiàn)上述用途之外的其它用途，例如，對于服裝或壁畫式取暖器等方面的應(yīng)用。特別是，通過使用同時表現(xiàn)出透明性和傳導(dǎo)性的材料，其應(yīng)用范圍正在擴大到窗戶以及鏡子等要求透明性的領(lǐng)域。

由于這樣的特性，可以將以往作為觸摸屏面板(tsp)用而廣泛使用的透明傳導(dǎo)膜(transparentconductivethinfilm)用作面狀發(fā)熱體，代表性的物質(zhì)可以舉銦錫氧化物(ito)。但是與tsp用相同，為了制造ito薄膜，基本需要真空狀態(tài)的工藝，因此需要高昂的工藝成本，而且用于ito的銦是稀有金屬，預(yù)計會枯竭，并且原料本身為高價。此外，當將柔軟的顯示器元件彎曲或折疊時，由于薄膜碎裂而縮短壽命。

為了替代ito，正在開發(fā)將碳納米管、石墨烯、金屬納米線、金屬網(wǎng)格等應(yīng)用為透明傳導(dǎo)性薄膜的傳導(dǎo)性材料的技術(shù)。

特別是，當具有一維結(jié)構(gòu)的金屬納米線或者碳納米管等形成電網(wǎng)絡(luò)并構(gòu)成傳導(dǎo)性薄膜時，可制造導(dǎo)電性高的薄膜。此外，一維結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的直徑為數(shù)nm至數(shù)十nm，因此分散性優(yōu)秀，當制成薄膜時可在可視光區(qū)得到85％以上的透射率。

但是，諸如金屬納米線或碳納米管的具有一定縱橫比的傳導(dǎo)性物質(zhì)分散為不連續(xù)相的狀態(tài)下，即便在油墨中均勻地分散，但在基材上進行涂層以及干燥的過程中，傳導(dǎo)性物質(zhì)之間有可能發(fā)生凝聚。在均勻度差的狀態(tài)下施加的電流無法均勻地流動，會在局部產(chǎn)生高熱，會發(fā)生不均勻發(fā)熱或者斷線的情況。

另一方面，韓國授權(quán)專利第10-1222639號公開了包含石墨烯的透明發(fā)熱體，但是所述透明發(fā)熱體同樣具有在基板上形成石墨烯的過程中均勻度差，在石墨烯上發(fā)生局部高熱的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

所要解決的技術(shù)問題

本申請旨在解決上述問題，其目的在于，提供一種包括形成有圖案的基板的透明面狀發(fā)熱體、形成有包含氣孔的保護層的透明面狀發(fā)熱體、通過串聯(lián)或并聯(lián)所述多個透明面狀發(fā)熱體而形成的透明面狀發(fā)熱體系統(tǒng)。

但是，本申請所要解決的技術(shù)問題并不局限于以上提及的技術(shù)問題，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠通過以下記載明確地理解未提及的其它技術(shù)問題。

解決技術(shù)問題的方案

本申請的第一方面提供一種透明面狀發(fā)熱體，其包括：基材；圖案層，形成在所述基材上；發(fā)熱層，形成在所述圖案層上，包含傳導(dǎo)性物質(zhì)；以及電極，連接在所述發(fā)熱層上。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述基材可以是透明的，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述基材可以包括硅基板、玻璃基板或者高分子基板，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述圖案層可以由固化樹脂形成，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述圖案層可以包含選自陰刻、陽刻以及它們的組合中的形狀，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述圖案層可以包含規(guī)則或者不規(guī)則圖案，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述圖案層可以包含間隔為約1μm至約500μm的圖案，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述傳導(dǎo)性物質(zhì)可以選自金屬氧化物、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體、金屬漿料、金屬納米粒子以及它們的組合中，但是并不局限于此。例如，所述金屬氧化物可以包括選自銦錫氧化物(indiumtinoxide,ito)、鋅錫氧化物(zinctinoxide,zto)、銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)、鋅鋁氧化物(zincaluminumoxide,zao)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide,izo)、鋅氧化物(zincoxide,zno)以及它們的組合中的金屬氧化物；所述金屬納米線可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬納米線；所述碳納米結(jié)構(gòu)體可以選自石墨烯、碳納米管、富勒烯、碳黑以及它們的組合中；所述金屬漿料可以包含選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬；所述金屬納米粒子可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述發(fā)熱層可以具有約10nm至約500nm的厚度，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，可以進一步包括形成在所述發(fā)熱層上的保護層，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述發(fā)熱層可以按照所述圖案層的圖案形狀形成，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，可以包括形成在所述保護層與按照所述圖案形狀形成的發(fā)熱層之間的氣隙，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述保護層可以具有50nm至200μm的厚度，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述保護層可以包含氣孔，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述保護層的氣孔可以具有5nm至10μm的大小，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，當通過所述電極供電時，可以在所述發(fā)熱層上產(chǎn)生熱量，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述電極可以包括透明電極，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述電極可以選自銀、金、鉑、鋁、銅、鉻、釩、鎂、鈦、錫、鉛、鈀、鎢、鎳和它們的合金、ito、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體以及它們的組合中，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述電極可以是一對以上，但是并不局限于此。

