本申請根據(jù)35U.S.C.§119(e)要求2016年2月23日提交的美國臨時(shí)專利申請序列號62/298,967“Non-Inverting Amplifier Circuits”的優(yōu)先權(quán)以及2015年12月23日提交的美國臨時(shí)專利申請序列號62/387,470的“Non-Inverting Amplifier Circuits”的優(yōu)先權(quán)。

背景技術(shù)：

放大器電路廣泛地用于模擬信號處理電路中。放大器通常由MOS晶體管或雙極型晶體管構(gòu)成。在MOS晶體管中，柵極、源極和漏極分別用作控制、參考和輸出端子。在雙極型晶體管中，基極、發(fā)射極和集電極分別用作控制、參考和輸出端子。放大器有三種基本類型，取決于哪個(gè)端子在放大器的輸入和輸出之間是共用的；在MOS技術(shù)中，其是共源極(CS)放大器、共柵極(CG)放大器和源極跟隨器(SF)。雙極型技術(shù)中的對應(yīng)的放大器類型是共發(fā)射極(CE)放大器、共基極(CB)放大器和射極跟隨器(EF)。CS和CE放大器由于其高電壓增益和高輸入阻抗而被最廣泛地使用。由于缺少米勒效應(yīng)而導(dǎo)致CG和CB放大器具有更好的頻率響應(yīng)，但是低輸入阻抗使得其難以驅(qū)動(dòng)。此外，CS、CE、CG和CB放大器具有大約為負(fù)載電阻的大輸出電阻，這使得其難以驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載。SF和EF無法提供電壓增益，并且主要用作緩沖器。

在許多應(yīng)用中，需要非反相放大器。雖然CG和CB放大器是非反相的，但它們的低輸入阻抗通常需要額外的緩沖級，諸如SF或EF，從而增加了功耗、噪聲和面積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

具有高輸入阻抗的非反相放大器在各種應(yīng)用中是期望的，并且為了更長的電池壽命、便攜性和性能而優(yōu)選地最小化功耗、面積和噪聲。此外，在這些放大器中期望低輸出電阻和高電源抑制。鑒于前述，本文公開的各種發(fā)明實(shí)施例一般地涉及提供非反相放大同時(shí)提供高輸入阻抗和低輸出阻抗的放大器電路。

一個(gè)實(shí)施例涉及一種放大器電路，包括：輸入晶體管；負(fù)載晶體管，具有控制端子和參考端子；以及反饋晶體管。輸入晶體管接收輸入信號，輸入晶體管被電耦合到負(fù)載晶體管和反饋晶體管，負(fù)載晶體管的控制端子被電耦合到偏置電壓，反饋晶體管被電耦合到提供負(fù)反饋的負(fù)載晶體管，并且負(fù)載晶體管的參考端子用作放大器電路的輸出。

另一實(shí)施例涉及一種放大器電路，包括：輸入晶體管；負(fù)載晶體管，具有控制端子和參考端子；反饋晶體管；以及電流源。輸入晶體管接收輸入信號，輸入晶體管電被耦合到負(fù)載晶體管和反饋晶體管，負(fù)載晶體管的控制端子被電耦合到偏置電壓，反饋晶體管被電耦合到提供負(fù)反饋的負(fù)載晶體管，并且負(fù)載晶體管的參考端子用作放大器電路的輸出。電流源被電耦合到輸入晶體管，以增加通過輸入晶體管的電流。

另一實(shí)施例涉及一種放大器電路，包括：輸入晶體管；負(fù)載晶體管，具有控制端子和參考端子；反饋晶體管；以及電平移位電路。輸入晶體管接收輸入信號，輸入晶體管被電耦合到負(fù)載晶體管和反饋晶體管，負(fù)載晶體管的控制端子被電耦合到偏置電壓，反饋晶體管被電耦合到提供負(fù)反饋的負(fù)載晶體管，并且負(fù)載晶體管的參考端子用作放大器電路的輸出。電耦合到負(fù)載晶體管和反饋晶體管的電平移位電路可以是充電到預(yù)定電壓的電容器、電平移位晶體管和電流源、或電阻器和電流源。

