本文中描述的標(biāo)的物的實(shí)施例大體上涉及封裝半導(dǎo)體裝置，且更具體地說，涉及包括阻抗匹配電路的封裝射頻(rf)半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

典型的大功率射頻(rf)半導(dǎo)體裝置可包括一個或多個輸入引線、一個或多個輸出引線、一個或多個晶體管、耦合輸入引線到晶體管的鍵合線，以及耦合晶體管到輸出引線的鍵合線。鍵合線在高頻率下具有顯著的電感抗，并且將此類電感考慮在用于裝置的輸入和輸出阻抗匹配電路的設(shè)計內(nèi)。在一些情況下，輸入和輸出阻抗匹配電路可包含在包含裝置的晶體管的同一封裝內(nèi)。更確切地說，封裝內(nèi)輸入阻抗匹配電路可在裝置的輸入引線與晶體管的控制端(例如，柵極)之間耦合，并且封裝內(nèi)輸出阻抗匹配電路可在晶體管的導(dǎo)電端(例如，漏極)與裝置的輸出引線之間耦合。

當(dāng)用于具有相對較低的瞬時信號帶寬(isbw)(例如，150兆赫茲(mhz)或小于150兆赫茲的isbw)的相對窄帶應(yīng)用中時，具有良好性能的封裝rf半導(dǎo)體裝置是可用的。然而，增加了的isbw(例如，200mhz或大于200mhz的isbw)正在成為rf通信放大器(例如，rf通信基礎(chǔ)設(shè)施放大器)的主要需要。這個需要源于以下事實(shí)：每秒更大的信息下載速率成為顯著的啟用特征。因此，rf通信產(chǎn)業(yè)中的趨勢包括發(fā)展具有漸增的寬帶的操作和相對較高的isbw的封裝rf半導(dǎo)體裝置。

設(shè)計具有高isbw的rf放大器裝置具有挑戰(zhàn)性。例如，裝置的isbw可直接受到低頻諧振(lfr)的影響，所述低頻諧振由裝置的偏饋和輸出電路之間的交互導(dǎo)致，所述輸出電路在裝置的晶體管和其輸出引線之間電連接。更具體地說，互連各個輸出電路組件的鍵合線的電感可限制裝置的lfr。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種射頻(rf)放大器，包括：具有控制端和第一和第二載流端的晶體管；在所述第一載流端和接地參考節(jié)點(diǎn)之間耦合的分路電路，其中所述分路電路包括串聯(lián)耦合的第一分路電感、第二分路電感和分路電容器，并且其中所述第二分路電感和所述分路電容器在接近所述放大器的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)存在于所述第一和第二分路電感之間；以及在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間耦合的視頻帶寬電路。

優(yōu)選地，所述第一分路電感包括在所述第一載流端和所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間耦合的第一多個鍵合線，并且所述第二分路電感包括在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述分路電容器的第一端之間耦合的第二多個鍵合線。

優(yōu)選地，所述第一分路電感包括在所述第一載流端和所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間耦合的多個鍵合線，并且所述第二分路電感包括在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述分路電容器的第一端之間耦合的集成電感器。

優(yōu)選地，所述視頻帶寬電路包括：第三電感、電阻，以及第二電容器，它們在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間串聯(lián)耦合。

優(yōu)選地，所述第一和第二分路電感器具有在100微微亨到3毫微亨

的范圍內(nèi)的總電感值；以及所述分路電容器具有在50微微法拉到500

微微法拉的范圍內(nèi)的電容值。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種封裝射頻(rf)放大器裝置，包括：裝置基板；耦合到所述裝置基板的晶體管，其中所述晶體管包括控制端和第一和第二載流端；耦合到在所述第一載流端和接地參考節(jié)點(diǎn)之間的所述裝置基板的分路電路，其中所述分路電路包括串聯(lián)耦合的第一分路電感、第二分路電感和分路電容器，并且其中所述第二分路電感和所述分路電容器在接近所述rf放大器裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)存在于所述第一和第二分路電感之間；以及耦合到在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間的所述裝置基板的視頻帶寬電路。

優(yōu)選地，所述第一分路電感包括在所述第一載流端和所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間耦合的第一多個鍵合線，并且所述第二分路電感包括在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述分路電容器的第一端之間耦合的第二多個鍵合線。

優(yōu)選地，另外包括：耦合到所述裝置基板的無源裝置基板，其中所述無源裝置基板包括所述分路電容器、對應(yīng)于所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)的第一導(dǎo)電墊，以及電耦合到所述分路電容器的第一端的第二導(dǎo)電墊，其中所述第一和第二導(dǎo)電墊暴露在所述無源裝置基板的表面處，所述第一多個鍵合線耦合到所述第一導(dǎo)電墊，并且所述第二多個鍵合線在所述第一和第二導(dǎo)電墊之間耦合。

優(yōu)選地，所述第一分路電感包括在所述第一載流端和所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間耦合的多個鍵合線，并且所述第二分路電感包括在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述分路電容器的第一端之間耦合的集成電感器。

優(yōu)選地，另外包括：耦合到所述裝置基板的無源裝置基板，其中所述無源裝置基板包括所述分路電容器、所述集成電感器，以及對應(yīng)于所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)的導(dǎo)電墊，其中所述導(dǎo)電墊暴露在所述無源裝置基板的表面處，所述第一多個鍵合線耦合到所述導(dǎo)電墊，并且所述集成電感器在所述導(dǎo)電墊和所述分路電容器的所述第一端之間耦合。

優(yōu)選地，所述視頻帶寬電路包括：在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間串聯(lián)耦合的第三電感、電阻和第二電容器。

優(yōu)選地，另外包括：耦合到所述裝置基板的無源裝置基板，其中所述無源裝置基板包括所述第三電感、所述電阻和所述第二電容器。

優(yōu)選地，所述第三電感具有小于100微微亨的電感值。

優(yōu)選地，所述第一和第二分路電感器具有在100微微亨到3毫微亨

的范圍內(nèi)的總電感值；以及所述分路電容器具有在50微微法拉到500

微微法拉的范圍內(nèi)的電容值。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造rf放大器裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

優(yōu)選地，耦合晶體管到裝置基板，其中所述晶體管包括控制端和第

一和第二載流端；耦合分路電路到在所述第一載流端和接地參考節(jié)點(diǎn)

之間的所述裝置基板，其中所述分路電路包括串聯(lián)耦合的第一分路電

感、第二分路電感和分路電容器，并且其中所述第二分路電感和所述

分路電容器在接近所述rf放大器裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧

振電路，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)存在于所述第一和第二分路電感之間；以

及耦合視頻帶寬電路到在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間

的所述裝置基板。

優(yōu)選地，耦合所述分路電路包括：在所述第一載流端和所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間耦合第一多個鍵合線，其中所述第一多個鍵合線對應(yīng)于所述第一分路電感；以及在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述分路電容器的第一端之間耦合第二多個鍵合線，其中所述第二多個鍵合線對應(yīng)于所述第二分路電感。

優(yōu)選地，另外包括：形成無源裝置基板，所述無源裝置基板包括所述分路電容器、對應(yīng)于所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)的第一導(dǎo)電墊，以及電耦合到所述分路電容器的第一端的第二導(dǎo)電墊，其中所述第一和第二導(dǎo)電墊暴露在所述無源裝置基板的表面處，以及其中耦合所述分路電路到所述裝置基板包括耦合所述無源裝置基板到所述裝置基板、在所述第一載流端和所述第一導(dǎo)電墊之間耦合所述第一多個鍵合線，以及在所述第一和第二導(dǎo)電墊之間耦合所述第二多個鍵合線。

優(yōu)選地，耦合所述分路電路包括：在所述第一載流端和所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間耦合多個鍵合線，其中所述多個鍵合線對應(yīng)于所述第一分路電感；以及在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述分路電容器的第一端之間耦合一個或多個集成電感器，其中所述一個或多個集成電感器對應(yīng)于所述第二分路電感。

優(yōu)選地，另外包括：形成無源裝置基板，所述無源裝置基板包括所述分路電容器、對應(yīng)于所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)的導(dǎo)電墊和所述一個或多個集成電感器，其中所述導(dǎo)電墊暴露在所述無源裝置基板的表面處，以及其中耦合所述分路電路到所述裝置基板包括耦合所述無源裝置基板到所述裝置基板，以及在所述第一載流端和所述導(dǎo)電墊之間耦合所述多個鍵合線。

優(yōu)選地，另外包括：形成無源裝置基板，所述無源裝置基板包括所述分路電容器、對應(yīng)于所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)的導(dǎo)電墊和所述視頻帶寬電路，其中所述視頻帶寬電路和所述無源裝置基板包括在所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間串聯(lián)耦合的第三電感、電阻和第二電容器，以及其中耦合所述視頻帶寬電路到所述裝置基板包括耦合所述無源裝置基板到所述裝置基板，以及其中耦合所述分路電路到所述裝置基板包括在所述第一載流端和所述導(dǎo)電墊之間耦合多個鍵合線，其中所述多個鍵合線對應(yīng)于所述第一分路電感。

附圖說明

可以結(jié)合以下圖式考慮，通過參考詳細(xì)描述和權(quán)利要求書得到標(biāo)的物的更完整理解，其中類似附圖標(biāo)記遍及各圖指代相似元件。

