本申請(qǐng)要求2015年7月13日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0099380的韓國(guó)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其通過引用全部合并于此，如同全部地闡述。

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施例總體而言涉及一種半導(dǎo)體集成電路，并且更具體而言，涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置可以通過將信號(hào)傳送至外部裝置或者從外部裝置接收信號(hào)，而利用外部裝置來操作。

半導(dǎo)體裝置可以包括傳送電路和接收電路，傳送電路用于將信號(hào)傳送至外部裝置，接收電路用于從外部裝置接收信號(hào)。

半導(dǎo)體裝置可以利用傳送焊盤來將信號(hào)傳送至外部裝置，以及利用接收焊盤從外部裝置接收信號(hào)。半導(dǎo)體裝置可以經(jīng)由一個(gè)焊盤來將信號(hào)傳送至外部裝置和從外部裝置接收信號(hào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置可以包括：傳送電路、接收電路以及焊盤。焊盤可以與傳送電路和接收電路共同耦接。當(dāng)傳送電路和接收電路中的一個(gè)被激活時(shí)，在與傳送電路、接收電路以及焊盤耦接的線中，寄生電容可以改變。

根據(jù)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置可以包括與焊盤共同耦接的傳送電路和接收電路。該半導(dǎo)體裝置可以包括傳送控制電路，其被配置成當(dāng)傳送電路和接收電路中的一個(gè)被激活時(shí)產(chǎn)生體控制信號(hào)。該半導(dǎo)體裝置可以包括體控制電路，其被配置成響應(yīng)于體控制信號(hào)而產(chǎn)生第一體電壓和第二體電壓。第一體電壓和第二體電壓可以被提供至傳送電路。

附圖說明

圖1為說明根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示例表示的配置圖。

圖2為說明圖1中的傳送控制電路的示例表示的配置圖。

圖3為說明根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示例表示的截面圖。

圖4說明了利用根據(jù)以上結(jié)合圖1至圖3所討論的各種示例的半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的表示示例的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將在下面參照附圖來描述實(shí)施例的各種示例。本文參照截面圖來描述實(shí)施例的各種示例，截面圖是實(shí)施例的示例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。照此，將預(yù)料到由例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的圖示的形狀的變化。因而，實(shí)施例的各種示例不應(yīng)被解釋為局限于本文所說明的區(qū)域的特定形狀，而是可以包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。在附圖中，為了清楚起見可能夸大層和區(qū)域的長(zhǎng)度和尺寸。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。還理解的是，當(dāng)層被稱作“在”另一層或襯底“上”時(shí)，其可以直接在所述另一層或襯底上，或者也可以存在中間層。

本文中參照截面和/或平面圖所描述的概念是實(shí)施例的示例的示意性說明。然而，實(shí)施例的這些示例不應(yīng)當(dāng)被限制。盡管將說明和描述若干實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本公開的原理和精神的情況下，可以對(duì)實(shí)施例的這些示例進(jìn)行改變。

參見圖1，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可以包括；傳送電路100、接收電路200、傳送控制電路300和體控制電路400。

傳送電路100可以接收第一信號(hào)Signal_A，以及將接收到的第一信號(hào)Signal_A輸出至公共節(jié)點(diǎn)Node_com。

傳送電路100可以包括上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110和驅(qū)動(dòng)器120。

上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以接收第一信號(hào)Signal_A和傳送使能信號(hào)T_en，以及響應(yīng)于第一信號(hào)Signal_A和傳送使能信號(hào)T_en來產(chǎn)生上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD。例如，上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以在傳送使能信號(hào)T_en被使能時(shí)，響應(yīng)于第一信號(hào)Signal_A來產(chǎn)生上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD。在這個(gè)示例中，上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以在第一信號(hào)Signal_A的電壓電平為第一預(yù)設(shè)電平時(shí)，將上拉信號(hào)PU使能，以及將下拉信號(hào)PD禁止。上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以在第一信號(hào)Signal_A的電壓電平為第二預(yù)設(shè)電平時(shí)，將上拉信號(hào)PU禁止，以及將下拉信號(hào)PD使能。上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以在傳送使能信號(hào)T_en被禁止時(shí)，將上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD禁止。

驅(qū)動(dòng)器120可以響應(yīng)于上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD來驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)Node_com。