本申請的第二方面提供一種透明面狀發(fā)熱體，其包括：基材；發(fā)熱層，形成在所述基材上，包含傳導(dǎo)性物質(zhì)；電極，連接在所述發(fā)熱層上；以及保護層，形成在所述發(fā)熱層上，所述保護層包含氣孔。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述基材可以是透明的，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述基材可以包括硅基板、玻璃基板或者高分子基板，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述傳導(dǎo)性物質(zhì)可以選自金屬氧化物、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體、金屬漿料、金屬納米粒子以及它們的組合中，但是并不局限于此。例如，所述金屬氧化物可以包括選自銦錫氧化物(indiumtinoxide,ito)、鋅錫氧化物(zinctinoxide,zto)、銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)、鋅鋁氧化物(zincaluminumoxide,zao)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide,izo)、鋅氧化物(zincoxide,zno)以及它們的組合中的金屬氧化物；所述金屬納米線可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬納米線；所述碳納米結(jié)構(gòu)體可以選自石墨烯、碳納米管、富勒烯、碳黑以及它們的組合中；所述金屬漿料可以包含選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬；所述金屬納米粒子可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述發(fā)熱層可以具有約10nm至約500nm的厚度，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述保護層可以具有50nm至200μm的厚度，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述保護層的氣孔可以具有5nm至10μm的大小，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，當通過所述電極供電時，可以在所述發(fā)熱層上產(chǎn)生熱量，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述電極可以包括透明電極，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述電極可以選自銀、金、鉑、鋁、銅、鉻、釩、鎂、鈦、錫、鉛、鈀、鎢、鎳和它們的合金、ito、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體以及它們的組合中，但是并不局限于此。

根據(jù)本申請的一實施方式，所述電極可以是一對以上，但是并不局限于此。

本申請的第三方面提供一種透明面狀發(fā)熱體系統(tǒng)，其通過串聯(lián)或并聯(lián)本申請的第一方面或第二方面涉及的多個所述透明面狀發(fā)熱體而形成。

有益效果

根據(jù)本申請，在透明面狀發(fā)熱體的基材上形成圖案層，從而物理上防止在包含傳導(dǎo)性物質(zhì)的發(fā)熱層內(nèi)的傳導(dǎo)性物質(zhì)之間發(fā)生的凝聚現(xiàn)象，因此能夠提高發(fā)熱層內(nèi)傳導(dǎo)性物質(zhì)的均勻度，此外能夠提高透明面狀發(fā)熱體的發(fā)熱效率以及壽命。進而，本申請涉及的透明面狀發(fā)熱體表現(xiàn)出低電阻、高透射率特性，因此可滿足多種用途。

此外，本申請涉及的透明面狀發(fā)熱體包括形成在發(fā)熱層與保護層之間的氣隙以及所述保護層內(nèi)的氣孔，從而盡量減小在發(fā)熱層上發(fā)生的熱損失，因此能夠提升隔熱效果。

附圖說明

圖1是本申請的一實施方式涉及的透明面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)圖。

圖2是本申請的一實施方式涉及的透明面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)圖。

圖3是本申請的一實施方式涉及的透明面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)圖。

圖4是本申請的一實施方式涉及的透明面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本申請的實施方式以及實施例進行詳細說明，以使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠容易地實施。

但是本申請可以以各種不同的形式實現(xiàn)，而不限定于在此說明的實施方式以及實施例。并且，為了明確地說明本發(fā)明，圖中省略了與說明無關(guān)的部分，并且在整篇說明書中對相似的部分賦予了相似的附圖標記。

在本申請的整篇說明書中，當提及某一部分與另一部分“連接”時，不僅包括“直接連接”的情況，還包括在其中間隔著其它元件“電連接”的情況。

在本申請的整篇說明書中，當提及某一構(gòu)件位于另一構(gòu)件“之上”時，不僅包括某一構(gòu)件與另一構(gòu)件相接的情況，還包括兩個構(gòu)件之間存在又一構(gòu)件的情況。

在本申請的整篇說明書中，當提及某一部分“包括”某一構(gòu)成要素時，除非存在特別相反的記載，否則并不排除其它構(gòu)成要素，意味著還可以包括其它構(gòu)成要素。

本說明書中使用的程度術(shù)語“約”、“實質(zhì)上”等在提出固有的制造以及物質(zhì)允許誤差時，用作表示其數(shù)值或者接近其數(shù)值的含義，用于防止昧良心的侵權(quán)者不正當?shù)乩脼榱藥椭斫獗旧暾埗峒罢_或絕對的數(shù)值的公開內(nèi)容。此外，在本申請的整篇說明書中，“進行～的步驟”或者“～的步驟”并不表示“為了～的步驟”。

在本申請的整篇說明書中，馬庫什形式的表述中包含的術(shù)語“它們的組合”表示選自由馬庫什形式的表述中記載的構(gòu)成要素形成的組中的一個以上的混合或者組合，表示選自由所述構(gòu)成要素形成的組中的一種以上。

在本申請的整篇說明書中，記載“a以及/或者b”表示“a，b，或者，a以及b”。

下面，參照實施方式以及實施例、附圖，對本申請的透明面狀發(fā)熱體進行具體的說明。但是本申請并不局限于這樣的實施方式以及實施例、附圖。

本申請的第一方面提供一種透明面狀發(fā)熱體，其包括：基材100；圖案層200，形成在所述基材上；發(fā)熱層300，形成在所述圖案層上，包含傳導(dǎo)性物質(zhì)；以及電極400，連接在所述發(fā)熱層上。

圖1至圖3是本申請的一實施方式涉及的形成有圖案層200的透明面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)圖。

所述透明面狀發(fā)熱體包含基材100。

在本申請的一實施方式中，所述基材100可以是透明的。所述基材100可以包括通?？墒褂玫幕?，例如，硅基板、玻璃基板或者高分子基板，但是并不局限于此。

例如，所述硅基板可以包含單晶硅基板或者多晶硅(p-si)基板；例如，所述玻璃基板可以包含硅酸堿玻璃、無堿玻璃或者石英玻璃；例如，所述高分子基板可以包含聚酰亞胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯或者聚氨酯，但是并不局限于此。

