技術領域

下面的描述涉及一種聲波諧振器及其制造方法。

背景技術：

根據通信技術的最近發(fā)展，信號處理技術和射頻(RF)組件技術的相應的發(fā)展已變得理想。

例如，響應于使無線通信裝置小型化的最近需求，射頻組件小型化的技術已變得理想。研發(fā)為使射頻組件小型化的技術的示例包括使用半導體薄膜晶圓制造的呈體聲波(BAW)諧振器形式的濾波器。

體聲波(BAW)諧振器指的是具有通過在硅晶圓(作為半導體基板)上沉積壓電介電材料并利用壓電介電材料的壓電特性來產生諧振的薄膜的元件而被實現為濾波器的諧振器。

體聲波(BAW)諧振器的應用包括小且輕量化的濾波器(例如，移動通信裝置、化學和生物裝置等)、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質量傳感器等。

技術實現要素：

提供該發(fā)明內容以簡化形式來介紹選擇的構思，以下在具體實施方式中進一步描述該構思。本發(fā)明內容無意限定所要求保護的主題的主要特征或必要特征，也無意用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面中，一種聲波諧振器包括：諧振部，設置在基板上；蓋子，容納諧振部并結合到基板；結合部，將蓋子和基板彼此結合，結合部包括設置在蓋子的結合表面與基板的結合表面之間的至少一個阻擋塊，以阻擋在結合操作的過程中形成結合部的結合材料的泄漏。

結合部可包括：第一金屬層，設置在蓋子的結合表面上；第二金屬層，設置在基板的結合表面上；第三金屬層，介于第一金屬層與第二金屬層之間。

第三金屬層可包含錫(Sn)。

第一金屬層和第二金屬層可包含銅(Cu)或金(Au)。

所述至少一個阻擋塊可與第一金屬層和第二金屬層分開預定距離。

所述至少一個阻擋塊可設置在蓋子的結合表面和基板的結合表面中的至少一個上。

所述至少一個阻擋塊可包括設置在蓋子的結合表面上的第一阻擋塊和設置在基板的結合表面上的第二阻擋塊。

第一阻擋塊和第二阻擋塊可設置在彼此不面對的位置。

第一阻擋塊和第二阻擋塊可設置為彼此不接觸。

在另一總的方面中，一種制造聲波諧振器的方法包括：在基板上形成諧振部；將蓋子結合到基板，其中，蓋子的結合包括在蓋子的結合表面和基板的結合表面中的至少一個上設置阻擋塊。

蓋子的結合可包括：在蓋子的結合表面上形成第一金屬層，并且在基板的結合表面上形成第二金屬層；在第一金屬層和第二金屬層之間形成第三金屬層，以將蓋子和基板彼此結合。

所述阻擋塊可包含與第一金屬層或第二金屬層的材料相同的材料，并且可在同一工藝過程中與第一金屬層或第二金屬層一起形成。

所述阻擋塊可形成在與第一金屬層或第二金屬層分開預定距離的位置。

第三金屬層的形成可包括使第三金屬層熔化并使其固化，所述阻擋塊可阻擋熔化的第三金屬層的泄漏。

所述阻擋塊可沿著蓋子的結合表面或基板的結合表面的邊緣形成。

形成第三金屬層的材料可具有比形成所述阻擋塊的材料的熔點低的熔點。

在另一總的方面中，一種聲波諧振器包括：蓋子，設置在諧振部之上并結合到基板；結合部，設置在蓋子的結合表面與基板之間。結合部包括沿著蓋子的結合表面的邊緣設置的阻擋塊以及設置在結合表面上并與所述阻擋塊的側壁相鄰的結合材料。

結合部可包括設置在蓋子的結合表面上的第一金屬層，第一金屬層與所述阻擋塊分開；結合材料可從第一金屬層與基板之間的第一區(qū)域延伸到第一 金屬層與所述阻擋塊的側壁之間的第二區(qū)域。

