本發(fā)明涉及烹飪器具領(lǐng)域,尤其涉及一種電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)以及溫度檢測(cè)方法。
背景技術(shù):
電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)中不同的磁芯材料具有不同的磁導(dǎo)率,并且有些磁芯的磁導(dǎo)率還會(huì)因?yàn)闇囟鹊淖兓鄳?yīng)變化,這些變化進(jìn)而會(huì)影響到電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的振蕩頻率變化,而諧振頻率的變化進(jìn)一步影響到大功率元件性能:若振蕩頻率發(fā)生急劇變化將會(huì)對(duì)大功率元件造成致命的傷害,如何通過(guò)檢測(cè)磁芯材質(zhì)的變化來(lái)選不同的加熱方法、對(duì)某些不適合加熱的材質(zhì)加以控制、避免對(duì)電路元件造成不必要的傷害是本發(fā)明要解決的一個(gè)問(wèn)題。
另一方面,加熱溫度的精確控制對(duì)于電磁加熱系統(tǒng)來(lái)說(shuō)也十分重要,現(xiàn)有技術(shù)中一般采用溫度傳感器實(shí)現(xiàn),但是這種做法有一定的滯后性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明針對(duì)烹飪器具中的電磁加熱系統(tǒng)中磁芯材質(zhì)變化會(huì)對(duì)大功率開關(guān)元件造成傷害以及在加熱過(guò)程中的溫度控制的問(wèn)題,提出了一種電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)。
本發(fā)明提出了一種電磁加熱系統(tǒng),包括用于產(chǎn)生渦流、加熱器具的振蕩電路,用于檢測(cè)LC諧振電路振蕩頻率并將頻率變化發(fā)送到SOC集成電路中MCU的檢測(cè)電路以及用于將開關(guān)元件的瞬間峰值電流信號(hào)發(fā)送到SOC集成電路中MCU、對(duì)開關(guān)元件進(jìn)行保護(hù)的過(guò)載保護(hù)電路;
所述振蕩電路包括用于推算磁芯材質(zhì)變化程度和計(jì)算溫度變化的SOC集成電路,用于將反饋信號(hào)發(fā)送到SOC集成電路中MCU的振蕩反饋電路,用于產(chǎn)生高值振蕩頻率的LC諧振電路以及開關(guān)元件,高值頻率在50K-100K。
所述LC諧振電路包括諧振電容以及電感器;所述電感器包括用于產(chǎn)生磁力線的勵(lì)磁線圈以及與所述勵(lì)磁線圈一起產(chǎn)生無(wú)數(shù)小渦流的驅(qū)動(dòng)被加熱器中的分子高速運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生熱量的磁芯元件。
所述磁芯元件與所述勵(lì)磁線圈同軸、靠近安裝,且所述磁芯元件和所述勵(lì)磁線圈之間間隔有間隙。
所述檢測(cè)電路通過(guò)檢測(cè)所述LC諧振電路的頻率變化,并將檢測(cè)結(jié)果發(fā)送到所述SOC集成電路中。
所述過(guò)載保護(hù)電路包括用于對(duì)所述開關(guān)元件和勵(lì)磁線圈中的高頻電流進(jìn)行檢測(cè)的高頻互感器以及用于將所述高頻電流的瞬間峰值電流信號(hào)傳輸給SOC集成電路進(jìn)行處理的峰值電流檢測(cè)電路。
所述SOC集成電路分別與所述振蕩反饋電路、檢測(cè)電路、過(guò)載保護(hù)電路中峰值電流檢測(cè)電路和開關(guān)元件的一端連接,所述振蕩反饋電路和檢測(cè)電路的另一端與所述LC諧振電路連接,所述峰值檢測(cè)電路另一端與高頻互感器的二次繞組的一端連接,所述高頻互感器串聯(lián)連接在所述開關(guān)元件與所述勵(lì)磁線圈的中間,所述LC諧振電路中的磁芯元件與所述勵(lì)磁線圈同軸、靠近安裝,所述諧振電容與所述勵(lì)磁線圈并聯(lián)連接。
所述SOC集成電路包括用于根據(jù)諧振頻率變化對(duì)磁芯材質(zhì)和溫度進(jìn)行推算的MCU。