另一個(gè)實(shí)施例涉及一種差分放大器電路。該放大器電路包括：第一輸入晶體管；第二輸入晶體管；至少一個(gè)負(fù)載晶體管，具有控制端子和參考端子；以及至少一個(gè)反饋晶體管。第一和第二輸入晶體管接收輸入信號，第一輸入晶體管被電耦合到至少一個(gè)負(fù)載晶體管和至少一個(gè)反饋晶體管，至少一個(gè)負(fù)載晶體管的控制端子被電耦合到偏置電壓，至少一個(gè)反饋晶體管被電耦合到提供負(fù)反饋的至少一個(gè)負(fù)載晶體管。至少一個(gè)負(fù)載晶體管的參考端子用作放大器電路的輸出。

另一實(shí)施例涉及一種差分放大器電路。該放大器電路包括：第一輸入晶體管；第二輸入晶體管；至少一個(gè)負(fù)載晶體管，具有控制端子和參考端子；至少一個(gè)反饋晶體管；以及至少一個(gè)正反饋晶體管。第一和第二輸入晶體管接收輸入信號，第一輸入晶體管被電耦合到至少一個(gè)負(fù)載晶體管和至少一個(gè)反饋晶體管，至少一個(gè)負(fù)載晶體管的控制端子被電耦合到偏置電壓，至少一個(gè)反饋晶體管被電耦合到提供負(fù)反饋的至少一個(gè)負(fù)載晶體管。至少一個(gè)正反饋晶體管被電耦合到至少一個(gè)負(fù)載晶體管以提供正反饋。至少一個(gè)負(fù)載晶體管的參考端子用作放大器電路的輸出。

應(yīng)當(dāng)理解，以下更詳細(xì)地討論的前述概念和附加概念的所有組合(只要這些概念不相互矛盾)被認(rèn)為是本文公開的發(fā)明主題的一部分。具體地，出現(xiàn)在本公開內(nèi)容結(jié)尾處的所要求保護(hù)的主題的所有組合被認(rèn)為是本文所公開的發(fā)明主題的一部分。還應(yīng)當(dāng)理解，還可以通過引用并入而出現(xiàn)在任何公開中的本文中明確采用的術(shù)語應(yīng)當(dāng)被給予與本文公開的特定概念最一致的含義。

附圖說明

本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，附圖主要是出于說明的目的，并且不旨在限制本文所描述的發(fā)明主題的范圍。附圖不一定按比例繪制；在一些情況下，本文公開的發(fā)明主題的各種方面可以在附圖中被夸大或放大地示出，以促進(jìn)對不同特征的理解。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記通常指代相同的特征(例如，功能類似和/或結(jié)構(gòu)類似的元件)。

圖1(現(xiàn)有技術(shù))提供了現(xiàn)有技術(shù)的共源極放大器的圖示。

圖2(現(xiàn)有技術(shù))提供了現(xiàn)有技術(shù)的共柵極放大器的圖示。

圖3(現(xiàn)有技術(shù))提供了現(xiàn)有技術(shù)的源極耦合放大器的圖示。

圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有NMOS輸入晶體管和PMOS負(fù)載和反饋晶體管的放大器的示例。

圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有NMOS輸入晶體管、PMOS負(fù)載和反饋晶體管以及電流源的放大器的示例。

圖5A示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的放大器的示例，其還包括使用預(yù)先改變?yōu)轭A(yù)定電壓的電容器實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。

圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的放大器的示例，其還包括由PMOS晶體管和電流源實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。

圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的放大器的示例，其還包括由電阻器和電流源實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有PMOS輸入晶體管和NMOS負(fù)載和反饋晶體管的放大器的示例。

圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的其具有NMOS輸入晶體管和NMOS負(fù)載和反饋晶體管的放大器的示例。

圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有NPN輸入晶體管和PNP負(fù)載和反饋晶體管的放大器的示例。

圖9A示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的放大器的示例，具有NPN輸入晶體管和PNP負(fù)載和反饋晶體管，還包括由電阻器和電流源實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。

圖9B示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的放大器的示例，具有NPN輸入晶體管和PNP負(fù)載和反饋晶體管，還包括由NPN晶體管和電流源實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。

圖9C示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的放大器的示例，具有NPN輸入晶體管和PNP負(fù)載和反饋晶體管，還包括由VBE乘法器實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。

圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有NMOS輸入晶體管和PMOS負(fù)載和反饋晶體管的差分放大器的示例。

圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有NMOS輸入晶體管、PMOS負(fù)載和反饋晶體管以及正反饋增益增強(qiáng)的差分放大器的示例。