所述阻擋塊和第一金屬層可由相同的材料形成，結合材料可包括具有比形成所述阻擋塊和第一金屬層的材料的熔點低的熔點的材料。

其它特征和方面將從下面的具體實施方式、附圖和權利要求而明顯。

附圖說明

圖1是示意性地示出聲波諧振器的示例的截面圖。

圖2是圖1中示出的聲波諧振器的A部分的放大截面圖。

圖3至圖8是示出制造聲波諧振器的方法的示例的示圖。

圖9是示意性地示出阻擋塊的另一示例的截面圖。

圖10是示意性地示出聲波諧振器的示例的平面圖。

在整個附圖和具體實施方式中，相同的標號指示相同的元件。附圖不一定按照比例繪制，為了清楚、說明和便利起見，可能會夸大附圖中元件的相對尺寸、比例和描繪。

具體實施方式

提供以下的具體實施方式，以幫助讀者獲得對在此描述的方法、設備和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，在此描述的方法、設備和/或系統(tǒng)的各種改變、修改以及等同物對于本領域的普通技術人員來說將是明顯的。在此描述的操作的順序僅僅是示例，而且其并不局限于在此闡述的，而是除了必須以特定順序進行的操作之外，可做出對于本領域的普通技術人員將是明顯的改變。此外，為了更加清楚和簡潔，可省略本領域的普通技術人員公知的功能和結構的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式實施，并且不應該被解釋為局限于在此描述的示例。更確切地說，提供在此描述的示例，以使本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的全部范圍傳達給本領域的普通技術人員。

在整個說明書中，將理解的是，當諸如層、區(qū)域或晶圓(基板)的元件被稱為“位于”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結合到”另一元件時，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“連接到”另一元件或直接“結合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的其它元件。相比之下，當元件被稱為“直接位于”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直 接結合到”另一元件時，可不存在介于它們之間的元件或層。相同的標號始終指示相同的元件。如在此使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關聯(lián)的所列項目中的任何以及全部組合。

將明顯的是，雖然可在此使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種構件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應被這些術語限制。這些術語僅用于將一個構件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例性實施例的教導的情況下，下面論述的第一構件、組件、區(qū)域、層或部分可稱作第二構件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了描述的方便，可在此使用與空間相關的術語(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如圖中示出的一個元件與另一元件的關系。將理解的是，除了圖中示出的方位之外，與空間相關的術語意于包括裝置在使用或操作時的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉，則被描述為“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件將被定位為“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，術語“在…之上”可根據附圖的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉90度或處于其它方位)，并可對在此使用的空間相對描述符做出相應解釋。

在此使用的術語僅用于描述各種實施例，并且無意限制本說明書。除非上下文中另外清楚地指明，否則如在此使用的單數形式也意于包括復數形式。還將理解的是，在本說明書中使用的術語“包括”和/或“包含”時，列舉存在所述的特征、整體、步驟、操作、構件、元件和/或它們的組合，而不排除存在或增加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、構件、元件和/或它們的組合。

在下文中，將參照示意圖描述本說明書中的實施例。在附圖中，例如，由于制造技術和/或公差，可估計所示出的形狀的修改。因此，實施例不應被理解為受限于在此示出的區(qū)域的形狀，而是應被理解為包括例如由于制造導致的特定形狀的改變。以下的實施例也可由一個或它們的組合而構成。

圖1示出了聲波諧振器的示例的截面圖，圖2示出了圖1中示出的聲波諧振器的A部分的放大截面圖。

首先，參照圖1，根據示出的示例的聲波諧振器100包括基板110、諧振部120和蓋子140。

在該示例中，氣隙130形成在基板110與諧振部120之間，諧振部120形成在膜層150上，以通過氣隙130與基板110分開。

基板110可形成為硅基板或絕緣體上硅(SOI，silicon-on-insulator)型基板。然而，基板110不限于此。

諧振部120包括第一電極121、壓電層123和第二電極125。諧振部120可通過自下而上順序地堆疊第一電極121、壓電層123和第二電極125而形成。在該示例中，壓電層123設置在第一電極121與第二電極125之間。

由于諧振部120形成在膜層150上，因此膜層150、第一電極121、壓電層123和第二電極125可順序地形成在基板110上，從而獲得圖1中示出的結構。

諧振部120可響應于施加到第一電極121和第二電極125的信號使壓電層123發(fā)生諧振，以產生諧振頻率和反諧振頻率。

第一電極121和第二電極125可由諸如金、鉬、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳等金屬形成。

