本發(fā)明實施例涉及光通信技術領域，尤其涉及一種光模塊及其電路板刻蝕方法。

背景技術：

在高速并行光模塊領域，隨著光路的增加，模塊集成度的提高，以及傳輸速率的不斷提高，尤其25Gbps商用光模塊，對模塊內PCB差分信號走線長度、Wire bond(簡稱焊線)金線長度要求非常高，目前工藝很難控制到最佳水平。尤其在光路較多，如4/12通道這種高密度高速并行光模塊，通常會有一顆驅動芯片IC并行輸出4路或12路的高速差分信號通道，這些高速電信號通過wire bond金線直接連接到光電芯片VCSEL或PD，由于并行通道之間間距非常近，通道之間產生串擾不可避免，而且wire bond金線越長向外輻射的能量越大，通道之間的串擾就越大。在并行通道較多時，通道之間的信號串擾會更加嚴重，模塊的光信號眼圖與電信號眼圖會非常差，影響光模塊的整體性能。

為了減小通道間的串擾強度，通常會將wire bond金線盡量縮短。通?？梢詮膬煞矫鎸ire bond金線盡量縮短：

一方面，控制wire bond線弧最小，將wire bond金線盡量縮短。Wire bond線焊時，通過調節(jié)wire bond機器的參數設置可以很容易控制wire bond金線的線弧大小。

另一方面，將驅動芯片與光電芯片盡量靠近。但是，在貼片工藝Die bond中，芯片用銀膠貼在PCB板上，為了保證芯片粘貼質量，要求有銀膠溢出到芯片周圍，為了保證溢出的銀膠不連接在一起，需要在驅動芯片與光電芯片之間留出足夠的安全距離。如果芯片間距較近，兩個芯片溢出的銀膠連接在一起，會導致芯片的位置有一定程度的偏移。

綜上，在高速率的多通道并行光模塊中，為了減小通道間的信號干擾，需要縮短芯片間的金線長度，通過縮短芯片間距來縮短金線長度，會受到安全距離的限制。若芯片間距小于安全距離，在貼片時很容易出現從驅動芯片和光電芯片的周圍溢出的膠水連在一起，而膠水連在一起，會導致尺寸較小的光芯片很容易漂移，超出定位精度規(guī)格范圍，導致光路耦合不良。

因此，亟需一種技術方案來解決驅動芯片和光電芯片之間的間距減小，會影響光電芯片的定位精度的技術問題。

技術實現要素：

本發(fā)明提供一種光模塊及其電路板刻蝕方法，用以解決驅動芯片和光電芯片之間的間距減小，會影響光電芯片的定位精度的技術問題。

本發(fā)明實施例提供一種光模塊，包括：

電路板、以及設置在所述電路板上的光電芯片和驅動芯片；所述光電芯片與所述驅動芯片之間用金線電性連接，所述光電芯片和所述驅動芯片之間設置有凹槽；

其中，所述光電芯片和所述驅動芯片通過膠合液設置在所述電路板上，從所述光電芯片、所述驅動芯片邊緣溢出的膠合液存儲在所述凹槽內。

本發(fā)明實施例提供一種光模塊的電路板刻蝕方法，包括：

在電路板的上表面形成一層金屬基板；

對所述金屬基板的指定區(qū)域進行刻蝕，形成一個凹槽；所述凹槽的開口區(qū)域為所述金屬基板被刻蝕的區(qū)域，所述凹槽的開口深度為所述金屬基板的厚度，所述凹槽將所述金屬基板分割為第一塊金屬基板和第二塊金屬基板。

采用膠合液將光電芯片鋪設在所述第一金屬基板的上表面，用膠合液將驅動芯片鋪設在所述第二塊金屬基板的上表面，從所述光電芯片、所述驅動芯片邊緣溢出的膠合液，存儲在所述凹槽內。上述實施例中，將光電芯片和驅動芯片鋪設在電路板上，通過在電路板上位于驅動芯片和光芯片之間的區(qū)域設置一個凹槽，來存儲從驅動芯片和光芯片的周圍溢出的膠合液，這樣，即使兩個芯片之間的距離較近，在鋪設芯片時，溢出到芯片周圍的膠合液就會存儲在芯片之間的凹槽內，而凹槽內的膠合液固化時不會對芯片的位置產生影響，基于此，可以將兩個芯片之間的距離減小，當兩個芯片之間的安全距離縮小之后，連接在兩個芯片之間的金線長度可以進一步縮小，進而減小多條金線形成的通道之間產生的干擾。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發(fā)明實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1至圖3為現有技術提供的一種光模塊的結構示意圖；

