本發(fā)明涉及放射線(xiàn)成像裝置和放射線(xiàn)成像系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
作為用于通過(guò)使用諸如X射線(xiàn)的放射線(xiàn)進(jìn)行醫(yī)療圖像診斷和無(wú)損檢查的放射線(xiàn)成像裝置，包括矩陣基板的放射線(xiàn)成像裝置已被投入實(shí)際使用，其中矩陣基板具有通過(guò)組合包括薄膜晶體管(TFT)的開(kāi)關(guān)和包括光電轉(zhuǎn)換元件的轉(zhuǎn)換元件取得的像素陣列。近年來(lái)，對(duì)放射線(xiàn)成像裝置的多功能化已進(jìn)行了研究。作為多功能化的一種類(lèi)型，已經(jīng)研究了放射線(xiàn)成像裝置具有監(jiān)視放射線(xiàn)照射的內(nèi)置功能。例如，這個(gè)功能使得能夠檢測(cè)來(lái)自放射線(xiàn)源的放射線(xiàn)照射已經(jīng)開(kāi)始的定時(shí)，檢測(cè)放射線(xiàn)照射要停止的定時(shí)，并且檢測(cè)放射線(xiàn)的照射量或累積照射量。日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)No.2012-15913討論了包括用于獲取放射線(xiàn)圖像的成像像素和用于檢測(cè)放射線(xiàn)的檢測(cè)像素的放射線(xiàn)成像裝置，并且還討論了其中用于檢測(cè)放射線(xiàn)的信號(hào)經(jīng)由連接到每個(gè)檢測(cè)像素的開(kāi)關(guān)元件被讀出的構(gòu)造。為了在從檢測(cè)像素讀出信號(hào)時(shí)切換開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)電壓根據(jù)需要在導(dǎo)通電壓與非導(dǎo)通電壓之間切換。但是，在日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)No.2012-15913中討論的放射線(xiàn)成像裝置中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓被切換時(shí)，當(dāng)控制線(xiàn)上的電壓改變時(shí)，要發(fā)送到信號(hào)線(xiàn)的信號(hào)可能由于在連接到開(kāi)關(guān)元件的控制線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)之間的寄生元件(寄生電容)而變化。因此，依賴(lài)于信號(hào)線(xiàn)上的電位變化，放射線(xiàn)照射的檢測(cè)精度可能是低的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明致力于能夠抑制由于對(duì)于放射線(xiàn)檢測(cè)像素中的開(kāi)關(guān)元件的控制信號(hào)的切換而在信號(hào)線(xiàn)上發(fā)生的電位變化并且能夠以高精度讀出放射線(xiàn)照射的技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，放射線(xiàn)成像裝置包括：成像像素，包括用于輸出來(lái)自成像轉(zhuǎn)換元件的信號(hào)的成像開(kāi)關(guān)元件，被配置為獲取放射線(xiàn)圖像；檢測(cè)像素，包括用于輸出來(lái)自檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件的信號(hào)的檢測(cè)開(kāi)關(guān)元件，被配置為檢測(cè)放射線(xiàn)入射；第一控制線(xiàn)，電連接到成像開(kāi)關(guān)元件的控制電極；第二控制線(xiàn)，電連接到檢測(cè)開(kāi)關(guān)元件的控制電極；信號(hào)線(xiàn)，電連接到檢測(cè)開(kāi)關(guān)元件的主電極；電容線(xiàn)，與第一控制線(xiàn)和第二控制線(xiàn)不同，被布置成與信號(hào)線(xiàn)電容性耦合(capacitivelycoupled)；驅(qū)動(dòng)單元，電連接到第二控制線(xiàn)和電容線(xiàn)并且被配置為向檢測(cè)開(kāi)關(guān)元件和電容線(xiàn)施加電壓；及控制單元，被配置為控制驅(qū)動(dòng)單元在接通狀態(tài)電壓或關(guān)斷狀態(tài)電壓被施加到檢測(cè)開(kāi)關(guān)元件的情況下向電容線(xiàn)施加具有與該電壓的極性相反的極性的電壓。參照附圖，本發(fā)明的更多特征將從以下對(duì)示例性實(shí)施例的描述變得清楚。附圖說(shuō)明圖1是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的構(gòu)造的框圖。圖2是示出包括放射線(xiàn)成像裝置的放射線(xiàn)成像系統(tǒng)的構(gòu)造例子的框圖。圖3A和圖3B示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置中的成像像素。圖4A和圖4B示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置中的檢測(cè)像素。圖5示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置中的電容性元件及其附近。圖6是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的操作的時(shí)序圖。圖7是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的另一構(gòu)造例的框圖。圖8是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的構(gòu)造的框圖。圖9A和圖9B示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置中的電容性元件及其附近。圖10是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的操作的時(shí)序圖。圖11示出放射線(xiàn)成像裝置的應(yīng)用例。具體實(shí)施方式將在下面參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在每個(gè)示例性實(shí)施例中，除了作為由因放射線(xiàn)破壞而發(fā)射的粒子(包括光子)生成的射束的α射束、β射束和γ射束，“放射線(xiàn)”還包括具有基本相同或更多能量的射束，例如，X射線(xiàn)、粒子束和宇宙射線(xiàn)。將參照?qǐng)D1來(lái)描述第一示例性實(shí)施例。圖1示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的構(gòu)造。雖然在圖1中示出其中提供九行九列像素的例子，但是可以提供1000×1000個(gè)像素?？商娲?，可以提供5000×5000個(gè)像素。圖1中所示的放射線(xiàn)成像裝置200包括用于獲取放射線(xiàn)圖像的多個(gè)成像像素1(在下文中，為了描述的方便，有時(shí)稱(chēng)為“成像像素1”)，以及多個(gè)檢測(cè)像素2(在下文中，為了描述的方便，有時(shí)稱(chēng)為“檢測(cè)像素2”)，每個(gè)檢測(cè)像素2包括用于檢測(cè)放射線(xiàn)入射的檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6和連接到檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6的第二開(kāi)關(guān)元件7。