諧振部120可利用壓電層123的聲波來產生諧振。例如，響應于施加到第一電極121和第二電極125的信號，壓電層123的厚度方向上可產生機械振動，從而產生聲波。

壓電層123可包含氧化鋅(ZnO)、氮化鋁(AlN)、石英等。

壓電層123的諧振現象可響應于施加的信號的波長的一半與壓電層123的厚度一致而發(fā)生。由于當發(fā)生諧振現象時電阻抗急劇地改變，因此根據示例的聲波諧振器可用作能夠選擇頻率的濾波器。

諧振頻率可通過壓電層123的厚度、圍住壓電層123的第一電極121、第二電極125以及壓電層123的固有的聲波速度來確定。

例如，隨著壓電層123的厚度減小，諧振頻率可增大。

參照圖1，諧振部120還包括保護層127。在該示例中，保護層127形成在第二電極125上，以防止第二電極125暴露于外部環(huán)境。

第一電極121和第二電極125形成在壓電層123的外表面上，并且分別連接到第一連接電極180和第二連接電極190。

第一連接電極180和第二連接電極190可被設置為確認諧振器和濾波器的特性，并且執(zhí)行需要的頻率微調。然而，第一連接電極180和第二連接電極190不限于此。

在該示例中，諧振部120與基板110通過氣隙130分開，以提高品質因數。

例如，通過在諧振部120與基板110之間形成氣隙130，從壓電層123產生的聲波不會受基板110影響。

此外，從諧振部120產生的聲波的反射特性可通過氣隙130來提高。由于氣隙130(作為空的空間)具有近似于無窮大的阻抗，因此通過使用氣隙130聲波不會損耗，并且可保留在諧振部120中。

因此，通過使用氣隙130減小聲波在縱向方向上的損耗，可提高諧振部120的品質因數值。

在該示例中，貫穿基板110的多個通孔112形成在基板110的下表面中。此外，連接導體115a和115b可分別形成在通孔112中。

連接導體115a和115b形成在通孔112的內表面(即，通孔112的整個內壁)上，但不限于此。

此外，連接導體115a和115b的一端連接到形成在基板110的下表面上的外電極117，連接導體115a和115b的另一端分別連接到第一電極121和第二電極125。

在該示例中，第一連接導體115a將第一電極121和外電極117彼此電連接，第二連接導體115b將第二電極125和外電極117彼此電連接。

因此，第一連接導體115a可穿過基板110和膜層150，并且可電連接到第一電極121，第二連接導體115b可穿過基板110、膜層150和壓電層123，并且可電連接到第二電極125。

同時，雖然圖1示出并表描述了僅兩個通孔112以及兩個連接導體115a和115b，但是通孔和連接導體的數量不限于此。根據需要，可設置多個通孔112以及連接導體115a和115b。

蓋子140被設置為保護諧振部120免于受到外部環(huán)境影響。

蓋子140形成為具有內部空間的蓋子形式，其中，諧振部120容納在所述內部空間中。蓋子140可密閉地密封諧振部120。因此，蓋子140結合(bond)到基板，以使蓋子140的側壁141圍住容納部120。

此外，側壁141的下表面可用作與基板110結合的結合表面141a。

在該示例中，蓋子140通過固液互擴散(SLID，solid liquid inter-diffusion)鍵合而結合到基板110，合成的結合部175形成在蓋子的結合表面141a與基板的結合表面110a之間。

可使用Cu-Sn鍵合作為SLID鍵合。然而，還可使用Au-Sn鍵合。

參照圖2，結合部175包括形成在蓋子140上的第一金屬層171、形成在基板110上的第二金屬層172以及介于第一金屬層171與第二金屬層172之間的第三金屬層173。