一種電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的溫度檢測(cè)方法,使用檢測(cè)電路、勵(lì)磁線圈、SOC集成電路、MCU、磁芯元件,包括以下步驟:
A、檢測(cè)電路按照設(shè)定的次數(shù)檢測(cè)勵(lì)磁線圈產(chǎn)生的電感量;
B、SOC集成電路中的MCU根據(jù)步驟A中的電感量變化計(jì)算磁芯元件和被加熱器的溫度。
根據(jù)本發(fā)明所述的一種電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的溫度檢測(cè)方法,所述勵(lì)磁線圈與所述磁芯元件之間設(shè)有間隙。
本發(fā)明的電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的頻率檢測(cè)模塊將檢測(cè)到的LC諧振電路的頻率發(fā)送到SOC集成電路中,磁芯元件的磁導(dǎo)率隨著溫度的變化而變化,變化的磁導(dǎo)率進(jìn)一步影響到LC諧振電路的頻率變化,SOC集成電路中的MCU通 過(guò)對(duì)接收到的頻率進(jìn)行推算,可知曉磁芯元件的材質(zhì)變化;在磁芯元件材質(zhì)一定的情況下,通過(guò)推算還可以知曉此時(shí)磁芯元件的溫度的變化以及被加熱器的溫度;提供的溫度檢測(cè)方法以達(dá)到對(duì)大功率開關(guān)元件保護(hù)的目的,也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的溫度的控制,設(shè)計(jì)巧妙,實(shí)用性強(qiáng)。
附圖說(shuō)明
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明,附圖中:
圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例的電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的示意圖;
圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例的一種電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的方法流程示意圖;
具體實(shí)施方式
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:一方面,電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)中不同的磁芯材料具有不同的磁導(dǎo)率,并且有些磁芯的磁導(dǎo)率還會(huì)因?yàn)闇囟鹊淖兓鄳?yīng)變化,這些變化進(jìn)而會(huì)影響到電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的振蕩頻率變化,而諧振頻率的變化進(jìn)一步影響到大功率元件性能:若振蕩頻率發(fā)生急劇變化將會(huì)對(duì)大功率元件造成致命的傷害,如何通過(guò)檢測(cè)磁芯材質(zhì)的變化來(lái)選不同的加熱方法、對(duì)某些不適合加熱的材質(zhì)加以控制、避免對(duì)電路元件造成不必要的傷害是本發(fā)明要解決的一個(gè)問(wèn)題;另一方面,加熱溫度的精確控制對(duì)于電磁加熱系統(tǒng)來(lái)說(shuō)也十分重要,現(xiàn)有技術(shù)中一般采用溫度傳感器實(shí)現(xiàn),但是這種做法有一定的滯后性。本發(fā)明提出的解決該技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)思路是:提出一種電磁加熱系統(tǒng)100,包括用于產(chǎn)生渦流、加熱器具的振蕩電路110,用于檢測(cè)LC諧振電路振蕩頻率并將頻率變化發(fā)送到SOC集成電路中MCU的檢測(cè)電路120以及用于將開關(guān)元件的瞬間峰值電流信號(hào)發(fā)送到SOC集成電路中MCU、對(duì)開關(guān)元件進(jìn)行保護(hù)的過(guò)載保護(hù)電路130;LC諧振電路113產(chǎn)生高值頻率,一般的電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng),工作頻率約18K~25K,本發(fā)明中LC諧振電路產(chǎn)生的工作頻率約為50K~100K,甚至更高,高值的工作頻率才能適應(yīng)磁芯元件的材質(zhì)的變化。