驅(qū)動(dòng)器120可以包括第一晶體管P1和第二晶體管N1。在第一晶體管P1中，上拉信號(hào)PU可以被輸入至柵極，外部電壓VDDQ可以被輸入至源極，以及第一體電壓P_bulk可以被輸入至體偏置輸入端子。在第二晶體管N1中，下拉信號(hào)PD可以被輸入至柵極，漏極可以與第一晶體管P1的漏極耦接，接地電壓VSS可以被輸入至源極，以及第二體電壓N_bulk可以被輸入至體偏置輸入端子。第一晶體管P1和第二晶體管P2耦接的節(jié)點(diǎn)，即驅(qū)動(dòng)器120的輸出端子可以與公共節(jié)點(diǎn)Node_com耦接，以及公共節(jié)點(diǎn)Node_com可以與焊盤PAD耦接。焊盤PAD可以被配置成與半導(dǎo)體裝置外部的外部裝置耦接。

接收電路200可以通過響應(yīng)于接收使能信號(hào)R_en從公共節(jié)點(diǎn)Node_com接收信號(hào)，來輸出第二信號(hào)Signal_B。例如，當(dāng)接收使能信號(hào)R_en被使能時(shí)，接收電路200可以被激活，以及將從焊盤PAD經(jīng)由公共節(jié)點(diǎn)Node_com輸入的信號(hào)作為第二信號(hào)Signal_B輸出。接收電路200可以在接收使能信號(hào)R_en被禁止時(shí)而被去激活。

傳送控制電路300可以響應(yīng)于接收使能信號(hào)R_en來產(chǎn)生體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)(bulk bar control signal)B_ctrlb。體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以是具有不同的電壓電平的信號(hào)。體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以是具有相反的信號(hào)電平的信號(hào)。例如，傳送控制電路300可以在接收使能信號(hào)R_en被使能時(shí)，將體控制信號(hào)B_ctrl使能，而將取反體控制信號(hào)B_ctrlb禁止。傳送控制信號(hào)300可以在接收使能信號(hào)R_en被禁止時(shí)，將體控制信號(hào)B_ctrl禁止，而將取反體控制信號(hào)B_ctrlb使能。

體控制電路400可以響應(yīng)于體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)B_ctrlb來產(chǎn)生第一體電壓P_bulk和第二體電壓N_bulk。例如，體控制電路400可以在體控制信號(hào)B_ctrl被使能，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被禁止時(shí)，將外部電壓VDDQ作為第一體電壓P_bulk輸出，以及將接地電壓VSS作為第二體電壓N_bulk輸出。在示例中，體控制電路400可以在體控制信號(hào)B_ctrl被禁止，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被使能時(shí)，將外部高電壓VDDH作為第一體電壓P_bulk輸出，以及將負(fù)電壓VBB作為第二體電壓N_bulk輸出。例如，相比于當(dāng)體控制信號(hào)B_ctrl被使能，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被禁止時(shí)，當(dāng)體控制信號(hào)B_ctrl被禁止，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被使能時(shí)，體控制電路400可以輸出具有更高的電壓電平的第一體電壓P_bulk和具有更低的電壓電平的第二體電壓N_bulk。外部高電壓VDDH可以為比外部電壓VDDQ高的電壓電平的電壓，而負(fù)電壓VBB可以為具有比接地電壓VSS低的電壓電平的電壓。

體控制電路400可以包括第一體電壓電平選擇器410和第二體電壓電平選擇器420。

相比于當(dāng)體控制信號(hào)B_ctrl被使能，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被禁止時(shí)，當(dāng)體控 制信號(hào)B_ctrl被禁止，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被使能時(shí)，第一體電壓電平選擇器410可以輸出具有更高的電壓電平的第一體電壓P_bulk。例如，第一體電壓電平選擇器410可以響應(yīng)于體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)B_ctrlb來選擇性地將外部電壓VDDQ和外部高電壓VDDH中的一個(gè)作為第一體電壓P_bulk輸出。例如，第一體電壓電平選擇器410可以在體控制信號(hào)B_ctrl被禁止，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被使能時(shí)，將外部電壓VDDQ作為第一體電壓P_bulk輸出。第一體電壓電平選擇器410可以在體控制信號(hào)B_ctrl被使能，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被禁止時(shí)，將外部高電壓VDDH作為第一體電壓P_bulk輸出。