具體實(shí)施方式

以下是與放大器電路相關(guān)的本發(fā)明裝置相關(guān)的各種原理及其實(shí)施例的更詳細(xì)的描述。應(yīng)當(dāng)理解，以上介紹的和下面更詳細(xì)討論的各種概念可以以多種方式中的任何一個(gè)來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樗_的原理不限于任何具體的實(shí)現(xiàn)方式。主要是出于說明的目的而提供具體實(shí)現(xiàn)和應(yīng)用的示例。

圖1提供了具有負(fù)載電阻器R_L和源極電阻R_S的現(xiàn)有技術(shù)的CS放大器電路20的圖示。在該放大器電路中，增量增益被示出為：

a_v≈-g_m1R_L (1)

其中g(shù)_m1是輸入晶體管M1的跨導(dǎo)。如負(fù)號所示，增量增益為負(fù)，因此該放大器提供反相放大。在低頻處的輸入阻抗是無窮大，對于許多應(yīng)用來說是期望的性質(zhì)。

放大器20的輸出電阻與負(fù)載電阻器R_L幾乎相同：

R_o≈R_L (2)

因此，如果在輸出端出現(xiàn)任何電阻負(fù)載，則CS放大器的增益將會降低。例如，如果負(fù)載電阻R₁被附連在輸出和增量接地之間，則相應(yīng)的增量增益減小到

a_v≈-g_m1(R_L||R₁) (3)

其中，(R_L||R₁)是R_L與R₁并聯(lián)的等效電阻。因此，除非R₁遠(yuǎn)大于R_L，否則增量增益基本上減小。

通常，電源抑制比是重要的考慮因素，特別是對于片上系統(tǒng)應(yīng)用來說。圖1中的放大器的電源抑制比(PSRR)被示出為與增量增益幾乎相同，因?yàn)殡娫丛肼曉跊]有衰減的情況下被耦合到輸出：

PSRR≈g_m1R_L (4)

該電源抑制比通常低于要求。

圖2提供了具有負(fù)載電阻器R_L和源極電阻R_S的現(xiàn)有技術(shù)的CG放大器電路30的圖示。在該放大器電路中，增量增益被示出為：

其中g(shù)_m1是晶體管M1的跨導(dǎo)。增量增益為正，因此該放大器提供非反相放大。

在低頻處的輸入阻抗近似為1/g_m1，其對于源極電阻R_S不是非常小的應(yīng)用來說過低。從等式(5)中可以看出，與圖1中的CS放大器相比，增量增益以因子1+g_m1R_S減小。

如在CS放大器中，CG放大器的輸出電阻與負(fù)載電阻器R_L幾乎相同：

R_o≈R_L (6)

因此，如果在輸出處出現(xiàn)任何電阻負(fù)載，則CG放大器的增益將減小。例如，如果負(fù)載電阻R₁被附連在輸出和增量接地之間，則相應(yīng)的增量增益進(jìn)一步被減小為

因此，除非R₁遠(yuǎn)大于R_L，否則增量增益基本上減小。

圖2中的CG放大器的電源抑制比也被示出為與增量增益幾乎相同，因?yàn)槿鐖D1中的放大器20，電源噪聲沒有衰減的情況下被耦合到輸出：

由于與CS放大器相比，CG放大器的增量增益較低，所以CG放大器的PSRR通常過低而不可接受。

圖3提供了具有負(fù)載電阻器R_L和源極電阻R_S的現(xiàn)有技術(shù)的源極耦合放大器電路40的圖示。實(shí)際上，包括M1的SF驅(qū)動(dòng)包括M2和R_L的CG放大器。該電路的增量增益被示出為

其中g(shù)_m1和g_m2分別是晶體管M1和M2的跨導(dǎo)。增量增益為正，因此該放大器提供非反相放大。如圖1的CS放大器，在低頻處的輸入電阻是無窮大的。該放大器的缺點(diǎn)是由于SF而導(dǎo)致的附加功率和面積，以及由SF產(chǎn)生的額外噪聲。此外，與CS放大器相比，增量增益以及PSRR以因子減小。

圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的放大器50的實(shí)施例。如在圖1的現(xiàn)有技術(shù)放大器20中，NMOS晶體管MN1構(gòu)成輸入晶體管。PMOS晶體管MP2用作負(fù)載晶體管，并且PMOS晶體管MP1用作反饋晶體管。偏置電壓V_BIAS優(yōu)選地獨(dú)立于電源來參考地電位，并且以將處于飽和區(qū)的所有晶體管偏置的方式進(jìn)行調(diào)整。從MP1的柵極到MP2的漏極并且返回到MP1的柵極的負(fù)反饋回路調(diào)整MP1的柵極電壓，使得MP1和MP2的漏極電流與MN1的漏極電流匹配。負(fù)載晶體管MP2的源極端子用作放大器50的輸出。

該電路的增量增益被示出為

其中g(shù)_mn1和g_mp2分別是晶體管MN1和MP2的跨導(dǎo)。增量增益為正，因此該放大器提供非反相放大。如果期望與CS放大器相同的電壓增益，則跨導(dǎo)g_mp2被設(shè)置為：

使得

a_v≈g_mn1R_L (12)

輸入電阻如期望在低頻處是無窮大。輸出電阻由下式給出

其中g(shù)_mp1和r_op1分別是晶體管MP1的跨導(dǎo)和輸出電阻。如果根據(jù)等式(11)設(shè)置g_mp2，則輸出電阻為

與CS和CB放大器的輸出電阻相比，放大器50的輸出電阻減小了以因子1+g_mp1r_op1減小，使得其更容易驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載以及電容負(fù)載。

放大器50的PSRR被示出為大約

PSRR≈g_mn1(r_on1||r_op2) (15)

其中r_on1和r_op2分別是晶體管MN1和MP2的輸出電阻。通常，r_on1||r_op2比負(fù)載電阻器R_L大得多，使得根據(jù)本發(fā)明的放大器的PSRR高于圖1、圖2和圖3中的現(xiàn)有技術(shù)放大器的PSRR。

圖4B示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中電流源I在NMOS晶體管MN1中提供較高的偏置電流，從而增加其跨導(dǎo)g_m1。如等式(10)和(15)所證明的，較高的g_m1提供較高的增益和PSRR。

為了使圖4A中的放大器50正常起作用，所有晶體管必須在飽和區(qū)中被偏置?？梢钥闯?，輸出電壓的范圍的輸出擺幅由|V_TP1|-|(V_GSP2-V_TP2)|給出，針對該輸出電壓范圍MP1和MP2兩者都處于飽和區(qū)域，其中V_TP1、V_TP2和V_GSP2分別是MP1和MP2的閾值電壓以及MP2的柵極到源極電壓。為了使輸出擺幅是大的，期望大的|V_TP1|和小的|(V_GSP2-V_TP2)|。因此，可以優(yōu)選地采用為MP1提供高閾值電壓的器件類型。還可以選擇MP1的柵極長度來最大化其閾值電壓?？梢圆捎梅聪啾硸艠O偏置來進(jìn)一步增加MP1的閾值電壓。

在一些應(yīng)用中，在MP2的漏極和MP1的柵極之間插入電平移位電壓以進(jìn)一步增加輸出擺幅可能是有益的。可以采用各種電平移位方法，例如，使用預(yù)充電的電容器。輸出擺幅以電平移位量增加。圖5A示出通過充電到預(yù)定電壓V₁的電容器實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。圖5B示出使用PMOS晶體管MP3和電流源I₁實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。MP3的柵極到源極電壓確定電平移位量。圖5C示出由電阻器R₁和電流源I₂實(shí)現(xiàn)的電平移位電路，其中電平移位量是I₁R₁。

因此僅存在偏置電流流過的電路的單個(gè)引腳，所以圖4A中的放大器50的功耗與圖1中的CS放大器的功耗相當(dāng)。此外，可以示出，如果使增量增益相同，則輸入?yún)⒖荚肼暸cCS放大器相當(dāng)。因此，在圖4的放大器電路中不存在功率或噪聲代價(jià)，并且附加晶體管的面積代價(jià)小。

圖6示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例。它是圖4A中的放大器50的“翻轉(zhuǎn)”版本，具有PMOS輸入晶體管MP1和NMOS負(fù)載晶體管MN2以及NMOS反饋晶體管MN1。除了翻轉(zhuǎn)拓?fù)渲?，放大?0的屬性與放大器50的屬性類似。