圖1是根據(jù)示例實(shí)施例的具有輸入和輸出阻抗匹配電路以及包絡(luò)頻率終端電路的rf放大器的示意圖；

圖2是根據(jù)示例實(shí)施例的體現(xiàn)圖1的電路的封裝rf放大器裝置的例子的俯視圖；

圖3是沿著線3-3截取的圖2的rf放大器裝置的橫截面?zhèn)纫晥D；

圖4是根據(jù)示例實(shí)施例的包括輸出阻抗匹配電路的部分和包絡(luò)頻率終端電路的集成無源裝置(ipd)總成的俯視圖；

圖5是沿著線5-5截取的圖4的ipd總成的橫截面?zhèn)纫晥D；

圖6是根據(jù)另一示例實(shí)施例的包括輸出阻抗匹配電路的部分和包絡(luò)頻率終端電路的ipd總成的俯視圖；

圖7是沿著線7-7截取的圖6的ipd總成的橫截面?zhèn)纫晥D；

圖8是基帶阻抗量值與用于常規(guī)放大器和具有修改后的rf冷點(diǎn)的rf放大器的實(shí)施例的頻率的對比圖；

圖9是基帶阻抗的相位變換與用于常規(guī)rf放大器和具有修改后的rf冷點(diǎn)的rf放大器的實(shí)施例的頻率的對比圖；以及

圖10是根據(jù)示例實(shí)施例的制造封裝rf裝置的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

常規(guī)rf功率放大器裝置中的輸出阻抗匹配電路可包括，除其它之外，充當(dāng)高通匹配級的分路電路。例如，常規(guī)分路電路可包括在晶體管的導(dǎo)電端(例如，漏極)與接地參考節(jié)點(diǎn)之間串聯(lián)耦合的電感器(本文中，“分路電感器”或lshunt)和電容器(本文中，“分路電容器”或cshunt)。在常規(guī)裝置中，“rf冷點(diǎn)”位于分路電感器和分路電容器之間。實(shí)質(zhì)上，rf冷點(diǎn)是可充當(dāng)用于rf電信號的虛擬接地參考電壓的節(jié)點(diǎn)。如果rf冷點(diǎn)是理想的，那么在裝置操作期間，在功率放大器中心操作頻率下，將只有極少或沒有rf能量存在于rf冷點(diǎn)處。然而，常規(guī)分路電路中的rf冷點(diǎn)并不理想，所以在操作期間，在中心頻率下，有一些rf能量存在于rf冷點(diǎn)處。

為了提高裝置的低頻諧振(lfr)，并因此增加裝置的瞬時信號帶寬(isbw)，裝置在輸出阻抗匹配電路中還可包括“包絡(luò)頻率終端電路”(或“視頻帶寬電路”)。實(shí)質(zhì)上，經(jīng)適當(dāng)設(shè)計的視頻帶寬電路被配置成在包絡(luò)頻率下具有低阻抗，以使得包絡(luò)電流可易于穿過視頻帶寬電路到接地，而不是被傳送到裝置的輸出引線。在常規(guī)裝置中，視頻帶寬電路電耦合到rf冷點(diǎn)(即，耦合到分路電感和電容之間的節(jié)點(diǎn))以使得在中心操作頻率附近，視頻帶寬電路可能只暴露于最小數(shù)量的rf能量。

典型的視頻帶寬電路可包括在rf冷點(diǎn)和接地參考節(jié)點(diǎn)之間耦合的電感(本文中，“包絡(luò)電感器”或lenv)、電阻(本文中，“包絡(luò)電阻器”或renv)以及電容(本文中，“包絡(luò)電容器”或cenv)的串聯(lián)組合。在常規(guī)裝置中，由于rf冷點(diǎn)的缺陷，所以在操作期間，在中心操作頻率下，相當(dāng)大數(shù)量的rf能量可存在于rf冷點(diǎn)處，并且那一rf能量可傳送到視頻帶寬電路中并通過包絡(luò)電阻器耗散。這個所不希望的功率耗散可顯現(xiàn)自身為裝置的漏極效率的降低。另外，如果功率耗散變得過高，那么它可損害包絡(luò)電阻器的完整性。在一些裝置中，包絡(luò)電感器值可經(jīng)選擇以向rf信號呈現(xiàn)高阻抗，因此rf信號從通過視頻帶寬電路的傳播偏轉(zhuǎn)。相對較大的包絡(luò)電感器可產(chǎn)生包絡(luò)電阻器中功率耗散的降低，因此潛在地提高了漏極效率。然而，這種相對較大的包絡(luò)電感器還可增加視頻帶寬電路的基帶阻抗，并降低裝置的lfr。為了實(shí)現(xiàn)高線性化，直到發(fā)生lfr的基帶阻抗應(yīng)相對較低(例如，1.0歐姆或小于1.0歐姆)。常規(guī)裝置無法實(shí)現(xiàn)直到發(fā)生lfr的這么低的基帶阻抗。

本發(fā)明的標(biāo)的物的實(shí)施例包括rf放大器和封裝半導(dǎo)體裝置(例如，封裝rf功率晶體管裝置)，所述封裝半導(dǎo)體裝置被配置成包括比常規(guī)裝置更加理想的rf冷點(diǎn)。換句話說，rf放大器和裝置的實(shí)施例包括rf冷點(diǎn)，在所述rf冷點(diǎn)處，在操作期間，當(dāng)與可存在于常規(guī)rf放大器或裝置中的rf冷點(diǎn)處的rf能量相比較時，在中心操作頻率下存在少得多的rf能量。此外，實(shí)施例包括連接到這種“更加理想的”rf冷點(diǎn)的視頻帶寬電路。在各種實(shí)施例的rf冷點(diǎn)的情況下，視頻帶寬電路設(shè)計并不被限制成必須阻隔在中心操作頻率附近的大量的rf能量，并因此可被設(shè)計具有相對較小的包絡(luò)電感器，同時仍實(shí)現(xiàn)相對較低的基帶阻抗(例如，1.0歐姆或小于1.0歐姆，直到發(fā)生裝置的lfr)。在更加理想的rf冷點(diǎn)處沒有顯著的rf能量的情況下，裝置可避免由包絡(luò)電阻器中所不希望的rf功率耗散所導(dǎo)致的漏極效率性能代償。更確切地說，在rf冷點(diǎn)處存在最小rf能量的情況下，通過包絡(luò)電阻器可耗散更少的功率。

根據(jù)實(shí)施例，rf冷點(diǎn)通過將分路電感劃分成兩個電感來改進(jìn)。更確切地說，第一分路電感存在于晶體管漏極和新的rf冷點(diǎn)之間，并且第二分路電感與新的rf冷點(diǎn)和接地參考節(jié)點(diǎn)之間的分路電容串聯(lián)耦合。根據(jù)實(shí)施例，第二分路電感和分路電容在接近rf功率放大器裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路，以使得在可存在于新的rf冷點(diǎn)處的中心操作頻率的附近的rf電流將流動穿過分路電路到接地，而不是流動穿過視頻帶寬電路。在新的rf冷點(diǎn)存在更少的rf能量的情況下，視頻帶寬電路可被設(shè)計具有相對較低的包絡(luò)電感，并因此具有直到發(fā)生lfr的降低了的基帶阻抗。另外，更少的rf電流流動穿過包絡(luò)電阻器可轉(zhuǎn)換成提高了的漏極效率和降低了的由于過度功率耗散而損害包絡(luò)電阻器的可能性。

圖1是rf功率放大器裝置100的示意圖。在實(shí)施例中，裝置100包括輸入引線102、輸入阻抗匹配電路110、晶體管120、視頻帶寬電路149、輸出阻抗匹配電路150，以及輸出引線104。視頻帶寬電路149和輸出阻抗匹配電路150可共同地指代為“輸出電路”。盡管晶體管120以及輸入和輸出阻抗匹配電路110、150與視頻帶寬電路149的各個元件示出為單個組件，但是描繪僅僅出于易于說明的目的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員基于本文中描述將理解，晶體管120和/或輸入與輸出阻抗匹配電路110、150和視頻帶寬電路149的某些元件各自可實(shí)施為多個組件(例如，與彼此并聯(lián)或串聯(lián)連接)，并且此類實(shí)施例的例子在其它圖式中示出且稍后加以描述。例如，實(shí)施例可包括單個路徑裝置(例如，包括單個輸入引線、輸出引線、晶體管等)，雙路徑裝置(例如，包括兩個輸入引線、輸出引線、晶體管等)，和/或多路徑裝置(例如，包括兩個或更多個輸入引線、輸出引線、晶體管等)。另外，輸入/輸出引線的數(shù)目可不與晶體管的數(shù)目相同(例如，可存在用于輸入/輸出引線的給定集合的同時操作的多個晶體管)。因此，下文中對晶體管120以及輸入和輸出阻抗匹配電路110、150與視頻帶寬電路149的各個元件的描述并不意圖將本發(fā)明的標(biāo)的物的范圍僅限制到所示出的實(shí)施例。

輸入引線102和輸出引線104各自包括導(dǎo)體，所述導(dǎo)體被配置成使得裝置100能夠與外部電路(未圖示)電耦合。更確切地說，輸入和輸出引線102、104物理地定位成在裝置的封裝的外部和內(nèi)部之間跨越。輸入阻抗匹配電路110在輸入引線102和晶體管120的第一端(例如，柵極)之間電耦合，所述晶體管120的第一端也位于裝置的內(nèi)部內(nèi)。類似地，輸出阻抗匹配電路150和視頻帶寬電路149在晶體管120的第二端(例如，漏極)和輸出引線104之間電耦合。

