1.一種低能耗金屬基邏輯電路，其特征是磁性材料構(gòu)成“與”邏輯門或者“或”邏輯門，磁性材料具有三種不同寬度的頸縮即磁頸縮，以采用電流提供邏輯運算的控制，形成“與”邏輯門或者“或”邏輯門；所述的邏輯門為三接線端裝置，由兩根帶有磁頸縮的輸入納米線組成，所述兩根帶有磁頸縮的輸入納米線在接頭區(qū)會聚形成帶有磁頸縮的一根輸出納米線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是所述的磁性材料為軟磁非晶合金如Fe80B20。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是所述的邏輯門中的“或”邏輯門的“或”功能，輸入線的磁頸縮寬度大于輸出線的磁頸縮寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是所述的邏輯門中所述的“和”邏輯門的“和”功能，輸入頸縮的寬度、臨界電流分別小于輸出頸縮的寬度、臨界電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是所述的邏輯門，其特征在于，所述每根輸入輸出納米線線與其他線平行，在輸出和輸入的過渡部分包括兩根彎曲形狀線，每根彎曲形狀線包括1/2的向下拋物線狀的線和1/2的向上拋物線狀的線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是所述的邏輯門輸入和輸出間采用電流引導(dǎo)的疇壁移動，疇壁捕獲以及疇壁電阻改變的組合；疇壁被所述頸縮捕獲，并且其電阻相比其中沒有疇壁捕獲時大很多；所述的邏輯門，通過的電流較所述磁頸縮的臨界電流大，疇壁將沿所述電流方向傳播，從而發(fā)生電阻降低。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是所述的邏輯門，所述邏輯門包括輸入磁頸縮和輸出磁頸縮，“1”表示在磁頸縮的兩端之間的較低電壓，而“0”則表示在磁頸縮的兩端之間的較高電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能耗金屬基邏輯電路，其特征是器件的與/或門中的每根納米線與其它線平行，在輸出和輸入的過渡部分可以包括兩根彎曲形狀線(3)，每一根所述彎曲形狀線包括1/2的向下拋物線狀的線和1/2的向上拋物線狀的線。兩個具有相同尺寸的方形墊(1)連接至輸入臂的左端，且輸出臂的右端加工成尖銳狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8之一所述的低能耗金屬基邏輯電路的制備方法，其特征是兩個輸入線和一輸出線A、B、C部分采用電子束刻蝕；觸點層采用光刻法；軟磁非晶合金用真空濺射的方法制備。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征是所述邏輯門，其中所述磁性材料輸入輸出線為軟磁非晶合金Fe80B20合金(第一級)，20nm厚，以及Au封蓋層，2nm厚。觸點采用第二級制成，所采用的材料和方法與第一級相同。第三級光刻用于限定出位于觸點中心上的電測量墊(方格陰影)。隨后為A1的熱蒸發(fā)，150nm厚，Au封蓋層，20nm厚。