本發(fā)明涉及一種作為壓電元件的晶體振子、晶體振蕩器及適合用于其制造的基座(base)。

背景技術(shù)：

在移動電話或個人計算機(personal computer)等各種電子設(shè)備中，為了進行頻率的選擇或控制等，多使用晶體振子或晶體振蕩器。

作為晶體振子的一例，例如有專利文獻1所公開的晶體振子。該晶體振子包括：俯視下為矩形狀的晶體片，在兩主面具備激勵電極及引出電極；以及基座，安裝有該晶體片，且具有連接于所述引出電極的第1配線電極及第2配線電極。并且，該晶體片是通過利用導電性粘合劑將該其中一面的引出電極粘合固定于基座的第1配線電極，從而固定于基座。利用導電性粘合劑的固定位置是設(shè)為晶體片的一條邊(具體而言為一條短邊)側(cè)的端部且相當于該邊的大致中央的部分。而且，設(shè)置在晶體片另一面的引出電極與基座的第2配線電極是通過打線接合(wire bonding)而連接。并且，以利用導電性粘合劑的固定位置與利用打線接合的晶體片側(cè)的接合位置在晶體片的厚度方向上重合的方式，來進行所述粘合及打線接合。

專利文獻1所公開的該晶體振子中，晶體片是在其短邊側(cè)端部的短邊的大致中心附近，即，晶體片是以一處部位固定于基座，因此難以產(chǎn)生晶體片的傾斜，作業(yè)性得到提高(專利文獻1的例如段落8)。而且，由于通過打線接合來進行晶體片與基座的電連接中的其中之一，因此可認為從晶體的固定部對晶體片的應(yīng)力的影響得以減輕。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2010-147625號公報

然而，打線接合是對形成在晶體面的引出電極進行，但由于晶體是脆的，因此關(guān)鍵在于要以微弱的力來穩(wěn)定地進行打線接合。為了實現(xiàn)該打線接合，關(guān)鍵在于晶體片的傾斜小，且晶體片的高度偏差(即，接合面的高度偏差)得到抑制。因而，當通過導電性粘合劑來以一點固定晶體片時，為了進一步減輕晶體片的傾斜或高度偏差，需要進一步的努力。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的各實施例的目的在于解決所述問題。

[解決問題的技術(shù)手段]

為了達成該目的，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的壓電元件，包括：晶體片，平面形狀為矩形；激勵電極，設(shè)置在該晶體片的兩主面；引出電極，從各激勵電極引出到所述晶體片的一條邊附近為止；基座，安裝有所述晶體片且平面形狀為矩形；以及第1配線電極及第2配線電極，設(shè)置于該基座，且連接于所述引出電極。

并且，所述晶體片在其的其中一面的所述一條邊側(cè)的端部，通過導電性粘合劑而連接固定于第1配線電極，且所述晶體片的另一面的引出電極與所述第2配線電極通過打線接合而連接，且以利用所述導電性粘合劑的固定位置與利用所述打線接合的所述晶體片側(cè)的接合位置在所述晶體片的厚度方向上重合(也包括大致重合的情況)的方式，來進行所述固定與打線接合。

并且，第1配線電極是設(shè)置在基座的一條邊側(cè)的端部，且設(shè)為如下的大小及平面形狀，即，至少在平面上包含將固定用的所述導電性粘合劑的與所述晶體片接觸的部分投影至所述基座側(cè)的區(qū)域(以下也稱作“導電性粘合劑的主要區(qū)域”)。該第1配線電極的表面是設(shè)為盡可能平坦的面。

另外，在該第一實施例的實施中，優(yōu)選的是，所述第1配線電極可設(shè)置在基座的一條邊側(cè)的端部且設(shè)置在如下的部分，該部分包含相當于沿著所述一條邊的方向的中央的部分。

而且，在該第一實施例的實施中，更優(yōu)選的是，所述第1配線電極的大小及平面形狀是在平面上包含固定用的所述導電性粘合劑的全部涂布區(qū)域的大小及平面形狀。