根據(jù)實(shí)施例，晶體管120是裝置100的主要有源組件。晶體管120包括控制端和兩個導(dǎo)電端，其中導(dǎo)電端在空間上通過可變導(dǎo)電性通道電分離。例如，晶體管120可為場效應(yīng)晶體管(fet)(諸如金屬氧化物半導(dǎo)體fet(mosfet))，其包括柵極(控制端)、漏極(第一導(dǎo)電端)，以及源極(第二導(dǎo)電端)?？商鎿Q的是，晶體管120可為雙極結(jié)晶體管(bjt)。因此，本文中對“柵極”、“漏極”和“源極”的參考并不意圖限制，因為這些名稱中的每一個具有bjt實(shí)施方案的類似特征(例如，相應(yīng)地，基極、集電極和發(fā)射極)。根據(jù)實(shí)施例，并且以非限制性方式使用通常應(yīng)用于mosfet的命名法，晶體管120的柵極耦合到輸入阻抗匹配電路110，晶體管120的漏極耦合到輸出阻抗匹配電路150和視頻帶寬電路149，以及晶體管120的源極耦合到接地(或另一參考電壓)。通過提供到晶體管120的柵極的控制信號的變化，晶體管120的導(dǎo)電端之間的電流可進(jìn)行調(diào)制。

輸入阻抗匹配電路110在輸入引線102與晶體管120的控制端(例如，柵極)之間耦合。輸入阻抗匹配電路110被配置成將裝置100的阻抗升高到更高(例如，中間或更高)阻抗電平(例如，在從大約2歐姆到大約10歐姆或更高的范圍內(nèi))。這是有利的，因為它允許來自激勵級的印刷電路板電平(pcb電平)匹配接口(例如，“用戶友好”匹配接口)具有可以最少損失和變化在高體積制造中實(shí)現(xiàn)的阻抗。

根據(jù)實(shí)施例，輸入阻抗匹配電路110包括兩個電感元件112、116(例如，鍵合線的兩個集合)和分路電容器114。第一電感元件112(例如，鍵合線的第一集合)在輸入引線102與電容器114的第一端之間耦合，并且第二電感元件116(例如，鍵合線的第二集合)在電容器114的第一端與晶體管120的控制端之間耦合。電容器114的第二端耦合到接地(或另一參考電壓)。電感元件112、116和分路電容器114的組合充當(dāng)?shù)屯V波器。根據(jù)實(shí)施例，電感元件112、116的串聯(lián)組合可具有在大約50微微亨(ph)到大約3毫微亨(nh)之間的范圍內(nèi)的值，并且分路電容器114可具有在大約5微微法拉(pf)到大約80pf之間的范圍內(nèi)的值。

輸出阻抗匹配電路150在晶體管120的第一導(dǎo)電端(例如，漏極)與輸出引線104之間耦合。輸出阻抗匹配電路150被配置成匹配裝置100的輸出阻抗與可耦合到輸出引線104的外部電路或組件(未圖示)的輸入阻抗。根據(jù)實(shí)施例，輸出阻抗匹配電路150包括四個電感元件132、134、135、140和兩個電容器142、146。在本文中可被稱作“串聯(lián)電感器”或lseries的第一電感元件132(例如，鍵合線的第三集合)在晶體管120的第一導(dǎo)電端(例如，漏極)與輸出引線104之間耦合。在實(shí)施例中，在本文中可被稱作“第一分路電感器”或lshunt1的第二電感元件134(例如，鍵合線的第四集合、集成電感器或另一電感結(jié)構(gòu))在晶體管120的第一導(dǎo)電端與第一節(jié)點(diǎn)148之間耦合，所述第一節(jié)點(diǎn)148對應(yīng)于rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)。在本文中可被稱作“第二分路電感器”或lshunt2的第三電感元件135(例如，鍵合線的第五集合、集成電感器或另一電感結(jié)構(gòu))在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)148和第一電容器142的第一端之間耦合，所述第一電容器142的第一端在本文中可被稱作“分路電容器”。在分路電路143'的替代實(shí)施例中，如圖1的右下角中可見，第二分路電感器135'和分路電容器142'在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)148'和接地參考之間的次序可倒轉(zhuǎn)。最后，在本文中可被稱作“低通匹配電感器”的第四電感元件140(例如，鍵合線的第五或第六集合)在輸出引線104和第二電容器146的第一端之間耦合，所述第二電容器146的第一端在本文中可被稱作“低通匹配電容器”。在實(shí)施例中，分路和低通匹配電容器142、146的第二端耦合到接地(或耦合到另一參考電壓)。

第一分路電感器134和第二分路電感器135與分路電容器142在晶體管120的導(dǎo)電端和接地之間串聯(lián)耦合，并且阻抗匹配元件的這個組合充當(dāng)?shù)谝?高通)匹配級。因此，分路電感器134、135和分路電容器142的組合在本文中可被稱作高通匹配電路143。根據(jù)實(shí)施例，分路電感器134、135的串聯(lián)組合可具有在大約100ph到大約3nh之間的范圍內(nèi)的值，并且分路電容器142可具有在大約50pf到大約500pf之間的范圍內(nèi)的值，但是這些組件還可具有這些范圍之外的值。

rf冷點(diǎn)148存在于第一分路電感器134和第二分路電感器135之間的節(jié)點(diǎn)處。如先前所論述，rf冷點(diǎn)148表示用于rf信號的電路中的低阻抗點(diǎn)。如結(jié)合圖2到7稍后將更詳細(xì)地描述，rf放大器裝置的各種實(shí)施例可包括至少一個集成無源裝置(ipd)總成(例如，圖4、6的ipd總成400、600)，所述集成無源裝置總成包括輸出電路的部分。更確切地說，每一ipd總成可包括具有一個或多個集成無源組件的半導(dǎo)體基板。在特定實(shí)施例中，每一ipd總成可包括rf冷點(diǎn)148、第二分路電感器135、分路電容器142，以及視頻帶寬電路149的部分。在其它實(shí)施例中，輸出阻抗匹配電路150和視頻帶寬電路149的這些部分中的一些或全部部分可實(shí)施為不同/離散組件或?qū)嵤槠渌愋偷目偝?例如，低溫共燒陶瓷(ltcc)裝置、小型pcb總成等)的部分。在又其它實(shí)施例中，輸出阻抗匹配電路150和視頻帶寬電路149的這些部分中的一些或全部可耦合到包括晶體管120的半導(dǎo)體管芯和/或集成在所述半導(dǎo)體管芯內(nèi)。下文對包括ipd總成的實(shí)施例的詳細(xì)描述不應(yīng)被理解為限制本發(fā)明的標(biāo)的物，并且術(shù)語“無源裝置基板”意味著包括無源裝置的任何類型的結(jié)構(gòu)，包括ipd、ltcc裝置、晶體管管芯、pcb總成等。

視頻帶寬電路149在rf冷點(diǎn)148和接地(或另一參考電壓)之間耦合。視頻帶寬電路149用于通過在包絡(luò)頻率處呈現(xiàn)低阻抗和在rf頻率處呈現(xiàn)高阻抗來提高裝置100的lfr，所述lfr由輸出阻抗匹配電路150和偏饋(未圖示)之間的交互導(dǎo)致。視頻帶寬電路149從rf匹配角度實(shí)質(zhì)上“不可見”，因為它僅實(shí)現(xiàn)在包絡(luò)頻率處的輸出阻抗(即，視頻帶寬電路149提供裝置100的包絡(luò)頻率的終止)。

根據(jù)實(shí)施例，視頻帶寬電路149包括串聯(lián)耦合的電感136、電阻器138和電容器144。根據(jù)實(shí)施例，電感136，lenv，可實(shí)施為耦合rf冷點(diǎn)148到包絡(luò)電阻器138renv的鍵合線的集合。在此類實(shí)施例中，包絡(luò)電感136可具有在大約5ph到大約2000ph之間的范圍內(nèi)的值。在結(jié)合圖2到7將更詳細(xì)地論述的另一實(shí)施例中，可實(shí)現(xiàn)包絡(luò)電感136而不需rf冷點(diǎn)148和視頻帶寬電路149的其它組件(即，電阻器138和電容器144)之間的鍵合線連接。更具體地說，rf放大器裝置的其它實(shí)施例還可將包絡(luò)電感136、包絡(luò)電阻器138和包絡(luò)電容器144并入到ipd總成的前述實(shí)施例(例如，圖4、6的ipd總成400、600)中，或并入到包括晶體管120的管芯中。在ipd總成內(nèi)(或在晶體管管芯內(nèi))，視頻帶寬電路149組件可耦合在一起且耦合到接地(或另一參考電壓)，其中連接件具有極低的且受嚴(yán)格控制的電感。根據(jù)各種實(shí)施例，通過連接包絡(luò)電阻器138和包絡(luò)電容器144到rf冷點(diǎn)148(例如，接觸墊448、648)實(shí)現(xiàn)對包絡(luò)電感136的嚴(yán)格控制，所述連接通過在ipd總成(例如，導(dǎo)電跡線和通孔)內(nèi)光微影形成的連接件而不是通過鍵合線。各種實(shí)施例的ipd總成可大體上降低和控制包絡(luò)電感136的電感值，因此降低包括于視頻帶寬電路149中的總電感。這可具有提高裝置100的lfr和isbw兩者的效果。