圖4至圖9為本發(fā)明實施例提供的一種光模塊的結構示意圖；

圖10和圖11分別為本發(fā)明實施例提供的一種光模塊的電路板的刻蝕方法流程圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明所解決的技術問題、技術方案以及有效果更加清楚明白，以下結合說明書附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

光模塊COB(chip On board，將裸芯片用導電或非導電膠粘附在互連基板上，然后進行引線鍵合實現其電連接，簡稱貼片)工藝中，需要滿足以下條件：

第一，COB工藝要求銀膠必須溢出芯片邊緣。在光模塊的wire bond工藝中，驅動芯片與光電芯片上的打線pad(簡稱焊盤)都在芯片的外邊緣。Wire bond機器通過針頭以25g左右的力打擊在芯片邊緣的pad上，將金線打在pad上面，為了保證芯片邊緣不受損傷，要求pad下面不能懸空，這就要求銀膠必須溢出芯片邊緣才能保證芯片邊緣的pad不懸空。

第二，COB工藝要求一組驅動芯片和光電芯片的間距必須滿足一個安全距離。

驅動芯片和光電芯片之間的間距需要滿足一個安全距離，例如，驅動芯片和光電芯片的間距必須滿足一個280μm的安全距離，用以保證從驅動芯片和光電芯片的周圍溢出的膠水不連接在一起。如果芯片間距較近，兩個芯片溢出的銀膠連接在一起，會導致芯片的位置有一定程度的偏移。

第三，COB工藝要求光電芯片的貼片位置精度在±8μm之內。光模塊的COB工藝中，將驅動芯片與光電芯片通過銀膠直接貼在PCB表面，由于光電芯片涉及與透鏡組件lens進行光路耦合，對貼片位置精度要求非常高，光芯片一般需要控制在±8μm之內。

對于低速光模塊或者單通道光模塊，因透鏡組件數量較少，都能滿足以上條件，一般無需考慮帶寬不足與通道串擾問題。例如，如圖1和如圖2所示的光模塊，包括驅動芯片40和光電芯片30；驅動芯片40與光電芯片30貼在電路板10表面的同一塊銅皮20上，驅動芯片40與光電芯片30之間用金線連接。

為了保證驅動芯片40與光電芯片30的邊緣不受損傷，要求驅動芯片40的焊盤60(即pad)與光電芯片30的焊盤50下面不能懸空，這就要求銀膠必須溢出驅動芯片40與光電芯片30的邊緣才能保證驅動芯片40的焊盤60、光電芯片30的焊盤50不懸空。驅動芯片40和光電芯片30的間距為280μm的安全距離，用以保證從驅動芯片40和光電芯片30的周圍溢出的膠水不連接在一起。

但是對于單通道25Gbps以上的高速多通道光模塊，光模塊包括多個驅動芯片，每個驅動芯片為4路或12路的單個集成IC，每路為一個25Gbps以上的高速電信號通道，這些通道為連接在驅動芯片和光電芯片之間的金線，并行多通道的通道之間間距非常近，并行通道之間的串擾不可避免。為了減小高速率并行多通道光模塊的通道間的信號干擾，通常縮短芯片間的金線長度(即通道的長度)，但通過縮短芯片間距來縮短金線長度，會受芯片間安全距離的限制。

例如，如圖3所示的光模塊為單通道25Gbps以上的高速多通道光模塊，包括驅動芯片40和光電芯片30，驅動芯片40與光電芯片30貼在電路板10表面的同一塊銅皮20上，驅動芯片40與光電芯片30之間用金線連接。為了減小連接在驅動芯片40與光電芯片30之間的通道之間的信號串擾，驅動芯片40與光電芯片30之間的間距小于安全距離280μm。