所述基材100上形成有圖案層200。

所述圖案層200包含圖案，該圖案包含凹陷部以及凸出部的凹凸形狀，例如，所述圖案的形狀可以是選自陰刻、陽刻以及它們的組合中的形狀，但是并不局限于此。此外，所述圖案可以包括具有規(guī)則排列的規(guī)則圖案或者具有不規(guī)則排列的不規(guī)則圖案，但是并不局限于此。

形成在所述圖案層200上的發(fā)熱層300中所包含的傳導(dǎo)性物質(zhì)均勻地分散于與所述圖案對應(yīng)的所述發(fā)熱層300中，從而能夠物理上防止所述傳導(dǎo)性物質(zhì)凝聚，由此提高包含在所述發(fā)熱層300中的傳導(dǎo)性物質(zhì)的均勻度。由于傳導(dǎo)性物質(zhì)均勻地分散于所述發(fā)熱層300中，對所述發(fā)熱層300施加的電流能夠在整個所述發(fā)熱層300中均勻地流動，由此能夠提高透明面狀發(fā)熱體的發(fā)熱效率以及發(fā)熱壽命。

在本申請的一實施方式中，所述圖案層200可以通過對所述基材100直接形成圖案而形成，或者，由形成在所述基材100上的固化樹脂形成。只要能夠通過熱或者紫外線(uv)等光照射形成圖案，所述固化樹脂就沒有限制。

例如，能夠通過熱形成圖案的熱固化樹脂可以選自1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、多元醇聚(甲基)丙烯酸酯、將多元醇、多元羧酸及其酸酐與丙烯酸進行酯化而能夠得到的聚酯(甲基)丙烯酸酯、雙酚a-二縮水甘油醚的二(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷聚丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、甘油三甲基丙烯酸酯、含氟環(huán)氧丙烯酸酯、含氟烷氧基硅烷、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯、3-(全氟辛基)-2-羥丙基丙烯酸脂、3-(全氟-9-甲基癸基)-1,2-環(huán)氧丙烷、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸三氟丙酯、2-(三氟甲基)丙烯酸、2-(三氟甲基)丙烯酸甲酯以及它們的組合中，但是并不局限于此。

例如，能夠通過uv等光照射形成圖案的光固化樹脂可以選自聚酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、有機硅丙烯酸酯、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂、縮水甘油醚環(huán)氧樹脂、環(huán)氧丙烯酸酯、乙烯醚以及它們的組合中，但是并不局限于此。

在本申請的一實施方式中，所述圖案層可以包括約1μm至約500μm的間隔，但是并不局限于此。例如，所述圖案的間隔可以是約10μm至約400μm、約50μm至約300μm、約100μm至約200μm、約1μm至約400μm、約1μm至約300μm、約1μm至約200μm、約1μm至約100μm、約1μm至約50μm、約1μm至約30μm、約1μm至約20μm、約1μm至約10μm、約10μm至約500μm、約50μm至約500μm、約100μm至約500μm、約200μm至約500μm、約300μm至約500μm、約400μm至約500μm、約100μm至約400μm、約200μm至約300μm，但是并不局限于此。當所述圖案的間隔超過約500μm時，透射率差，散射光/透射光的比值即霧度(hz)高，而當所述圖案的間隔小于約1μm時，傳導(dǎo)性物質(zhì)分散不均勻，因而無法發(fā)揮本發(fā)明的效果。

所述發(fā)熱層300包含傳導(dǎo)性物質(zhì)。

所述傳導(dǎo)性物質(zhì)可以使用能夠采用低價工藝的能夠?qū)崿F(xiàn)油墨化的物質(zhì)，但是并不局限于此?？梢詫鰝鲗?dǎo)性物質(zhì)的溶液涂布于所述圖案層200上，從而形成薄膜或薄片狀的所述發(fā)熱層300。

參照圖1進行說明，在通過涂布包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液而形成的發(fā)熱層300中，所述發(fā)熱層300的一表面可以按照圖案形狀形成在圖案層200上，另一表面可以形成為沒有圖案的平坦形狀。

在本申請的一實施方式中，所述發(fā)熱層300可以包括按照上述圖案層200的圖案形成的，但是并不局限于此?？梢詫鰝鲗?dǎo)性物質(zhì)的物質(zhì)沉積于所述圖案層200上，從而按照圖案形狀形成薄膜或薄片狀的所述發(fā)熱層300。

參照圖2以及圖3進行說明，在通過沉積包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的物質(zhì)來形成的發(fā)熱層300中，所述發(fā)熱層300的兩個表面可以按照圖案形狀形成在圖案層200上。

所述發(fā)熱層300包括圖案，所述圖案包括凹陷部以及凸出部的凹凸形狀，例如，所述圖案的形狀可以選自陰刻、陽刻以及它們的組合中的形狀，但是并不局限于此。此外，所述圖案可以包括具有規(guī)則排列的規(guī)則圖案或者具有不規(guī)則排列的不規(guī)則圖案，但是并不局限于此。

包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液或物質(zhì)的涂布或者沉積，可以通過本領(lǐng)域公知的各種方法進行。例如，所述方法可以采用噴涂、棒式涂布、浸漬涂布、旋涂、擠壓式涂布、簾式涂布、凹印涂布、反向凹印涂布、輥涂或者浸漬法，但是并不局限于此。

包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液是在水、酒精等溶劑中分散有固含量為約0.1重量％至約1.5重量％的所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液。固含量少于約0.1重量％的溶液有可能在涂布后無法在傳導(dǎo)性物質(zhì)之間形成充分的網(wǎng)絡(luò)，因而無法得到表面電阻，而超過約1.5重量％的溶液在溶液中大量發(fā)生傳導(dǎo)性物質(zhì)的聚集(aggregation)現(xiàn)象，使得在涂布后也仍有聚集，從而有可能影響光學(xué)物理性質(zhì)，并且由于粘度上升，有可能無法有效地形成圖案。