盡管包絡(luò)電感136在圖1中表示為單個組件，但實(shí)際上包絡(luò)電感136可由多個較小電感構(gòu)成，所述較小電感來自在包絡(luò)頻率終端電路149內(nèi)的多個低電感連接件。根據(jù)實(shí)施例，通過表示包絡(luò)電感136的第一部分的第一低電感連接件(例如圖4的接觸墊448的部分)，包絡(luò)電阻器138的第一端耦合到rf冷點(diǎn)148。通過表示包絡(luò)電感136的第二部分的第二低電感連接件(例如，圖4的接觸墊430)，包絡(luò)電阻器138的第二端耦合到包絡(luò)電容器144的第一端。在實(shí)施例中，通過表示包絡(luò)電感136的第三部分的第三低電感連接件(例如，圖4的鍵合墊432和通孔436)，包絡(luò)電容器144的第二端耦合到接地(或另一參考電壓)。包絡(luò)電阻器138可具有在大約0.1歐姆到大約5.0歐姆之間的范圍內(nèi)的值，并且包絡(luò)電容器144可具有在大約5毫法拉(nf)到大約1微法拉(μf)之間的范圍內(nèi)的值，但是這些組件還可具有這些范圍之外的值。在實(shí)施例中，由于分路電容器142、電感器135、電阻器138、電容器144和接地(或另一參考電壓)之間的低電感連接，包絡(luò)電感136可具有小于大約500ph的值(例如，在實(shí)施例中，低到50ph，或可能甚至更低)。

低通匹配電感器140和低通匹配電容器146在輸出引線104和接地(或另一參考電壓)之間串聯(lián)耦合，并且阻抗匹配元件的這個組合充當(dāng)?shù)诙?低通)匹配級。因此，低通匹配電感器140和低通匹配電容器146的組合在本文中可被稱作低通匹配電路147。根據(jù)實(shí)施例，低通匹配電感器140可具有在大約50ph到大約1nh之間的范圍內(nèi)的值，并且低通匹配電容器146可具有在大約1pf到大約50pf之間的范圍內(nèi)的值，但是這些組件還可具有這些范圍之外的值。根據(jù)替代實(shí)施例，低通匹配電路147可完全不包括在裝置100中。

圖2是根據(jù)示例實(shí)施例的體現(xiàn)圖1的電路的封裝rf放大器裝置200的例子的俯視圖，所述封裝rf放大器裝置200包括具有改進(jìn)了的rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)248的輸出阻抗匹配電路250，視頻帶寬電路249耦合到所述改進(jìn)了的rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)248。為了增強(qiáng)理解，圖2應(yīng)結(jié)合圖3查看，圖3是沿著線3-3截取的圖2的半導(dǎo)體裝置200的橫截面?zhèn)纫晥D。更確切地說，圖3是穿過輸入引線202、輸入阻抗匹配電路210、晶體管220、輸出阻抗匹配電路250以及輸出引線204的橫截面圖。圖3還示出了罩蓋310，其可實(shí)施在空氣腔封裝實(shí)施例中以在空氣腔312內(nèi)密封裝置200的內(nèi)部組件。

裝置200包括輸入引線202(例如，圖1的輸入引線102)、輸出引線204(例如，圖1的輸出引線104)、凸緣206(或“裝置基板”)、隔離結(jié)構(gòu)208、一個或多個晶體管220(例如，圖1的晶體管120)、輸入阻抗匹配電路210(例如，圖1的輸入阻抗匹配電路110)、視頻帶寬電路249(例如，圖1的視頻帶寬電路149)，以及輸出阻抗匹配電路250(例如，圖1的輸出阻抗匹配電路150)，這些全部可封裝在一起作為裝置的部分。在圖2的例子中，裝置200包括實(shí)質(zhì)上同時運(yùn)行的三個晶體管220，但是另一半導(dǎo)體裝置還可包括一個或兩個晶體管或大于三個晶體管。此外，裝置200包括三個輸入電容器214和三個ipd總成242，它們實(shí)質(zhì)上也同時運(yùn)行。應(yīng)理解，還可實(shí)施更多或更少的電容器214和/或ipd總成242。出于清楚起見，下文中可以單數(shù)意義提及各個晶體管220、輸入電容器214和ipd總成242，如同將在其它稍后描述的圖式中提及類似組件。應(yīng)理解，以單數(shù)意義對具體裝置組件描述應(yīng)用到全部此類組件的集合。根據(jù)實(shí)施例，跨接線(未圖示)可在多個晶體管220、輸入電容器214和ipd總成242之間電耦合，以在對應(yīng)組件之間提供低頻路徑。

根據(jù)實(shí)施例，裝置200并入在空氣腔封裝中，在所述空氣腔封裝中，晶體管220以及各個阻抗匹配和視頻帶寬元件212、214、216、232、234、240和242位于封閉的空氣腔312內(nèi)?；旧?，空氣腔以凸緣206、隔離結(jié)構(gòu)208和上覆于并接觸隔離結(jié)構(gòu)208和引線202、204的罩蓋310為界。在圖2中，罩蓋310的示例周邊通過短劃方框218指示。在其它實(shí)施例中，裝置可并入到包覆模制封裝中(即，其中有源裝置區(qū)域內(nèi)的電氣組件使用不導(dǎo)電模制化合物包封，并且其中引線202、204的部分和隔離結(jié)構(gòu)208的全部或部分還可由模制化合物包圍的封裝)。

凸緣206包括剛性導(dǎo)電基板，所述剛性導(dǎo)電基板具有足以為裝置200的電氣組件和元件提供結(jié)構(gòu)支撐的厚度。另外，凸緣206可充當(dāng)用于晶體管220和安裝在凸緣206上的其它裝置的散熱物。凸緣206具有頂部和底部表面(圖2中僅可見頂部表面的中心部分)，以及對應(yīng)于裝置200的周邊(例如，對應(yīng)于隔離結(jié)構(gòu)208的周邊，下文描述)的大體上矩形的周邊。

凸緣206由導(dǎo)電材料形成，并可用于提供用于裝置200的接地參考。例如，各個組件和元件可具有電耦合到凸緣206的端，并且當(dāng)裝置200并入到更大的電力系統(tǒng)中時，凸緣206可電耦合到系統(tǒng)接地。至少凸緣206的表面由導(dǎo)電材料層形成，并且有可能所有的凸緣206由塊體導(dǎo)電材料形成?？商鎿Q的是，凸緣206可具有在其頂部表面下方的一個或多個不導(dǎo)電材料層。無論哪種方式，凸緣206都具有導(dǎo)電頂部表面。凸緣206可更一般地被稱作具有導(dǎo)電表面的基板。

隔離結(jié)構(gòu)208附著到凸緣206的頂部表面。例如，隔離結(jié)構(gòu)208在其底部表面上可包括一層金屬化物320，所述金屬化物320可焊接到或以另外方式附著到凸緣206的頂部表面。隔離結(jié)構(gòu)208由剛性電絕緣材料(即，具有在從大約2.0到大約10.0的范圍內(nèi)的介電常數(shù)的材料，但是可使用具有更高或更低介電常數(shù)的材料)形成，并具有頂部表面和相對的底部表面。如本文所使用，術(shù)語“隔離結(jié)構(gòu)”是指提供裝置的導(dǎo)電特征之間(例如，引線202、204與凸緣206之間)的電隔離的結(jié)構(gòu)。例如，隔離結(jié)構(gòu)208可由無機(jī)材料(例如，陶瓷(諸如氧化鋁、氮化鋁等))和/或有機(jī)材料(例如，一種或多種聚合物或pcb材料)形成。在其中隔離結(jié)構(gòu)208包括pcb材料(例如，隔離結(jié)構(gòu)208實(shí)質(zhì)上包括單層pcb或多層pcb)的實(shí)施例中，導(dǎo)電層(例如，銅層)可包括在隔離結(jié)構(gòu)的頂部和底部表面上。在另一實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208的頂部表面上的導(dǎo)電層可經(jīng)圖案化和蝕刻以形成用于裝置200的引線框架(包括引線202、204)，并且隔離結(jié)構(gòu)208的底部表面上的導(dǎo)電層可耦合到到凸緣206。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電層可不包括于隔離結(jié)構(gòu)208的頂部表面和/或底部表面中。在此類實(shí)施例中，引線(例如，引線202、204)可使用環(huán)氧樹脂(或其它粘合材料)耦合到隔離結(jié)構(gòu)208，和/或隔離結(jié)構(gòu)208可使用環(huán)氧樹脂(或其它粘合材料)耦合到凸緣206。在又其它實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208可在其附著有引線的頂部表面的部分處進(jìn)行銑削。

在實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208具有框形狀，所述框形狀包括具有中心開口的基本上封閉的四邊結(jié)構(gòu)。如圖2中所示，隔離結(jié)構(gòu)208可具有大體上矩形的形狀，或隔離結(jié)構(gòu)208可具有另一形狀(例如，環(huán)圈、橢圓形等等)。隔離結(jié)構(gòu)208可形成為單個一體化結(jié)構(gòu)，或者隔離結(jié)構(gòu)208可形成為多個部件的組合。此外，隔離結(jié)構(gòu)208可由均質(zhì)材料形成，或隔離結(jié)構(gòu)208可由多個層形成。

輸入引線202和輸出引線204安裝在在中心開口的相對側(cè)上的隔離結(jié)構(gòu)208的頂部表面上，并因此輸入引線202和輸出引線204高于凸緣206的頂部表面，且與凸緣206電隔離。例如，輸入引線202和輸出引線204可焊接或以另外方式附著到在隔離結(jié)構(gòu)208的頂部表面上的金屬化物203、205。金屬化物203、205可被視為輸入引線202和輸出引線204耦合到的導(dǎo)電墊。一般來說，輸入引線202和輸出引線204經(jīng)定向以允許輸入引線202和輸出引線204與隔離結(jié)構(gòu)208的中心開口內(nèi)的組件和元件之間的鍵合線(例如鍵合線212、232、240)的附著。