另外，放射線(xiàn)成像裝置200包括至少第二控制線(xiàn)9和驅(qū)動(dòng)單元52。另外，放射線(xiàn)成像裝置200包括電容線(xiàn)15。電容線(xiàn)15被布置成使得電容性耦合部分(電容性元件14)在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12和它本身之間形成。作為該布置的一個(gè)例子，電容線(xiàn)15可以通過(guò)例如被布置成經(jīng)由諸如絕緣構(gòu)件的介電體(dielectricbody)與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12相交而形成電容性元件14。電容線(xiàn)15電連接到驅(qū)動(dòng)單元52。電容性元件14是示出電容線(xiàn)15與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間電容性耦合的部分的例子。因此，電容性元件14可以包括在作為無(wú)源元件形成的部分與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間生成的寄生電容。電容線(xiàn)15是作為與至少第一控制線(xiàn)8和第二控制線(xiàn)9不同的配線(xiàn)提供的。在下面的描述中，在多個(gè)成像像素1和多個(gè)檢測(cè)像素2當(dāng)中，在信號(hào)線(xiàn)10延伸的方向上排隊(duì)的像素的陣列是列方向，而在與列方向垂直的方向上排隊(duì)的像素的陣列是行方向。成像像素1是用于獲取放射線(xiàn)圖像的像素，并且包括成像轉(zhuǎn)換元件4和第一開(kāi)關(guān)元件5。檢測(cè)像素2是具有檢測(cè)放射線(xiàn)入射的功能的像素，并且包括成像轉(zhuǎn)換元件4、第一開(kāi)關(guān)元件5、檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6和第二開(kāi)關(guān)元件7。因此，在本示例性實(shí)施例中，檢測(cè)像素2具有檢測(cè)放射線(xiàn)入射的功能和獲取放射線(xiàn)圖像的功能。雖然檢測(cè)像素2已經(jīng)被描述為包括成像轉(zhuǎn)換元件4和第一開(kāi)關(guān)元件5、檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6和第二開(kāi)關(guān)元件7，但本發(fā)明不限于此。例如，檢測(cè)元件2可以只包括檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6和第二開(kāi)關(guān)元件7。在這種情況下，檢測(cè)像素2中的檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6可以被布置為與成像像素1中的成像轉(zhuǎn)換元件4具有相同的尺寸。本發(fā)明中的成像開(kāi)關(guān)元件對(duì)應(yīng)于本示例性實(shí)施例中的第一開(kāi)關(guān)元件5。本發(fā)明中的檢測(cè)開(kāi)關(guān)元件對(duì)應(yīng)于本示例性實(shí)施例中的第二開(kāi)關(guān)元件7。成像轉(zhuǎn)換元件4和檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6當(dāng)中每一個(gè)可以包括將放射線(xiàn)轉(zhuǎn)換成光的閃爍體(未示出)和將光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換元件。作為一個(gè)例子，閃爍體以片形狀形成以覆蓋成像區(qū)域并在多個(gè)成像像素1和多個(gè)檢測(cè)像素2之間共享?？商娲?，成像轉(zhuǎn)換元件4和檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6當(dāng)中每一個(gè)可以包括直接將放射線(xiàn)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的轉(zhuǎn)換元件。這樣，成像區(qū)域可以是當(dāng)放射線(xiàn)入射到其上時(shí)可被放射線(xiàn)成像裝置轉(zhuǎn)換成圖像的區(qū)域以及可以檢測(cè)放射線(xiàn)入射的區(qū)域。第一開(kāi)關(guān)元件5具有從成像轉(zhuǎn)換元件4輸出信號(hào)的功能。第二開(kāi)關(guān)元件7具有從檢測(cè)變換元件6輸出信號(hào)的功能。第一開(kāi)關(guān)元件5和第二開(kāi)關(guān)元件7當(dāng)中每一個(gè)可以包括薄膜晶體管(TFT)，例如，其包括由諸如非晶硅或多晶硅(晶硅)的半導(dǎo)體組成的有源區(qū)域。成像轉(zhuǎn)換元件4經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)元件5和信號(hào)線(xiàn)10連接到讀取單元51(S1至S9)。檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)元件7和檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12連接到讀取單元51。作為一個(gè)例子，檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12對(duì)于多個(gè)檢測(cè)像素2中相應(yīng)的第二開(kāi)關(guān)元件7是共用的并連接到多個(gè)檢測(cè)像素2中相應(yīng)的第二開(kāi)關(guān)元件7。以這種方式，每個(gè)開(kāi)關(guān)元件操作以便依賴(lài)于驅(qū)動(dòng)狀態(tài)從連接到其的轉(zhuǎn)換元件輸出信號(hào)。所有像素都連接到共用的偏置配線(xiàn)11，并且預(yù)定的偏置電壓從偏置電源53施加到該偏置配線(xiàn)11。布置在預(yù)定行中的第一開(kāi)關(guān)元件5連接到第一控制線(xiàn)8(Vg1至Vg9)。第二開(kāi)關(guān)元件7連接到第二控制線(xiàn)9(Vd1至Vd3)。電容線(xiàn)15布置在其中布置多個(gè)成像像素1的區(qū)域(成像區(qū)域)的外側(cè)。電容線(xiàn)15在與第一控制線(xiàn)8和/或第二控制線(xiàn)9相同的方向上布置。在本示例性實(shí)施例中，電容線(xiàn)15布置成與第一控制線(xiàn)8或第二控制線(xiàn)9平行。在本示例性實(shí)施例中，電容線(xiàn)15的布置不限于此。電容線(xiàn)15可以以這樣一種方式布置：即使得電容性元件14在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12和其本身之間形成。圖1中所示的放射線(xiàn)成像設(shè)備200設(shè)有在檢測(cè)放射線(xiàn)時(shí)被使用的九個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(感興趣區(qū)域(ROI))(圖1中的R1至R9)。檢測(cè)像素2布置在放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)中。放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域R1、R2和R3中的相應(yīng)檢測(cè)像素2連接到共用檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12(圖1中的D1)。