在本申請的一實施方式中，所述傳導(dǎo)性物質(zhì)可以選自金屬氧化物、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體、金屬漿料、金屬納米粒子以及它們的組合中，但是并不局限于此。

例如，所述金屬氧化物可以包括選自銦錫氧化物(indiumtinoxide,ito)、鋅錫氧化物(zinctinoxide,zto)、銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)、鋅鋁氧化物(zincaluminumoxide,zao)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide,izo)、鋅氧化物(zincoxide,zno)以及它們的組合中的金屬氧化物，但是并不局限于此?？梢詫鼋饘傺趸锏娜芤夯蛘呶镔|(zhì)涂布或沉積在所述圖案層200上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

例如，所述金屬納米線可以包括選自銀、金、鉑、銅、鋁、鈦以及它們的組合中的金屬納米線，但是并不局限于此。銀納米線具有優(yōu)秀的透明性以及傳導(dǎo)性，當向包含銀納米線的薄膜施加電壓時，發(fā)熱效率優(yōu)秀?？梢詫鼋饘偌{米線的溶液或者物質(zhì)涂布或沉積在所述圖案層200上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

例如，所述碳納米結(jié)構(gòu)體可以選自石墨烯、碳納米管、富勒烯、碳黑以及它們的組合中，但是并不局限于此?？梢詫鎏技{米結(jié)構(gòu)體的溶液或者物質(zhì)涂布或沉積在所述圖案層200上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

例如，所述金屬漿料或者所述金屬納米粒子可以是選自銀、金、鉑、銅、鋁、鈦以及它們的組合中的金屬的漿料或者金屬的納米粒子，但是并不局限于此?？梢詫⑺鼋饘贊{料涂布或沉積在所述圖案層200上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300?？梢詫鼋饘偌{米粒子的溶液或者物質(zhì)涂布或沉積在所述圖案層200上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

在本申請的一實施方式中，所述發(fā)熱層300可以具有約10nm至約500nm的厚度，但是并不局限于此。例如，所述發(fā)熱層300的厚度可以是約10nm至約400nm，約50nm至約300nm，約100nm至約200nm，約10nm至約300nm，約10nm至約200nm，約10nm至約100nm，約10nm至約50nm，約10nm至約30nm，約10nm至約20nm，約10nm至約500nm，約50nm至約500nm，約100nm至約500nm，約200nm至約500nm，約300nm至約500nm，約400nm至約500nm，約100nm至約400nm或者約200nm至約300nm，但是并不局限于此。當所述厚度超過500nm時，電阻降低但是透射率變差，諸如霧度(hz)以及黃色指數(shù)(yellowindex，yi)的光特性提高，而當所述厚度小于10nm時，會具有高電阻值。優(yōu)選地，所述厚度為約30nm至約300nm。

在本申請的一實施方式中，本申請涉及的透明面狀發(fā)熱體可以進一步包括保護層500，所述保護層500形成在所述發(fā)熱層300上，用于保護所述發(fā)熱層300。例如，所述保護層500可以是透明高分子樹脂，可以是薄膜或薄片狀，但是并不局限于此。

例如，所述透明面狀發(fā)熱體可以包括，在通過涂布包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液而形成的發(fā)熱層300上所形成的保護層(未圖示)，或者在通過沉積包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的物質(zhì)而形成的發(fā)熱層300上所形成的保護層500。

在本申請的一實施方式中，如圖3所示，所述透明面狀發(fā)熱體可以進一步包括氣隙(airgap)600，所述氣隙600形成在所述保護層500與按照所述圖案形狀形成的發(fā)熱層300之間。

在本申請的一實施方式中，當通過所述電極400供電時，在所述發(fā)熱層300上產(chǎn)生熱量。通過形成在所述保護層500與按照所述圖案形狀形成的發(fā)熱層300之間的氣隙600，盡量減小在所述發(fā)熱層300上發(fā)生的熱損失，因此能夠提高隔熱效果。

在本申請的一實施方式中，所述保護層500可以包括氣孔(未圖示)。所述氣孔可以形成在所述保護層500的內(nèi)部，由于所述保護層內(nèi)的氣孔，空氣被陷于微細氣孔內(nèi)部，被陷于微細氣孔中的空氣被抑制對流，從而盡量減小在所述發(fā)熱層300上發(fā)生的熱損失，因此能夠提高隔熱效果。

在本申請的一實施方式中，所述保護層500可以具有約50nm至約300nm的厚度或者約50nm至約200μm的厚度，但是并不局限于此。例如，所述保護層500的厚度可以是約70nm至約200μm，約100nm至約200μm，約200nm至約200μm，約300nm至約200μm，約400nm至約200μm，約500nm至約200μm，約750nm至約200μm，約1μm至約200μm，約10μm至約200μm，約100μm至約200μm，約150μm至約200μm，約50nm至約150μm，約50nm至約100μm，約50nm至約10μm，約50nm至約1μm，約50nm至約800nm，約50nm至約600nm，約50nm至約400nm，約50nm至約200nm，約50nm至約100nm，約70nm至約150μm，約100nm至約100μm，約500nm至約50μm或者約1μm至約10μm，但是并不局限于此。當所述厚度小于50nm時，保護所述發(fā)熱層的能力變差或者可靠性上出現(xiàn)問題。優(yōu)選地，所述厚度為約100nm至約200nm。