如圖3所示，驅動芯片40與光電芯片30之間的間距小于280μm時，從驅動芯片40和光電芯片30的周圍溢出的膠水連在一起。膠水連在一起，會導致尺寸較小的光電芯片30產生位置漂移，膠水粘連導致的位置漂移可達±20μm，超過了COB工藝中要求的定位精度規(guī)格±8μm，這樣會導致光電芯片30所在透鏡組件的光路耦合產生不良。

因此，對于單通道25Gbps以上的高速多通道光模塊，如果為來減小通道間的信號干擾，或者因為空間受限，需要直接將光電芯片與驅動芯片距離減小到小于安全距離，在貼片時，貼好一個芯片后，在貼第二個芯片時從第二個芯片周圍溢出的銀膠與已經貼好的芯片連接到一起。貼片完成后需要進行高溫烘烤，使膠水固化，膠水固化時產生彈性變形，使得兩個芯片的位置也會發(fā)生漂移，尤其是尺寸相對較小的光電芯片，光電芯片的位置偏移超過定位精度的規(guī)格范圍時，光模塊的光路耦合效率就會降低。

再例如，光模塊的電路板上的驅動芯片和光電芯片封裝在一個透鏡組件內，假如一個透鏡組件包括一個驅動芯片1和光芯片1，為了實現多路并行，電路板上的透鏡組件數量會增加，也就是驅動芯片和光電芯片的數量會增多，例如，每個驅動芯片并行輸出4路高速差分信號通道，每一通道的速率為25Gbps。因電路板上要裝配多個透鏡組件，導致分配給每個透鏡組件內的空間縮小，因此，透鏡組件內的驅動芯片1和光芯片1的間距必須變小。假如，原來驅動芯片1和光芯片1的安全距離為280μm，貼片精度要求貼片誤差在±8μm之內，如果將驅動芯片1和光芯片1的間距小于280μm，從驅動芯片1和光芯片1邊緣溢出的膠水很容易粘連在一起，使得驅動芯片1和光芯片1的貼片精度降低，膠水粘連導致的芯片位置偏差可達±20μm。

為了保證驅動芯片和光芯片的間距縮小，并能保證光芯片的定位精度，本發(fā)明實施例提出一種光模塊，包括：電路板、以及設置在電路板上的光電芯片和驅動芯片；光電芯片與驅動芯片之間用金線電性連接，光電芯片和驅動芯片之間設置有凹槽；其中，光電芯片和驅動芯片通過膠合液設置在電路板上，從光電芯片、驅動芯片邊緣溢出的膠合液存儲在凹槽內。通過在電路板上位于驅動芯片和光芯片之間的區(qū)域刻蝕凹槽，來存儲從驅動芯片和光芯片的周圍溢出的膠合液，可避免在將驅動芯片和光芯片的間距縮小到安全距離以內時，從驅動芯片和光芯片的周圍溢出的膠合液粘連在一起。本發(fā)明實施例中的膠合液為銀膠。

具體的，如圖9所示，本發(fā)明實施例還提供一種光模塊，包括：

電路板10、以及鋪設在電路板10的上表面的光電芯片30和驅動芯片40；驅動芯片40與光電芯片30在電路板10上的相對位置滿足預先設置的對位關系；光電芯片30與驅動芯片40之間用金線70電性連接，光電芯片30與驅動芯片40的間距小于設定距離，設定距離為傳統(tǒng)COB工藝的芯片間安全距離，如280μm。

光電芯片30和驅動芯片40通過膠合液鋪設在電路板10上，電路板10上位于驅動芯片40和光電芯片30之間的區(qū)域刻蝕形成第三凹槽100，第三凹槽100用于存儲從光電芯片30、驅動芯片40邊緣溢出的膠合液，以避免從光電芯片30、驅動芯片40邊緣溢出的膠合液粘連在一起。