根據(jù)該第一實施例及其優(yōu)選例，固定晶體片的導電性粘合劑位于具有比該主要區(qū)域的平面積廣的平面積的第1配線電極上。若在導電性粘合劑的涂布面存在階差，則在搭載晶體片之后晶體片會被拉向階差低的一側(cè)，直至粘合劑固化為止，在從上方按壓晶體片的情況下，成為引起晶體片傾斜或高度偏差的原因。但是，本發(fā)明中，至少導電性粘合劑的主要區(qū)域不會從第1配線電極突出而遍及基座上設(shè)置，因此僅設(shè)置在同一高度的面上，故而能夠降低晶體片的傾斜或高度的偏差。

而且，在本發(fā)明第一實施例的實施中，可將所述第1配線電極及第2配線電極設(shè)為以下的(a)～(d)的各形態(tài)，且可設(shè)為從這些(a)～(d)中將與目的相對應(yīng)的一個形態(tài)或多個形態(tài)加以組合的形態(tài)。

(a)將所述第1配線電極與所述第2配線電極以沿著晶體片的所述一條邊的方向而配置，且所述第1配線電極是在與所述第2配線電極側(cè)相反的方向上延伸設(shè)置到超過所述晶體片的沿著所述一條邊的端部的區(qū)域為止的形態(tài)(具體例為圖1(A)、圖1(B)的第1配線電極23)。

(b)所述第1配線電極與所述第2配線電極是以沿著晶體片的所述一條邊的方向而配置，且所述第2配線電極設(shè)置在所述基座的角附近，且以如下的大小及配置而設(shè)置的形態(tài)，即，所述第2配線電極的基座的中心側(cè)的邊緣在與所述一條邊正交的方向上為利用固定用的所述導電性粘合劑的粘合區(qū)域的中心位置或較其更靠所述基座的中心側(cè)。(具體例為圖1(A)、圖1(B)的第2配線電極25)。

(c)所述第1配線電極與所述第2配線電極是以沿著晶體片的所述一條邊的方向而配置，且所述第1配線電極是設(shè)置在不超過所述晶體片的沿著所述一條邊的端部的區(qū)域內(nèi)的形態(tài)(具體例為圖6(A)、圖6(B)的第1配線電極23x、圖7(A)、圖7(B)的第1配線電極23y)。

(d)所述第1配線電極與所述第2配線電極是以沿著晶體片的所述一條邊的方向而配置，且所述第2配線電極是設(shè)置在所述基座的角附近且不與所述晶體片重合的區(qū)域的形態(tài)。(具體例為圖6(A)、圖6(B)的第2配線電極25x、圖7(A)、圖7(B)的第2配線電極25y)。

在采用所述形態(tài)(a)、形態(tài)(b)中的任一種或兩種的情況下，第1配線電極和/或第2配線電極也作為減輕晶體片傾斜的構(gòu)件而發(fā)揮作用，因此，在萬一產(chǎn)生晶體片的傾斜的情況下，能夠輔助其矯正。

而且，在采用所述形態(tài)(c)、形態(tài)(d)中的任一種或兩種的情況下，第1配線電極與第2配線電極具有該第一實施例中所說的、在平面上包含導電性粘合劑的全部涂布區(qū)域的大小及平面形狀這一最低必要條件的平面積。即，第1配線電極及第2配線電極成為僅存在于晶體片下側(cè)的必要區(qū)域，不存在于晶體片的緣部下側(cè)的結(jié)構(gòu)。因此，當利用在平面上包含導電性粘合劑的全部涂布區(qū)域的大小及平面形狀這一第一實施例的最低必要構(gòu)成成分來防止晶體片的傾斜時，即使在殘留有不會接觸到基座底面的程度的微小傾斜的情況下，也能夠防止晶體片的緣部接觸到第1配線電極或第2配線電極，從而能夠排除由此種不必要的接觸引起的對晶體片的應(yīng)力的影響。因而，對于此種容易受到應(yīng)力影響的壓電元件而言，有用的是這些形態(tài)(c)、形態(tài)(d)。

而且，該第一實施例及其優(yōu)選例中所用的導電性粘合劑能夠使用硅酮系粘合劑、環(huán)氧系粘合劑、聚酰亞胺系粘合劑等各種粘合劑。然而，當實施該發(fā)明時，優(yōu)選的是，所用的導電性粘合劑為富有彈性的，典型的可采用硅酮系的導電性粘合劑。這樣，與使用環(huán)氧系或聚酰亞胺系的導電性粘合劑的情況相比，晶體片與基座之間的緩沖效果得到提高，因此能夠進一步減輕來自基座的應(yīng)力影響。