在本申請的一實施方式中，所述保護層的氣孔可以具有約5nm至約10μm的大小，但是并不局限于此。例如，所述保護層的氣孔的大小可以是約5nm至約10μm，約10nm至約10μm，約50nm至約10μm，約100nm至約10μm，約500nm至約10μm，約1μm至約10μm，約5μm至大約10μm，約5nm至約5μm，約10nm至約1μm，約50nm至約900nm，約100nm至約800nm，約200nm至約700nm，約300nm至約600nm或者約400nm至約500nm，但是并不局限于此。更優(yōu)選地，當氣孔的大小與光的波長近似時，涂覆層會變得不透明，因此具有遠小于光的波長的數(shù)百納米以下大小的氣孔。

在本申請的一實施方式中，包含所述氣孔的保護層500可以具有約20％至約70％的氣孔率，但是并不局限于此。例如，所述氣孔率可以是約20％至約70％，約30％至約70％，約40％至約70％，約50％至約70％，約60％至約70％，約20％至約60％，約20％至約50％，約20％至約40％或者約20％至約30％，但是并不局限于此。當所述保護層的氣孔率小于約20％時，隔熱效果有可能變差，當所述保護層的氣孔率大于約70％時，保護層有可能變得不透明，降低透明面狀發(fā)熱體的光學(xué)特性。

在本申請的一實施方式中，當通過所述電極400供電時，在所述發(fā)熱層300上產(chǎn)生熱量。

在本申請的一實施方式中，對于所述電極400，只要是具有導(dǎo)電性的材料，就沒有特別的限制，可以是透明的，但是并不局限于此，例如，所述電極可以選自銀、金、鉑、鋁、銅、鉻、釩、鎂、鈦、錫、鉛、鈀、鎢、鎳和它們的合金、ito、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體以及它們的組合中，但是并不局限于此。例如，所述金屬納米線可以包括選自銀、金、鉑、銅、鋁、鈦以及它們的組合中的金屬納米線，但是并不局限于此。例如，所述碳納米結(jié)構(gòu)體可以包括選自石墨烯、碳納米管、富勒烯、碳黑以及它們的組合中的碳納米結(jié)構(gòu)體，但是并不局限于此。

在本申請的一實施方式中，所述電極400可以形成在所述發(fā)熱層300或者所述保護層500上，但是并不局限于此。所述電極400可以是一對以上。所述電極400可以通過各種濕法涂層以及干法涂層工藝形成。例如，可以通過凹版印刷、柔版印刷、comma印刷、狹縫涂布、噴涂、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷、覆膜、剝離(liftoff)法、濺鍍、離子電鍍、化學(xué)氣相沉積、等離子化學(xué)氣相沉積、熱沉積、激光分子束沉積、脈沖激光沉積或者原子層沉積法來形成，但是并不局限于此。

本申請的第二方面提供一種透明面狀發(fā)熱體，其包括：基材100；發(fā)熱層300，形成在基材上，包含傳導(dǎo)性物質(zhì)；電極400，連接在所述發(fā)熱層上；以及保護層500，形成在所述發(fā)熱層300上，所述保護層包含氣孔700。

圖4是本申請的一實施方式涉及的形成有包含氣孔700的保護層500的透明面狀發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)圖。

所述透明面狀發(fā)熱體包含基材100。

在本申請的一實施方式中，所述基材100可以是透明的。所述基材100可以包括通?？墒褂玫幕模?，硅基板、玻璃基板或者高分子基板，但是并不局限于此。

例如，所述硅基板可以包含單晶硅基板或者多晶硅(p-si)基板；例如，所述玻璃基板可以包含硅酸堿玻璃、無堿玻璃或者石英玻璃；例如，所述高分子基板可以包含聚酰亞胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯或者聚氨酯，但是并不局限于此。

所述基材100上形成有發(fā)熱層300。

形成在所述基材100上的發(fā)熱層300中所包含的傳導(dǎo)性物質(zhì)均勻地分散，從而能夠物理上防止所述傳導(dǎo)性物質(zhì)凝聚，由此提高包含在所述發(fā)熱層300中的傳導(dǎo)性物質(zhì)的均勻度。由于傳導(dǎo)性物質(zhì)均勻地分散在所述發(fā)熱層300中，對所述發(fā)熱層300施加的電流能夠在整個所述發(fā)熱層300中均勻地流動，由此能夠提高透明面狀發(fā)熱體的發(fā)熱效率以及發(fā)熱壽命。

所述發(fā)熱層300包含傳導(dǎo)性物質(zhì)。

在本申請的一實施方式中，所述傳導(dǎo)性物質(zhì)可以使用能夠采用低價工藝的能夠?qū)崿F(xiàn)油墨化的物質(zhì)，但是并不局限于此。可以將包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液或者物質(zhì)涂布于所述基材100上，從而形成薄膜或薄片狀的所述發(fā)熱層300。

在本申請的一實施方式中，包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液或物質(zhì)的涂布或者沉積，可以通過本領(lǐng)域公知的各種方法進行。例如，可以采用噴涂、棒式涂布、浸漬涂布、旋涂、擠壓式涂布、簾式涂布、凹印涂布、反向凹印涂布、輥涂或者浸漬法，但是并不局限于此。

包含所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液是在水、酒精等溶劑中分散有固含量為約0.1重量％至約1.5重量％的所述傳導(dǎo)性物質(zhì)的溶液。固含量少于約0.1重量％的溶液有可能在涂層后無法在傳導(dǎo)性物質(zhì)之間形成充分的網(wǎng)絡(luò)，因而無法得到表面電阻，而超過約1.5重量％的溶液有可能大量發(fā)生溶液內(nèi)傳導(dǎo)性物質(zhì)的聚集(aggregation)現(xiàn)象，使得在涂層后也仍有聚集，從而影響光學(xué)物理性質(zhì)，并且由于粘度上升，有可能無法有效地形成圖案。