圖7示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例。它是圖4A中的放大器50的“折疊”版本，具有NMOS輸入晶體管MN1和NMOS負(fù)載晶體管MN3以及NMOS反饋晶體管MN2。電流源I₁向所有晶體管MN1、MN2和MN3供應(yīng)偏置電流。除了NMOS輸入晶體管代替PMOS輸入晶體管之外，放大器70的功能與圖6中的放大器60類似。

圖8示出了使用雙極型晶體管的本發(fā)明的實(shí)施例。NPN晶體管QN1構(gòu)成輸入晶體管。PNP晶體管QP1用作反饋晶體管，并且PNP晶體管QP2用作負(fù)載晶體管。電阻器R₁有效地增加增益。偏置電壓V_BIAS優(yōu)選地獨(dú)立于電源而參考地電位，并且以使得偏置處于正向有源區(qū)中的所有晶體管的方式進(jìn)行調(diào)整。從QP1的基極到QP2的集電極并且返回到QP1的基極的負(fù)反饋回路調(diào)整QP1的基極電壓，使得QP1和QP2的集電極電流與QN1的集電極電流匹配。

該電路的增量增益被示出為

其中g(shù)_mn1和g_mp2分別是晶體管QN1和QP2的跨導(dǎo)。增量增益為正，因此該放大器提供非反相放大。如果期望與CE放大器相同的電壓增益，則電阻器R₁和跨導(dǎo)g_mp2被設(shè)置為：

使得

a_v≈g_mn1R_L

如在CE放大器中，輸入電阻在低頻處為r_π1。輸出電阻由下式給出

其中β_op1是QP1的電流增益，并且g_mp1和r_op1分別是晶體管QP1的跨導(dǎo)和輸出電阻。如果根據(jù)公式(17)設(shè)置R₁和g_mp2，則輸出電阻為

放大器80的輸出電阻以大因子1+β_op1減小，使它更容易驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載或電容負(fù)載。

PSRR被示為近似

PSRR≈g_mn1(r_on1||r_op2) (20)

其中r_on1和r_op2分別是晶體管QN1和QP2的輸出電阻。通常，r_on1||r_op2遠(yuǎn)大于負(fù)載電阻器R_L，使得根據(jù)本發(fā)明的放大器的PSRR高于CE或CB放大器的PSRR。

由于僅存在偏置電流流過的電路的單個(gè)引腳，所以功耗與CE放大器的功率消耗相當(dāng)。1.此外，可以示出，如果使增量增益相同，則輸入?yún)⒖荚肼暸cCE放大器相當(dāng)。因此，在圖8的放大器電路中沒有功率或噪聲損失，并且附加晶體管的面積損失小。

為了使放大器80正常起作用，所有晶體管必須在正向有源區(qū)中被偏置。在一些應(yīng)用中，在QP2的集電極和QP1的基極之間插入電平移位電壓以增加輸出擺幅可能是有益的。輸出擺幅以電平移位量增加?？梢圆捎酶鞣N電平移位方法，例如，使用電阻器。圖9A示出了由電阻器R₂和電流源I₁實(shí)現(xiàn)的電平移位電路，其中電平移位量是I₁R₂。圖9B示出了使用PNP晶體管QP3和電流源I₁實(shí)現(xiàn)的電平移位電路。QP3的基極到發(fā)射極電壓確定電平偏移量。圖9C示出了由V_BE乘法器實(shí)現(xiàn)的電平移動(dòng)電路。電平偏移量由下式給出

其中V_BEn2是晶體管QN2的基極到發(fā)射極電壓。

在晶體管QP1的基極電流足夠大的情況下，可以在圖9A、圖9B和圖9C所示的電平移位電路中省略電流源I₁。

圖10示出了本發(fā)明的差分放大器85的另一實(shí)施例。NMOS晶體管MN1和MN2形成輸入差分對。PMOS晶體管MP1和MP3用作反饋晶體管，并且MP2和MP4用作負(fù)載晶體管。對于較高的PSRR，偏置電壓VBIAS優(yōu)選地參考地電位。

從MP1的柵極到MP2的漏極并且返回到MP1的柵極的負(fù)反饋回路調(diào)整MP1的柵極電壓，使得MP1和MP2的漏極電流與MN1的漏極電流匹配。類似地，從MP3的柵極到MP4的漏極并且返回到MP3的柵極的另一負(fù)反饋回路調(diào)整MP3的柵極電壓，使得MP3和MP4的漏極電流與MN4的漏極電流匹配。從負(fù)載晶體管MP2和MP4的源極端子獲得輸出。