上述光模塊中，電路板10的長寬約為40×16.4mm：驅動芯片40的長寬為3×2mm；光芯片的長寬為1×0.3mm；驅動芯片40和光電芯片30之間的間距為0.15mm，連接在驅動芯片40和光電芯片30之間的金線70的長度為0.23mm。與傳統(tǒng)COB工藝的芯片間安全距離280μm相比，驅動芯片40和光電芯片30之間的間距縮短了130μm，芯片間的金線長度縮短了130μm。

在電路板10上刻蝕的第三凹槽100的深度可達150μm，能對驅動芯片40和光電芯片30周圍溢出的膠合液進行有效存儲，能夠使兩個芯片間距縮最大縮短130μm，金線長度進而可以縮短130μm左右，能夠進一步減小通道之間信號干擾，對于單通道25Gbps以上的高速并行光模塊的性能會有很大的改善。

本發(fā)明實施例提供一種光模塊，如圖4所示，主要包括：

電路板10、以及鋪設在電路板10的上表面的第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22；第一塊金屬基板21的上表面鋪設有光電芯片30，第二塊金屬基板22的上表面鋪設有驅動芯片40；光電芯片與驅動芯片的間距小于設定距離；

其中，光電芯片30通過膠合液鋪設在第一塊金屬基板21上，驅動芯片40通過膠合液鋪設在第二塊金屬基板22上，驅動芯片40與光電芯片30的相對位置滿足預先設置的對位關系；

第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22之間形成第一凹槽80，第一凹槽80，用于存儲從光電芯片30、驅動芯片40邊緣溢出的膠合液，以避免從光電芯片、驅動芯片邊緣溢出的膠合液粘連在一起。

上述驅動芯片40用于驅動光電芯片30，光電芯片30為激光芯片或探測芯片。激光芯片和驅動激光芯片的驅動芯片，通常封裝在光發(fā)射組件TOSA的透鏡組件內，探測芯片和驅動探測芯片的驅動芯片封裝在光接收組件ROSA的透鏡組件內，因為TOSA的透鏡組件、ROSA的透鏡組件需要與光口處的光纖適配器進行光路耦合，因此，TOSA的透鏡組件內的驅動芯片和激光芯片、ROSA的透鏡組件內的驅動芯片和探測芯片的對位關系是預先設定好的，光模塊的貼片工藝中，驅動芯片40和光電芯片30的定位精度要求較高，驅動芯片40和光電芯片30的位置誤差需要控制在±8μm之內。

驅動芯片40和光電芯片30的對位關系，可參見圖4和圖5，第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22在電路板10的表面相對設置，第一塊金屬基板21上的光電芯片30和第二塊金屬基板22上的驅動芯片40相對設置，光電芯片30邊緣的多個焊盤50與驅動芯片40邊緣的多個焊盤60一一對應，每一對焊盤用金線70焊接。

為了減小光電芯片30與驅動芯片40之間的間距，本發(fā)明實施例中，可參見圖4和圖5，光電芯片30鋪設在第一塊金屬基板21上靠近第二塊金屬基板22一側的邊緣區(qū)域內；驅動芯片40鋪設在第二塊金屬基板22上靠近第一塊金屬基板21一側的邊緣區(qū)域內。

因將光電芯片30和驅動芯片40鋪設在兩塊金屬基板上，利用兩塊金屬基板之間形成的凹槽，來存儲從光電芯片30、驅動芯片40的邊緣溢出的膠合液，這樣，即使兩個芯片之間的距離較近，在鋪設芯片時，溢出到芯片周圍的膠合液就會存儲在芯片之間形成的凹槽內，而凹槽內的膠合液固化時不會對芯片的位置產生影響，基于此，可以將兩個芯片之間的距離減小。

上述光光模塊中，光電芯片30與驅動芯片40的間距小于設定距離，設定距離為現有COB工藝中要求的芯片之間的安全距離，如280μm。

進一步地，將驅動芯片40和光電芯片30分別鋪設在第二塊金屬基板22和第一塊金屬基板21上，有利于驅動芯片40和光電芯片30的散熱，金屬基板相對于電路板(有機塑料)，表面光滑，容易貼片，還有利于保持芯片的牢固性。優(yōu)選的，如圖4和圖5所示，第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22均為銅皮。