而且，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的壓電元件，包括：所述第一實施例及其優(yōu)選例的壓電元件中的任一個；以及與晶體片一同安裝于基座的晶體振蕩電路。根據(jù)該第二實施例，能夠?qū)崿F(xiàn)無由晶體片的傾斜引起的特性下降的晶體振蕩器。

而且，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的基座，平面形狀為矩形，且包括：第1配線電極，涂布將晶體片的其中一個主面的端部固定及電連接于基座的導電性粘合劑；以及第2配線電極，從所述晶體片的另一面的端部連接打線接合用金屬線，所述基座的特征在于，第1配線電極是設(shè)置在基座的一條邊側(cè)的端部，且為至少在平面上包含預(yù)定區(qū)域(成為導電性粘合劑的主要區(qū)域的預(yù)定區(qū)域)的大小及平面形狀，該預(yù)定區(qū)域為將涂布所述導電性粘合劑時的與所述晶體片接觸的部分投影至該基座側(cè)的區(qū)域。

另外，當實施該基座的實施例時，更優(yōu)選的是，第1配線電極可如所述第一實施例的優(yōu)選例所敘述那樣，設(shè)置在基座的一條邊側(cè)的端部且相當于沿著該一條邊的方向的中央的部分。而且，第1配線電極可設(shè)為在平面上包含固定用的所述導電性粘合劑的整個涂布預(yù)定區(qū)域的大小及平面形狀。

進而，當實施該基座的實施例時，可采用將所述第一實施例中敘述的形態(tài)(a)～形態(tài)(d)中的一個形態(tài)或多個形態(tài)加以組合的形態(tài)。

根據(jù)這些基座的實施例及其優(yōu)選例，容易制造并用導電性粘合劑與打線接合的單點保持結(jié)構(gòu)的壓電元件。

(發(fā)明的效果)

根據(jù)本發(fā)明的壓電元件，能夠獲得一種壓電元件，該壓電元件是并用導電性粘合劑與打線接合的單點保持結(jié)構(gòu)的壓電元件，且是晶體片的傾斜或高度偏差小的壓電元件。

而且，根據(jù)本發(fā)明的基座，容易實施所述壓電元件。

附圖說明

圖1(A)是實施方式的壓電元件10的平面圖，圖1(B)是壓電元件10的剖面圖。

圖2(A)是對第1配線電極與導電性粘合劑的涂布區(qū)域的關(guān)系進行說明的主要部分平面圖，圖2(B)是主要部分剖面圖，圖2(C)是對其他粘合狀態(tài)進行說明的剖面圖。

圖3是對晶體片進行說明的平面圖，是對晶體片、激勵電極及引出電極的關(guān)系進行說明的圖。

圖4(A)是對基座的實施例進行說明的平面圖，圖4(B)是其剖面圖。

圖5(A)是對壓電元件及基座的其他例(振蕩電路構(gòu)件搭載例)進行說明的平面圖，圖5(B)是其剖面圖，圖5(C)是對壓電元件及基座的進而其他例進行說明的剖面圖。

圖6(A)是尤其采用了第1配線電極、第2配線電極的其他實施方式的壓電元件的平面圖，圖6(B)是著眼于這些配線電極的平面圖。

圖7(A)是尤其采用了第1配線電極、第2配線電極的進而其他實施方式的壓電元件的平面圖，圖7(B)是著眼于這些配線電極的平面圖。

圖8(A)是尤其采用了基座的其他實施方式的壓電元件10的平面圖，圖8(B)是該壓電元件的剖面圖。

圖9是表示片狀的基座構(gòu)件的一例的圖。

[附圖標記說明]

10：壓電元件

11：晶體片

11a、21b：一條邊

13：激勵電極

15a、15b：引出電極

21：基座

21a：凹部

21x：基座(帶接縫熔接用環(huán)的)

21y：接縫熔接用的環(huán)

21z：基座(H型結(jié)構(gòu)的)