類(lèi)似地，放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域R4、R5和R6中的相應(yīng)檢測(cè)像素2連接到共用檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12(圖1中的D2)，并且放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域R7、R8和R9中的相應(yīng)檢測(cè)像素2連接到共用檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12(圖1中的D3)。雖然在本示例性實(shí)施例中已經(jīng)描述在每個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)中布置一個(gè)檢測(cè)像素2的例子，但是多個(gè)檢測(cè)像素2可以布置在一個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)中。作為一個(gè)例子，多個(gè)檢測(cè)像素2可以在行或列方向上連接并布置。在這種情況下，檢測(cè)像素2理想地是在至少放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)的行或列方向或傾斜方向中具有規(guī)則布置。規(guī)則布置可以不僅包括其中檢測(cè)像素2連續(xù)布置的情況，而且包括其中成像像素1和檢測(cè)像素2在放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)中以預(yù)定間隔布置的情況。雖然九(三×三)個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)在圖1中布置，但本發(fā)明不限于此。例如，可以提供25(5×5)個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)，或者可以提供100(10×10)個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)。放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)可以均勻地布置在基板上，或可者以不均勻地布置在特定的范圍中。成像像素1和檢測(cè)像素2的布置是個(gè)例子。本發(fā)明不限于該布置。讀取單元51可以包括多個(gè)檢測(cè)單元132、多路復(fù)用器144和模數(shù)轉(zhuǎn)換器146(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為ADC)。多個(gè)信號(hào)線(xiàn)10和多個(gè)檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12當(dāng)中每一個(gè)連接到讀取單元51中相應(yīng)的檢測(cè)單元132。信號(hào)線(xiàn)10或檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12與檢測(cè)單元132具有一對(duì)一的對(duì)應(yīng)性。因此，讀取單元51可以被控制為在直到放射線(xiàn)入射到其上為止的等待時(shí)間期間不操作對(duì)應(yīng)于檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12的檢測(cè)單元132。結(jié)果，在放射線(xiàn)成像裝置200中，相比在信號(hào)線(xiàn)10與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間提供共用的檢測(cè)單元132的情況，功耗可以進(jìn)一步降低并且熱生成也可以進(jìn)一步被抑制。例如，在具有內(nèi)置電池的裝置中(例如便攜類(lèi)型的放射線(xiàn)成像裝置)中，電池的消耗可被抑制。例如，檢測(cè)單元132包括差分放大器以及采樣和保持電路(未示出)。檢測(cè)單元132可以通過(guò)利用采樣和保持電路執(zhí)行采樣和保持來(lái)獲取信號(hào)。多路復(fù)用器144以預(yù)定順序選擇多個(gè)檢測(cè)單元132，并且從選定的檢測(cè)單元132向ADC146饋送信號(hào)。ADC146將饋送的信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)并輸出該數(shù)字信號(hào)。ADC146的輸出被饋送到信號(hào)處理單元224，并且被信號(hào)處理單元224處理。信號(hào)處理單元224基于ADC146的輸出來(lái)輸出表示到放射線(xiàn)成像裝置200上的放射線(xiàn)照射的信息。更具體而言，例如，信號(hào)處理單元224檢測(cè)到放射線(xiàn)成像裝置200上的放射線(xiàn)照射并且計(jì)算放射線(xiàn)的照射量和/或累積照射量。驅(qū)動(dòng)單元52電連接到第一控制線(xiàn)8、第二控制線(xiàn)9和電容線(xiàn)15當(dāng)中每一個(gè)。在本示例性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)單元52輸出用于使第一開(kāi)關(guān)元件5和第二開(kāi)關(guān)元件7導(dǎo)通的接通狀態(tài)電壓以及用于使第一開(kāi)關(guān)元件5和第二開(kāi)關(guān)元件7不導(dǎo)通的關(guān)斷狀態(tài)電壓。這樣，驅(qū)動(dòng)單元52經(jīng)由第一控制線(xiàn)8施加用于控制通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件5的輸出的電壓并且經(jīng)由第二控制線(xiàn)9施加用于控制通過(guò)第二開(kāi)關(guān)元件7的輸出的電壓。另外，驅(qū)動(dòng)單元52經(jīng)由電容線(xiàn)15向電容性元件14施加電壓。在本示例性實(shí)施例中，“驅(qū)動(dòng)”是指控制每個(gè)開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或不導(dǎo)通，并且使電容性元件14生成電荷。另外，電容性元件驅(qū)動(dòng)單元54可以與驅(qū)動(dòng)單元52分開(kāi)提供以驅(qū)動(dòng)電容性元件14。細(xì)節(jié)將在第二示例性實(shí)施例中描述?？刂茊卧?5可以控制驅(qū)動(dòng)單元52和讀取單元51。例如，基于來(lái)自信號(hào)處理單元224的信息，控制單元55控制曝光(對(duì)應(yīng)于成像像素10上的所照射放射線(xiàn)的電荷的存儲(chǔ))的開(kāi)始和結(jié)束。這樣，控制單元55可以基于放射線(xiàn)的量測(cè)量并取得由檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6檢測(cè)到的放射線(xiàn)的入射量。當(dāng)測(cè)量放射線(xiàn)的照射量時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元52經(jīng)由第二控制線(xiàn)9向第二開(kāi)關(guān)元件7施加接通狀態(tài)電壓。在這種情況下，電位變化經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)元件7以及在第二控制線(xiàn)9與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12的交點(diǎn)處的寄生電容Cgs發(fā)生。在這種情況下，由Q＝(Von-Voff)×Cgs表示的電荷Q(注入電荷)在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上生成。