如圖4所示，光電芯片30與驅動芯片40通過多條金線70電性連接；金線70的一端接入光電芯片30邊緣的焊盤50上，金線70的另一端接入驅動芯片40邊緣的焊盤60上，光電芯片30邊緣的焊盤50與驅動芯片40邊緣的焊盤60相對設置，使得金線長度最短。

上述光模塊中，通過將光電芯片30和驅動芯片40下面的銅皮進行分割，銅皮之間形成的第一凹槽80可以收容一定的從兩個芯片周圍溢出的銀膠，減小溢出銀膠連接在一起的概率，可實現將兩個芯片之間的距離縮小的目的。例如，兩個芯片之間的銅皮在PCB加工時刻蝕掉，銅皮一般厚度有5μm左右，5μm深的凹槽，能夠對膠合液有效存儲。

上述光模塊為多路并行光模塊，每個驅動芯片對應4路并行的通道，或者每個驅動芯片對應12路并行的通道，單路通道的速率至少為10Gbps。

優(yōu)選的，光模塊的單通道速率為10Gbps、25Gbps或28Gbps。

上述光模塊中，電路板10的長寬約為40×16.4mm；驅動芯片40的長寬為3×2mm；光芯片的長寬為1×0.3mm；驅動芯片40和光電芯片30之間的間距為0.18mm，連接在驅動芯片40和光電芯片30之間的金線70的長度為0.26mm。與傳統(tǒng)COB工藝的芯片間安全距離280μm相比，驅動芯片40和光電芯片30之間的間距縮短了100μm，芯片間的金線長度縮短了100μm(芯片間距離為安全距離280μm時的金線長度至少為0.36mm)。

驅動芯片40和光電芯片30的間距減小后，從驅動芯片40和光電芯片30邊緣溢出的膠水粘連在一起的幾率會很小。

上述光模塊中，第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22均為銅皮，第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22構成的第一凹槽80為5μm～10μm深的凹槽，能夠有效存儲從光電芯片30和驅動芯片40邊緣溢出的膠合液，保證光電芯片30定位精度在±8μm以內的同時，驅動芯片40和光電芯片30之間的間距的縮短范圍為160～200μm，可將驅動芯片40和光電芯片30之間的間距，由安全距離280μm可以縮短到為180μm。對于單通道25Gbps以上的高速并行光模塊的性能會有很大的改善。本發(fā)明實施例提供了一種如圖6所示的光模塊，除了包括電路板10、鋪設在電路板10的上表面的第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22，鋪設在第一塊金屬基板21的上表面的光電芯片30，鋪設在第二塊金屬基板22的上表面的驅動芯片40，以及第一塊金屬基板21和第二塊金屬基板22之間形成的第一凹槽80之外，電路板10上還設置有第二凹槽90，第二凹槽90位于第一凹槽80下方，且第二凹槽90與第一凹槽80連通，其中，第二凹槽90的開口區(qū)域為電路板10表面被刻蝕的區(qū)域。第二凹槽90的作用是存儲更多的膠合液。本發(fā)明實施例中的膠合液為銀膠，也可以是其他用于將芯片貼裝在銅皮上的其他膠合材料。

進一步的，第一凹槽80為矩形槽，第二凹槽90為V型槽。

其中，光電芯片30與驅動芯片40通過多條金線電性連接；金線的一端接入光電芯片30邊緣的第一焊盤上，金線的另一端接入驅動芯片40邊緣的第二焊盤上，第一焊盤與第二焊盤相對設置，使得金線長度最短。

上述光模塊中，電路板10的長寬約為40×16.4mm：驅動芯片40的長寬為3×2mm；光芯片的長寬為1×0.3mm；驅動芯片40和光電芯片30之間的間距為0.1mm，連接在驅動芯片40和光電芯片30之間的金線70的長度為0.18mm。與傳統(tǒng)COB工藝的芯片間安全距離280μm相比，驅動芯片40和光電芯片30之間的間距縮短了180μm，芯片間的金線長度縮短了180μm。