23、23x、23y：第1配線電極

25、25x、25y：第2配線電極

25a：第2配線電極的基座的中心側(cè)的邊緣

31：導電性粘合劑

31a：導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域

31b、31c：導電性粘合劑的主要區(qū)域

31x：導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域

31y：導電性粘合劑與晶體片接觸的預(yù)定區(qū)域

33：金屬線

40：振蕩器

41：晶體振蕩電路

50：H型結(jié)構(gòu)的振蕩器

60、70、80：壓電元件

81：平板狀的基座

81a：經(jīng)劃分而成的區(qū)域

81s：片狀的基座構(gòu)件

83：蓋構(gòu)件

83a：凹部

d、d′：尺寸

O、O′：中心位置

具體實施方式

以下，參照附圖來說明本發(fā)明的各實施例的實施方式。另外，用于說明的各圖只不過概略示出到能夠理解這些實施例的程度。而且，在用于說明的各圖中，也有時對同樣的構(gòu)成成分標注相同的附圖標記來表示，并省略其說明。而且，以下的實施例中敘述的形狀、尺寸、材質(zhì)等只不過是本發(fā)明范圍內(nèi)的優(yōu)選例。因而，本發(fā)明并不僅限定于以下的實施例。

1.壓電元件的實施方式

圖1(A)是對作為第一實施例的實施方式的壓電元件10進行說明的平面圖。而且，圖1(B)是壓電元件10的沿著圖1(A)的P-P線的剖面圖。其中，該圖中，省略了壓電元件所具備的蓋的圖示。以下的各圖中相同。

實施方式的壓電元件10包括：晶體片11，平面形狀為矩形；激勵電極13，設(shè)置在該晶體片11的兩主面；引出電極15a、引出電極15b，從各激勵電極13引出到晶體片11的一條邊11a的附近為止；基座21，安裝有晶體片11，且平面形狀為矩形；以及第1配線電極23及第2配線電極25，設(shè)置于基座21，且連接于引出電極15a、引出電極15b。另外，本實施方式中，基座21具有凹部21a，在該凹部21a內(nèi)安裝有晶體片11。此時，該基座21由陶瓷封裝(ceramic package)構(gòu)成。

晶體片11是在其中一面的一條邊11a側(cè)的端部且相當于沿著該一條邊11a的方向的大致中央的部分，通過導電性粘合劑31而連接固定于第1配線電極23。具體而言，在晶體片11的一條邊(短邊)11a側(cè)的端部且沿著該短邊11a的該邊的大致中央部分，通過導電性粘合劑31，對晶體片11進行單點保持。另外，為了容易理解晶體片11、激勵電極13及引出電極15a、引出電極15b的關(guān)系，圖3中表示了包含晶體片11、激勵電極13及引出電極15a、引出電極15b的單個晶體片11的平面圖。作為導電性粘合劑31，例如使用硅酮系粘合劑。激勵電極13、引出電極15a、引出電極15b各自例如可從晶體片側(cè)起由鉻膜與金膜的層疊膜構(gòu)成。

而且，該晶體片11的另一面的引出電極15b與第2配線電極25是通過打線接合的金屬線33而連接。并且，以利用導電性粘合劑31的固定位置與利用打線接合的金屬線33在晶體片側(cè)的接合位置在晶體片11的厚度方向(沿著圖1(B)的線段R的方向)上重合的方式(也包括大致重合的情況)，來進行利用導電性粘合劑的固定與打線接合。

另外，打線接合方法并無特別限定，能夠使用球焊(ball bonding)法、楔焊(wedge bonding)法等。

進而，第1配線電極23是設(shè)置在基座21的凹部21a內(nèi)且設(shè)置在如下的部分，該部分包含了基座21的一條邊21b(參照圖1(A))側(cè)的端部的、相當于沿著該一條邊21b的方向的中央的部分。更具體而言，以第1配線電極23中的涂布導電性粘合劑31的部分成為基座21的凹部21a內(nèi)的相當于基座21的短邊的所述大致中央的部分的方式，進而以從該大致中央部分在與第2配線電極25為相反的方向上延伸的方式，而將第1配線電極23設(shè)置于基座21。該延伸的程度例如是設(shè)置到晶體片11的邊緣的下方為止，或者延伸設(shè)置到超過晶體片11的緣部的區(qū)域為止。本實施方式中，超過晶體片11的緣部而設(shè)置到基座21的緣部為止。若使第1配線電極23的一部分在與第2配線電極25相反的方向上延伸，則該延伸的部分將作為晶體片11朝該相反方向傾斜時的阻擋部而發(fā)揮功能，因此可減輕傾斜，而較優(yōu)選。