檢測(cè)單元132中第一級(jí)運(yùn)算放大器的反饋電容可以通過(guò)電荷Q變飽和。結(jié)果，檢測(cè)單元132對(duì)放射線(xiàn)的照射量的檢測(cè)精度會(huì)降低。作為一個(gè)例子，當(dāng)存儲(chǔ)在檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6中的電荷以短間隔被讀出時(shí)，如果檢測(cè)單元132在其反饋電容減小且其增益增大的情況下被驅(qū)動(dòng)，則檢測(cè)精度的降低變得顯著。進(jìn)一步描述在每個(gè)放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)中的列方向上布置多個(gè)(例如，10個(gè))檢測(cè)像素2的情況。當(dāng)讀取單元51同時(shí)從多個(gè)檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6讀出相應(yīng)的信號(hào)時(shí)，電荷Q的影響變得顯著，這是因?yàn)橐淮伪蛔x取單元51讀出的信號(hào)的數(shù)目增大，同時(shí)注入電荷與第二控制線(xiàn)9和檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間的寄生電容Cgs的量值(magnitude)成比例地增大。因此，當(dāng)由驅(qū)動(dòng)單元52經(jīng)由第二控制線(xiàn)9施加到第二開(kāi)關(guān)元件7的電壓改變時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元52抑制由經(jīng)由第二控制線(xiàn)9與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間的寄生電容Cgs在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上生成的電荷造成的信號(hào)變化。作為一個(gè)例子，驅(qū)動(dòng)單元52經(jīng)由電容線(xiàn)15向電容性元件14施加極性與施加到第二開(kāi)關(guān)元件7的電壓的極性相反的電壓以抵消注入電荷。這樣，電容性元件14用來(lái)生成與(Von-Voff)×Cgs相同的電荷，其正負(fù)極性反轉(zhuǎn)。例如，電容性元件14的電容理想地等于寄生電容Cgs，并且被施加到電容性元件14的電壓理想地是(-Von+Voff)。作為一個(gè)例子，電容性元件14的電容可以大約為寄生電容Cgs的兩倍并且被施加到電容性元件14的電壓可以是(1/2)×(-Von+Voff)。圖2示出包括放射線(xiàn)成像裝置200的放射線(xiàn)成像系統(tǒng)的示例構(gòu)造。除了放射線(xiàn)成像裝置200，放射線(xiàn)成像系統(tǒng)還包括控制器1002、接口1003、放射線(xiàn)源接口1004和放射線(xiàn)源1005。劑量A、照射時(shí)間B(ms)、X射線(xiàn)管電流C(mA)、管電壓D(kV)和充當(dāng)在那里要監(jiān)視放射線(xiàn)的區(qū)域的放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)被輸入到控制器1002。當(dāng)附連到放射線(xiàn)源1005的曝光開(kāi)關(guān)被操作時(shí)，放射線(xiàn)從放射線(xiàn)源1005發(fā)射。例如，當(dāng)布置在放射線(xiàn)檢測(cè)區(qū)域(ROI)中的檢測(cè)像素2讀出的信號(hào)的累積值達(dá)到劑量A’時(shí)，放射線(xiàn)成像裝置200中的控制單元55經(jīng)由接口1003將曝光停止信號(hào)饋送到放射線(xiàn)源接口1004。響應(yīng)于此，放射線(xiàn)源接口1004使放射線(xiàn)源1005停止放射線(xiàn)發(fā)射。劑量A’可以由控制單元55基于劑量A、放射線(xiàn)照射強(qiáng)度以及單元之間的通信延遲和處理延遲來(lái)確定。如果放射線(xiàn)的照射時(shí)間達(dá)到照射時(shí)間B，則放射線(xiàn)源1005停止發(fā)射放射線(xiàn)，而不管曝光停止信號(hào)存在還是不存在。將在下面參照?qǐng)D3A和圖3B來(lái)描述成像像素的構(gòu)造。圖3A是成像像素1的平面圖，而圖3B是沿成像像素的線(xiàn)A-A’截取的橫截面視圖。本示例性實(shí)施例中的成像像素1包括成像轉(zhuǎn)換元件4和輸出對(duì)應(yīng)于成像轉(zhuǎn)換元件4的電荷的電信號(hào)的第一開(kāi)關(guān)元件5。成像轉(zhuǎn)換元件4被布置成處于堆疊在第一開(kāi)關(guān)元件5上的狀態(tài)下，其中第一開(kāi)關(guān)元件5在諸如玻璃基板的絕緣基板100上提供，其間夾著第一層間絕緣層110。在基板100上，第一開(kāi)關(guān)元件5包括從基板100側(cè)起按順序的控制電極101、第一絕緣層102、第一半導(dǎo)體層103、具有比第一半導(dǎo)體層103的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度的第一雜質(zhì)半導(dǎo)體層104、第一主電極105和第二主電極106。第一雜質(zhì)半導(dǎo)體層104在其部分區(qū)域中接觸第一主電極105和第二主電極106，并且在第一半導(dǎo)體層103的接觸該部分區(qū)域的區(qū)域與其本身之間的區(qū)域變成第一開(kāi)關(guān)元件5的溝道區(qū)域?？刂齐姌O101電氣接合到控制線(xiàn)，第一主電極105電氣接合到信號(hào)線(xiàn)10，并且第二主電極106電氣接合到成像轉(zhuǎn)換元件4的個(gè)別電極111。在本示例性實(shí)施例中，第一主電極105、第二主電極106和信號(hào)線(xiàn)10作為同一個(gè)導(dǎo)電層被整體構(gòu)造，并且第一主電極105構(gòu)成信號(hào)線(xiàn)10的一部分。第二絕緣層107和第一層間絕緣層110從信號(hào)線(xiàn)10一側(cè)按此順序布置在第一主電極105、第二主電極106以及信號(hào)線(xiàn)10上。雖然使用主要由非晶硅制成的半導(dǎo)體層和雜質(zhì)半導(dǎo)體層的逆交錯(cuò)型開(kāi)關(guān)元件已在本發(fā)明中被用作開(kāi)關(guān)元件，但本發(fā)明不限于此。例如，主要由晶硅制成的交錯(cuò)型開(kāi)關(guān)元件可以被使用，并且有機(jī)TFT和氧化物TFT可用作開(kāi)關(guān)元件。第一層間絕緣層110布置在基板100和多個(gè)個(gè)別電極111之間以覆蓋第一開(kāi)關(guān)元件5，并具有接觸孔。成像轉(zhuǎn)換元件4中的個(gè)別電極111以及第二主電極106在第一層間絕緣層110中提供的接觸孔中電氣接合到彼此。在第一層間絕緣層110上，成像轉(zhuǎn)換元件4從第一層間絕緣層110側(cè)起按順序包括個(gè)別電極111、第二雜質(zhì)半導(dǎo)體層112、第二半導(dǎo)體層113、第三雜質(zhì)半導(dǎo)體層114和共用電極115。第三絕緣層116布置在成像轉(zhuǎn)換元件4的共用電極115上。成像轉(zhuǎn)換元件4的共用電極115電氣接合到布置在第二層間絕緣層120上的偏置配線(xiàn)11。充當(dāng)保護(hù)膜的第四絕緣層121布置在偏置配線(xiàn)11上。將在下面參照?qǐng)D4A和圖4B來(lái)描述檢測(cè)像素2的構(gòu)造。圖4A是檢測(cè)像素2的平面圖，而圖4B是沿檢測(cè)像素2的線(xiàn)B-B’截取的橫截面視圖。