在本申請的一實施方式中，所述傳導(dǎo)性物質(zhì)可以選自金屬氧化物、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體、金屬漿料、金屬納米粒子以及它們的組合中，但是并不局限于此。

例如，所述金屬氧化物可以包括選自銦錫氧化物(indiumtinoxide,ito)、鋅錫氧化物(zinctinoxide,zto)、銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)、鋅鋁氧化物(zincaluminumoxide,zao)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide,izo)、鋅氧化物(zincoxide,zno)以及它們的組合中的金屬氧化物，但是并不局限于此?？梢詫鼋饘傺趸锏娜芤夯蛘呶镔|(zhì)涂布或沉積在所述基材100上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

例如，所述金屬納米線可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬納米線，但是并不局限于此。銀納米線具有優(yōu)秀的透明性以及傳導(dǎo)性，當向包含銀納米線的薄膜施加電壓時，發(fā)熱效率優(yōu)秀?？梢詫鼋饘偌{米線的溶液或者物質(zhì)涂布或沉積在所述基材100上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

例如，所述碳納米結(jié)構(gòu)體可以選自石墨烯、碳納米管、富勒烯、碳黑以及它們的組合中，但是并不局限于此?？梢詫鎏技{米結(jié)構(gòu)體的溶液或者物質(zhì)涂布或沉積在所述基材100上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

例如，所述金屬漿料或者所述金屬納米粒子可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬的漿料或者金屬的納米粒子，但是并不局限于此?？梢詫⑺鼋饘贊{料涂布或沉積在所述基材100上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300?？梢詫鼋饘偌{米粒子的溶液或者物質(zhì)涂布或沉積在所述基材100上，從而形成薄膜或薄片狀的發(fā)熱層300。

在本申請的一實施方式中，所述發(fā)熱層300可以具有約10nm至約500nm的厚度，但是并不局限于此。例如，所述發(fā)熱層300的厚度可以是約10nm至約400nm，約50nm至約300nm，約100nm至約200nm，約10nm至約300nm，約10nm至約200nm，約10nm至約100nm，約10nm至約50nm，約10nm至約30nm，約10nm至約20nm，約10nm至約500nm，約50nm至約500nm，約100nm至約500nm，約200nm至約500nm，約300nm至約500nm，約400nm至約500nm，約100nm至約400nm或者約200nm至約300nm，但是并不局限于此。當所述厚度超過500nm時，電阻降低但是透射率變差，諸如霧度(hz)以及黃色指數(shù)(yellowindex，yi)的光特性提高，而當所述厚度小于10nm時，具有高電阻值。優(yōu)選地，所述厚度為約30nm至約300nm。

在本申請的一實施方式中，所述透明面狀發(fā)熱體可以進一步包括保護層500，所述保護層500形成在所述發(fā)熱層300上，用于保護所述發(fā)熱層300，并且所述保護層500包含氣孔700。例如，所述保護層500可以是透明高分子樹脂，可以是薄膜或薄片狀，但是并不局限于此。

在本申請的一實施方式中，所述保護層500包括氣孔700。所述氣孔700可以形成在所述保護層500的內(nèi)部，由于所述保護層內(nèi)的氣孔700，空氣被陷于微細氣孔內(nèi)部，被陷于微細氣孔中的空氣被抑制對流，從而盡量減小在所述發(fā)熱層300上發(fā)生的熱損失，因此能夠提高隔熱效果。

在本申請的一實施方式中，所述保護層500可以具有約50nm至約200μm的厚度，但是并不局限于此。例如，所述保護層500的厚度可以是約70nm至約200μm，約100nm至約200μm，約200nm至約200μm，約300nm至約200μm，約400nm至約200μm，約500nm至約200μm，約750nm至約200μm，約1μm至約200μm，約10μm至約200μm，約100μm至約200μm，約150μm至約200μm，約50nm至約150μm，約50nm至約100μm，約50nm至約10μm，約50nm至約1μm，約50nm至約800nm，約50nm至約600nm，約50nm至約400nm，約50nm至約200nm，約50nm至約100nm，約70nm至約150μm，約100nm至約100μm，約500nm至約50μm或者約1μm至約10μm，但是并不局限于此。當所述保護層500的厚度小于50nm時，保護所述發(fā)熱層的能力變差或者可靠性上出現(xiàn)問題。優(yōu)選地，所述厚度為約100nm至約200nm。

在本申請的一實施方式中，所述保護層的氣孔700可以具有約5nm至約10μm的大小，但是并不局限于此。例如，所述保護層的氣孔700的大小可以是約5nm至約10μm，約10nm至約10μm，約50nm至約10μm，約100nm至約10μm，約500nm至約10μm，約1μm至約10μm，約5μm至約10μm，約5nm至約5μm，約10nm至約1μm，約50nm至約900nm，約100nm至約800nm，約200nm至約700nm，約300nm至約600nm或者約400nm至約500nm，但是并不局限于此。更優(yōu)選地，當氣孔的大小與光的波長近似時，涂覆層會變得不透明，因此具有遠小于光的波長的數(shù)百納米以下大小的氣孔。

在本申請的一實施方式中，包含所述氣孔的保護層500可以具有約20％至約70％的氣孔率，但是并不局限于此。例如，所述氣孔率可以是約20％至約70％，約30％至約70％，約40％至約70％，約50％至約70％，約60％至約70％，約20％至約60％，約20％至約50％，約20％至約40％或者約20％至約30％，但是并不局限于此。當所述保護層的氣孔率小于約20％時，隔熱效果有可能變差，當所述保護層的氣孔率大于約70％時，保護層有可能變得不透明，降低透明面狀發(fā)熱體的光學(xué)特性。