第一體電壓電平選擇器410可以包括第三晶體管P2和第四晶體管P3。在第三晶體管P2中，體控制信號(hào)B_ctrl可以被輸入至柵極，外部電壓VDDQ可以被輸入至源極。在第四晶體管P3中，取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以被輸入至柵極，外部高電壓VDDH可以被輸入至源極，以及漏極可以與第三晶體管P2的漏極耦接。第一體電壓P_bulk可以在第三晶體管P2的漏極和第四晶體管P3的漏極耦接的節(jié)點(diǎn)處輸出。

相比于當(dāng)體控制信號(hào)B_ctrl被使能，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被禁止時(shí)，當(dāng)體控制信號(hào)B_ctrl被禁止，而取反體控制信號(hào)B_ctrlb被使能時(shí)，第二體電壓電平選擇器420可以輸出具有更低的電壓電平的第二體電壓N_bulk。例如，第二體電壓電平選擇器420可以響應(yīng)于體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)B_ctrlb，來選擇性地將接地電壓VSS和負(fù)電壓VBB中的一個(gè)作為第二體電壓N_bulk輸出。例如，第二體電壓電平選擇器420可以在反體控制信號(hào)B_ctrlb被禁止，而體控制信號(hào)B_ctrl被使能時(shí)，將接地電壓VSS作為第二體電壓N_bulk輸出。第二體電壓電平選擇器420可以在取反體控制信號(hào)B_ctrlb被使能，而體控制信號(hào)B_ctrl被禁止時(shí)，將負(fù)電壓VBB作為第二體電壓N_bulk輸出。

第二體電壓電平選擇器420可以包括第五晶體管N2和第六晶體管N3。在第五晶體管N2中，取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以被輸入至柵極，接地電壓VSS可以被輸入至源極。在第六晶體管N3中，體控制信號(hào)B_ctrl可以被輸入至柵極，負(fù)電壓VBB可以被輸入至源極，以及漏極可以與第五晶體管N2的漏極耦接。第二體電壓N_bulk可以在第五晶體管N2的漏極和第六晶體管N3的漏極耦接的節(jié)點(diǎn)處輸出。

參見圖2，傳送控制電路300可以包括電平移位器310和體控制信號(hào)輸出單元320。

電平移位器310可以通過將具有第一擺動(dòng)寬度的接收使能信號(hào)R_en電平移位，來產(chǎn)生具有比第一擺動(dòng)寬度大的第二擺動(dòng)寬度的移位信號(hào)S_s。例如，電平移位器310可以將接收使能信號(hào)R_en轉(zhuǎn)換為移位信號(hào)S_s，以及輸出移位信號(hào)S_s，其中，接收使能信號(hào)R_en可以在接地電壓VSS的電壓電平與外部電壓VDDQ的電壓電平之間轉(zhuǎn)變，移 位信號(hào)S_s可以在負(fù)電壓VBB的電壓電平與外部高電壓VDDH的電壓電平之間轉(zhuǎn)變。第一擺動(dòng)寬度可以為可在接地電壓VSS的電壓電平與外部電壓VDDQ的電壓電平之間轉(zhuǎn)變的信號(hào)的擺動(dòng)寬度，而第二擺動(dòng)寬度可以為可在負(fù)電壓VBB的電壓電平與外部高電壓VDDH的電壓電平之間轉(zhuǎn)變的信號(hào)的擺動(dòng)寬度。

體控制信號(hào)輸出單元320可以將移位信號(hào)S_s反相，以及將反相的移位信號(hào)S_s作為取反體控制信號(hào)B_ctrlb輸出。體控制信號(hào)輸出單元320可以將取反體控制信號(hào)B_ctrlb反相，以及將反相的取反體控制信號(hào)作為體控制信號(hào)B_ctrl輸出。由于體控制信號(hào)B_ctrl通過將移位信號(hào)S_s反相兩次來產(chǎn)生，所以移位信號(hào)S_s可以具有與體控制信號(hào)B_ctrl相同的相位。類似于移位信號(hào)S_s，體控制信號(hào)B_ctrl和取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以為可在負(fù)電壓VBB的電壓電平與外部高電壓VDDH的電壓電平之間轉(zhuǎn)變的信號(hào)。體控制信號(hào)B_ctrl可以被使能成外部高電壓VDDH的電壓電平，以及可以被禁止成負(fù)電壓VBB的電壓電平。取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以被使能成外部高電壓VDDH的電壓電平，以及可以被禁止成負(fù)電壓VBB的電壓電平。