本示例性實(shí)施例中的檢測(cè)像素2包括成像轉(zhuǎn)換元件4和第一開(kāi)關(guān)元件5、檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6和第二開(kāi)關(guān)元件7。以與成像像素1中成像轉(zhuǎn)換元件4的結(jié)構(gòu)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6被堆疊在第一層間絕緣層110的上層上。布置在第二層間絕緣層120上的偏置配線(xiàn)11電氣接合到成像轉(zhuǎn)換元件4與檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6之間的共用電極115。檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6中的個(gè)別電極111經(jīng)由在第一層間絕緣層110中提供的接觸孔連接到檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12。第二絕緣層107和第一層間絕緣層110從檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12一側(cè)起按此順序布置在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上。第二開(kāi)關(guān)元件7可以采取與第一開(kāi)關(guān)元件5的結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)。在基板上100上，第二開(kāi)關(guān)元件7從基板100一側(cè)起按順序包括控制電極201、第一絕緣層102、第一半導(dǎo)體層202、具有比第一半導(dǎo)體層202的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度的第一雜質(zhì)半導(dǎo)體層203、第一主電極204和第二主電極205。第一雜質(zhì)半導(dǎo)體層203在其部分區(qū)域中接觸第一主電極204和第二主電極205，并且在第一半導(dǎo)體層202的接觸該部分區(qū)域的區(qū)域與其本身之間的區(qū)域變成第二開(kāi)關(guān)元件7的溝道區(qū)域?？刂齐姌O201電氣接合到控制線(xiàn)，并且第一主電極204電氣接合到信號(hào)線(xiàn)12。在本示例性實(shí)施例中，檢測(cè)像素2中的成像轉(zhuǎn)換元件4的開(kāi)口面積變得比成像像素1中的成像轉(zhuǎn)換元件4的開(kāi)口面積小。因此，來(lái)自檢測(cè)像素2的信號(hào)量減少。其影響可以通過(guò)調(diào)整檢測(cè)單元132的增益或校正要被捕獲的圖像來(lái)減小。校正可以通過(guò)用于利用檢測(cè)像素2周?chē)某上裣袼?的值內(nèi)插要被捕獲的圖像的處理來(lái)實(shí)現(xiàn)。雖然成像轉(zhuǎn)換元件4和檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6在本示例性實(shí)施例中分別是PIN型傳感器，但本發(fā)明不限于此?？梢允褂肕IS型傳感器和TFT型傳感器。將在下面參照?qǐng)D5來(lái)描述電容性元件14的構(gòu)造。圖5示出圖1中所示的電容性元件14及其外圍部分。電容線(xiàn)15被布置成使得電容性元件14在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12和其本身之間形成。電容線(xiàn)15優(yōu)選地是利用與第二控制線(xiàn)9的金屬層相同的金屬層形成。這種構(gòu)造能夠使制造工藝被簡(jiǎn)化，這是因?yàn)殡娙菥€(xiàn)15可以在與用于形成第二控制線(xiàn)9的工藝的同一工藝中形成。電容性元件14可以由開(kāi)關(guān)元件和光電二極管形成，就像成像像素1和檢測(cè)像素2那樣。作為一個(gè)例子，電容性元件14可以包括具有與第一開(kāi)關(guān)元件5或第二開(kāi)關(guān)元件7的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)元件。在這種情況下，電容性元件14可以被設(shè)計(jì)為以高精度具有寄生電容Cgs，并且因此在檢測(cè)到放射線(xiàn)時(shí)在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上出現(xiàn)的電位變化可以如上所述被以高精度抑制。依賴(lài)于電壓施加的頻率，電容性元件14不需要利用半導(dǎo)體層來(lái)形成。在這種情況下，電容僅僅是通過(guò)絕緣介電體形成的。因此，不發(fā)生半導(dǎo)體元件特有的不穩(wěn)定現(xiàn)象。因此，可以執(zhí)行穩(wěn)定的操作。例如，不穩(wěn)定現(xiàn)象包括平帶電壓的移位。將在下面參照?qǐng)D6的時(shí)序圖來(lái)描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的操作。在以下的描述中，電壓Vg1至Vg9被施加到第一控制線(xiàn)8用于驅(qū)動(dòng)成像像素1，而電壓Vd1至Vd3被施加到第二控制線(xiàn)9用于驅(qū)動(dòng)檢測(cè)像素2。當(dāng)饋送到控制電極的信號(hào)處于高電平時(shí)，使第一開(kāi)關(guān)元件5和第二開(kāi)關(guān)元件7導(dǎo)通，并且，當(dāng)饋送到控制電極的信號(hào)處于低電平時(shí)，使第一開(kāi)關(guān)元件5和第二開(kāi)關(guān)元件7不導(dǎo)通。信號(hào)電平和導(dǎo)通狀態(tài)的組合也可以是依賴(lài)于電路構(gòu)造和開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)電類(lèi)型而不同的組合。在圖6中示出的讀取單元51和驅(qū)動(dòng)單元52的相應(yīng)操作是基于控制單元55的控制來(lái)執(zhí)行的，如上所述。在圖6中，高電平由“Von”指示，而低電平由“Voff”指示。本發(fā)明中的“接通狀態(tài)電壓”對(duì)應(yīng)于本示例性實(shí)施例中的“Von”。本發(fā)明中的“關(guān)斷狀態(tài)電壓”對(duì)應(yīng)于本示例性實(shí)施例的“Voff”。首先，將描述圖6中所示的時(shí)段T1。時(shí)段T1是在此期間等待放射線(xiàn)照射的開(kāi)始的時(shí)段。在本示例性實(shí)施例中，時(shí)段T1是從到放射線(xiàn)成像裝置200的電力被接通并且可以捕獲放射線(xiàn)圖像起一直到放射線(xiàn)源1005中的曝光開(kāi)關(guān)被操作并且放射線(xiàn)照射被檢測(cè)到為止所經(jīng)過(guò)的時(shí)段。在時(shí)段T1中，電壓Von被順序地施加到第一開(kāi)關(guān)元件5和第二開(kāi)關(guān)元件7，并且成像轉(zhuǎn)換元件4和檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6的個(gè)別電極111分別被復(fù)位到信號(hào)線(xiàn)10和檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12的電位。電壓Von可以總是保持施加到第二開(kāi)關(guān)元件7。以這種方式，由暗電流生成的電荷被防止長(zhǎng)時(shí)間地存儲(chǔ)在成像元件1的成像轉(zhuǎn)換元件4中。例如，時(shí)段T1的長(zhǎng)度可以是幾秒鐘到幾分鐘，但是，依賴(lài)于成像方法和成像條件，時(shí)段T1的長(zhǎng)度有很大不同。