在PCB表面刻蝕掉銅皮的同時增加V型槽設計，能夠進一步將驅動芯片40和光電芯片30之間的間距縮小，刻蝕銅皮產生的第一凹槽的深度約為5μm，在電路板上刻蝕的第二凹槽的深度約為150μm，第一凹槽和第二凹槽對驅動芯片40和光電芯片30周圍溢出的膠合液進行有效存儲，能夠使兩個芯片間距最大縮短180μm，金線長度進而可以縮短180μm左右，能夠進一步減小通道之間信號干擾，對于單通道25Gbps以上的高速并行光模塊的性能會有很大的改善。

一種優(yōu)選的實施例中，則將上述實施例中的芯片貼裝方式應用在收發(fā)光模塊中，光模塊的透鏡組件包括光發(fā)射組件TOSA和光接收組件BOSA，光發(fā)射組件TOSA和光接收組件BOSA可以封裝在一個透鏡組件內，具體結構如圖7所示，電路板10上設置有第一塊銅皮23和第二塊銅皮24，激光芯片31鋪設在第一塊銅皮23的上表面的第一區(qū)域，第一驅動芯片41鋪設在第二塊銅皮24的上表面的第一區(qū)域，第一驅動芯片41用于驅動激光芯片31；探測芯片32鋪設在第一塊銅皮23的上表面的第二區(qū)域，第二驅動芯片42鋪設在第二塊銅皮24的上表面的第二區(qū)域，第二驅動芯片42用于驅動探測芯片32；第一塊銅皮23和第二塊銅皮24之間形成第一凹槽，第一凹槽下方為第二凹槽，第二凹槽與第一凹槽連通，第二凹槽的開口區(qū)域為電路板10表面被刻蝕的區(qū)域，第一凹槽和第二凹槽的作用是存儲從激光芯片31、探測芯片32、第一驅動芯片41、第二驅動芯片42周圍溢出的膠合液，使得激光芯片31與第一驅動芯片41之間的間距小于安全距離，探測芯片32與第二驅動芯片42之間的間距小于安全距離。第一凹槽和第二凹槽的結構參見圖6所示的第一凹槽80和第二凹槽90。

另一種優(yōu)選的實施例中，光發(fā)射組件TOSA和光接收組件BOSA可以單獨封裝，如圖8所示，電路板10上設置有第一塊銅皮25和第二塊銅皮26，激光芯片鋪31設在第一塊銅皮25的上表面，第一驅動芯片41鋪設在第二塊銅皮26的上表面，第一驅動芯片41用于驅動激光芯片31；第一塊銅皮25和第二塊銅皮26之間形成第一凹槽，第一凹槽下方為第二凹槽，第二凹槽與第一凹槽連通，第二凹槽的開口區(qū)域為電路板10表面被刻蝕的區(qū)域，第一凹槽和第二凹槽的作用是存儲從激光芯片31、第一驅動芯片41周圍溢出的膠合液，使得激光芯片31與第一驅動芯片41之間的間距小于安全距離，激光芯片31與第一驅動芯片41之間的金線長度縮短，第一凹槽和第二凹槽的結構參見圖6所示的第一凹槽80和第二凹槽90。電路板10上設置有第三塊銅皮27和第四塊銅皮28，探測芯片32鋪設在第三塊銅皮27的上表面，第二驅動芯片42鋪設在第四塊銅皮28的上表面，第二驅動芯片42用于驅動探測芯片32；第三塊銅皮27和第四塊銅皮28之間形成第三凹槽，第三凹槽下方為第四凹槽，第三凹槽與第四凹槽連通，第三凹槽和第四凹槽的作用是存儲從探測芯片32、第二驅動芯片42周圍溢出的膠合液，使得探測芯片32與第二驅動芯片42之間的間距小于安全距離，連接在探測芯片32與第二驅動芯片42之間的金線的金線長度得以縮短。第三凹槽和第四凹槽的結構參見圖6所示的第一凹槽80和第二凹槽90。

