本發(fā)明涉及配線電路基板的制造方法。

背景技術(shù)：

公知有配線電路基板可通過(guò)設(shè)置絕緣層和在該絕緣層上形成的配線圖案來(lái)獲得。

例如，提出了一種帶電路的懸掛基板的制造方法，該帶電路的懸掛基板的制造方法包括如下工序：在絕緣層形成具有第1厚度的第1部分和具有比第1厚度小的第2厚度的第2部分的工序；以及以在絕緣層的第1部分上和第2部分上延伸的方式形成配線圖案的工序(例如，參照日本特開(kāi)2014－127216號(hào)公報(bào)。)。

詳細(xì)而言，在日本特開(kāi)2014－127216號(hào)公報(bào)所記載的制造方法中，在形成配線圖案的工序中，以如下方式在絕緣層的上表面形成配線圖案：第1部分的上表面與邊界面之間的邊界線沿著第1方向延伸，配線圖案的側(cè)邊沿著與第1方向交叉的第2方向延伸，第2方向與第1方向呈60度以上且90度以下的角度。

并且，在第1部分的上表面與第2部分的上表面之間形成邊界面，因此，在利用光刻法技術(shù)在絕緣層上形成配線圖案的工序中，在邊界面處產(chǎn)生曝光的光的反射，反射光間接地向其他區(qū)域照射。不過(guò)，根據(jù)日本特開(kāi)2014－127216號(hào)公報(bào)所記載的方法，曝光的光在邊界面處向靠近配線圖案所延伸的方向的方向反射，因此，反射光幾乎不對(duì)本來(lái)的曝光的光的圖案帶來(lái)影響。由此，防止了由光刻法技術(shù)形成的配線圖案產(chǎn)生斷路或短路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

近年來(lái)，在使配線電路基板小型化的情況下，存在以復(fù)雜的圖案來(lái)配置配線圖案的情況。在那樣的情況下，存在難以如日本特開(kāi)2014－127216號(hào)公報(bào)那樣以第2方向與第1方向呈60度以上且是90度以下的角度的方式形成配線圖案的情況。這樣一來(lái)，存在無(wú)法防止配線圖案的形成不良這樣的不良情況。

本發(fā)明在于提供一種能夠一邊以較高的自由度設(shè)置導(dǎo)體圖案、一邊抑制導(dǎo)體圖案的形成不良的配線電路基板的制造方法。

本發(fā)明(1)是具有絕緣層和設(shè)于所述絕緣層之上的導(dǎo)體圖案的配線電路基板的制造方法，其包括如下工序：設(shè)置所述絕緣層的第1工序；在所述絕緣層的傾斜面之上設(shè)置金屬薄膜的第2工序；在所述金屬薄膜之上設(shè)置光致抗蝕劑的第3工序；將光掩模配置成所述光致抗蝕劑中的應(yīng)該設(shè)置所述導(dǎo)體圖案的部分被遮光、隔著所述光掩模對(duì)所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光的第4工序；將所述光致抗蝕劑的被所述光掩模遮光的所述部分去除而使所述金屬薄膜的與所述部分相對(duì)應(yīng)的部分暴露的第5工序；將所述導(dǎo)體圖案設(shè)置于所述金屬薄膜的從所述光致抗蝕劑暴露的部分之上的第6工序，在對(duì)所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光時(shí)，減少由所述金屬薄膜的位于所述傾斜面之上的部分反射而朝向所述光致抗蝕劑的所述部分的光。

根據(jù)該制造方法，在第4工序中，在對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光時(shí)，減少由金屬薄膜的位于傾斜面之上的部分反射而朝向上述的部分的光，因此，在第5工序中，能夠?qū)⒐庵驴刮g劑的上述的部分可靠地去除，在第6工序中，可靠地形成導(dǎo)體圖案。也就是說(shuō)，與日本特開(kāi)2014－127216號(hào)公報(bào)不同，能夠一邊以較高的自由度設(shè)置導(dǎo)體圖案一邊抑制導(dǎo)體圖案的形狀不良。