進(jìn)一步地,在本發(fā)明中,磁芯元件和勵(lì)磁線圈構(gòu)成電感器;一方面,該電感器的電感量與磁芯元件的相對(duì)磁導(dǎo)率具有正相關(guān)函數(shù)關(guān)系、與LC諧振電路的諧振頻率具有反相關(guān)函數(shù)關(guān)系;另一方面,而磁芯元件的相對(duì)磁導(dǎo)率與該磁芯元件 的溫度具有一元函數(shù)關(guān)系。進(jìn)一步地,本發(fā)明中設(shè)有SOC集成電路111和檢測(cè)電路120,SOC集成電路中設(shè)有MCU1111,檢測(cè)電路120將LC諧振電路113的頻率及其變化發(fā)送到MCU1111,MCU1111根據(jù)上述函數(shù)關(guān)系推算出磁芯元件材質(zhì)、溫度變化以及被加熱器的溫度變化。
圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例的電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的示意圖,如圖1所示,該電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)包括用于產(chǎn)生渦流、加熱器具的振蕩電路110,用于檢測(cè)LC諧振電路振蕩頻率并將頻率變化發(fā)送到SOC集成電路中MCU的檢測(cè)電路120以及用于將開關(guān)元件的瞬間峰值電流信號(hào)發(fā)送到SOC集成電路中MCU、對(duì)開關(guān)元件進(jìn)行保護(hù)的過(guò)載保護(hù)電路130。在這里,振蕩電路110包括包括用于推算磁芯材質(zhì)變化程度和計(jì)算溫度變化的SOC集成電路111,用于將反饋信號(hào)發(fā)送到SOC集成電路中MCU的振蕩反饋電路112,用于產(chǎn)生高值振蕩頻率的LC諧振電路113以及開關(guān)元件114;振蕩電路用來(lái)實(shí)現(xiàn)被加熱器的熱量的產(chǎn)生,主要是利用了電磁渦流的熱效應(yīng),具體來(lái)說(shuō),流經(jīng)勵(lì)磁線圈1132中的交流電頻率在50~100kHz。當(dāng)勵(lì)磁線圈1132中通以高頻交流電時(shí),線圈周圍產(chǎn)生交變磁場(chǎng),在高頻交變磁場(chǎng)的作用下,被加熱器產(chǎn)生大量的渦流,渦流驅(qū)動(dòng)被加熱器中的分子高速運(yùn)動(dòng),使被加熱器迅速釋放出大量熱量,電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)100的勵(lì)磁線圈線圈以及磁芯元件自身并不是熱源,也就是說(shuō)電磁爐并不是利用熱傳導(dǎo)的方式來(lái)加熱被加熱器,而是通過(guò)電磁感應(yīng)使得被加熱器自身迅速產(chǎn)生熱量。在這一過(guò)程中,勵(lì)磁線圈1132實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁芯元件1133的非接觸式加熱。可以理解,流過(guò)電感勵(lì)磁線圈1132的電流為變化的電流。
進(jìn)一步地,本發(fā)明中電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的工作頻率為50K~100K,電感器的電感量與磁芯元件1133的相對(duì)磁導(dǎo)率具有正相關(guān)函數(shù)關(guān)系、與LC諧振電路113的諧振頻率具有反相關(guān)函數(shù)關(guān)系,可以看出,磁芯元件1133的磁導(dǎo)率與LC諧振電路113的諧振頻率具有反相關(guān)函數(shù)關(guān)系,若為一般的電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的工作頻率18K~30K,在磁芯元件1133材質(zhì)發(fā)生變化時(shí),檢測(cè)電路120的檢測(cè)精度將會(huì)降低。本發(fā)明中產(chǎn)生的高值高值頻率使得檢測(cè)電路120更加適應(yīng)于磁芯元件的材質(zhì)的變化,并且檢測(cè)精度高、噪音低。