體控制信號(hào)輸出單元320可以包括第一反相器IV1和第二反相器IV2。第一反相器IV1可以通過接收移位信號(hào)S_s來輸出取反體控制信號(hào)B_ctrlb，以及接收外部高電壓VDDH和負(fù)電壓VBB作為驅(qū)動(dòng)電壓。第二反相器IV2可以通過接收取反體控制信號(hào)B_ctrlb來輸出體控制信號(hào)B_ctrl，以及接收外部高電壓VDDH和負(fù)電壓VBB作為驅(qū)動(dòng)電壓。

將參照?qǐng)D1來描述根據(jù)實(shí)施例的具有上述配置的半導(dǎo)體裝置的操作的示例。

將描述半導(dǎo)體裝置的操作，由此傳送電路100將第一信號(hào)Signal_A輸出至焊盤PAD。

當(dāng)傳送電路100操作時(shí)，傳送使能信號(hào)T_en被使能，而接收使能信號(hào)R_en被禁止。

接收被禁止的接收使能信號(hào)R_en的接收電路200可以被去激活，以及可以不執(zhí)行接收操作。

被禁止的接收使能信號(hào)R_en可以被輸入至傳送控制電路300。

傳送控制電路300可以通過接收被禁止的接收使能信號(hào)R_en而輸出禁止的體控制信號(hào)B_ctrl和被使能的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。禁止的體控制信號(hào)B_ctrl可以具有負(fù)電壓VBB的電壓電平，而使能的取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以具有外部高電壓VDDH的電壓電平。

體控制電路400可以接收被禁止的體控制信號(hào)B_ctrl和被使能的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。

體控制電路400可以輸出為外部電壓VDDQ的電壓電平的第一體電壓P_bulk，以及輸出為接地電壓VSS的電壓電平的第二體電壓N_bulk。

以下將描述體控制電路400的操作。

體控制電路400可以包括第一體電壓電平選擇器410和第二體電壓電平選擇器420。

第一體電壓電平選擇器410可以接收被禁止成負(fù)電壓VBB的電壓電平的體控制信號(hào)B_ctrl以及被使能成外部高電壓VDDH的電壓電平的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。

第一體電壓電平選擇器410可以包括第三晶體管P2和第四晶體管P3。接收被禁止的體控制信號(hào)B_ctrl的第三晶體管P2可以導(dǎo)通，以及將外部電壓VDDQ作為第一體電壓P_bulk輸出。接收被使能的取反體控制信號(hào)B_ctrlb的第四晶體管P3可以截止。

因此，具有外部電壓VDDQ的電壓電平的第一體電壓P_bulk可以從第一體電壓電平選擇器410輸出。

第二體電壓電平選擇器420可以接收被禁止成負(fù)電壓VBB的電壓電平的體控制信號(hào)B_ctrl以及被使能成外部高電壓VDDH的電壓電平的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。

第二體電壓電平選擇器420可以包括第五晶體管N2和第六晶體管N3。接收使能的取反體控制信號(hào)B_ctrlb的第五晶體管N2可以導(dǎo)通，以及將接地電壓VSS作為第二體電壓N_bulk輸出。接收被禁止的體控制信號(hào)B_ctrl的第六晶體管N3可以截止。

因此，具有接地電壓VSS的電壓電平的第二體電壓N_bulk可以從第二體電壓電平選擇器420輸出。

傳送電路100可以包括上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110和驅(qū)動(dòng)器120。

在傳送使能信號(hào)T_en被使能的狀態(tài)下，上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以在第一信號(hào)Signal_A的電壓電平為第一預(yù)設(shè)電平時(shí)，將上拉信號(hào)PU使能，而在第一信號(hào)Signal_A的電壓電平為第二預(yù)設(shè)電平時(shí)，將下拉信號(hào)PD使能。例如，當(dāng)傳送使能信號(hào)T_en被使能時(shí)，上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以響應(yīng)于第一信號(hào)Signal_A而將上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD中的一個(gè)使能。當(dāng)傳送使能信號(hào)T_en被禁止時(shí)，上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以將上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD二者都禁止。