晶體管220以及輸入和輸出阻抗匹配電路210、250與視頻帶寬電路249的各個元件214、242安裝在凸緣206的頂部表面的大體中心部分上，所述大體中心部分通過隔離結(jié)構(gòu)208中的開口暴露。根據(jù)實(shí)施例，晶體管220，連同阻抗匹配元件214和視頻帶寬元件242，定位在裝置200的有源裝置區(qū)域內(nèi)。例如，晶體管220、電容器214和ipd總成242可使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂、焊料、焊接凸點(diǎn)、燒結(jié)和/或共晶鍵合耦合到凸緣206。

每一晶體管220具有控制端(例如，柵極)和兩個導(dǎo)電端(例如，漏極和源極)。每一晶體管220的控制端耦合到輸入阻抗匹配電路210。此外，一個導(dǎo)電端(例如，漏極)耦合到輸出阻抗匹配電路250，并耦合到輸出引線204。在實(shí)施例中，其它導(dǎo)電端(例如，源極)耦合到凸緣206(例如，耦合到接地)。

輸入阻抗匹配電路210(例如，圖1的輸入阻抗匹配電路110)在輸入引線202(例如，圖1的輸入引線102)和晶體管220(例如，圖1的晶體管120)的控制端之間耦合。在圖2的裝置200中，輸入阻抗匹配電路210包括兩個電感元件212、216(例如，圖1的電感元件112、116)和電容器214(例如，圖1的電容器114)。在實(shí)施例中，每一電感元件212、216由多個并聯(lián)緊密間隔的鍵合線集合形成。例如，第一電感元件212(例如，圖1的電感元件112)包括在輸入引線電感元件202和電容器214(例如，圖1的電容器114)的第一端之間耦合的多個鍵合線，并且第二電感元件216(例如，圖1的電感元件116)包括在電容器214的第一端和晶體管220的控制端之間耦合的多個鍵合線。電容器214的第二端耦合到凸緣206(例如，耦合到接地)。電容器214可為(例如)離散硅電容器、離散陶瓷電容器或另一類型的電容器。鍵合線212、216在電容器214的頂部表面處附接到導(dǎo)電頂板。

輸出阻抗匹配電路250(例如，圖1的輸出阻抗匹配電路150)在晶體管220(例如，圖1的晶體管120)的第一導(dǎo)電端(例如，漏極)和輸出引線204(例如，圖1的輸出引線104)之間耦合。在圖2的裝置200中，輸出阻抗匹配電路250包括四個電感元件232、234、235或235'(圖3)、240(例如，圖1的電感器132、134、135、140)和兩個電容器342、346(例如，圖1的電容器142、146)。如在圖3中更清楚地指示，根據(jù)實(shí)施例，輸出阻抗匹配電路250的電容器342、346可包括于ipd總成242中。在其它實(shí)施例中，電容器342和/或346可不形成ipd總成的部分，但替代地可為不同于彼此的離散電容器，或形成于另一類型的總成(例如，ltcc總成)中的電容器。在又其它替代實(shí)施例中，電容器342、346中的任一者或兩者可集成到晶體管管芯(例如，包括晶體管220的管芯)中。作為ipd總成242的部分，電容器342、346將結(jié)合圖5和7示出并更詳細(xì)地描述。在其中不包括低通匹配電路147的實(shí)施例中，ipd總成242可不包括電容器346(例如，圖1的電容器146)。

在實(shí)施例中，電感元件232、234、240各自可由多個并聯(lián)緊密間隔的鍵合線集合形成。例如，串聯(lián)電感元件232(例如，圖1的串聯(lián)電感器132)包括在晶體管220的第一導(dǎo)電端(例如，漏極)和輸出引線204之間耦合的多個鍵合線。在實(shí)施例中，第一分路電感元件234(例如，圖1的第一分路電感器134)可包括在晶體管220的第一導(dǎo)電端和rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)248(例如，圖1的rf冷點(diǎn)148)之間耦合的多個鍵合線，所述rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)248可實(shí)施為在ipd總成242的頂部表面處的導(dǎo)電著陸墊。如結(jié)合圖4到7將更詳細(xì)地描述，在實(shí)施例中，第二分路電感元件可實(shí)施為多個鍵合線235，或在另一個實(shí)施例中，可實(shí)施為集成電感器235'。無論哪種方式，第二分路電感元件235、235'在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)248和分路電容器342(例如，圖1的分路電容器142)的第一端之間電耦合。在替代實(shí)施例中，分路電感元件234、235、235'中的任一者或兩者可耦合到和/或集成到晶體管管芯(例如，包括晶體管220的管芯)中。例如，第一分路電感元件234可實(shí)施，在實(shí)施例中，為在晶體管管芯的頂部表面處的兩個導(dǎo)電著陸墊之間耦合的多個鍵合線，或在另一個實(shí)施例中，為晶體管管芯中的集成電感元件(例如，傳輸線或集成螺旋電感器)。類似地，第二分路電感元件235、235'可實(shí)施，在實(shí)施例中，為在晶體管管芯的頂部表面處的兩個導(dǎo)電著陸墊之間耦合的多個鍵合線，或在另一個實(shí)施例中，為晶體管管芯中的集成電感元件(例如，傳輸線或集成螺旋電感器)。

低通匹配電感元件240(例如，圖1的低通匹配電感器140)包括在輸出引線204和在ipd總成242的頂部表面處的另一導(dǎo)電著陸墊之間耦合的多個鍵合線，所述導(dǎo)電著陸墊又電連接到低通匹配電容器346(例如，圖1的低通匹配電容器146)的第一端。電容器342、346的第二端電連接到凸緣206(例如，連接到接地)。

圖2的實(shí)施例對應(yīng)于雙引線裝置(例如，具有一個輸入引線202和一個輸出引線204的裝置，圖2)。這種裝置通過物理地耦合裝置到pcb、電連接輸入引線到信號源以及電連接輸出引線到負(fù)載，可并入到更大的電力系統(tǒng)中。pcb可另外包括一個或多個偏饋(例如，每個具有λ(lambda)/4的長度或某一其它長度)，其中近端位于接近到輸出引線和/或輸入引線的pcb連接件處。在每個偏置引線的末端處的隔流電容器可提供在給定rf頻率下的短路，所述短路當(dāng)通過偏置引線轉(zhuǎn)換時呈現(xiàn)為斷開電路。

其它實(shí)施例包括具有多個輸入引線和/或多個輸出引線(例如，針對每個晶體管的一個輸入/輸出引線)的裝置。又其它實(shí)施例包括具有形成為裝置的集成部分的偏置引線和耦合偏置引線與阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的額外導(dǎo)電特征的裝置。另外，盡管所示出的實(shí)施例沿著每個放大路徑描繪單個放大級(即，單個功率晶體管220)，但是其它裝置實(shí)施例可包括多級放大器(例如，具有在級聯(lián)中耦合的前置放大器和大功率放大器晶體管兩者的晶體管管芯)。另外，在其它實(shí)施例中，輸入和輸出阻抗匹配電路與視頻帶寬電路的各個組件中的一些組件可集成到(或耦合到)晶體管管芯中。

如下文結(jié)合圖4到7將示出和更詳細(xì)地解釋，在實(shí)施例中，視頻帶寬電路249(例如，圖1的視頻帶寬電路149)的元件可包括為ipd總成242的部分。更確切地說，在實(shí)施例中，包絡(luò)電感(例如，圖1的包絡(luò)電感器136)、包絡(luò)電阻器(例如，圖1的包絡(luò)電阻器138)以及包絡(luò)電容器(例如，圖1的包絡(luò)電容器144)位于ipd總成242中或位于其上，并通過rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)248與輸出阻抗匹配電路250的其余部分電耦合。在其它實(shí)施例中，視頻帶寬電路249中的一些或全部元件可實(shí)施為并不形成ipd總成的部分的離散組件。

圖4是根據(jù)示例實(shí)施例的適用于封裝rf放大器裝置(例如，圖2的裝置200)中的輸出電路(例如，圖1、2的出阻抗匹配電路150、250和視頻帶寬電路149、249)的ipd總成400(例如，圖2的ipd總成242)的俯視圖。為了增強(qiáng)理解，圖4應(yīng)結(jié)合圖5查看，圖5示出了沿著線5-5截取的ipd總成400的橫截面?zhèn)纫晥D。

根據(jù)實(shí)施例，ipd總成400包括ipd基板410，以及呈暴露在ipd基板410的頂部表面處的導(dǎo)電著陸墊的形式的rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448。呈多個鍵合線形式的第一分路電感434(例如，圖1、2的第一分路電感134、234)在晶體管(例如，圖1、2的晶體管120、220)和rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448之間耦合。此外，且電耦合到rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448，ipd總成400包括第二分路電感435(例如，圖1的電感器135)、分路電容器442(例如，圖1的電容器142)、包絡(luò)電容器444(例如，電容器144的兩個并聯(lián)的實(shí)例，圖1)、包絡(luò)電阻器438(例如，電阻器138的兩個并聯(lián)的實(shí)例，圖1)，以及低通匹配電容器446(例如，圖1的電容器146)。

