本發(fā)明涉及一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，應用于低功耗和低噪聲時鐘電路以及電路時間常數(shù)檢測等電路，電路產(chǎn)生的振蕩信號的周期與電阻電容乘積成比例關系，可以通過電阻電容值控制振蕩信號的頻率，并且可以通過使能控制端關閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

背景技術：

振蕩器是許多電子系統(tǒng)的重要組成部分，不同的電子系統(tǒng)對振蕩器的結構和性能參數(shù)的要求差別很大。電阻電容振蕩以其結構簡單、起振難度小、便于集成化的優(yōu)點被廣泛應用，尤其是在低頻數(shù)字電路，電阻電容乘積檢測等電路中廣泛應用。隨著電路系統(tǒng)向低噪聲、低功耗方向的發(fā)展，對電阻電容振蕩器有了新的要求。不僅需要振蕩信號的周期與電阻電容乘積成比例關系，同時要求輸出振蕩信號噪聲盡量小。原有的振蕩電路由于沒有使能控制端，當不需要振蕩信號時，電路仍然產(chǎn)生振蕩信號從而對其他電路模塊產(chǎn)生干擾，并且消耗額外的電路功耗。

基于以上問題，本發(fā)明提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，電路產(chǎn)生的振蕩信號的周期與電阻電容乘積成比例關系，增加了柵極電阻，通過柵極電阻與場效應管子的柵極電容形成低通濾波，對振蕩器產(chǎn)生的信號進行濾波整形，降低信號噪聲，并且可以通過使能控制端關閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，可以通過使能控制端關閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

為了解決以上問題，本發(fā)明提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路：第一PMOS管MP1的源極分別與第二PMOS管MP2的源極，第八PMOS管MP8的源極，第九PMOS管MP9的源極，第十PMOS管MP10的源極，第六PMOS管MP6的源極，第七PMOS管MP7的源極和電源VDD相接；第一PMOS管MP1漏極分別與第一NMOS管MN1的漏極，第二PMOS管MP2的柵極，第二NMOS管MN2的柵極，第八NMOS管MN8的柵極，第九NMOS管MN9的柵極和第十NMOS管MN10的柵極相連；第一PMOS管MP1的柵極分別與使能控制端EN和第一NMOS管MN1的柵極相接；第一NMOS管MN1的源極分別與第二NMOS管MN2的源極，第八NMOS管MN8的源極，第九NMOS管MPN的源極，第十NMOS管MN10的源極，第六NMOS管MN6的源極，第七NMOS管MN7的源極和地GND相接；第二PMOS管MP2的漏極分別與第二NMOS管MN2的漏極，第八PMOS管MP8的柵極，第九PMOS管MP9的柵極和第十PMOS管MP10的柵極相接；第八PMOS管MP8的漏極與第三PMOS管MP3的源極相接；第三PMOS管MP3的柵極分別與第三NMOS管MN3的柵極和第二電阻R2的一端相接；第二電阻R2的另一端分別與第一電容C1的一端和第四電阻R4的一端相接；第三PMOS管MP3的漏極分別與第三NMOS管MN3的漏極和第一電阻R1的一端相接；第三NMOS管MN3的源極與第八NMOS管MN8的漏極相接；第九PMOS管MP9的漏極與第四PMOS管MP4的源極相接；第四PMOS管MP4的柵極分別與第四NMOS管MN4的柵極和第一電阻R1的另一端相接；第四PMOS管MP4的漏極分別與第四NMOS管MN4的漏極，第三電阻R3的一端和第一電容C1的另一端相接；第四NMOS管MN4的源極與第九NMOS管MN9的漏極相接；第十PMOS管MP10的漏極與第五PMOS管MP5的源極相接；第五PMOS管MP5的柵極分別與第五NMOS管MN5的柵極和第三電阻R3的另一端相接；第五PMOS管MP5的漏極分別與第五NMOS管MN5的漏極，第六NMOS管MN6的柵極，第六PMOS管MP6的柵極和第四電阻R4的另一端相接；第五NMOS管MN5的源極與第十NMOS管MN10的漏極相接；第六PMOS管MP6的漏極分別與第六NMOS管MN6的漏極，第七PMOS管MP7的柵極和第七NMOS管MN7的柵極相接；第七PMOS管MP7的漏極分別與第七NMOS管MN7的漏極和輸出端Vout相接。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：

(1)本發(fā)明所提出的一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，可以通過使能控制端關閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲；當振蕩器電路工作時，通過增加的柵極電阻與場效應管形成低通濾波器的作用，對振蕩信號進行濾波整形，減小信號的噪聲和干擾。

(2)本發(fā)明通過在傳統(tǒng)電容電阻震蕩電路中增加柵極電阻，與柵極電阻所連管子的柵極電容形成低通濾波，對振蕩器產(chǎn)生的信號進行濾波整形，降低信號噪聲。

附圖說明

圖1為一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路。

圖2為采用發(fā)明的電阻電容振蕩器實現(xiàn)的電阻電容時間常數(shù)測試電路。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明工作原理進行詳細說明。