驅(qū)動(dòng)器120可以通過接收被使能的上拉信號(hào)PU而將公共節(jié)點(diǎn)Node_com上拉驅(qū)動(dòng)，以及通過接收被使能的下拉信號(hào)PD而將公共節(jié)點(diǎn)Node_com下拉驅(qū)動(dòng)。組成驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1可以通過經(jīng)由柵極接收被使能的上拉信號(hào)PU(其為接地電壓VSS的電壓電平)而導(dǎo)通，以及在當(dāng)外部電壓VDDQ被輸入至第一晶體管P1的源極，而第一體電壓P_bulk(其為外部電壓VDDQ的電壓電平)被輸入至第一晶體管P1的體偏置輸入端子時(shí)的狀態(tài)下，第一晶體管P1可以上拉驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)Node_com。組成驅(qū)動(dòng)器120的第二晶體管N1可以通過經(jīng)由柵極接收被使能的下拉信號(hào)PD(其為外部電壓VDDQ的電壓電平)而導(dǎo)通，以及在接地電壓VSS被輸入至第二晶體管N1的源極，而第二體電壓N_bulk(其為接地電壓VSS的電壓電平)被輸入至第二晶體管N1的體偏置輸入端子的狀態(tài)下，第二晶體管N1可以下拉驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)Node_com。

例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器120響應(yīng)于上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD而上拉驅(qū)動(dòng)或下拉驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)Node_com時(shí)，組成驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1可以通過體偏置輸入端子來接收具有與源極相同的電壓電平的電壓，即，外部電壓VDDQ，以及組成驅(qū)動(dòng)器120的第二晶體管N1可以通過體偏置輸入端子來接收具有與源極相同的電壓電平的電壓，即，接地電壓VSS。

傳送電路100可以通過上述操作，將第一信號(hào)Signal_A經(jīng)由公共節(jié)點(diǎn)Node_com輸出至焊盤PAD。

將描述半導(dǎo)體裝置的操作的示例，其中，接收電路200將從焊盤PAD接收的信號(hào)作為第二信號(hào)Signal_B輸出。

當(dāng)接收電路200操作時(shí)，接收使能信號(hào)R_en被使能，而傳送使能信號(hào)T_en被禁止。

接收被禁止的傳送使能信號(hào)T_en的傳送電路100可以被去激活，以及可以不執(zhí)行傳送操作。例如，傳送電路100中的上拉/下拉信號(hào)發(fā)生器110可以在傳送使能信號(hào)T_en被禁止時(shí)，將上拉信號(hào)PU和下拉信號(hào)PD禁止。驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1和第二晶體管N1可以通過接收被禁止的上拉信號(hào)PU和被禁止的下拉信號(hào)PD而截止。因此，驅(qū)動(dòng)器120可以不驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)Node_com。

接收電路200可以通過接收被使能的接收使能信號(hào)R_en而被激活，從焊盤PAD接收的信號(hào)經(jīng)由公共節(jié)點(diǎn)Node_com被輸入至接收電路200，以及接收電路200可以將從焊盤PAD接收的信號(hào)作為第二信號(hào)Signal_B輸出。

接收控制電路300可以通過接收被使能的接收使能信號(hào)R_en來產(chǎn)生被使能的體控制信號(hào)B_ctrl和被禁止的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。被使能的體控制信號(hào)B_ctrl可以具 有外部高電壓VDDH的電壓電平，以及被禁止的取反體控制信號(hào)B_ctrlb可以具有負(fù)電壓VBB的電壓電平。

體控制電路400可以接收被使能的體控制信號(hào)B_ctrl和被禁止的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。

體控制電路400可以輸出為外部高電壓VDDH的電壓電平的第一體電壓P_bulk，以及輸出為負(fù)電壓VBB的電壓電平的第二體電壓N_bulk。

以下將描述體控制電路400的操作。

第一體電壓電平選擇器410可以接收被使能成外部高電壓VDDH的電壓電平的體控制信號(hào)B_ctrl以及被禁止成負(fù)電壓VBB的電壓電平的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。