在所示出的實(shí)施例中，第二分路電感435被實(shí)施為多個鍵合線，所述多個鍵合線在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448和第二導(dǎo)電著陸墊441之間電連接，所述第二導(dǎo)電著陸墊441暴露在ipd基板410的頂部表面處。盡管圖4示出了在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448和著陸墊441之間并聯(lián)耦合的八個鍵合線435，但是可實(shí)施更多或更少的鍵合線435。

第二導(dǎo)電著陸墊441電耦合到分路電容器442(或形成分路電容器442的部分)。在實(shí)施例中，分路電容器442、包絡(luò)電阻器438和低通匹配電容器446一體地形成于ipd基板410中，并且包絡(luò)電容器444是安裝在ipd基板410的表面的離散組件。在替代實(shí)施例中，包絡(luò)電容器444還可集成到ipd基板410中。在其中不包括低通匹配電路147實(shí)施例中，ipd總成400可不包括低通匹配電容器446(例如，圖1的電容器146)。

ipd基板410包括具有頂部表面512和底部表面514的基礎(chǔ)半導(dǎo)體基板510?；A(chǔ)半導(dǎo)體基板510可由多種半導(dǎo)體材料中的任一種形成，包括(但不限于)硅、砷化鎵、氮化鎵等。根據(jù)實(shí)施例，多個導(dǎo)電層520、522和絕緣層526、528形成于基板510的頂部表面512上方，并且額外導(dǎo)電層524形成于基板512的底部表面514上以便于到底層結(jié)構(gòu)的物理和電氣附著。例如，導(dǎo)電層524可為金(或其它金屬)層，這有助于在ipd基板410和單獨(dú)的導(dǎo)電基板(例如，圖2的凸緣206)之間形成共晶鍵合。可替換的是，導(dǎo)電層524可為金屬層，這有助于將ipd基板410燒結(jié)(例如，銀燒結(jié))到單獨(dú)的導(dǎo)電基板上。絕緣層526用于選擇性地電隔離導(dǎo)電層520、522。

參看圖4和5，并且如上文所提及，ipd總成400包括第二分路電感435，所述第二分路電感435實(shí)施為在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448和第二導(dǎo)電著陸墊441(或分路電容器442的頂部電容器電極542)之間電連接的多個鍵合線。在實(shí)施例中，第二分路電感435和分路電容器442在接近rf功率放大器裝置的所述操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路。更確切地說，第二分路電感435和分路電容器442被配置成分別具有電感值和電容值，這將使串聯(lián)組合在接近裝置的中心操作頻率的頻率下諧振。如本文所使用并根據(jù)實(shí)施例，術(shù)語“接近中心操作頻率”意味著“在中心操作頻率的20％內(nèi)”。因此，例如，當(dāng)裝置具有2.0吉兆赫(ghz)的中心操作頻率時，“接近中心操作頻率”的頻率對應(yīng)于落在從1.8ghz到2.2ghz的范圍內(nèi)的頻率。盡管給定2.0ghz為示例中心操作頻率，但是裝置還可具有不同于2ghz的中心操作頻率。在替代實(shí)施例中，術(shù)語“接近中心操作頻率”可意味著“在中心操作頻率的10％內(nèi)”或“在中心操作頻率的5％內(nèi)”。

對包括第二分路電感435lshunt2和分路電容器442cshunt的串聯(lián)諧振電路的諧振頻率的良好接近fr通過以下公式給出：

因此，例如，當(dāng)裝置被設(shè)計成具有大約2.0ghz的中心操作頻率時，lshunt2可具有大約39.5ph的電感值，并且cshunt可具有大約160pf的電容值，但是還可使用其它值。在此類實(shí)施例中，用于輸出阻抗匹配電路249和視頻帶寬電路250的其它組件的合理的近似值可選定如下：lseries232＝333ph；renv238＝0.5歐姆；cenv＝30nf；lenv＝70ph；以及l(fā)shunt1＝209.5ph。當(dāng)然，還可選定其它值，尤其當(dāng)裝置的中心操作頻率不同于2.0ghz時。

根據(jù)實(shí)施例，分路電容器442和低通匹配電容器446各自實(shí)施為金屬-絕緣體-金屬(mim)電容器(例如，具有由較薄的介電質(zhì)(例如，較薄的氮化物或氧化物)電分離的并聯(lián)金屬板)。因此，在實(shí)施例中，分路電容器442包括由導(dǎo)電層522的部分形成的頂部電容器電極542、由導(dǎo)電層520的部分形成并與頂部電容器電極542垂直對準(zhǔn)的底部電容器電極544，以及由絕緣層526的部分形成的介電材料543。類似地，低通匹配電容器446包括由導(dǎo)電層522的部分形成的頂部電容器電極546、由導(dǎo)電層520的部分形成并與頂部電容器電極546垂直對準(zhǔn)的底部電容器電極548，以及由絕緣層526的部分形成的介電材料547。

根據(jù)實(shí)施例，ipd基板410還包括在基板510的頂部表面512和底部表面514之間延伸的導(dǎo)電穿基板通孔(tsv)550的第一集合和導(dǎo)電穿基板通孔(tsv)552的第二集合，tsv550的第一集合電耦合到分路電容器442的底部電容器電極544，并且tsv552的第二集合電耦合到低通匹配電容器446的底部電容器電極548。此外，tsv550的第一集合和tsv552的第二集合兩者都電耦合到基板510的底部表面514上的導(dǎo)電層524。在替代實(shí)施例中，導(dǎo)電墊或球可耦合到與基板510的底部表面514共平面的tsv550、552的末端，而不是電耦合到導(dǎo)電層524。在又一替代實(shí)施例中，tsv550和/或552可由在ipd基板410的側(cè)表面上的邊緣鍍層或城堡結(jié)構(gòu)代替，所述tsv550和/或552在基板510的頂部和底部表面之間延伸。

ipd基板410還包括暴露在ipd基板410的頂部表面處的第三導(dǎo)電著陸墊447，以便于低通匹配電容器446到外部電路(例如，圖1、2的輸出引線104、204)的互連。更確切地說，著陸墊447電連接到低通匹配電容器446的頂部電容器電極546，并且著陸墊447被配置成接受一個或多個鍵合線(例如，鍵合線440)的附著。如圖5中所示，著陸墊441、447、448可由與頂部電極542、546相同的導(dǎo)電層522形成，或著陸墊441、447、448可由不同于頂部電極542、546的導(dǎo)電層形成。

盡管分路和低通匹配電容器442、446的電極542、544、546、548示出為由相同導(dǎo)電層(即，層520、522)的部分形成，但是電容器442、446的電極542、544、546、548可由彼此不同的層的部分形成，和/或由與圖5中所描繪的那些層(例如，一個或多個其它導(dǎo)電層，未圖示，可存在于形成電容器442、446的導(dǎo)電層520、522的下方或上方)不同的層形成。此外，盡管電容器442、446中的每一個示出為由單個頂部電極和單個底部電極構(gòu)成的簡單的并聯(lián)板電容器，但電容器442、446中的任一者或兩者還可具有其它類型的電容器結(jié)構(gòu)(例如，電極可由多個交錯的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)等構(gòu)成)。

如上文所提及，ipd總成400還包括一個或多個串聯(lián)耦合的視頻帶寬電路(例如，圖1的視頻帶寬電路149)。在所示出的實(shí)施例中，ipd總成400包括兩個串聯(lián)耦合的電路，各自包括包絡(luò)電阻器438(例如，圖1的電阻器138)、包絡(luò)電容器444(例如，圖1的電容器144)和相對較小的包絡(luò)電感(例如，圖1的電感136)，所述包絡(luò)電感包括來自導(dǎo)電墊430、432、448和導(dǎo)電tsv436的較小串聯(lián)電感的組合(如在圖4中虛線圓指示)，所述串聯(lián)耦合電路在接觸墊432和ipd基板410的底部表面514之間延伸。圖4和5的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是包絡(luò)電感可降低到可忽略的數(shù)量的電感(例如，<100ph)，這可通過提高裝置的低頻諧振頻率來提高性能。

在圖4中所示出的實(shí)施例中，兩個視頻帶寬電路定位在導(dǎo)電墊448(或rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448)的相對末端處，并與其電連接，并且兩個電路在導(dǎo)電墊448和導(dǎo)電層524(或接地參考點(diǎn))之間并聯(lián)耦合。導(dǎo)電墊448的每一側(cè)上放置有多個并聯(lián)耦合的視頻帶寬電路，整個視頻帶寬電路可更為均勻地饋送，并且當(dāng)與常規(guī)裝置相比較時，包括每一并聯(lián)耦合的視頻帶寬電路的單個組件的值可降低(由于并聯(lián)耦合)。在其它實(shí)施例中，視頻帶寬電路可包括僅一個串聯(lián)耦合電路(例如，僅一個電容器444和一個電阻器438，或大于兩個串聯(lián)耦合電路(例如，大于兩個電容器444和電阻器438)。

包絡(luò)電阻器438可集成為ipd基板410的部分。例如，每個包絡(luò)電阻器438可為多晶硅電阻器，其由上覆于半導(dǎo)體基板510的多晶硅層形成并在導(dǎo)電墊448和430之間電耦合(例如，使用導(dǎo)電通孔和可能的其它導(dǎo)電層，未示出)。在其它替代實(shí)施例中，包絡(luò)電阻器438可由鎢硅化物或另一材料形成、可為厚膜或薄膜電阻器，或可為耦合到ipd基板410的頂部表面的離散組件。