在本申請的一實施方式中，當通過所述電極400供電時，在所述發(fā)熱層300上產(chǎn)生熱量。

在本申請的一實施方式中，所述電極400可以形成在所述發(fā)熱層300或者所述保護層500上，但是并不局限于此。所述電極400可以是一對以上。所述電極400可以通過各種濕法涂層以及干法涂層工藝形成。例如，可以通過凹版印刷、柔版印刷、comma印刷、狹縫涂布、噴涂、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷、覆膜、剝離(liftoff)法、濺鍍、離子電鍍、化學(xué)氣相沉積、等離子化學(xué)氣相沉積、熱沉積、激光分子束沉積、脈沖激光沉積或者原子層沉積法來形成，但是并不局限于此。

在本申請的一實施方式中，對于所述電極400，只要是具有導(dǎo)電性的材料，就沒有特別的限制，可以是透明的，但是并不局限于此，例如，所述電極可以選自銀、金、鉑、鋁、銅、鉻、釩、鎂、鈦、錫、鉛、鈀、鎢、鎳和它們的合金、銦錫氧化物(ito)、金屬納米線、碳納米結(jié)構(gòu)體以及它們的組合中，但是并不局限于此。例如，所述金屬納米線可以包括選自銀、金、鉑、銅、鎳、鋁、鈦、鈀、鈷、鎘、銠以及它們的組合中的金屬納米線，但是并不局限于此。例如，所述碳納米結(jié)構(gòu)體可以選自石墨烯、碳納米管、富勒烯、碳黑以及它們的組合中，但是并不局限于此。

本發(fā)明的第三方面提供一種透明面狀發(fā)熱體系統(tǒng)，其將本申請的第一方面或者第二方面涉及的多個透明面狀發(fā)熱體串聯(lián)或并聯(lián)而成。

對于上述本申請的第一方面或者第二方面涉及的透明面狀發(fā)熱體的相關(guān)描述內(nèi)容可以全部適用于本申請的第三方面涉及的透明面狀發(fā)熱體系統(tǒng)中，并且省略了對于重復(fù)的部分的詳細說明，但是即便省略了其詳細說明，也可以同樣地適用于其中。

發(fā)明的實施方式

下面，參照實施例對本發(fā)明進行更加詳細的說明，但是下述的實施例的目的只是用于說明，而非旨在限定本申請的范圍。

[實施例]

[實施例1]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陰刻的格子紋的寬10μm、高10μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[實施例2]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陽刻的格子紋的寬10μm、高10μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[實施例3]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陰刻的不規(guī)則的寬10μm、高10μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[實施例4]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陰刻的格子紋的寬100μm、高100μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[實施例5]

對碳納米管(cnt)分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陰刻的格子紋的寬10μm、高10μm的圖案，然后將分散的cnt溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得cnt膜。

接著，在所述cnt膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含cnt膜以及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[比較例1]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備沒有圖案的pet基板，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[實驗例1]

利用低電阻計(loresta-gpmcp-t610(三菱化學(xué)株式會社))，對在所述實施例1至5以及比較例1中制得的發(fā)熱體進行了9個點的表面電阻測定，以測定表面電阻平均值(rs；ω/口)。然后利用標準偏差值，計算出表面電阻的均勻度(rs均勻度；％)。

[實驗例2]

利用uv分光計(日本電色工業(yè)株式會社，ndh2000)，對在所述實施例1至5以及比較例1中制得的發(fā)熱體測定了可視光線的透射率(％)以及霧度(hz；％)。

[實驗例3]

為了評價發(fā)熱特性，以12v的施加電壓為基準，對在所述實施例1至5以及比較例1中制得的發(fā)熱體測定了發(fā)熱溫度(℃)。

[實驗例4]

為了評價發(fā)熱壽命，以12v的施加電壓為基準，對在所述實施例1至5以及比較例1中制得的發(fā)熱體進行了接通-斷開試驗。這是以達到最終溫度的時間為基準，重復(fù)3分鐘接通、2分鐘斷開，測定了直到斷路的次數(shù)。

將所述實驗例1至4的結(jié)果顯示在下面的表1中。

[表1]

可從上面的表1確認，當如實施例1至5那樣使用形成有圖案的基材時，與使用未形成圖案的基材時(比較例1)相比，電阻均勻度rs大幅上升，由此提高了發(fā)熱特性，并且大幅增加了直到斷路的次數(shù)(接通/斷開)。

[實施例6]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陰刻的格子紋的寬10μm、高10μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

接著，在所形成的透明發(fā)熱體的上端層疊了保護膜。

[實施例7]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陽刻的格子紋的寬10μm，高10μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

接著，在所形成的透明發(fā)熱體的上端層疊了保護膜。

[實施例8]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。準備pet基板，所述pet基板具有陰刻的不規(guī)則的寬10μm，高10μm的圖案，然后將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜以及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

接著，在所形成的透明發(fā)熱體的上端層疊了保護膜。

[實施例9]

利用與實施例6相同的基材以及相同的方法，獲得透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

接著，在所形成的透明發(fā)熱體的上端層疊了保護層，所述保護層具有數(shù)百nm的氣孔。

[比較例2]

利用與實施例6相同的基材以及相同的方法，獲得透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成了電極。

[實驗例5]

對于在所述實施例6至9以及比較例2中制得的發(fā)熱體，在層疊多孔性薄膜之前，利用低電阻計(loresta-gpmcp-t610(三菱化學(xué)株式會社))進行了9個點的表面電阻測定，以測定表面電阻平均值(rs；ω/口)。然后利用標準偏差值，計算出表面電阻的均勻度(rs均勻度；％)。

[實驗例6]