第一金屬層171和第二金屬層172可由Cu材料形成，第三金屬層173可由Sn材料形成。

此外，第三金屬層173延伸到第一金屬層171和第二金屬層172的外側。

延伸部分可以是由在SLID鍵合工藝過程中熔化并在固化之前泄露到第一金屬層171與第二金屬層172之間的空間的外部的Sn結合材料形成的部分。

由于第三金屬層173通過使熔化的Sn結合材料擴散到第一金屬層171和第二金屬層172之間而形成，因此突出到第一金屬層171和第二金屬層172的外側的第三金屬層173會與第三金屬層173分開，并且被引入到諧振部120中。此外，在過量的熔化的Sn流到第一金屬層171和第二金屬層172的外側的情況下，第一金屬層171與第二金屬層172之間的區(qū)域中的將第一金屬層171和第二金屬層172彼此結合的Sn的量會減小，從而使結合可靠性劣化。

因此，聲波諧振器包括位于第一金屬層171或第二金屬層172的外側的至少一個阻擋塊177。

參照圖2，阻擋塊177設置在與第一金屬層171或第二金屬層172分開預定距離的位置，并且設置在與蓋子140的結合表面141a對應的區(qū)域內。

阻擋塊177沿著蓋子140的結合表面141a的邊緣呈細長形狀。在平面圖中阻擋塊177沿著結合表面141a可呈連續(xù)的環(huán)形形狀，或沿著結合表面141a呈其它幾何形狀。然而，阻擋塊177不限于此，并且還可在結合表面141a之下形成為例如虛線形狀(參照圖10)。

在該示例中，阻擋塊177形成為具有與第一金屬層171或第二金屬層172的厚度大體相似的厚度。然而，阻擋塊177的厚度不限于此。例如，阻擋塊177可形成為具有各種厚度，只要阻擋塊177可阻擋熔化的Sn的流動即可。

圖2示出了阻擋塊177形成在蓋子140和基板110這二者上的示例。然而，本說明書中的構造不限于此，阻擋塊177還可形成在蓋子140和基板110中的僅任何一個上。

此外，在阻擋塊177形成在蓋子140和基板110這二者上的示例中，形成在蓋子140上的阻擋塊177a(在下文中稱作第一阻擋塊)和形成在基板110上的阻擋塊177b(在下文中稱作第二阻擋塊)可被設置為彼此不面對或重疊。

例如，第一阻擋塊177a設置在第二阻擋塊177b的內側。然而，第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b可進行各種修改。另一方面，例如，第二阻擋塊177b可設置在第一阻擋塊177a的內側等。

這是一種在形成結合部175時能夠將結合部175內的空氣平穩(wěn)地排放到外部的構造。在形成結合部175的過程中第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b彼此接觸并彼此結合的示例中，阻擋塊177的內部空間可通過第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b被密封。因此，阻擋塊177中的空氣無法被排放到外部，在阻擋塊177中的空氣由于熱而膨脹的示例中，空氣壓力會導致結合缺陷。

然而，在如圖2所示的實施例那樣第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b被設置為彼此不重疊的示例中，由于提供了阻擋塊177中的空氣可通過其排放的通道，因此可防止發(fā)生上述的結合缺陷。

圖2中示出的阻擋塊177可由與第一金屬層171或第二金屬層172的材料相同的材料(例如，銅(Cu)、金(Au))形成。原因在于阻擋塊177可在同一工藝中與第一金屬層171或第二金屬層172一起形成，但本公開的構造不限于此。此外，結合材料可包括具有比形成阻擋塊177和第一金屬層171的材料的熔點低熔點的材料。

同時，雖然圖2示出了整個第一阻擋塊177a和整個第二阻擋塊177b彼此不接觸的示例，但是阻擋塊177不限于上述構造，并且可進行各種修改。

圖9示出了與圖2相似的阻擋塊的另一示例的截面圖。

參照圖9，設置在結合部175的外側的阻擋塊177包括第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b，與第二阻擋塊177b相比，第一阻擋塊177a被設置為與結合部175更靠近。此外，設置在結合部175的內側的另一阻擋塊177包括與第一阻擋塊177a相比被設置為與結合部175更靠近的第二阻擋塊177b。

在該示例中，第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b具有它們的至少一部分彼此重疊的部分。然而，由于整個第一阻擋塊177a和整個第二阻擋塊177b彼此不完全重疊，因此仍提供了結合部175中的空氣可通過其排放的通道。