其結(jié)果，能夠獲得連接可靠性優(yōu)異的配線電路基板。

本發(fā)明(2)根據(jù)(1)所記載的配線電路基板的制造方法，其中，所述絕緣層具有所述傾斜面和平坦面，所述傾斜面和所述平坦面的夾角的補(bǔ)角y超過(guò)0度且是20度以下。

根據(jù)該制造方法，補(bǔ)角y是上述的上限值以下，因此，能夠縮小入射光與由金屬薄膜中的對(duì)應(yīng)于傾斜面的部分反射的反射光的夾角。因此，能夠使反射光實(shí)質(zhì)上朝向上方，其結(jié)果，能夠使朝向上述的部分的光可靠地減少。

本發(fā)明(3)根據(jù)(1)或(2)所記載的配線電路基板的制造方法，其中，在所述第1工序之后且在所述第2工序之前還具有使至少所述傾斜面粗糙化的第7工序。

該制造方法在第2工序之前還具有使至少傾斜面粗糙化的第7工序，因此，能夠使光在金屬薄膜的與粗糙化后的傾斜面相對(duì)應(yīng)的部分散射。因此，能夠使朝向上述的部分的光可靠地減少。

本發(fā)明(4)根據(jù)(1)～(3)中任一項(xiàng)所記載的配線電路基板的制造方法，在所述第2工序之后且在所述第3工序之前還具有使所述金屬薄膜的相對(duì)于波長(zhǎng)為365nm的光的反射率為25％以下的第8工序。

該制造方法在第2工序之后且在第3工序之前還具有使金屬薄膜的相對(duì)于波長(zhǎng)為365nm的光的反射率為25％以下的第8工序，因此，能夠使朝向上述的部分的光可靠地減少。

本發(fā)明(5)根據(jù)上述(1)～(4)中任一項(xiàng)所記載的配線電路基板的制造方法，其中，所述絕緣層具有所述傾斜面和平坦面，在所述第3工序中，所述傾斜面和所述平坦面的夾角的補(bǔ)角y(度)與所述光致抗蝕劑的厚度x(μm)滿足下述式子。

y≤－3x+70

根據(jù)該制造方法，補(bǔ)角y(度)與光致抗蝕劑的厚度x(μm)滿足上述式子，因此，能夠使由金屬薄膜反射的反射光朝向位于比上述的部分靠上方的部分。其結(jié)果，能夠使朝向上述的部分的光可靠地減少。

根據(jù)本發(fā)明的配線電路基板的制造方法，能夠獲得連接可靠性優(yōu)異的配線電路基板。

附圖說(shuō)明

圖1a～圖1d表示作為本發(fā)明的配線電路基板的制造方法的第1實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖1a表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序(i)，

圖1b表示設(shè)置基底絕緣層的工序(ii)，

圖1c表示設(shè)置第1導(dǎo)體圖案的工序(iii)，

圖1d表示設(shè)置中間絕緣層的第1工序。

圖2a～圖2c接著圖1d表示第1實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖2a表示設(shè)置金屬薄膜的第2工序，

圖2b表示設(shè)置光致抗蝕劑的第3工序，

圖2c表示對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光的第4工序。

圖3a～圖3c接著圖2c表示第1實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖3a表示對(duì)光致抗蝕劑中的預(yù)定部分進(jìn)行顯影的第4工序，

圖3b表示設(shè)置第2導(dǎo)體圖案的第5工序，

圖3c表示將光致抗蝕劑去除的工序(iv)。

圖4a和圖4b接著圖3c表示第1實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖4a表示將金屬薄膜的與光致抗蝕劑相對(duì)應(yīng)的部分去除的工序(v)，

圖4b表示設(shè)置覆蓋絕緣層的工序(vi)。

圖5表示第1實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的局部俯視圖(省略了基底絕緣層、中間絕緣層以及覆蓋絕緣層的圖)。

圖6a和圖6b是第4工序的放大圖，

圖6a是圖2c的放大圖，

圖6b是圖3a的放大圖。

圖7a和圖7b是比較例1的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖7a是與圖2c相對(duì)應(yīng)的放大圖，