進而，如圖1(A)及圖1(B)、圖2(A)、圖2(B)及圖2(C)所示，該第1配線電極23是設(shè)為如下的大小及平面形狀，即，至少在平面上包含將導電性粘合劑31的與晶體片11接觸的部分投影至基座21側(cè)的區(qū)域31b(導電性粘合劑的主要區(qū)域31b)。另外，即使在將第1配線電極23設(shè)為僅包含導電性粘合劑的主要區(qū)域31b的大小及配置的情況下，也能夠達成本發(fā)明的目的，但更優(yōu)選的是設(shè)為在平面上包含導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域31a的大小及平面形狀。本實施方式中示出了該例。

另一方面，第2配線電極25是設(shè)置在基座21的凹部21a內(nèi)、且基座21的一條邊21b側(cè)的端部且基座21的凹部21a的角附近。并且，第2配線電極25是以如下的大小及配置而設(shè)置，即：該第2配線電極25的基座的中心側(cè)的邊緣25a在與一條邊21b正交的方向上，即，該例中是在沿著基座21的長邊的方向上，與導電性粘合劑31的整個涂布區(qū)域31a或主要區(qū)域31b的中心位置O相同，或者伸出到較其更靠基座21的中心側(cè)。更詳細而言，以第2配線電極25的基座的中心側(cè)的邊緣25a相較于利用導電性粘合劑31的粘合區(qū)域的中心位置O在基座21的長邊方向上且基座21的中心側(cè)僅伸出尺寸d(參照圖1(A))的方式，而將第2配線電極25設(shè)置于基座21。另外，在該伸出位置與粘合區(qū)域的中心位置O相同的情況下，該尺寸d為零。該尺寸d優(yōu)選的是可設(shè)為直至導電性粘合劑的主要區(qū)域31b的基座中心側(cè)的端部為止的尺寸，更優(yōu)選的是可設(shè)為直至導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域31a的基座的中心側(cè)的端部為止的尺寸。

另外，第2配線電極25的基座21的角部側(cè)的端部既可接觸也可遠離基座21的壁部分，該角部側(cè)的端部的位置可考慮金屬線的連接的容易性等來任意優(yōu)選地決定。而且，第1配線電極23及第2配線電極25能夠由利用任意優(yōu)選材料的膜構(gòu)成，例如由鎳與金的例如無電鍍膜構(gòu)成。

所述的第1配線電極23、第2配線電極25各自如眾所周知那樣，通過通孔(via)配線(未圖示)而連接于設(shè)置在基座21外側(cè)底面的外部安裝端子(未圖示)。

接下來，關(guān)于實施方式的壓電元件10的作用效果，參照圖2(A)、圖2(B)來進行說明。圖2(A)是主要表示第1配線電極23、第2配線電極25、導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域31a、主要區(qū)域31b與晶體片11的關(guān)系的平面圖，圖2(B)是該部分的沿著圖2(A)的Q-Q線的剖面圖。另外，為了使第1配線電極23、第2配線電極25明確化，在圖2(A)的平面圖中，對第1配線電極23、第2配線電極25標注了影線(hatching)。

本實施方式的壓電元件10中，導電性粘合劑的主要區(qū)域31b在平面上被包含于第1配線電極23的區(qū)域內(nèi)。并且，導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域31a也在平面上被包含于第1配線電極23的區(qū)域內(nèi)。因而，導電性粘合劑31僅設(shè)置在第1配線電極23上，因此被置于該導電性粘合劑上并由粘合夾具等予以按壓的晶體片11難以傾斜，其結(jié)果，能夠改善晶體片11傾斜的問題。而且，第2配線電極25的基座21的中心側(cè)的邊緣25a突出到較導電性粘合劑31的中心位置O更靠基座21的中心側(cè)。該部分發(fā)揮限制晶體片11的傾斜程度的作用，因此，晶體片11也難以傾斜。而且，在第1配線電極23的與第2配線電極25的相反側(cè)，第1配線電極23也延伸到基座的壁為止，因此，也能夠限制傾斜程度。