接下來(lái)，將描述圖6中所示的時(shí)段T2。時(shí)段T2是在此期間放射線(xiàn)被照射的時(shí)段。作為一個(gè)例子，時(shí)段T2是從放射線(xiàn)照射的開(kāi)始被檢測(cè)起一直到放射線(xiàn)的曝光量達(dá)到最佳劑量為止經(jīng)過(guò)的時(shí)段。時(shí)段T2也可以被說(shuō)成是在此期間放射線(xiàn)的照射量被監(jiān)視的時(shí)段。在時(shí)段T2中，電壓Voff1總是作為電壓Vg1至Vgm被施加。因此，使第一開(kāi)關(guān)元件5不導(dǎo)通。電壓Von作為電壓Vd1至Vd3被間歇地施加，并且使檢測(cè)像素2中的第二開(kāi)關(guān)元件7間歇地導(dǎo)通。在這種情況下，與第二控制線(xiàn)9與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間的寄生電容Cgs成比例的注入電荷在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上出現(xiàn)，如上所述。因此，放射線(xiàn)的檢測(cè)精度會(huì)由于注入電荷而降低。另外，依賴(lài)于注入電荷的量值，連接到檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12的檢測(cè)單元132會(huì)誤動(dòng)作。因此，當(dāng)接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)電壓施加到第二控制線(xiàn)9時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元52向連接到電容性元件14的電容線(xiàn)15施加電壓Vc，該電壓Vc具有與電壓Vd1至Vd3的極性相反的極性。當(dāng)施加電壓VL時(shí)，抵消在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上出現(xiàn)的電荷Q的電荷在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上生成。更具體而言，如圖6中的時(shí)段T2中所示，在與電壓Von作為電壓Vd1施加的定時(shí)重疊的定時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元52施加具有與電壓Von的極性相反的極性的電壓VL作為電壓Vc。雖然重疊的定時(shí)優(yōu)選地是同時(shí)的定時(shí)，但本發(fā)明不限于此。例如，如果由于通過(guò)向連接到檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12的第二開(kāi)關(guān)7中的一個(gè)開(kāi)關(guān)施加電壓Von或Voff造成的寄生電容而被注入的電荷可以被基本上抑制，則定時(shí)不需要完全相互匹配。如果電荷的影響可以被抑制到這樣一種程度：即使得作為檢測(cè)系統(tǒng)在使用來(lái)自檢測(cè)像素2的信號(hào)的情況下檢測(cè)精度被滿(mǎn)足，則由寄生電容Cgs引起的電荷可以基本上被抑制。將利用等式來(lái)描述在本示例性實(shí)施例中寄生電容Cgs的影響以及各電壓。當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)元件7被驅(qū)動(dòng)時(shí)經(jīng)由寄生電容Cgs在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上生成的電荷Q由以下等式(1)表示：Q＝(Von-Voff)×Cgs(1)由電容性元件14生成的電荷Q’由以下等式(2)表示，其中Cc是電容性元件14的電容：Q’＝(VL-VH)×Cc(2)抵消電荷Q所需的電荷Q’優(yōu)選地等于Q。因此，電容性元件14的電容值理想地被定義為使得以下表達(dá)式被滿(mǎn)足：(Von-Voff)×Cgs≈(VL-VH)×Cc(3)。根據(jù)上述關(guān)系，以下表達(dá)式(4)優(yōu)選地被滿(mǎn)足，其中，Cgs是在第二控制線(xiàn)9與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間形成的電容，ΔVpp是施加到第二控制線(xiàn)9的電壓差，Cc是電容性地耦合的部分(電容性元件14)的電容，且ΔVc是施加到電容線(xiàn)15的電壓差：1/2×Cgs×ΔVpp＜Cc×ΔVc＜2×Cgs×ΔVpp(4)在這里，VL-VH＝ΔVc并且Von-Voff＝ΔVpp。驅(qū)動(dòng)單元52理想地定義分別施加到第二開(kāi)關(guān)元件7和電容線(xiàn)15的電壓以滿(mǎn)足前面的等式。當(dāng)電容Cc和電壓差ΔVc至少在前面表達(dá)式的范圍中定義時(shí)，注入電荷Q可以?xún)?yōu)選地被抑制。接下來(lái)，將在下面描述圖6中所示的時(shí)段T3。時(shí)段T3是在此期間在放射線(xiàn)的照射完成之后由成像像素1中的放射線(xiàn)存儲(chǔ)的信號(hào)被讀出的時(shí)段。在時(shí)間段T3中，使得電壓Vd1至Vdn處于低電平。在時(shí)段T3中，檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12優(yōu)選地連接到固定電位以防止檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12浮動(dòng)。為了掃描第一控制線(xiàn)8，電壓Von作為電壓Vg1至Vg9被順序地施加，并且存儲(chǔ)在成像轉(zhuǎn)換元件4中的信號(hào)經(jīng)由信號(hào)線(xiàn)10被傳送到讀取單元51。圖7示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的另一構(gòu)造例子。如圖7中所示，在多個(gè)檢測(cè)區(qū)域(ROI)當(dāng)中每一個(gè)中布置多個(gè)檢測(cè)像素2。雖然一個(gè)檢測(cè)區(qū)域中布置兩個(gè)檢測(cè)像素2在圖7中作為一個(gè)例子，但是本發(fā)明不限于此。多個(gè)檢測(cè)像素2(例如，三個(gè)像素、10個(gè)像素和20個(gè)像素)可以被布置。第二控制線(xiàn)9在驅(qū)動(dòng)單元52與檢測(cè)區(qū)域之間被捆綁到一起，并且連接到多個(gè)檢測(cè)像素2。驅(qū)動(dòng)單元52可以通過(guò)輸出電壓一次來(lái)總體驅(qū)動(dòng)多個(gè)檢測(cè)像素2。因此，驅(qū)動(dòng)單元52與檢測(cè)區(qū)域之間的配線(xiàn)可以簡(jiǎn)化。讓驅(qū)動(dòng)單元52在檢測(cè)區(qū)域中獲取信號(hào)所需的時(shí)段可以縮短。檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6被共同連接到在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域中的信號(hào)線(xiàn)10。因此，來(lái)自每個(gè)檢測(cè)區(qū)域中的檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6的信號(hào)加倍。另一方面，來(lái)自每個(gè)檢測(cè)區(qū)域的注入電荷Q會(huì)加倍。另外，檢測(cè)像素2包括檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6和第二開(kāi)關(guān)元件7的組合，并且不包括成像轉(zhuǎn)換元件4和第一開(kāi)關(guān)元件5。