1.功率半導(dǎo)體電路，包括具有漏極(D)、源極(S)和柵極(G)作為端子的場效應(yīng)晶體管(T1,T2)，以及包括具有驅(qū)動(dòng)設(shè)備(2)和欠壓檢測電路(5)的控制設(shè)備(3)，其中所述驅(qū)動(dòng)設(shè)備(2)被設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)并且電連接至所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述柵極(G)，其中所述欠壓檢測電路(5)被設(shè)計(jì)用于如果存在于所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述漏極(D)和所述源極(S)之間的功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)降至低于特定電壓值(Uw)則生成欠壓檢測信號(F)，其中驅(qū)動(dòng)設(shè)備(2)被設(shè)計(jì)用于當(dāng)存在用于導(dǎo)通所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的導(dǎo)通命令和所述欠壓檢測信號(F)時(shí)導(dǎo)通所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)。
2.根據(jù)上述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的功率半導(dǎo)體電路，其特征在于，所述特定電壓值(Uw)在絕對值為閾值電壓的90％的負(fù)值和所述功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)的+30％之間，該閾值電壓是所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的反向并聯(lián)連接的內(nèi)部續(xù)流二極管(D’)的閾值電壓或與所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)反向并聯(lián)連接的外部續(xù)流二極管(D”)的閾值電壓，所述功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)在所述功率半導(dǎo)體電路(4,4’)的操作期間在所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的截?cái)酄顟B(tài)下以穩(wěn)態(tài)形式存在。
3.根據(jù)上述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的功率半導(dǎo)體電路，其特征在于，所述特定電壓值(Uw)的值依賴于恰好在所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)被導(dǎo)通之前發(fā)生的所述功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)的變化的速度(Vu)，而且較之變化的低速度(Vu)，在所述功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)的變化的較高速度(Vu)下，所述值更高。
4.根據(jù)上述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的功率半導(dǎo)體電路，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)被實(shí)施為MOSFET或JFET。
5.根據(jù)上述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的功率半導(dǎo)體電路，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)被實(shí)施為n溝道場效應(yīng)晶體管，其中所述欠壓檢測電路(5)具有限值監(jiān)測單元(6)、第一二極管(D1)、第一電容器(C1)以及電阻器(R1)，其中所述限值監(jiān)測單元(6)的第一輸入、所述第一電容器(C1)的第一端子、所述第一二極管(D1)的正極以及所述電阻器(R1)的第一端子電連接至電路節(jié)點(diǎn)(7)，其中所述第一二極管(D1)的負(fù)極電連接至所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述漏極(D)，其中所述第一電容器(C1)的第二端子電連接至所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述源極(S)，其中所述限值監(jiān)測單元(6)被設(shè)計(jì)用于如果存在于所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的漏極(D)和源極(S)之間的所述功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)降至低于所述特定電壓值(Uw)則生成欠壓檢測信號(F)，因此使得在所述限值監(jiān)測單元(6)的第一輸入和所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述源極(S)之間存在的電壓(U3)降至低于所述限值監(jiān)測單元(6)的第二輸入處存在的參考電壓(Ur)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體電路，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)被實(shí)施為p溝道場效應(yīng)晶體管，其中所述欠壓檢測電路(5)具有限值監(jiān)測單元(6)、第一電容器(C1)、第一二極管(D1)以及電阻器(R1)，其中所述限值監(jiān)測單元(6)的第一輸入、所述第一電容器(C1)的第一端子、所述第一二極管(D1)的負(fù)極以及所述電阻器(R1)的第一端子電連接至電路節(jié)點(diǎn)(7)，其中所述第一二極管(D1)的正極電連接至所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述漏極(D)，其中所述第一電容器(C1)的第二端子電連接至所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述源極(S)，其中所述限值監(jiān)測單元(6)被設(shè)計(jì)用于如果存在于所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的漏極(D)和源極(S)之間的所述功率半導(dǎo)體電壓(U1,U2)降至低于所述特定電壓值(Uw)則生成欠壓檢測信號(F)，因此使得在所述限值監(jiān)測單元(6)的第一輸入與所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述源極(S)之間存在的電壓(U3)降至低于所述限值監(jiān)測單元(6)的第二輸入處存在的參考電壓(Ur)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的功率半導(dǎo)體電路，其特征在于，所述限值監(jiān)測單元(6)具有替代所述第一二極管(D1)或除所述第一二極管(D1)之外的第二電容器(C2)，其中所述第二電容器(C2)的第一端子電連接至所述電路節(jié)點(diǎn)(7)，以及所述第二電容器(C2)的第二端子電連接至所述場效應(yīng)晶體管(T1,T2)的所述漏極(D)。
8.半導(dǎo)體橋式電路裝置，包括第一功率半導(dǎo)體電路(4)和第二功率半導(dǎo)體電路(4’)，根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)分別實(shí)施所述第一功率半導(dǎo)體電路(4)和第二功率半導(dǎo)體電路(4’)，其中所述第二功率半導(dǎo)體電路(4’)的場效應(yīng)晶體管(T2)與所述第一功率半導(dǎo)體電路(4)的場效應(yīng)晶體管(T1)串聯(lián)電連接。