根據(jù)實(shí)施例，包絡(luò)電容器444可被配置成具有相對較高的額定電壓(例如，在大約40和大約150伏之間，但是在其它實(shí)施例中，額定電壓可更高或更低)。包絡(luò)電容器444中的每一個可為(例如)連接(例如，使用焊料、導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或其它構(gòu)件)到ipd基板410的頂部表面上的離散電容器。更確切地說，每個電容器444的第一端443可連接到暴露在ipd基板410的頂部表面處的第一接觸墊430，并且每個電容器444的第二端445可連接到暴露在ipd基板410的頂部表面處的第二接觸墊432。

每個電容器444可為具有并聯(lián)交錯電極和環(huán)繞式末端終端443、445的多層電容器(例如，多層陶瓷電容器)?？商鎿Q的是，每個電容器444可形成單獨(dú)的ipd的部分(例如，形成于半導(dǎo)體基板上的mim電容器)，或可為形成于ipd基板410內(nèi)的另一電容器(例如，溝槽或其它類型的電容器)?？商鎿Q的是，每個電容器444可實(shí)施為能夠為視頻帶寬電路提供所需要的電容和電壓的另一類型的電容器。

接觸墊430、432可(例如)由與導(dǎo)電墊441、447、448相同的導(dǎo)電層522形成，但是它們還可由其它導(dǎo)電層形成。根據(jù)實(shí)施例，ipd基板410還包括tsv436的集合，所述tsv436的集合電連接接觸墊432到導(dǎo)電層524(例如，連接到接地參考節(jié)點(diǎn))。tsv436實(shí)質(zhì)上提供接觸墊432和基板510的底部表面514之間的電氣連接性。在替代實(shí)施例中，導(dǎo)電墊或球可耦合到與基板510的底部表面514共平面的tsv436的末端，而不是電耦合到導(dǎo)電層524。在又一替代實(shí)施例中，tsv436可由在ipd基板410的側(cè)表面上的邊緣鍍層或城堡結(jié)構(gòu)代替，所述tsv436在基板410的頂部和底部表面之間延伸。

在圖4和5的實(shí)施例中，第二分路電感(例如，圖1的電感135)實(shí)施為一連串并聯(lián)耦合的鍵合線。在替代實(shí)施例中，第二分路電感可實(shí)施為一個或多個集成電感器。例如，圖6和7示出了根據(jù)另一示例實(shí)施例的ipd總成600(例如，圖2的ipd總成242)的俯視圖和橫截面?zhèn)纫晥D(沿著圖6的線7-7截取)。ipd總成600的多個特征可大體類似于ipd總成400的對應(yīng)特征，并且在此種類似性可能存在的地方(包括全部前述替代實(shí)施例)，已使用相同的附圖標(biāo)號。出于簡潔的目的，將不會結(jié)合圖6和7詳細(xì)地論述全部潛在類似的特征。

如同圖4和5的實(shí)施例，ipd總成600包括ipd基板610，所述ipd基板610由基礎(chǔ)半導(dǎo)體基板710以及上覆于基礎(chǔ)半導(dǎo)體基板710的多個導(dǎo)電層720、722和介電層726、728形成。此外，ipd總成600包括集成分路電容器442(例如，圖1的分路電容器142)和集成低通匹配電容器446(例如，圖1的低通匹配電容器146)。另外，ipd總成600包括視頻帶寬電路的兩個實(shí)例，各自包括包絡(luò)電阻器438、包絡(luò)電容器444，以及包絡(luò)電感(呈接觸墊430、432和tsv436的串聯(lián)組合的形式)。每個視頻帶寬電路在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)648和接地參考(例如，基板710的底部表面714上的導(dǎo)電層724)之間電耦合。

然而，與圖4和5的實(shí)施例相比，ipd總成600包括多個集成電感器635以提供第二分路電感(例如，圖1的第二分路電感135)，而不是使用鍵合線435。例如，每個集成電感器635可由導(dǎo)電線圈形成，所述導(dǎo)電線圈使用上覆于半導(dǎo)體基板710的導(dǎo)電層720、722中的一個或多個層實(shí)施。每個線圈的第一末端電連接到rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)648，并且每個線圈的第二末端電連接到導(dǎo)電特征641，所述導(dǎo)電特征641又可充當(dāng)分路導(dǎo)體442的頂板。以此方式，每個集成電感器635在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)648和分路電容器442之間電耦合。盡管圖6示出了在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)648和分路電容器442之間并聯(lián)耦合的四個集成電感器635，但是可實(shí)施更多或更少的集成電感器635。另外，在又其它實(shí)施例中，除鍵合線435或集成電感器635以外的電感組件可用于提供第二分路電感。

圖4和6中所示出的實(shí)施例各自包括定位于接近ipd基板410、610的相對側(cè)處的兩個串聯(lián)耦合電路，其中每個電路包括包絡(luò)電阻器438和包絡(luò)電容器444。在其它實(shí)施例中，ipd總成400、600任一者可具有包括一個包絡(luò)電阻器和一個包絡(luò)電容器的僅一個串聯(lián)耦合電路，或可具有大于兩個此類串聯(lián)耦合的電路。此外，包絡(luò)電阻器438和包絡(luò)電容器444中的每一個可實(shí)施為多個組件(串聯(lián)耦合和/或并聯(lián)耦合)，和/或串聯(lián)布置可為不同的(例如，包絡(luò)電容器444可耦合到導(dǎo)電墊448、648(或耦合到rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448、648)，并且包絡(luò)電阻器438可在包絡(luò)電容器444和導(dǎo)電層524、724(或接地參考點(diǎn))之間耦合)。另外，串聯(lián)耦合的包絡(luò)電阻器和包絡(luò)電容器電路可位于ipd基板410、610上的不同位置處。

盡管ipd基板410、610示出為僅包括上覆于基板510的頂部表面512的兩個導(dǎo)電層520、522和兩個絕緣層526、528以及上覆于基板610的頂部表面612的兩個導(dǎo)電層620、622和兩個絕緣層626、628，但是提供大體上相同的功能的ipd的替代實(shí)施例可包括大于兩個導(dǎo)電層和/或絕緣層。此外，盡管ipd總成400、600各自示出了實(shí)施例，所述實(shí)施例包括一個分路電容器442、兩個包絡(luò)電容器444、兩個包絡(luò)電阻器438以及一個低通匹配電容器446，但是替代實(shí)施例可包括多于一個分路和/或低通匹配電容器442、446(例如，具有并聯(lián)或串聯(lián)布置的相同類型的電容器的集合)，和/或比兩個多一個或多個的包絡(luò)電容器444和/或包絡(luò)電阻器438。此外，盡管圖4和6示出了布局，其中分路和低通匹配電容器442、446被布置成朝向ipd總成400、600的一側(cè)，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448、648被布置成朝向ipd總成400、600的另一側(cè)，但是在其它實(shí)施例中，各個組件可以不同方式被布置(例如，rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448、648可定位于分路和低通匹配電容器442、446之間，和/或可定位得比分路電容器442更接近于輸出引線204)。

如先前所提到，通過根據(jù)上述實(shí)施例劃分分路電感來改進(jìn)rf冷點(diǎn)，可降低直到發(fā)生lfr的基帶阻抗。為了說明基帶阻抗的潛在改進(jìn)，圖8是基帶阻抗量值(從晶體管漏極朝向負(fù)載觀察)與用于常規(guī)rf放大器和具有修改后的rf冷點(diǎn)的rf放大器的實(shí)施例的頻率的對比圖。在圖8中，x軸表示頻率(以ghz為單位)，并且y軸表示基帶阻抗量值，zbb或zenv(以歐姆為單位)。軌跡802表示基于用于常規(guī)rf裝置的頻率的基帶阻抗量值，其中單個分路電感器(例如，鍵合線的單個集合)在晶體管漏極和分路電容器之間耦合，并且rf冷點(diǎn)是分路電感器和電容器之間的節(jié)點(diǎn)。如軌跡802指示，在裝置的所需要的lfr下方可發(fā)生顯著的諧振。在此情況下，諧振發(fā)生在大約700兆赫茲(mhz)處，其中基帶阻抗升高到大約1.0歐姆。

相反地，軌跡804表示基于用于其中分路阻抗被劃分成兩個阻抗(例如，lshunt1134和lshunt2135，圖1)的rf裝置的實(shí)施例的頻率的基帶阻抗量值，其中第二阻抗和分路電容器在接近裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路。在此配置中，在改進(jìn)rf冷點(diǎn)的情況下，包絡(luò)電感器(例如，lenv136)的值可相對較低，因為可存在少得多的rf電流流動穿過視頻帶寬電路，并通過包絡(luò)電阻器(例如，renv138)耗散。在能夠具有用于包絡(luò)電感器的相對較低的值的情況下，軌跡804示出了基帶阻抗顯著地衰減(例如，低于0.6歐姆)了多達(dá)大約1.3ghz。另外，在包絡(luò)電阻器中具有更少的rf電流耗散的情況下，還可提高漏極效率。

圖9是基帶阻抗的相位變換與用于常規(guī)rf放大器和具有修改后的rf冷點(diǎn)的rf放大器的實(shí)施例的頻率的對比圖。在圖9中，x軸表示頻率(以ghz為單位)，并且y軸表示基帶阻抗相位(以度為單位)。軌跡902表示基于用于其中單個分路電感器(例如，鍵合線的單個集合)在晶體管漏極和分路電容器之間耦合的常規(guī)rf裝置的頻率的相位變換，并且rf冷點(diǎn)是分路電感器和電容器之間的節(jié)點(diǎn)。