另外，檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)元件7連接到信號(hào)線(xiàn)10。因此，信號(hào)經(jīng)由成像像素1與檢測(cè)像素2之間共用的信號(hào)線(xiàn)從檢測(cè)像素2被讀出。這種構(gòu)造使放射線(xiàn)的檢測(cè)靈敏度得以提高，這是因?yàn)闄z測(cè)轉(zhuǎn)換元件6可以在區(qū)域中被布置為是大的。在這種情況下，檢測(cè)像素2變?yōu)槿毕菹袼?，這是因?yàn)槌上褶D(zhuǎn)換元件4不布置在其中。但是，可以通過(guò)根據(jù)相鄰成像像素1的輸出和圖像數(shù)據(jù)補(bǔ)充其數(shù)據(jù)來(lái)校正檢測(cè)像素2。讀取單元51可以基于通過(guò)相加或求平均對(duì)應(yīng)于從布置在檢測(cè)區(qū)域中的多個(gè)檢測(cè)像素2獲取的信號(hào)的值所取得的值來(lái)計(jì)算(獲取)每個(gè)檢測(cè)區(qū)域中放射線(xiàn)的入射量。讀取單元51的構(gòu)造可以比圖1中所示的放射線(xiàn)成像裝置200的構(gòu)造更簡(jiǎn)化。接下來(lái)，將在下面描述圖7中所示的電容性元件14的構(gòu)造。如上所述，在兩個(gè)檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6在一條檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上在列方向上并排連接的情況下，對(duì)于每個(gè)像素，電容性元件14被布置成具有是在第二控制線(xiàn)9與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間形成的寄生電容的兩倍的電容。驅(qū)動(dòng)單元52輸出電壓使得施加到電容線(xiàn)15的電壓VH與VL之間的電壓差(VL-VH＝ΔVc)變得等于施加到第二控制線(xiàn)9的電壓差(Von-Voff＝ΔVpp)。上述驅(qū)動(dòng)使驅(qū)動(dòng)單元52能夠抵消由于寄生電容而出現(xiàn)在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上的電荷。為了抑制上述影響，驅(qū)動(dòng)單元52可以執(zhí)行控制以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電容性元件14來(lái)抵消注入電荷Q。因此，放射線(xiàn)成像裝置可以在該控制之下提高檢測(cè)精度。讀取單元51的誤動(dòng)作可以被抑制。將參照?qǐng)D8來(lái)描述第二示例性實(shí)施例。圖8示出根據(jù)第二示例實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的構(gòu)造。本示例性實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例的不同之處在于電容性元件14被布置在成像像素布置在其中的成像區(qū)域中。細(xì)節(jié)將在下面描述。首先，將描述電容線(xiàn)15的布置。多個(gè)電容線(xiàn)15被布置在成像區(qū)域中。另外，電容線(xiàn)15在每個(gè)成像區(qū)域的上部和下部分別布置。電容線(xiàn)15被布置成使得電容性元件14在成像區(qū)域的上部和下部中形成。在本示例性實(shí)施例中，電容線(xiàn)15被布置成使得電容性元件14在成像區(qū)域內(nèi)是不均勻的。但是，該布置是一個(gè)例子。例如，如果注入電荷可以在成像區(qū)域內(nèi)一位置處被充分抑制，則電容線(xiàn)15可以被布置成對(duì)于該位置而言不均勻。另外，在本實(shí)施例中，放射線(xiàn)成像裝置包括驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)單元52和驅(qū)動(dòng)電容性元件14的電容性元件驅(qū)動(dòng)單元54。當(dāng)有電壓施加到第二控制線(xiàn)9并且有電壓施加到第二開(kāi)關(guān)元件7時(shí)，由寄生電容引起的電荷(注入電荷)出現(xiàn)在信號(hào)線(xiàn)10上，如第一示例性實(shí)施例中所描述的。在這種情況下，依賴(lài)于第二控制線(xiàn)9的電阻值和電容值并且由電容性元件驅(qū)動(dòng)單元54施加的電壓波形也在輸入時(shí)間與輸出時(shí)間之間改變。因此，抑制注入電荷的精度依賴(lài)于電容性元件14的布置而減小。電容性元件14優(yōu)選地布置在其中生成注入電荷的位置附近。在這種情況下，電容線(xiàn)15優(yōu)選地具有與第二控制線(xiàn)9的電阻值和電容值相同的電阻值和電容值。更具體而言，電容線(xiàn)15和第二控制線(xiàn)9優(yōu)選地分別由具有基本相同長(zhǎng)度和基本相同電阻值的材料形成，并且其中寄生電容可以形成的相應(yīng)位點(diǎn)(site)優(yōu)選地具有相同的介電常數(shù)和相同的厚度?！熬哂谢鞠嗤L(zhǎng)度和基本相同電阻值的”的范圍指示它們被設(shè)計(jì)為基本上相同到這樣一種程度：即使得注入電荷可以被抵消，不需要完全相同，并且還可以包括設(shè)計(jì)誤差和機(jī)器差異。將參照?qǐng)D9A和圖9B來(lái)描述本示例性實(shí)施例中的電容性元件14。圖9A和圖9B示出本示例性實(shí)施例中的電容性元件14及其附近。電容性元件14在信號(hào)線(xiàn)10與電容線(xiàn)15之間形成。第二示例性實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例的不同之處在于電容性元件14被布置成與檢測(cè)轉(zhuǎn)換元件6鄰近。電容線(xiàn)15優(yōu)選地由與形成第二控制線(xiàn)9的層相同的層形成。電容線(xiàn)15以與用于形成第二控制線(xiàn)9的工藝相同的工藝形成。因此，電容線(xiàn)15可以在不增大制造步驟的數(shù)目的情況下形成。圖9B是示出本示例性實(shí)施例中的電容性元件14及其外圍的平面圖。圖9B與圖9A的不同之處在于電容性元件14被布置在充當(dāng)生成注入電荷的位點(diǎn)的第二控制線(xiàn)9被布置其中的行中。結(jié)果，注入電荷可以更優(yōu)選地被抑制。將在下面參照?qǐng)D10的時(shí)序圖來(lái)描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線(xiàn)成像裝置的操作。在下面的描述中，圖10中所示的各個(gè)符號(hào)的含義與圖6中所示的那些相同。時(shí)段T1和T3與圖6中所示的相同，并且因此其描述不再重復(fù)。接下來(lái)，將在下面描述時(shí)段T2。首先，為了驅(qū)動(dòng)第二開(kāi)關(guān)元件5，電壓Von作為電壓Vd1至Vd3被施加到第二控制線(xiàn)9。此時(shí)，與第二控制線(xiàn)9與檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12之間的寄生電容Cgs成比例的電荷Q在檢測(cè)信號(hào)線(xiàn)12上生成，因此電位變化發(fā)生。由于電荷Q的生成，由檢測(cè)單元132進(jìn)行的放射線(xiàn)檢測(cè)的精度會(huì)降低，并且檢測(cè)單元132會(huì)誤動(dòng)作。另一方面，在本示例性實(shí)施例中，具有與接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)電壓的極性相反的極性的電壓被施加到多個(gè)電容線(xiàn)15當(dāng)中靠近被驅(qū)動(dòng)的第二控制線(xiàn)9的電容線(xiàn)15。