第一體電壓電平選擇器410可以由第三晶體管P2和第四晶體管P3配置。接收被使能的體控制信號(hào)B_ctrl的第三晶體管P2可以截止，接收被禁止的取反體控制信號(hào)B_ctrlb的第四晶體管P3可以導(dǎo)通并且將外部高電壓VDDH作為第一體電壓P_bulk輸出。

因此，具有外部高電壓VDDH的電壓電平的第一體電壓P_bulk可以從第一體電壓電平選擇器410輸出。

第二體電壓電平選擇器420可以接收被使能成外部高電壓VDDH的電壓電平的體控制信號(hào)B_ctrl以及被禁止成負(fù)電壓VBB的電壓電平的取反體控制信號(hào)B_ctrlb。

第二體電壓電平選擇器420可以由第五晶體管N2和第六晶體管N3配置。接收被禁止的取反體控制信號(hào)B_ctrlb的第五晶體管N2可以截止，接收被使能的體控制信號(hào)B_ctrl的第六晶體管N3可以導(dǎo)通并且將負(fù)電壓VBB作為第二體電壓N_bulk輸出。

因此，具有負(fù)電壓VBB的電壓電平的第二體電壓N_bulk可以從第二體電壓電平選擇器420輸出。

組成驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1可以在截止?fàn)顟B(tài)下經(jīng)由體偏置輸入端子來接收外部高電壓VDDH作為第一體電壓P_bulk，其中，外部高電壓VDDH具有比施加至第一晶體管P1的源極的外部電壓VDDQ高的電壓電平。組成驅(qū)動(dòng)器120的第二晶體管N1可以在截止?fàn)顟B(tài)下經(jīng)由體偏置輸入端子來接收負(fù)電壓VBB作為第二體電壓N_bulk，其中，負(fù)電壓VBB具有比施加至第二晶體管N1的源極的接地電壓VSS低的電壓電平。

例如，在第一晶體管P1通過經(jīng)由柵極來接收被禁止成高電平(即，外部電壓VDDQ 的電壓電平)的上拉信號(hào)PU而截止的狀態(tài)下，第一晶體管P1可以經(jīng)由體偏置輸入端子來接收外部高電壓VDDH，其中，外部高電壓VDDH具有比施加至第一晶體管P1的源極的外部電壓VDDQ高的電壓電平。當(dāng)具有比施加至第一晶體管P1的源極的電壓電平高的電壓電平的電壓被輸入至體偏置輸入端子時(shí)，而不是當(dāng)具有與施加至第一晶體管P1的源極的電壓電平相等的電壓電平的電壓被輸入至體偏置輸入端子時(shí)，第一晶體管P1的結(jié)電容可以降低。

組成驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1可以在截止?fàn)顟B(tài)下經(jīng)由體偏置輸入端子來接收外部高電壓VDDH作為第一體電壓P_bulk，其中，外部高電壓VDDH具有比施加至第一晶體管P1的源極的外部電壓VDDQ高的電壓。組成驅(qū)動(dòng)器120的第二晶體管N1可以在截止?fàn)顟B(tài)下經(jīng)由體偏置輸入端子來接收負(fù)電壓VBB作為第二體電壓N_bulk，其中，負(fù)電壓VBB具有比施加至第二晶體管N1的源極的接地電壓VSS低的電壓電平。

例如，在第二晶體管N1通過經(jīng)由柵極來接收被禁止成低電平(即，接地電壓VSS的電壓電平)的下拉信號(hào)PD而截止的狀態(tài)下，第二晶體管N1可以通過體偏置輸入端子來接收負(fù)電壓VBB，其中，負(fù)電壓VBB具有比施加至第二晶體管N1的源極的接地電壓VSS低的電壓電平。當(dāng)具有比施加至第二晶體管N1的源極的電壓電平低的電壓電平的電壓被輸入至體偏置輸入端子時(shí)，而不是當(dāng)具有與施加至第二晶體管N1的源極的電壓電平相等的電壓電平的電壓被輸入至體偏置輸入端子時(shí)，第二晶體管N1的結(jié)電容可以降低。