另外，導電性粘合劑的主要區(qū)域并不限于圖2(B)所示的在朝上凸的整個涂布區(qū)域31a中所構(gòu)成的部分。例如，如圖2(C)所示，會產(chǎn)生導電性粘合劑滲出原本的涂布位置的情況等，即使在導電性粘合劑的與晶體片接觸的部分的下方無導電性粘合劑的情況下，將導電性粘合劑的與晶體片接觸的部分投影至下方的區(qū)域31c也包含于本發(fā)明中所說的導電性粘合劑的主要區(qū)域。

2.基座的實施方式

圖4(A)是對實施方式的基座21進行說明的平面圖，圖4(B)是沿著該圖4(A)的P-P線的剖面圖。

實施方式的基座21具有安裝晶體片的凹部21a。進而，基座21具備：第1配線電極23，涂布將晶體片(未圖示)的其中一個主面的端部固定及電連接于基座的導電性粘合劑(未圖示)；以及第2配線電極25，從晶體片(未圖示)的另一面的端部連接打線接合用金屬線(未圖示)。

并且，第1配線電極23是設(shè)置在基座21的凹部21a內(nèi)且設(shè)置在如下的部分，該部分包含基座21的一條邊21b側(cè)的端部的相當于沿著該一條邊21b的方向的中央的部分。并且，將第1配線電極23設(shè)為如下的大小及平面形狀，即，至少在平面上包含導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域31x中的導電性粘合劑與晶體片接觸的預(yù)定區(qū)域31y。優(yōu)選的是，可為在平面上包含導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域31x的大小及平面形狀。此時，設(shè)為后者的結(jié)構(gòu)。

而且，第2配線電極25是設(shè)置在基座21的凹部21a內(nèi)、且基座21的一條邊21b側(cè)的端部且基座21的凹部21a的角附近。并且，該第2配線電極25是以如下的大小及配置而設(shè)置在基座21的凹部21a內(nèi)，即，該基座的中心側(cè)的邊緣25a在與一條邊21b正交的方向上伸出到導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域31x或預(yù)定區(qū)域31y的中心位置O′、或者較其更靠基座21的中心側(cè)。該第2配線電極25的基座的中心側(cè)的邊緣25a較導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域的中心位置O′伸出何種程度的尺寸d′優(yōu)選的是可設(shè)為直至涂布預(yù)定區(qū)域31x的基座中心側(cè)的端部為止的尺寸，更優(yōu)選的是可設(shè)為直至導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域31x的基座的中心側(cè)的端部為止的尺寸。

3.其他實施方式

3-1.具備振蕩電路的實施方式

圖5(A)～圖5(C)是對其他實施方式進行說明的圖。尤其，圖5(A)是表示實施方式的振蕩器40的概略的平面圖，振蕩器40包括晶體振蕩電路41，圖5(B)是圖5(A)的P-P線上的剖面圖。而且，圖5(C)是表示將晶體片與振蕩電路用零件例如振蕩電路用集成電路(Integrated Circuit，IC)芯片(chip)收納于各自腔室的類型的所謂H型結(jié)構(gòu)的振蕩器50的概略的剖面圖。

另外，基座的密封方法能夠采用所謂的直接接縫(direct seam)密封法、帶環(huán)接縫密封法、通過使用金錫等的共晶合金材的密封法等任意方法。圖5(A)～圖5(C)所示的基座21x、21z是在凹部21a周圍的堤部分具有接縫熔接用的環(huán)21y的示例。

3-2.第1配線電極、第2配線電極的其他例

所述實施方式中，如圖1所示，示出了下述示例，即，第1配線電極23從晶體片11的下方位置超過晶體片11的緣部而延伸設(shè)置到晶體片的外側(cè)區(qū)域為止，第2配線電極25延伸設(shè)置到晶體片11下側(cè)為止。但是，只要能夠以第1配線電極包含導電性粘合劑的涂布預(yù)定區(qū)域的、本發(fā)明的必要最小限度的構(gòu)成來抑制晶體片的傾斜，則優(yōu)選第1配線電極及第2配線電極具備必要最小限度的平面形狀，以免不必要地接觸晶體片。本項中的實施方式為該例。