該電路的差分增量增益被示出為

其中差分輸入和輸出電壓v_id和v_od被定義為

v_id＝v₁-v₂

v_od＝v_o1-v_o2

而且，g_mn1和g_mp2分別是晶體管MN1和MP2的跨導(dǎo)，并且g_mn2和g_mp4分別是晶體管MN2和MP4的跨導(dǎo)。增量增益為正，因此該放大器提供非反相放大。輸入電阻如期望在低頻處是無窮大。

因?yàn)殡娐肥侨罘值?，所以電源噪聲等同地影響兩個(gè)輸出電壓。為此，如果電路的兩半完美匹配，則PSRR是無窮大。在存在失配的情況下，對于相同差分增益，放大器85提供比現(xiàn)有技術(shù)差分放大器更優(yōu)異的PSRR，失配情況諸如器件的閾值電壓失配和寬度或長度失配。

在一些應(yīng)用中，期望比由等式(22)提供的增益更高的增益。圖11示出了具有通過放大器90中的正反饋的增益增強(qiáng)的本發(fā)明的另一實(shí)施例。添加PMOS晶體管MP5和MP7以及共源共柵晶體管MP6和MP8。PMOS晶體管MP5和MP7提供正反饋以增加增量增益。共源共柵晶體管MP6和MP8分別保持MP5和MP7的漏極電壓基本上等于MP1和MP3的漏極電壓，以便使得在MP1/MP3和MP5/MP7之間更好地匹配工作電壓。負(fù)載晶體管MP2和MP4的源極端子用作放大器90的輸出。

放大器90的增量增益由下式給出

如等式(23)所證明的，如果使MP5/MP7的大小等于MP1/MP3的大小，并且調(diào)整偏置電壓VBIAS1使得MP5/MP7的漏極電流等于MP1/MP3的漏極電流，則g_mp1＝g_mp3＝g_mp5＝g_mp7，并且增量增益變得非常大。

雖然本文已經(jīng)描述和示出了各種發(fā)明實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易地想到，用于執(zhí)行功能和/或獲得結(jié)果和/或一個(gè)或多個(gè)本文描述的優(yōu)點(diǎn)的各種其他裝置和/或結(jié)構(gòu)，并且這樣的變化和/或修改中的每一個(gè)被認(rèn)為在本文所描述的本發(fā)明實(shí)施例的范圍內(nèi)。更一般地，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，本文描述的所有參數(shù)、尺寸、材料和配置意在是示例性的，并且實(shí)際參數(shù)、尺寸、材料和/或配置將取決于對其使用本發(fā)明的教導(dǎo)的一個(gè)或多個(gè)具體應(yīng)用。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到或者能夠僅使用常規(guī)實(shí)驗(yàn)來確定本文所述的具體發(fā)明實(shí)施例的許多等同物。作為具體示例，可能期望在圖7、圖10和圖11中的放大器電路中使用PMOS輸入晶體管，來代替如圖所示的NMOS輸入晶體管。這種“翻轉(zhuǎn)”配置是本領(lǐng)域技術(shù)人員所常見和公知的。因此，應(yīng)當(dāng)理解，前述實(shí)施例僅通過示例的方式給出，并且在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明實(shí)施例可以以不同于具體描述和要求保護(hù)的方式來實(shí)踐。本公開的發(fā)明實(shí)施例涉及本文所述的每個(gè)獨(dú)立特征、系統(tǒng)、制品、材料、套件和/或方法。此外，如果這些特征、系統(tǒng)、制品、材料、套件和/或方法不相互矛盾，則兩個(gè)或更多個(gè)此類特征、系統(tǒng)、制品、材料、套件和/或方法的任何組合被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

而且，本文所描述的技術(shù)可以被實(shí)現(xiàn)為已經(jīng)提供了至少一個(gè)示例的方法。作為方法的一部分執(zhí)行的動(dòng)作可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞脚判颉Ｒ虼?，可以?gòu)造其中以不同于所示的順序執(zhí)行動(dòng)作的實(shí)施例，其可以包括同時(shí)執(zhí)行一些動(dòng)作，即使在說明性實(shí)施例中被示為順序動(dòng)作。