圖7b是與圖3a相對(duì)應(yīng)的放大圖。

圖8a和圖8b是第1實(shí)施方式的變形例的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖8a是與圖2c相對(duì)應(yīng)的放大圖，

圖8b是與圖3a相對(duì)應(yīng)的放大圖。

圖9a和圖9b是第2實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖9a是與圖2c相對(duì)應(yīng)的放大圖，

圖9b是與圖3a相對(duì)應(yīng)的放大圖。

圖10a～圖10b是第3實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖10a是與圖2c相對(duì)應(yīng)的放大圖，

圖10b是與圖3a相對(duì)應(yīng)的放大圖。

圖11是表示第3實(shí)施方式中的氧化金屬層的厚度與反射率之間的關(guān)系的圖表。

圖12a和圖12b是第4實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖12a是與圖2c相對(duì)應(yīng)的放大圖，

圖12b是與圖3a相對(duì)應(yīng)的放大圖。

圖13是示出表示第4實(shí)施方式中的光致抗蝕劑的厚度與補(bǔ)角之間的關(guān)系的式子和區(qū)域的圖表。

具體實(shí)施方式

在圖1a～圖1d中，紙面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側(cè)是上側(cè)(第1方向一側(cè)、厚度方向一側(cè))，紙面下側(cè)是下側(cè)(第1方向另一側(cè)、厚度方向另一側(cè))。紙面左右方向是寬度方向(與面方向、第1方向正交的第2方向)，紙面左側(cè)是寬度方向一側(cè)(第2方向一側(cè))，紙面右側(cè)是寬度方向另一側(cè)(第2方向另一側(cè))。具體而言，方向依據(jù)各圖所記載的方向箭頭。

以下，對(duì)作為本發(fā)明的配線電路基板的制造方法的第1實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。

1.第1實(shí)施方式

該帶電路的懸掛基板1的制造方法包括如下工序：準(zhǔn)備金屬支承基板2的工序(i)(參照?qǐng)D1a)；在金屬支承基板2之上設(shè)置基底絕緣層3的工序(ii)(參照?qǐng)D1b)；在基底絕緣層3之上設(shè)置第1導(dǎo)體圖案4的工序(iii)(參照?qǐng)D1c)；以及以包覆第1導(dǎo)體圖案4的方式在基底絕緣層3之上設(shè)置作為絕緣層的一個(gè)例子的中間絕緣層5的第1工序(參照?qǐng)D1d)。另外，帶電路的懸掛基板1的制造方法包括如下工序：在中間絕緣層5的至少傾斜面17之上設(shè)置金屬薄膜6的第2工序(參照?qǐng)D2a)；在金屬薄膜6之上設(shè)置光致抗蝕劑10的第3工序(參照?qǐng)D2b)；以及將光掩模13配置成光致抗蝕劑10中的應(yīng)該設(shè)置作為導(dǎo)體圖案的一個(gè)例子的第2導(dǎo)體圖案7的部分的作為一個(gè)例子的預(yù)定部分12被遮光、隔著光掩模13對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光的第4工序(參照?qǐng)D2c和圖6a)。另外，帶電路的懸掛基板1的制造方法包括如下工序：將光致抗蝕劑10的被光掩模13遮光的預(yù)定部分12去除而使金屬薄膜6的與預(yù)定部分12相對(duì)應(yīng)的部分暴露的第5工序(參照?qǐng)D3a和圖6b)；以及在金屬薄膜6的從光致抗蝕劑10暴露的部分之上設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7的第6工序(參照?qǐng)D3b和圖6b的假想線)。另外，帶電路的懸掛基板1的制造方法包括如下工序：將光致抗蝕劑10去除的工序(iv)(參照?qǐng)D3c)；將金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對(duì)應(yīng)的部分去除的工序(v)(參照?qǐng)D4a)；以及以包覆第2導(dǎo)體圖案7的方式在中間絕緣層5之上設(shè)置覆蓋絕緣層9的工序(vi)(參照?qǐng)D4b)。