通過(guò)向每個(gè)電容線(xiàn)15施加具有與電壓Vd1至Vd3的極性相反的極性的電壓，驅(qū)動(dòng)單元52可以抵消由于寄生電容在信號(hào)線(xiàn)10上生成的電荷Q。如上所述，不像在第一示例性實(shí)施例中那樣，在本示例性實(shí)施例中，電容性元件14被布置在其中布置成像像素的成像區(qū)域中。因此，當(dāng)驅(qū)動(dòng)單元52向檢測(cè)像素2施加接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)電壓時(shí)由寄生電容引起的電位變化可以以高精度被抑制。(示例應(yīng)用實(shí)施例)將在下面參照?qǐng)D11來(lái)描述其中放射線(xiàn)成像裝置200被應(yīng)用到放射線(xiàn)檢測(cè)系統(tǒng)的例子。由充當(dāng)放射線(xiàn)源的X射線(xiàn)管6050生成的X射線(xiàn)6060通過(guò)被驗(yàn)者6061的胸部部分6062被發(fā)送，并且入射到放射線(xiàn)成像裝置200上。關(guān)于被驗(yàn)者6061的身體內(nèi)部的信息包括在入射X射線(xiàn)6060中。轉(zhuǎn)換單元3將放射線(xiàn)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)于X射線(xiàn)6050的入射的電荷，以取得電信息。此信息被轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，并且接受由作為信號(hào)處理單元的圖像處理器6070進(jìn)行的圖像處理，并且可以通過(guò)在控制室中的充當(dāng)顯示單元的顯示器6080觀(guān)察。此信息可以通過(guò)諸如電話(huà)線(xiàn)6090的傳輸處理裝置傳送到遠(yuǎn)處，可以在諸如醫(yī)生室的另一個(gè)地方顯示在充當(dāng)顯示單元的顯示器6081上或者存儲(chǔ)在諸如光盤(pán)的記錄單元中，并且也可以被位于遠(yuǎn)處的醫(yī)生診斷。信息也可被充當(dāng)記錄單元的膠片處理器6100記錄在充當(dāng)記錄介質(zhì)的膠片6110上。本發(fā)明的示例性實(shí)施例也可以在計(jì)算機(jī)或控制計(jì)算機(jī)執(zhí)行程序(計(jì)算機(jī)程序)時(shí)被實(shí)現(xiàn)。用于將程序饋送到計(jì)算機(jī)的手段，例如，諸如記錄了程序的光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)的計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)或者諸如發(fā)送程序的因特網(wǎng)的傳輸介質(zhì)，也可以被用作本發(fā)明的示例性實(shí)施例。上述程序也適用于作為本發(fā)明的示例性實(shí)施例。上述程序、記錄介質(zhì)和傳輸介質(zhì)以及程序產(chǎn)品包括在本發(fā)明的范疇中。雖然已經(jīng)基于示例性實(shí)施例在上面詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于具體的示例性實(shí)施例。在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，各種形式也包括在本發(fā)明的范疇中。另外，上述每個(gè)示例性實(shí)施例僅僅示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且示例性實(shí)施例也可以根據(jù)需要被組合。本發(fā)明的(一個(gè)或多個(gè))實(shí)施例也可以由系統(tǒng)或裝置的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)，其中計(jì)算機(jī)讀出并執(zhí)行記錄在存儲(chǔ)介質(zhì)(其也可以被更完整地稱(chēng)為“非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)”)上的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令(例如，一個(gè)或多個(gè)程序)，以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施例的功能，和/或計(jì)算機(jī)包括用于執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施例的功能的一個(gè)或多個(gè)電路(例如，專(zhuān)用集成電路(ASIC))，并且由系統(tǒng)或裝置的計(jì)算機(jī)通過(guò)例如從存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出并執(zhí)行計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令以便執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施例的功能和/或控制一個(gè)或多個(gè)電路執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施例的功能所執(zhí)行的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。計(jì)算機(jī)可以包括一個(gè)或多個(gè)處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))并且可以包括獨(dú)立計(jì)算機(jī)或獨(dú)立處理器的網(wǎng)絡(luò)來(lái)讀出和執(zhí)行計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令。計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令可以從例如網(wǎng)絡(luò)或存儲(chǔ)介質(zhì)中提供給計(jì)算機(jī)。存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括例如硬盤(pán)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、分布式計(jì)算系統(tǒng)的儲(chǔ)存裝置、光盤(pán)(諸如壓縮盤(pán)(CD)、數(shù)字多樣化盤(pán)(DVD)或藍(lán)光盤(pán)(BD)TM)、閃存存儲(chǔ)器設(shè)備、存儲(chǔ)卡等等當(dāng)中的一種或多種。其它實(shí)施例本發(fā)明的實(shí)施例還可以通過(guò)如下的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，即，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)或者各種存儲(chǔ)介質(zhì)將執(zhí)行上述實(shí)施例的功能的軟件(程序)提供給系統(tǒng)或裝置，該系統(tǒng)或裝置的計(jì)算機(jī)或是中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)讀出并執(zhí)行程序的方法。雖然已經(jīng)參考示例性實(shí)施例描述本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的示例性實(shí)施例。以下權(quán)利要求的范圍是要賦予最寬的解釋?zhuān)瑥亩w所有此類(lèi)修改和等同結(jié)構(gòu)及功能。