圖1所示為一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，電路中P溝道金屬氧化物半導體場效應管以MP加序號表示，N溝道金屬氧化物半導體場效應管以MN加序號表示；電阻以R加序號表示，電容以C加序號表示，EN端為使能控制端，輸出為Vout，電源為VDD，地為GND。

一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路具體實現(xiàn)為：MP1管的源極分別與MP2管的源極，MP8管的源極，MP9管的源極，MP10管的源極，MP6管的源極，MP7管的源極和VDD相接；MP1管的漏極分別與MN1管的漏極，MP2管的柵極，MN2管的柵極，MN8管的柵極，MN9管的柵極和MN10管的柵極相連；MP1的柵極分別與使能控制端和MN1管的柵極相接；MN1管的源極分別與MN2管的源極，MN8管的源極，MN9管的源極，MN10管的源極，MN6管的源極，MN7管的源極和地相接；MP2管的漏極分別與MN2管的漏極，MP8管的柵極，MP9管的柵極和MP10管的柵極相接；MP8管的漏極與MP3管的源極相接；MP3管的柵極分別與MN3管的柵極和R2的一端相接；R2的另一端分別與C1的一端和R4的一端相接；MP3管的漏極分別與MN3管的漏極和R1的一端相接；MN3管的源極與MN8管的漏極相接；MP9管的漏極與MP4管的源極相接；MP4管的柵極分別與MN4管的柵極和R1的另一端相接；MP4管的漏極分別與MN4管的漏極，R3的一端和C1的另一端相接；MN4管的源極與MN9管的漏極相接；MP10管的漏極與MP5管的源極相接；MP5管的柵極分別與MN5管的柵極和R3的另一端相接；MP5管的漏極分別與MN5管的漏極，MN6管的柵極，MP6管的柵極和R4的另一端相接；MN5管的源極與MN10管的漏極相接；MP6管的漏極分別與MN6管的漏極，MP7管的柵極和MN7管的柵極相接；MP7管的漏極分別與MN7管的漏極和輸出相接。

一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路具體工作原理為：當使能控制端為高電平時，MN1管導通，MN1管的漏極為低電平，MN1管的漏極為高電平，因此MN8管，MN9管，MN10管，MP8管，MP9管和MP10管關斷，此時振蕩器通路切斷，電路不工作，不產(chǎn)生振蕩信號。當使能控制端為低電平時，MP1管導通，MP1管的漏極為高電平，MP2管的漏極為低電平，MN8管，MN9管，MN10管，MP8管，MP9管和MP10管導通，此時振蕩器正常工作。產(chǎn)生的振蕩信號周期與R4和C1乘積成比例關系。電路中R1與MP4管和MN4管的柵極寄生電容形成低通濾波器，對振蕩器產(chǎn)生的信號進行濾波整形，降低信號噪聲。R2和R3的作用與R1作用相同。當電路工作時，MN8管，MN9管，MN10管，MP8管，MP9管和MP10管導通，可以屏蔽電源的干擾和噪聲，降低振蕩器產(chǎn)生的信號的噪聲。

本發(fā)明提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，可以通過使能控制端關閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲；當振蕩器電路工作時，通過增加的柵極電阻與場效應管形成低通濾波器的作用，對振蕩信號進行濾波整形，減小信號的噪聲和干擾。

在集成電路設計中，電阻電容廣泛應用于模擬信號的處理模塊中，比如濾波器，可變增益放大器等電路中。但由于工藝，溫度，老化的影響，電阻電容值會與設計值產(chǎn)生偏差，造成電路性能的下降，因此需要對電路中電阻電容值進行檢測和校準，從而修正工藝，溫度和老化引入的偏差。圖2所示電路為采用本發(fā)明提供的帶有使能功能的電阻電容振蕩器實現(xiàn)的電阻電容時間常數(shù)測試電路，電阻電容振蕩器的信號輸出與數(shù)字模塊相連，電阻電容振蕩器的使能控制信號由數(shù)字模塊控制。電阻電容振蕩器產(chǎn)生與R4和C1乘積成比例關系的振蕩信號，即與所測的電阻電容時間常數(shù)成比例關系。數(shù)字模塊在規(guī)定的時間內(nèi)對振蕩信號進行計數(shù)，通過比例關系和計數(shù)值即可得到要測試的電阻電容時間常數(shù)。如果測得的信號周期數(shù)比設計的信號周期數(shù)大，說明電阻電容值變小，需要進行加校準；反之，如果測得的信號周期數(shù)比設計的信號周期數(shù)小，說明電阻電容值變大，需要進行減校準。通過以上操作即可完成對電路中電阻電容時間常數(shù)的檢測和校準。校準完成后，數(shù)字模塊通過電阻電容振蕩器的使能控制，關閉電阻電容振蕩器，從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施方式，本發(fā)明的保護范圍并不以上述實施方式為限，但凡本領域普通技術人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應納入權利要求書中記載的保護范圍內(nèi)。