在帶電路的懸掛基板1的制造方法中，依次實(shí)施工序(i)～工序(iii)、第1工序～第6工序、工序(iv)～工序(vi)。以下，詳細(xì)論述上述的各工序。

1－1.工序(i)

如圖1a所示，在工序(i)中，準(zhǔn)備金屬支承基板2。

金屬支承基板2具有沿著前后方向延伸的大致平板(片)形狀。金屬支承基板2由金屬材料形成。作為金屬材料，可列舉出例如不銹鋼、42合金、鋁、銅－鈹、磷青銅等，優(yōu)選可列舉出不銹鋼。對(duì)于金屬支承基板2的厚度，例如是10μm以上，優(yōu)選是15μm以上，例如是35μm以下，優(yōu)選是25μm以下。

1－2.工序(ii)

如圖1b所示，在工序(ii)中，在金屬支承基板2之上設(shè)置基底絕緣層3。

將基底絕緣層3配置于金屬支承基板2的整個(gè)上表面。基底絕緣層3具有沿著前后方向延伸的大致平板(片)形狀?；捉^緣層3由絕緣材料形成。作為絕緣材料，可列舉出例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚樹脂、腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂，優(yōu)選可列舉出聚酰亞胺樹脂。對(duì)于基底絕緣層3的厚度，例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是25μm以下，優(yōu)選是15μm以下。

為了在金屬支承基板2之上設(shè)置基底絕緣層3，可使用公知的方法。

1－3.工序(iii)

如圖1c所示，在工序(iii)中，在基底絕緣層3之上設(shè)置第1導(dǎo)體圖案4。

將第1導(dǎo)體圖案4配置于基底絕緣層3的上表面。

如參照?qǐng)D5那樣，第1導(dǎo)體圖案4一體地具有沿著前后方向延伸的多個(gè)第1配線21(在圖1c和圖5中，僅圖示單個(gè))和與多個(gè)第1配線21各自的前后兩端部連接的第1端子(未圖示)。如圖1c所示，第1配線21在例如剖視時(shí)具有寬度方向長(zhǎng)度(寬度)比上下方向長(zhǎng)度(厚度)長(zhǎng)的大致矩形形狀。第1配線21在上端部具有兩個(gè)棱線部23。第1導(dǎo)體圖案4由導(dǎo)體材料形成。作為導(dǎo)體材料，可列舉出例如銅、鎳、金、軟釬料、或它們的合金等，優(yōu)選可列舉出銅。

第1導(dǎo)體圖案4的尺寸被適當(dāng)設(shè)定。對(duì)于第1導(dǎo)體圖案4的厚度t0，例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是20μm以下，優(yōu)選是12μm以下。對(duì)于第1配線21的寬度，例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是200μm以下，優(yōu)選是100μm以下。另外，對(duì)于相鄰的第1配線21之間的間隔，例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是200μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

為了在基底絕緣層3之上設(shè)置第1導(dǎo)體圖案4，可使用公知的方法。

1－4.第1工序

如圖1d所示，在第1工序中，以包覆第1導(dǎo)體圖案4的方式在基底絕緣層3之上設(shè)置中間絕緣層5。

中間絕緣層5具有包覆第1配線21而使未圖示的第1端子暴露的圖案。中間絕緣層5由與基底絕緣層3相同的絕緣材料形成。

如參照?qǐng)D6a那樣，中間絕緣層5具有包括平坦面17和傾斜面18的上表面。平坦面17是與面方向(沿著基底絕緣層3的表面的方向)平行的面，是沿著厚度方向與基底絕緣層3的上表面的從第1導(dǎo)體圖案4暴露的部分相對(duì)的面。

另一方面，傾斜面18與第1配線21相對(duì)應(yīng)，是與平坦面17連續(xù)的上表面且是相對(duì)于面方向傾斜的面。具體而言，傾斜面18是與第1配線21的兩個(gè)棱線部23相對(duì)應(yīng)地從平坦面17朝向上方傾斜(隆起)的面。