圖6(A)、圖6(B)為該例的說明，尤其圖6(A)是本實施方式的壓電元件60的平面圖，圖6(B)是著眼于第1配線電極23x與第2配線電極25x的平面圖。

本實施方式的壓電元件60中，第1配線電極23x是設(shè)置在晶體片11的沿著一條邊11a的端部，即，不超過晶體片11長邊的區(qū)域內(nèi)。而且，第2配線電極25x是設(shè)置在基座21的角附近且不與晶體片11重合的區(qū)域，即，以未達晶體片11的下方而不與晶體片11重合的方式設(shè)置。并且，將第1配線電極23x的引出方向設(shè)為基座21的一條邊21b側(cè)，且將第1配線電極23x的引出部設(shè)為第1配線電極23x的、偏靠沿著晶體片11的一條邊11a(短邊)的方向的單側(cè)的位置。而且，本例是將第2配線電極25x以沿著晶體片11的一條邊11a(短邊)的方式設(shè)置的示例。此處，所述的使第1配線電極23x不超過晶體片11的長邊的區(qū)域，是指比導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域31a廣的區(qū)域且未達晶體片長邊的區(qū)域，優(yōu)選的是比導電性粘合劑的整個涂布區(qū)域31a廣的區(qū)域且盡可能未達晶體片長邊(即盡可能窄)的區(qū)域。其原因在于：這樣容易防止晶體片不必要地接觸第1配線電極。

圖7(A)、圖7(B)是進而其他例的說明圖，尤其，圖7(A)是本實施方式的壓電元件70的平面圖，圖7(B)是著眼于第1配線電極23y與第2配線電極25y的平面圖。

該壓電元件70與壓電元件60的不同之處在于：將第2配線電極25y以沿著晶體片11的長邊的方式設(shè)置；以及將第1配線電極23y的引出部設(shè)為第1配線電極23y的、沿著晶體片11的一條邊11a(短邊)的方向的中央。

3-3.與基座相關(guān)的其他實施方式

所述實施方式中示出了下述示例，即，例如，如圖1所示，基座21具有內(nèi)包晶體片11的凹部21a及其周圍的堤部，壓電元件在堤部利用蓋構(gòu)件予以密封。然而，本發(fā)明的各實施例中，也可使用其他結(jié)構(gòu)的基座。本項中的實施方式為該例。

圖8(A)、圖8(B)是用于該說明的圖，尤其，圖8(A)是使用其他結(jié)構(gòu)的基座的實施方式的壓電元件80的平面圖，圖8(B)是沿著圖8(A)的P-P線的剖面圖。

本實施方式的壓電元件80具備：基座81，為載置晶體片11的平板狀的基座81，且具有第1配線電極23x、第2配線電極25x；以及蓋構(gòu)件83，具有內(nèi)包晶體片11的凹部83a。該壓電元件80中，基座81在其緣部利用蓋構(gòu)件83予以密封(圖8(B))。平板狀的基座81例如可由陶瓷構(gòu)成，蓋構(gòu)件83例如可由經(jīng)卷壓加工的金屬制的構(gòu)件構(gòu)成。利用蓋構(gòu)件83來密封基座81的方法可為任意優(yōu)選方法。例如，可列舉下述方法，即：在基座81的邊緣部分設(shè)置共晶合金(未圖示)，通過該共晶合金來接合蓋構(gòu)件83?；蛘?，可列舉下述方法，即：利用粘合劑等材料來連接基座81的緣部與蓋構(gòu)件83。

另外，典型的是，該基座81如圖9所示，由片(sheet)狀的基座構(gòu)件81s形成，該片狀的基座構(gòu)件81s能夠載置預(yù)定要安裝的晶體片11，且具備搭載多個晶體片11的經(jīng)劃分而成的區(qū)域81a。具體而言，使用片狀的基座構(gòu)件81s來安裝多個壓電元件，隨后，通過切割(dicing)等而將該片狀的基座構(gòu)件81s單片化為各元件，由此來制造壓電元件80。