進(jìn)一步地,本發(fā)明設(shè)有過(guò)載保護(hù)電路130,因?yàn)椴煌拇判驹?133的 磁導(dǎo)率變化將會(huì)影響到諧振頻率的變化,諧振頻率的急劇變化對(duì)大功率開關(guān)元件114的傷害是致命的,因此,過(guò)載保護(hù)電路130對(duì)大功率開關(guān)元件有著重要的保護(hù)作用,它包括峰值電流檢測(cè)電路131以及高頻互感器132,高頻互感器132用于檢測(cè)經(jīng)過(guò)開關(guān)元件114和勵(lì)磁線圈1132的高頻電流,峰值電流檢測(cè)電路131用于將瞬間峰值電流信號(hào)傳輸給SOC集成電路111,SOC集成電路111中的MCU1111進(jìn)行判斷計(jì)算,對(duì)開關(guān)元件114進(jìn)行控制和保護(hù)。
進(jìn)一步地,SOC集成電路111分別與振蕩反饋電路112、檢測(cè)電路120、過(guò)載保護(hù)電路中峰值電流檢測(cè)電路131和開關(guān)元件的一端連接,振蕩反饋電路112和檢測(cè)電路120的另一端與LC諧振電路113連接,峰值檢測(cè)電路131另一端與高頻互感器132的二次繞組的一端連接,高頻互感器132串聯(lián)連接在開關(guān)元件與勵(lì)磁線圈1132的中間,LC諧振電路113中的磁芯元件1133與勵(lì)磁線圈1132同軸、靠近安裝,諧振電容1131與勵(lì)磁線圈1132和磁芯元件1133組成的電感器并聯(lián)連接。
進(jìn)一步地,如圖1所示,LC諧振電路113包括諧振電容1131、用于產(chǎn)生磁力線的勵(lì)磁線圈1132以及與勵(lì)磁線圈1132一起產(chǎn)生大量渦流的驅(qū)動(dòng)被加熱器中的分子高速運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生熱量的磁芯元件1133,勵(lì)磁線圈1132與磁芯元件1133組成電感器,磁芯元件1133與勵(lì)磁線圈1132同軸、靠近安裝,且磁芯元件1133和勵(lì)磁線圈1132之間間隔有間隙。在這里,檢測(cè)電路120為現(xiàn)有技術(shù),可見于專利CN201220639073.1等。
磁芯元件1133溫度T為:
其中,f為軟磁磁芯元件1133的溫度映射為磁芯元件1133的相對(duì)磁導(dǎo)率的映射關(guān)系;
l為勵(lì)磁線圈1132的長(zhǎng)度;
f0為L(zhǎng)C諧振電路113的諧振頻率;
N為勵(lì)磁線圈1132的匝數(shù);
k為k系數(shù),取決于勵(lì)磁線圈1132的半徑R與其長(zhǎng)度l的比值,通過(guò)查k值 表得到;k值表為公知常識(shí),這里就不再贅述。
μ0為真空磁導(dǎo)率,具體為4π×10-7H/m;
C為諧振電容1131的電容量;
S為勵(lì)磁線圈1132的截面積。
磁芯元件1133溫度T的具體推導(dǎo)過(guò)程如下:
在LC諧振電路113中,有:
其中,f0為L(zhǎng)C諧振電路113的諧振頻率;
L為電感器的電感量;
C為諧振電容1131的電容量。
在上述公式中,由于LC諧振電路113的諧振頻率f0可以由諧振檢測(cè)模塊8測(cè)量得到;諧振電容1131的電容量C已知,于是,電感器的電感量L便可計(jì)算得到。
而在電感器中,有經(jīng)驗(yàn)公式:
其中,L為電感器的電感量;
μ0為真空磁導(dǎo)率,具體為4π×10-7H/m;
μs為磁芯元件1133的相對(duì)磁導(dǎo)率;
N為勵(lì)磁線圈1132的匝數(shù);
S為勵(lì)磁線圈1132的截面積;
l為勵(lì)磁線圈1132的長(zhǎng)度;