相反地，軌跡904表示基于用于其中分路阻抗被劃分成兩個阻抗(例如，lshunt1134和lshunt2135，圖1)的rf裝置的實(shí)施例的頻率的相位變換，其中第二阻抗和分路電容器在接近裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路。在此配置中，相位變換保持相對平緩直到發(fā)生裝置的lfr。換句話說，軌跡904指示當(dāng)與用于常規(guī)裝置的變化(軌跡902)相比較時，基帶阻抗相位的變化可較小，從dc到1.5ghz。這也可顯現(xiàn)自身在顯著提高了的裝置性能中。

圖10是根據(jù)示例實(shí)施例的制造具有修改后的分路電感器布置以提供改進(jìn)了的rf冷點(diǎn)的封裝rf裝置(例如，圖2的裝置200)的方法的流程圖。方法可在框1002到1006中，通過形成一個或多個ipd總成開始。例如，在框1002中，可形成一個或多個ipd(例如，圖4、6的ipd410、610)，其中的每一個包括一個或多個集成電容器(例如，圖4到7的分路電容器442和低通匹配電容器446)，以及一個或多個包絡(luò)電阻器(例如，圖4、6的電阻器438)。在替代實(shí)施例中，每個ipd可不包括低通匹配電容器和/或包絡(luò)電阻器(例如，包絡(luò)電阻器可實(shí)施為稍后安裝到每個ipd上的離散組件)。此外，在另一實(shí)施例中，ipd還可包括一個或多個集成高電容高電壓包絡(luò)電容器。除了形成每個ipd的無源組件以外，形成每個ipd還包括形成各個導(dǎo)電特征(例如，導(dǎo)電層和通孔)，這有助于每個ipd總成的各個組件之間的電連接。

形成ipd還包括在ipd的表面形成可存取的rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)(例如，圖4到7的rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448、648)。如先前所論述，rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)可為導(dǎo)電著陸墊，其可接受第一分路電感器(例如，從晶體管220延伸的鍵合線234、434)的附著。此外，在圖4和5的實(shí)施例中，導(dǎo)電著陸墊還可充當(dāng)用于組成第二分路電感器(例如，圖1、3、4的第二分路電感器135、235、435)的鍵合線435的啟動點(diǎn)。

在框1004中，且還參看圖6和7，形成ipd還可包括在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)(例如，rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448、648)和分路電容器(例如，分路電容器442)之間形成和互連一個或多個集成電感器(例如，對應(yīng)于第二分路電感器135、235'、635，圖1、3、6)?？商鎿Q的是，且還參看圖4和5，第二分路電感器(例如，對應(yīng)于第二分路電感器135、235、435，圖1、3、4)可通過在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和分路電容器之間耦合多個鍵合線形成。

在框1006中，在其中包絡(luò)電容器并不與ipd集成的實(shí)施例中，一個或多個離散高電壓高電容包絡(luò)電容器(例如，圖4、6的電容器444)耦合到與包絡(luò)電阻器串聯(lián)的每個ipd。如先前所描述，這使得形成一個或多個ipd總成，其中的每一個包括至少rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)(例如，rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)448、648)、第二分路電感(例如，鍵合線435或集成電感器635)、分路電容器(例如，電容器442)和一個或多個視頻帶寬電路，它們在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和接地參考(例如，圖5、7的導(dǎo)電層524、724)之間并聯(lián)耦合。

在框1008中，針對空氣腔實(shí)施例，隔離結(jié)構(gòu)(例如，圖2的隔離結(jié)構(gòu)208)耦合到裝置基板(例如，凸緣206)。此外，一個或多個有源裝置(例如，晶體管220)、輸入阻抗匹配電路元件(例如，電容器214)和ipd總成(例如，ipd總成242、400、600)耦合到通過隔離結(jié)構(gòu)中的開口暴露的基板的頂部表面的部分。引線(例如，輸入引線202和輸出引線204，以及(如果包括)偏置引線)耦合到隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面。在替代實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面上的導(dǎo)電層可經(jīng)圖案化和蝕刻以形成引線框架(例如，在將隔離結(jié)構(gòu)耦合到凸緣之前)。對于包覆模制(例如，包封)裝置實(shí)施例，可不包括隔離結(jié)構(gòu)，并且基板和引線可形成引線框架的部分。

在框1010中，輸入引線、輸入電容器、晶體管、ipd總成和輸出引線電耦合在一起。例如，電連接可在各個裝置組件和元件之間使用鍵合線作出，如先前所論述。最后，在框1012中，封蓋(例如，使用罩蓋310)或包封(例如，使用模制化合物，未圖示)裝置。裝置可隨后并入到更大的電力系統(tǒng)中。

rf放大器的實(shí)施例包括具有控制端和第一和第二載流端的晶體管，以及在第一載流端和接地參考節(jié)點(diǎn)之間耦合的分路電路。分路電路包括串聯(lián)耦合的第一分路電感、第二分路電感和分路電容器。第二分路電感和分路電容器在接近放大器的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)存在于第一和第二電感之間。rf放大器還包括在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和接地參考節(jié)點(diǎn)之間耦合的視頻帶寬電路。

封裝rf放大器裝置的實(shí)施例包括裝置基板、耦合到裝置基板的晶體管，以及耦合到裝置基板的分路電路。晶體管包括控制端和第一和第二載流端。分路電路耦合到在第一載流端和接地參考節(jié)點(diǎn)之間的裝置基板。分路電路包括串聯(lián)耦合的第一分路電感、第二分路電感和分路電容器。第二分路電感和分路電容器在接近rf放大器裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)存在于第一和第二電感之間。裝置還包括視頻帶寬電路，所述視頻帶寬電路耦合到在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和接地參考節(jié)點(diǎn)之間的裝置基板。

制造rf放大器裝置的方法的實(shí)施例包括耦合晶體管到裝置基板，其中晶體管包括控制端和第一和第二載流端。方法還包括耦合分路電路到在第一載流端和接地參考節(jié)點(diǎn)之間的裝置基板。分路電路包括串聯(lián)耦合的第一分路電感、第二分路電感和分路電容器。第二分路電感和分路電容器在接近rf放大器裝置的中心操作頻率處形成串聯(lián)諧振電路，并且rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)存在于第一和第二電感之間。方法還包括耦合視頻帶寬電路到在rf冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)和接地參考節(jié)點(diǎn)之間的裝置基板。

先前詳細(xì)描述本質(zhì)上僅為說明性的，且并不意圖限制標(biāo)的物的實(shí)施例或此類實(shí)施例的應(yīng)用和使用。如本文所使用，詞語“示例性”意味著“充當(dāng)例子、實(shí)例或說明”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)施方案未必應(yīng)解釋為比其它實(shí)施方案優(yōu)選或有利。此外，不希望受到先前技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)或詳細(xì)描述中呈現(xiàn)的任何所表達(dá)或暗示的理論的限定。

本文包含的各圖中示出的連接線意圖表示各種元件之間的示例性功能關(guān)系和/或物理耦合。應(yīng)注意，許多替代或額外的功能關(guān)系或物理連接可存在于標(biāo)的物的實(shí)施例中。此外，本文中還可以僅出于參考的目的使用特定術(shù)語，且因此所述特定術(shù)語并不意圖具有限制性，并且除非上下文清楚地指示，否則指代結(jié)構(gòu)的術(shù)語“第一”、“第二”和其它此類數(shù)值術(shù)語并不暗示順序或次序。

如本文所使用，“節(jié)點(diǎn)”意味著任何內(nèi)部或外部參考點(diǎn)、連接點(diǎn)、接合點(diǎn)、信號線、導(dǎo)電元件等等，在“節(jié)點(diǎn)”處存在給定信號、邏輯電平、電壓、數(shù)據(jù)模式、電流或量。此外，兩個或更多個節(jié)點(diǎn)可通過一個物理元件實(shí)現(xiàn)(并且盡管在公共節(jié)點(diǎn)處接收或輸出，但是仍然可對兩個或更多個信號進(jìn)行多路復(fù)用、調(diào)制或以其它方式區(qū)分)。

以上描述指代元件或節(jié)點(diǎn)或特征“連接”或“耦合”在一起。如本文所使用，除非以其它方式明確地陳述，否則“連接”意味著一個元件直接鍵合到另一元件(或直接與另一元件通信)，且不必以機(jī)械方式。同樣，除非以其它方式明確地陳述，否則“耦合”意味著一個元件直接或間接鍵合到另一元件(或直接或間接以電氣方式或其它方式與另一元件通信)，且不必以機(jī)械方式。因此，盡管圖中示出的示意圖描繪元件的一個示例性布置，但額外介入元件、裝置、特征或組件可存在于所描繪的標(biāo)的物的實(shí)施例中。

盡管以上詳細(xì)描述中已呈現(xiàn)至少一個示例性實(shí)施例，但應(yīng)了解存在大量變化。還應(yīng)了解，本文中所描述的一個或多個示例性實(shí)施例并不意圖以任何方式限制所主張的標(biāo)的物的范圍、適用性或配置。實(shí)際上，以上詳細(xì)描述將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員提供用于實(shí)施所描述的(一個或多個)實(shí)施例的方便的指南。應(yīng)理解，可在不脫離權(quán)利要求書所限定的范圍的情況下對元件的功能和布置作出各種改變，權(quán)利要求書所限定的范圍包括在提交本專利申請案之時的已知等效物和可預(yù)見的等效物。