圖10示出了根據圖1的聲波諧振器的示例的平面圖。參照圖10，聲波諧振器包括具有形成矩形形狀的側壁141的蓋子140。阻擋塊177沿著側壁141的內邊緣和外邊緣設置，以形成封閉的形狀(例如，與側壁141的形狀相似的矩形形狀或環(huán)形)。雖然圖10中示出了具有矩形形狀的阻擋塊177和蓋子140的聲波諧振器，但是在另一示例中，可應用例如環(huán)形形狀的其它幾何形狀。在另一示例中，阻擋塊177可不形成封閉的形狀。例如，阻擋塊177可僅設置在側壁141的一部分(例如，蓋子140的至少兩個相對側)之下或虛線中，以防止結合材料的泄漏。諧振部120容納在基板110與蓋子140之間。圖10中省略了聲波諧振器的多種特征。對于這些特征，參照圖1的聲波諧振器的描述適用于圖10中的聲波諧振器。

接下來，將描述制造聲波諧振器的方法的示例。

圖3至圖7是示出制造聲波諧振器的方法的示圖。

首先，參照圖3，在基板110上形成諧振部120。在該示例中，通過在基板110上形成犧牲層(未示出)并且在犧牲層上和基板110上順序地層壓膜層150、第一電極121、壓電層123、第二電極125和保護層127來獲得諧振部120。此外，在犧牲層150上形成膜層150之后，然后通過去除犧牲層來形成氣隙130。

通過形成導電層，在導電層上沉積光刻膠，使用光刻工藝執(zhí)行圖案化，然后使用圖案化的光刻膠作為掩膜去除不必要的部分來使第一電極121和第二電極125形成為需要的圖案。

根據示出的實施例，第一電極121可由鉬(Mo)材料形成，第二電 極125可由釕(Ru)形成。然而，第一電極121和第二電極125的材料不限于此，根據需要，第一電極121和第二電極125可由諸如金、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳等形成。

此外，壓電層可由氮化鋁(AlN)形成。然而，壓電層123的材料不限于此，壓電層123可由各種壓電材料(例如，氧化鋅(ZnO)、石英等)形成。

保護層170可由絕緣材料形成。絕緣材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料和氮化鋁基材料。

接下來，在第一電極121上和第二電極125上形成用于頻率微調的連接電極180和190。連接電極180和190可分別形成在第一電極121和第二電極125上，并且可穿過保護層127或壓電層123，以連接到第一電極和第二電極。

可通過蝕刻來部分地去除保護層127和壓電層123以將第一電極121暴露于外部，然后在第一電極121上沉積金(Au)、銅(Cu)等來形成第一連接電極180。

類似地，可通過蝕刻來部分地去除保護層127以將第二電極125暴露于外部，然后在第二電極125上沉積金(Au)、銅(Cu)等來形成第二連接電極190。

然后，在確認諧振部120或濾波器的特性并使用連接電極180和190執(zhí)行需要的頻率微調之后，可形成氣隙130。

如上所述，通過去除犧牲層來形成氣隙130。結果，完成了根據圖3的諧振部120。

接下來，參照圖4，形成蓋子140，以保護諧振部120免于受到外部環(huán)境影響。可在晶圓級通過晶圓結合來形成蓋子140。也就是說，其上設置有多個單元基板110的基板晶圓以及其上設置有多個蓋子140的蓋子晶圓可彼此結合以一體地形成。

在這種情況下，然后可通過切割工藝對彼此結合的基板晶圓和蓋子晶圓進行切割，以分成多個單獨的聲波諧振器。

在將蓋子140結合到基板的操作中，如圖5所示，可執(zhí)行如下操作：首先在蓋子140的結合表面141a上形成第一金屬層171；在基板110的結合表面110a上形成第二金屬層172。在該示例中，阻擋塊177與第一金屬 層171和第二金屬層172一起形成。也就是說，阻擋塊177以及第一金屬層171和第二金屬層172在同一工藝中大體上同時形成。