基于上述光模塊，本發(fā)明實施例還提供一種光模塊的電路板刻蝕方法，如圖10所示，包括：

步驟1，在電路板的上表面形成一層金屬基板；

步驟2，對金屬基板的指定區(qū)域進行刻蝕，形成第一凹槽；第一凹槽的開口區(qū)域為金屬基板被刻蝕的區(qū)域，第一凹槽將金屬基板分割為第一塊金屬基板和第二塊金屬基板；

步驟3，分別采用膠合液將光電芯片鋪設在第一金屬基板的上表面，將驅動芯片鋪設在第二塊金屬基板的上表面，使得驅動芯片與光電芯片的相對位置滿足預先設置的對位關系，從光電芯片、驅動芯片邊緣溢出的膠合液存儲在第一凹槽中。按照該方法刻蝕出的電路板的結構參見圖5。

上述刻蝕方法中，將一塊金屬基板分割成兩塊金屬基板，將光電芯片和驅動芯片分別鋪設在這兩塊金屬基板上，利用兩塊金屬基板之間形成的凹槽，來存儲從光電芯片、驅動芯片的邊緣溢出的膠合液，這樣，即使兩個芯片之間的距離較近，在鋪設芯片時，溢出到芯片周圍的膠合液就會存儲在芯片之間的凹槽內，而凹槽內的膠合液固化時不會對芯片的位置產生影響，基于此，可以將兩個芯片之間的安全距離減小，當兩個芯片之間的安全距離縮小之后，連接在兩個芯片之間的金線長度可以進一步縮小，進而減小多條金線形成的通道之間產生的干擾。

進一步地，步驟2之后，步驟3之前，還包括：

沿第一凹槽的開口區(qū)域對電路板的上表面進行刻蝕，形成第二凹槽，第二凹槽的開口區(qū)域為電路板的上表面被刻蝕的區(qū)域，第二凹槽與第一凹槽連通。按照該方法刻蝕出的電路板的結構參見圖6。

進一步地，上述第二凹槽為V型槽，有利于膠合液沿V型槽的側壁流向第二凹槽的底部。

上述刻蝕方法中，沿第一凹槽的開口區(qū)域對電路板的上表面進行刻蝕，形成第二凹槽，從驅動芯片和光電芯片的邊緣溢出的膠合液通過第一凹槽，流向第二凹槽，使得存儲膠合液的凹槽空間增加，能夠實現進一步將驅動芯片和光電芯片之間的間距縮小，當兩個芯片之間的間距進一步縮小之后，連接在兩個芯片之間的金線長度也可以縮小，進而減小多條金線形成的通道之間產生的干擾。

本發(fā)明實施例中，金屬基板為銅皮，膠合液為銀膠。光電芯片為激光芯片或探測芯片。光電芯片和驅動芯片之間用金線連接。

本發(fā)明實施例中，驅動芯片和光電芯片的對位關系為：第一塊金屬基板和第二塊金屬基板在電路板的表面相對設置，第一塊金屬基板上的光電芯片和第二塊金屬基板上的驅動芯片相對設置，光電芯片邊緣的多個焊盤與驅動芯片邊緣的多個焊盤一一對應，每一對焊盤用金線焊接。

為了減小光電芯片與驅動芯片之間的間距，光電芯片鋪設在第一塊金屬基板上靠近第二塊金屬基板一側的邊緣區(qū)域內；驅動芯片鋪設在第二塊金屬基板上靠近第一塊金屬基板一側的邊緣區(qū)域內。

本發(fā)明實施例中，第一凹槽為矩形槽，第二凹槽為V型槽。

本發(fā)明實施例還提供一種光模塊的電路板刻蝕方法，如圖11所示，包括：

步驟a，在電路板上表面的指定區(qū)域進行刻蝕，形成第三凹槽，第三凹槽的開口區(qū)域為電路板表面被刻蝕的區(qū)域；

步驟b，采用膠合液將光電芯片和驅動芯片鋪設在電路板的上表面，第三凹槽位于驅動芯片和光電芯片之間從光電芯片、驅動芯片邊緣溢出的膠合液存儲在第三凹槽內。

第三凹槽為V型槽，上述是膠合液為銀膠，按照該方法刻蝕出的電路板結構參見圖9。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。