k為k系數(shù),取決于勵(lì)磁線圈1132的半徑R與其長(zhǎng)度l的比值,可查k值表得到。
在電感器電感量的經(jīng)驗(yàn)公式中,由于k、μ0、N、S以及l(fā)都已知,這樣,在計(jì)算得到L后,即可求得μs。
進(jìn)一步地,在本實(shí)施例中,磁芯元件1133采用鐵磁體或亞鐵磁體。對(duì)于 鐵磁體或亞鐵磁體,當(dāng)溫度在其居里點(diǎn)以下時(shí),其相對(duì)磁導(dǎo)率μs與溫度T存在一元函數(shù)關(guān)系,這樣,相對(duì)磁導(dǎo)率μs與溫度T的一元函數(shù)關(guān)系可以表示為:
μs=f(T); (3)
通過(guò)式子(1)、(2)和(3),可以得到上述磁芯元件1133溫度T的計(jì)算公式:
由公式(1)、(2)、(3)知不同的磁芯元件1133具有不同的磁導(dǎo)率,并且有些磁芯元件1133的磁導(dǎo)率還會(huì)隨著溫度的變化而變化,這些變化的磁導(dǎo)率都會(huì)影響到LC諧振電路113的電感的變化,進(jìn)而影響到電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)100的振蕩頻率的變化,檢測(cè)電路120將這些諧振頻率的變化發(fā)送到集成電路中的MCU,經(jīng)過(guò)計(jì)算和判斷,即可知曉磁芯元件1133材質(zhì)的變化;在磁芯元件1133材質(zhì)不變的情況下,也可知曉磁芯元件1133此時(shí)的溫度以及推算出被加熱器的溫度。
一種電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的溫度檢測(cè)方法,使用檢測(cè)電路120、勵(lì)磁線圈1132、SOC集成電路111、MCU1111、磁芯元件1133、包括以下步驟:
A、檢測(cè)電路120按照設(shè)定的次數(shù)檢測(cè)勵(lì)磁線圈1132產(chǎn)生的電感量;
B、SOC集成電路111中的MCU1111根據(jù)步驟A中的電感量變化計(jì)算磁芯元件1133和被加熱器的溫度。
檢測(cè)電路120檢測(cè)出勵(lì)磁線圈與磁芯元件產(chǎn)生的電感量,MCU1111根據(jù)公式(1)計(jì)算出LC諧振電路的頻率,由公式(3)MCU可以計(jì)算出磁芯元件1133的溫度,磁芯元件與被加熱器直接接觸,由此可以推算出被加熱器的溫度,可以根據(jù)并對(duì)溫度進(jìn)行控制,勵(lì)磁線圈1132與磁芯元件1133之間設(shè)有間隙,本方法通過(guò)計(jì)算勵(lì)磁線圈的電感量的變化就可計(jì)算出被加熱器的溫度,實(shí)現(xiàn)了間接測(cè)量溫度的目的,設(shè)計(jì)十分巧妙。
本發(fā)明的電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的頻率檢測(cè)模塊將檢測(cè)到的LC諧振電路的頻率發(fā)送到SOC集成電路中,磁芯元件的磁導(dǎo)率隨著溫度的變化而變化,變化 的磁導(dǎo)率進(jìn)一步影響到LC諧振電路的頻率變化,SOC集成電路中的MCU通過(guò)對(duì)接收到的頻率進(jìn)行推算,可知曉磁芯元件的材質(zhì)變化;在磁芯元件材質(zhì)一定的情況下,通過(guò)推算還可以知曉此時(shí)磁芯元件的溫度的變化以及被加熱器的溫度;由以上方案可以選擇合適的加熱方法以達(dá)到對(duì)大功率開關(guān)元件保護(hù)的目的,也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)的溫度的控制,提供的對(duì)被加熱器的間接溫度測(cè)量方法,可以使用戶根據(jù)需要對(duì)溫度進(jìn)行控制,設(shè)計(jì)巧妙,實(shí)用性強(qiáng)。
應(yīng)當(dāng)理解的是,對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換,而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。