以下將參照?qǐng)D3來描述組成驅(qū)動(dòng)器120的晶體管P1和N1的結(jié)電容。

圖3(A)說明了當(dāng)半導(dǎo)體裝置執(zhí)行傳送操作時(shí)的截面圖。當(dāng)半導(dǎo)體裝置如上所述執(zhí)行傳送操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1可以經(jīng)由體偏置輸入端子Bulk來接收為外部電壓VDDQ的電壓電平的第一體電壓P_bulk，第二晶體管N1可以經(jīng)由體偏置輸入端子Bulk來接收為接地電壓VSS的電壓電平的第二體電壓N_bulk。

圖3(B)說明了當(dāng)半導(dǎo)體裝置執(zhí)行接收操作時(shí)的截面圖。當(dāng)半導(dǎo)體裝置如上所述執(zhí)行接收操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)器120的第一晶體管P1可以經(jīng)由體偏置輸入端子Bulk來接收為外部高電壓VDDH的電壓電平的第一體電壓P_bulk，第二晶體管N1可以經(jīng)由體偏置輸入端子Bulk來接收為負(fù)電壓VBB的電壓電平的第二體電壓N_bulk。

當(dāng)在傳送操作A和接收操作B中，半導(dǎo)體裝置執(zhí)行第一晶體管P1的傳送操作A和接收操作B時(shí)，源極Source可以接收外部電壓VDDQ，柵極Gate可以接收上拉信號(hào)PU，以及漏極Drain可以與公共節(jié)點(diǎn)Node_com耦接。類似地，在第二晶體管N1的傳送操作A和接收操作B中，漏極Drain可以與公共節(jié)點(diǎn)Node_com耦接，柵極Gate可 以接收下拉信號(hào)PD，以及源極Source可以接收接地電壓VSS。

在傳送操作和接收操作中的第一晶體管P1和第二晶體管N1的不同可以在于，輸入至第一晶體管P1和第二晶體管N1的體偏置輸入端子Bulk的電壓可以改變。

耗盡層DL_p可以形成在第一晶體管P1的源極區(qū)P和漏極區(qū)P與N型襯底N_sub之間，耗盡層DL_n可以形成在第二晶體管N1的源極區(qū)N和漏極區(qū)N與P型阱P_well之間。

當(dāng)外部高電壓VDDH(其比施加至第一晶體管P1的源極的外部電壓VDDQ高)被輸入至第一晶體管P1中的體偏置輸入端子Bulk時(shí)，而不是當(dāng)外部電壓VDDQ(其為與施加至第一晶體管P1的源極的電壓電平相同的電壓電平)被輸入至第一晶體管P1中的體偏置輸入端子Bulk時(shí)，第一晶體管P1的耗盡層DL_p可以加寬。

當(dāng)負(fù)電壓VBB(其比施加至第二晶體管N1的源極的接地電壓VSS低)被輸入至第二晶體管N1中的體偏置輸入端子Bulk時(shí)，而不是當(dāng)接地電壓VSS(其具有與施加至第二晶體管N1的源極的電壓電平相同的電壓電平)被輸入至第二晶體管N1中的體偏置輸入端子Bulk時(shí)，第二晶體管N1的耗盡層DL_N可以加寬。

即，可以看出，當(dāng)半導(dǎo)體裝置執(zhí)行接收操作時(shí)，而不是當(dāng)半導(dǎo)體裝置執(zhí)行傳送操作時(shí)，根據(jù)實(shí)施例的組成半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)器的第一晶體管P1和第二晶體管N1的耗盡層DL_P和DL_n可以更寬。由于耗盡層加寬，所以第一晶體管P1和第二晶體管N1的結(jié)電容可以降低。

在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，傳送電路、接收電路和焊盤可以與一個(gè)公共節(jié)點(diǎn)耦接。在傳送電路、接收電路和焊盤耦接的線的寄生電容中的組成驅(qū)動(dòng)器的晶體管的結(jié)電容可以改變。即，可以在接收操作(而不是傳送操作)中，通過進(jìn)一步地降低組成傳送電路的驅(qū)動(dòng)器的晶體管的結(jié)電容來降低寄生電容。因此，焊盤與接收電路之間的總電容可以降低。因此，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可以有利于接收以高速輸入的信號(hào)。