利用uv分光計(日本電色工業(yè)株式會社，ndh2000)對在所述實施例6至9以及比較例2中制得的發(fā)熱體測定了可視光線的透射率(％)以及霧度(hz；％)。

[實驗例7]

為了評價發(fā)熱特性，以12v的施加電壓為基準，對在所述實施例6至9以及比較例2中制得的發(fā)熱體測定了δt(℃)(發(fā)熱溫度-等待溫度)。

將所述實驗例5至7的結(jié)果顯示在下面的表2中。

[表2]

可從上面的表2確認，如實施例6至9中那樣存在具有氣隙以及氣孔的保護層的發(fā)熱體在相同的電壓下表現(xiàn)出更高的發(fā)熱特性。

[實施例10]

對銀納米線分散于水中的溶液進行了30分鐘的攪拌。在pet基板上，將分散的銀納米線溶液進行棒式涂布(barcoating)。在80℃的烘箱中，對濕法(wet)涂布銀納米線的基板進行了2分鐘的干燥，從而獲得銀納米線膜。

接著，在所述銀納米線膜上，將1.0重量％的保護涂層溶液進行棒式涂布。然后，在100℃下進行干燥后，在uv固化機中以300mj進行了處理，以形成高分子膜，從而制得在基板上包含銀納米線膜及保護涂層的透明傳導(dǎo)性薄膜。

接著，通過絲網(wǎng)印刷，在薄膜的兩端形成電極，從而制造了透明發(fā)熱體。

接著，為了制造氣孔薄膜，準備溶液，該溶液將按6:4混合的乙醇和丙酮作為溶劑。此外，采用teos(tetraethoxysilane，四乙氧基硅烷)作氧化硅前驅(qū)體，采用鹽酸作催化劑，采用ctab(cetyltrimethylammoniumbromide，十六烷基三甲基溴化銨)作表面活性劑，并且還使用了蒸餾水(di-water)。此外，所述teos、乙醇、蒸餾水、鹽酸以及ctab的摩爾比如下。

teos：乙醇：蒸餾水：鹽酸：ctab＝1:20:5:0.005:0.03

混合乙醇和丙酮之后，添加蒸餾水和鹽酸，接著在70℃下添加預(yù)先熔融的ctab，攪拌2小時。向所述攪拌的溶液加入teos，在常溫下攪拌30分鐘后，旋涂于玻璃基板上。此時，旋轉(zhuǎn)速度為3000rpm，實施了30秒鐘。使上述涂布而成的薄膜在常溫下蒸發(fā)溶劑1天，接著在150℃下進行熱處理，以分解表面活性劑，從而制得具有多個氣孔的、氣孔率30％的多孔性薄膜。

接著，在形成有電極的發(fā)熱體的上端層疊了上述制造的多孔性保護薄膜。

[實施例11]

通過與所述實施例10相同的方法制造了透明發(fā)熱體，按照下述的摩爾比制造了多孔性薄膜。

teos：乙醇：蒸餾水：鹽酸：ctab＝1:20:5:0.005:0.05

制得了氣孔率約為40％的多孔性薄膜。

接著，在形成有電極的發(fā)熱體的上端層疊了上述制造的多孔性保護薄膜。

[實施例12]

通過與所述實施例10相同的方法制造了透明發(fā)熱體，按照下述的摩爾比制造了多孔性薄膜。

teos：乙醇：蒸餾水：鹽酸：ctab＝1:20:5:0.005:0.07

制得了氣孔率約為50％的多孔性薄膜。

接著，在形成有電極的發(fā)熱體的上端層疊了所制造的多孔性保護薄膜。

[比較例3]

通過與所述實施例10相同的方法制造了透明發(fā)熱體，但是未層疊多孔性保護膜。

[實驗例8]

對于在所述實施例10至12以及比較例3中制得的透明發(fā)熱體，在層疊多孔性薄膜之前，利用低電阻計(loresta-gpmcp-t610(三菱化學(xué)株式會社))進行了9個點的表面電阻測定，以測定表面電阻平均值(rs；ω/口)。然后利用標準偏差值，計算出表面電阻的均勻度(rs均勻度；％)。

[實驗例9]

利用uv分光計(日本電色工業(yè)株式會社，ndh2000)對在所述實施例10至12以及比較例3中制得的發(fā)熱體測定了可視光線的透射率(％)以及霧度(hz；％)。

[實驗例10]

為了評價發(fā)熱特性，以12v的施加電壓為基準，對在所述實施例10至12以及比較例3中制得的發(fā)熱體測定了δt(℃)(發(fā)熱溫度-等待溫度)。

將所述實驗例8至10的結(jié)果顯示在下面的表3中。

[表3]

可從上面的表3確認，如實施例10至12中那樣存在具有氣孔的保護層的發(fā)熱體在相同的電壓下表現(xiàn)出更高的發(fā)熱特性。

如上，通過實施方式以及實施例對本申請進行了詳細說明，但是本申請并不局限于上述的實施方式以及實施例，而是可以變形為各種形式，顯然，在本申請的技術(shù)思想之內(nèi)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠進行各種變形。

上述的本申請的說明是用于例示，本申請所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，能夠在不變更本申請的技術(shù)思想以及必要特征的情況下容易地變形為其它具體的形式。因此，應(yīng)理解為，以上描述的實施例在所有方面僅為例示，而非旨在限定。例如，說明為單一型的各構(gòu)成要素也可以分散實施，同樣，說明為分散型的構(gòu)成要素也可以實施成結(jié)合形式。

比起上述的詳細說明，本申請的范圍由權(quán)利要求書來體現(xiàn)，應(yīng)解釋為，權(quán)利要求書的含義和范圍、由其等同概念導(dǎo)出的所有變更或者變形的形式包含在本申請的范圍之內(nèi)。