在蓋子140或基板110上通過沉積法等形成第一金屬層171和第二金屬層172以及阻擋塊177，但不限于此。此外，第一金屬層171和第二金屬層172以及阻擋塊177可由相同的材料(例如，銅(Cu)、金(Au))形成。因此，由于在形成第一金屬層171和第二金屬層172的過程中，阻擋塊177可與第一金屬層171和第二金屬層172一起形成，因此可不需要制造阻擋塊177的單獨的工藝。

接下來，參照圖6，分別在第一金屬層171的表面和第二金屬層172的表面上形成結合層173a。在該示例中，結合層173a最終形成為第三金屬層173。結合層173a可由Sn形成，并且可通過沉積法等形成在第一金屬層171的表面和第二金屬層172的表面上。此外，形成第三金屬層173的材料可具有比形成阻擋塊177的材料的熔點低的熔點。

接下來，參照圖7，將蓋子140放置在基板110上。此外，通過執(zhí)行加熱和壓制來使形成在蓋子140上的結合層173a和形成在基板110上的結合層173a彼此結合。在這個過程中，可使結合層173a熔化，然后使其固化以彼此結合，并且結合層173a可形成為第三金屬層173。結果，可獲得圖2中示出的結合部175。

在該示例中，通過阻擋塊177進一步防止熔化的結合層173a的流動到第一金屬層171和第二金屬層172的外部的部分泄漏。結果，熔化的結合層173a可僅設置在阻擋塊177的內部空間中，并且不會流動到阻擋塊177的外部。

接下來，參照圖8，在基板110中形成通孔112之后，在通孔112中形成連接導體115a和115b。

可通過在通孔112的內表面上形成導電層來制造連接導體115a和115b。例如，可通過沉積、涂覆或沿著通孔112的內壁設置導電金屬(例如，金、銅等)來形成連接導體115a和115b。

接下來，通過在基板110的下表面上形成外電極117來形成圖1中示出的聲波諧振器100。

在延伸至基板110的下表面的連接導體115a和115b上形成外電極117。可使用由Sn材料形成的焊料球作為外電極117，但外電極117不限 于此。

在制造根據具有如上所述的構造的示例的聲波諧振器的方法中，由于阻擋塊可在形成第一金屬層和第二金屬層的操作一起形成，因此可不需要形成阻擋塊的單獨的工藝。

此外，可通過阻擋塊來防止在形成結合部的過程中熔化的結合層過多地流動到第一金屬層和第二金屬層的外部的情況。

同時，聲波諧振器及其制造方法不限于上述實施例，并且可進行不同的修改。

例如，上述實施例示出了蓋子附著到基板然后形成連接導體的示例。然而，本公開不限于此，并且可進行不同的修改。例如，在首先形成連接導體之后，蓋子可附著到基板等。

此外，上述實施例示出了阻擋塊的截面形成為四邊形形狀的示例。然而，本公開不限于此，并且可進行不同的修改。例如，阻擋塊的截面可形成為三角形形狀或梯形形狀等。

如上所述，根據上面描述的示例，聲波諧振器可包括阻擋當蓋子和基板結合時由于熱而熔化的結合層的流動的阻擋塊。結果，阻擋塊可防止熔化的結合層流動到結合部的外部。

此外，在上面描述的制造聲波諧振器的方法的示例中，由于阻擋塊可在形成第一金屬層和第二金屬層的操作中一起形成，因此可不需要形成阻擋塊的單獨工藝。結果，可容易地制造聲波諧振器。

雖然本公開包括具體示例，但是對本領域的普通技術人員將明顯的是，在不脫離權利要求以及其等同物的精神和范圍的情況下，可在形式和細節(jié)方面對這些示例做出各種改變。在此描述的示例僅被視為描述意義，而非出于限制的目的。在每個示例中的特征或方面的描述被視為適用于其它示例中的類似的特征或方面。如果按照不同的順序執(zhí)行描述的技術、和/或如果按照不同的方式來組合所描述的系統(tǒng)、結構、裝置或電路、和/或由其它組件或其等同物來替換或增添所描述的系統(tǒng)、結構、裝置或電路，則可實現合理的結果。因此，本公開的范圍不由具體實施方式限定，而是由權利要求及其等同物限定，并且權利要求及其等同物的范圍內的各種改變將被理解為包括在本公開中。