以上討論的半導(dǎo)體裝置(參見圖1至圖3)在存儲(chǔ)器件、處理器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中特別有用。例如，參見圖4，利用根據(jù)各種實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的框圖被說明，并且通常由附圖標(biāo)記1000來標(biāo)記。系統(tǒng)1000可以包括一個(gè)或更多個(gè)處理器(即，處理器)，或者例如但不限制于中央處理單元(“CPU”)1100。處理器(即，CPU)1100可以單獨(dú)地使用，或者與其他處理器(即，CPU)組合使用。盡管處理器(即，CPU)1100將主要涉及單數(shù)形式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，可以實(shí)施具有任意數(shù)量的物理或邏輯的處理器(即，CPU)的系統(tǒng)1000。

芯片組1150可以可操作性地與處理器(即，CPU)1100耦接。芯片組115為信號(hào)在處理器(即，CPU)1100與系統(tǒng)1000的其他部件之間的通信路徑。系統(tǒng)1000的其他部件可以包括：存儲(chǔ)器控制器1200、輸入/輸出(“I/O”)總線1250以及盤驅(qū)動(dòng)器控制器1300。根據(jù)系統(tǒng)1000的配置，多個(gè)不同信號(hào)中的任意一個(gè)可以通過芯片組1150來傳送，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在不改變系統(tǒng)1000的根本性質(zhì)的情況下，能夠容易地調(diào)整信號(hào)通過系統(tǒng)1000的路徑。

如上所述，存儲(chǔ)器控制器1200可以可操作性地與芯片組1150耦接。存儲(chǔ)器控制器1200可以包括以上參照?qǐng)D1至圖3討論的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置。因而，存儲(chǔ)器控制器1200可以經(jīng)由芯片組1150來接收從處理器(即，CPU)1100提供的請(qǐng)求。在可替選的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器1200可以被集成在芯片組1150中。存儲(chǔ)器控制器1200可以可操作性地與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器件1350耦接。在實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件1350可以包括以上結(jié)合圖1至圖3討論的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置，存儲(chǔ)器件1350可以包括限定多個(gè)存儲(chǔ)單元的多個(gè)字線和多個(gè)位線。存儲(chǔ)器件1350可以為若干工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器類型中的任意一種，包括但是不限制于單列直插存儲(chǔ)器模塊(“SIMM”)和雙列直插存儲(chǔ)器模塊(“DIMM”)。另外，存儲(chǔ)器件1350可以通過存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)二者而便于安全去除外部數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置。

芯片組1150還可以與I/O總線1250耦接。I/O總線1250可以用作信號(hào)從芯片組1150至I/O裝置1410、1420和1430的通信路徑。I/O裝置1410、1420和1430可以包括例如但是不限制于：鼠標(biāo)1410、視頻顯示器1420或者鍵盤1430。I/O總線1250可以利用若干通信協(xié)議中的任意一種與I/O裝置1410、1420和1430通信。在實(shí)施例中，I/O總線1250可以被集成在芯片組1150中。

盤驅(qū)動(dòng)器控制器1300可以可操作性地與芯片組1150耦接。盤驅(qū)動(dòng)器控制器1300可以用作芯片組1150與一個(gè)內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450或者多于一個(gè)內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450之間的通信路徑。內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450可以通過存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)二者而便于外部數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置的斷開連接。盤驅(qū)動(dòng)器控制器1300和內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450可以幾乎利用任何類型的通信協(xié)議(包括例如但是不限制于以上關(guān)于I/O總線1250所提及的所有協(xié)議)彼此通信或者與芯片組1150通信。

需要注意的是，結(jié)合圖4所描述的系統(tǒng)1000僅是利用以上結(jié)合圖1至圖3討論的半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)1000的一個(gè)示例。例如，在可替選的實(shí)施例中，諸如例如不限制于蜂窩電話或者數(shù)碼照相機(jī)，部件可以不同于圖4中所示的實(shí)施例。

以上實(shí)施例是說明性的，并非限制性的?？梢赃M(jìn)行各種替選和等價(jià)。實(shí)施例不受本文中描述的實(shí)施例限制。實(shí)施例也不限制于任意特定類型的半導(dǎo)體器件。其他增加、刪 減或者修改在考慮到本公開時(shí)是顯然的，并且旨在落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。