本發(fā)明屬于設(shè)備保護領(lǐng)域，具體涉及一種超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備。

背景技術(shù)：

超導(dǎo)回旋加速器中心區(qū)磁場強度約2-5T，主磁鐵的漏磁場會對周圍元器件的工作產(chǎn)生影響，分子泵、低溫泵，真空閥門等需要在磁場中運動的部件對磁場強度很敏感，常規(guī)的分子泵、低溫泵等均要求工作環(huán)境磁場強度低于50Gauss，對于超導(dǎo)回旋加速器，真空設(shè)備大多位于超導(dǎo)回旋加速器主磁鐵蓋板附近，真空設(shè)備位置處的磁場甚至高達1000Gauss，遠遠大于常規(guī)真空設(shè)備的所要求的工作磁場環(huán)境。由此，本發(fā)明提供一種超導(dǎo)回旋加速器強磁場環(huán)境真空設(shè)備的保護裝置，將真空設(shè)備保護筒體和真空設(shè)備連接的真空室形成磁場回路，保護筒體內(nèi)的真空設(shè)備。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備，確保在強磁場環(huán)境下長期安全使用，解決了在強磁場環(huán)境下真空設(shè)備使用工程技術(shù)困難的問題。

為達到以上目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：提供一種超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備，包括泵體及與其相連接的真空閥門，所述真空閥門與超導(dǎo)回旋加速器真空室相連接；在泵體及真空閥門的外圍設(shè)有磁屏蔽筒體，該磁屏蔽筒體一端封閉，另一端與真空室相連接，進而在磁屏蔽筒體內(nèi)部與真空室之間形成磁場回路。

進一步，所述磁屏蔽筒體為平開式、可拆卸結(jié)構(gòu)。

進一步，所述磁屏蔽筒體包括上筒體和下筒體，上筒體的上開口處和下筒體的下開口處設(shè)有對應(yīng)的半圓形凹槽。

進一步，所述上筒體和下筒體上分別設(shè)有第一連接部件和第二連接部件。

進一步，所述泵體與真空閥門通過密封件連接。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果在于：

(1)本發(fā)明的真空設(shè)備，在泵體及真空閥門的外圍設(shè)置磁屏蔽筒體，避免強磁場環(huán)境下的真空設(shè)備受到損害；

(2)本發(fā)明將磁屏蔽筒體與真空室相連接，使之在真空設(shè)備的內(nèi)部與真空室之間形成磁場回路，從而保護磁屏蔽筒體內(nèi)的真空設(shè)備，保證長期安全使用。

附圖說明

圖1是本發(fā)明超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備的分體圖。

圖中：

1-真空室 2-磁屏蔽筒體 2A-下筒體 2B-上筒體 3-真空閥門

4-泵體 5-密封件 6-第一連接部件 7-第二連接部件

8-半圓形凹槽

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細的描述。

如圖1、2所示，是本發(fā)明提供的一種超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備，包括泵體4及與其相連接的真空閥門3，真空閥門3與超導(dǎo)回旋加速器真空室1相連接。在泵體4及真空閥門3的外圍設(shè)有磁屏蔽筒體2，該磁屏蔽筒體2一端為封閉式結(jié)構(gòu)，另一端為與真空室1相連接，使之在真空設(shè)備的內(nèi)部與真空室之間形成磁場回路，從而保護磁屏蔽筒體內(nèi)的真空設(shè)備不受強磁場環(huán)境的破壞。為了保證泵體4與真空閥門3之間的密封性，在泵體4與真空閥門3之間設(shè)有密封件5。

該磁屏蔽筒體2為平開式、快連接、可拆卸結(jié)構(gòu)，其包括上筒體2B和下筒體2A，上筒體2B的下開口處和下筒體的上開口處均設(shè)有用于放置泵軸的半圓形凹槽8。

為了便于快速地連接和拆卸，上筒體2B和下筒體2A上分別設(shè)有將上筒體2B和下筒體2A連接的第一連接部件6及將上筒體2B和下筒體2A分別與真空室1連接的第二連接部件7。

需要說明的是，本發(fā)明的真空設(shè)備不限于泵體、真空閥門及密封件，任意在強磁場環(huán)境下使用的真空設(shè)備，均可通過該方法進行保護。

工作時將泵體4及真空閥門3通過密封圈5和真空室1連接，通過第一連接部件6將上筒體和下筒體扣合在一起，并通過第二連接部件7與真空室連接。本發(fā)明以230MeV超導(dǎo)回旋加速器CYCIAE-230為例，真空設(shè)備位于距離230MeV超導(dǎo)回旋加速器主磁鐵蓋板上方及下方700mm位置處，該位置處的剩余磁場約為1000Gauss，采用端面厚度10mm，側(cè)面厚度10cm，磁屏蔽筒體2內(nèi)可從1000Gauss降到30Gauss，由此，可保證真空設(shè)備安全長期使用。

本發(fā)明的超導(dǎo)回旋加速器真空設(shè)備并不限于上述具體實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案得出其他的實施方式，同樣屬于本發(fā)明的技術(shù)創(chuàng)新范圍。