本文定義和使用的所有定義應(yīng)當(dāng)被理解為控制字典定義、通過引用并入的文獻(xiàn)中的定義和/或所定義術(shù)語的普通含義。

如本文在說明書和權(quán)利要求書中使用的不定冠詞“一”和“一個(gè)”應(yīng)當(dāng)理解為是指“至少一個(gè)”，除非清楚地相反指示。

如本文在說明書和權(quán)利要求書中使用的短語“和/或”應(yīng)當(dāng)被理解為是指這樣結(jié)合的元件中的“任一個(gè)或兩個(gè)”，即在一些情況下相結(jié)合存在的元件而在其他情況下分離地存在。用“和/或”列出的多個(gè)元件應(yīng)當(dāng)以相同的方式解釋，即，如此結(jié)合的元件中的“一個(gè)或多個(gè)”。除了由“和/或”子句具體識別的元件之外，可以可選地存在其他元件，無論與具體識別的那些元件相關(guān)還是不相關(guān)。因此，作為非限制性示例，當(dāng)結(jié)合開放式語言(諸如“包括”)使用時(shí)，對“A和/或B”的引用在一個(gè)實(shí)施例中可以僅指A(可選地包括除B的元件)；在另一實(shí)施例中，僅指B(可選地包括除A之外的元件)；在又一實(shí)施例中，指A和B二者(可選地包括其他元件)；等

如本文在說明書和權(quán)利要求中所使用的，“或”應(yīng)當(dāng)被理解為具有與如上定義的“和/或”相同的含義。例如，當(dāng)分離列表中的項(xiàng)時(shí)，“或”或“和/或”應(yīng)當(dāng)被解釋為包括性的，即包括多個(gè)或一系列元件中的至少一個(gè)而且還包括多于一個(gè)，并且可選地包括其他未列出的項(xiàng)。僅清楚地指示相反的術(shù)語，諸如“僅一個(gè)”或“確切一個(gè)”，或者當(dāng)在權(quán)利要求中使用“由......組成”時(shí)，將指代包括多個(gè)或一系列元件中的確切一個(gè)元件。通常，本文使用的術(shù)語“或”在前面有排他性術(shù)語時(shí)，應(yīng)當(dāng)解釋為指示排他性替換(即“一個(gè)或另一個(gè)但不是二者”)，諸如“任一”、“其中之一”、“僅之一”或“確切一個(gè)”。當(dāng)在權(quán)利要求中使用時(shí)，“基本上由......組成”應(yīng)當(dāng)具有其在專利法領(lǐng)域中使用的普通含義。

如本文在說明書和權(quán)利要求書中使用的，參考一系列一個(gè)或多個(gè)元件的列表的短語“至少一個(gè)”應(yīng)當(dāng)被理解為是指從一系列元件中的任何一個(gè)或多個(gè)元件中選擇的至少一個(gè)元件，但不一定包括在一系列元件內(nèi)具體列出的各個(gè)和每個(gè)元件的至少一個(gè)，并且不排除一系列元件中的元件的任何組合。該定義還允許元素可以可選地存在，而不是短語“至少一個(gè)”所指的一系列元件內(nèi)具體識別的元件，無論與具體識別的那些元素相關(guān)或不相關(guān)。因此，作為非限制性示例，在一個(gè)實(shí)施例中，“A和B中的至少一個(gè)”(或等同地，“A或B中的至少一個(gè)”或等同地“A和/或B中的至少一個(gè)”)可以指至少一個(gè)，可選地包括多于一個(gè)A，而不存在B(并且可選地包括除B之外的元件)；在另一實(shí)施例中，指代至少一個(gè)，可選地包括多于一個(gè)B，而不存在A(并且可選地包括除A之外的元件)；在又一實(shí)施例中，指代至少一個(gè)A，可選地包括多于一個(gè)A，以及至少一個(gè)B，可選地包括多于一個(gè)B(并且可選地包括其他元件)；等。

在權(quán)利要求書以及在以上說明書中，諸如“包括”、“包含”、“攜帶”、“具有”、“含有”、“涉及”、“保持”、“構(gòu)成”等的所有過渡短語應(yīng)當(dāng)被理解為是開放式的，即，是指包括但不限于。僅過渡短語“由......組成”和“基本上由......組成”分別是封閉或半封閉的過渡短語，如美國專利局專利審查程序手冊第2111.03節(jié)中所述。