傾斜面18與平坦面17的夾角α的補(bǔ)角y、即、傾斜面18的相對(duì)于平坦面17的斜度超過(guò)0度，進(jìn)而是5度以上。另外，補(bǔ)角y例如是20度以下，優(yōu)選小于20度，更優(yōu)選是15度以下，進(jìn)一步優(yōu)選是12度以下。

此外，在傾斜面18彎曲的情況下，角度α是傾斜面18中的從平坦面17立起的部分的面與平坦面17的夾角。

補(bǔ)角y只要低于上述的上限，就能夠在后述的第4工序(參照?qǐng)D2c和圖6a)中使朝向預(yù)定部分12的光可靠地減少。

中間絕緣層5的厚度t1是基底絕緣層3的上表面與中間絕緣層5的上表面之間的距離，例如超過(guò)6μm，優(yōu)選是9μm以上，更優(yōu)選是12μm以上，另外，是20μm以下。另外，在中間絕緣層5中，第1配線21的上側(cè)部分的厚度t2是第1配線21的上表面與中間絕緣層5的上表面之間的距離，例如超過(guò)5μm，優(yōu)選是8μm以上，更優(yōu)選是10μm以上，另外，是15μm以下。

中間絕緣層5的厚度t1與第1導(dǎo)體圖案4的厚度t0之比(t1/t0)例如是1.0以上，優(yōu)選是1.2以上，更優(yōu)選是1.5以上，進(jìn)一步優(yōu)選是1.6以上，另外，是5以下。

比(t1/t0)只要是上述的下限以上，就能夠使上述的補(bǔ)角y可靠地低于上述的上限。

為了在基底絕緣層3之上設(shè)置中間絕緣層5，例如，將感光性的絕緣材料的清漆涂敷于基底絕緣層3的上表面，對(duì)該清漆進(jìn)行曝光和顯影，之后，根據(jù)需要進(jìn)行加熱?；蛘邔㈩A(yù)先形成為使未圖示的第1端子暴露的圖案的中間絕緣層5借助未圖示的粘接劑粘接于基底絕緣層3之上。

1－5.第2工序

如圖2a所示，在第2工序中，在中間絕緣層5的至少傾斜面17之上設(shè)置金屬薄膜6。

金屬薄膜6能夠作為第6工序(后述，參照?qǐng)D3b)中的添加法的種膜而發(fā)揮作用。另外，金屬薄膜6是在利用添加法獲得第2導(dǎo)體圖案7時(shí)能夠與第2導(dǎo)體圖案7一體化的層。

金屬薄膜6設(shè)置于例如中間絕緣層5的整個(gè)上表面(包括平坦面17和傾斜面18)。金屬薄膜6由金屬材料形成。作為金屬材料，可列舉出例如銅、鉻、鎳以及它們的合金，優(yōu)選可列舉出銅、鉻。金屬薄膜6也可以由單層和多層(圖2a中未圖示)中的任一層構(gòu)成。優(yōu)選的是，金屬薄膜6由第1薄膜(具體而言，鉻薄膜)和設(shè)于其上的第2薄膜(銅薄膜)這兩層構(gòu)成。

另外，金屬薄膜6追隨著中間絕緣層5的上表面。因此，在金屬薄膜6中，與平坦面17相對(duì)應(yīng)的部分的上表面與中間絕緣層5的平坦面17平行，也就是說(shuō)，沿著面方向。另外，在金屬薄膜6中，與傾斜面18相對(duì)應(yīng)的部分的上表面與中間絕緣層5的傾斜面18平行，也就是說(shuō)，相對(duì)于面方向傾斜。

對(duì)于金屬薄膜6的厚度，例如是50nm以上，優(yōu)選是100nm以上，另外，例如是300nm以下，優(yōu)選是200nm以下。另外，在金屬薄膜6由第1薄膜和第2薄膜這兩層構(gòu)成的情況下，第1薄膜的厚度例如是10nm以上且是60nm以下，第2薄膜的厚度例如是50nm以上且是200nm以下。

為了在中間絕緣層5之上設(shè)置金屬薄膜6，可使用例如濺射法、鍍覆法等，優(yōu)選使用濺射法。

1－6.第3工序

如圖2b所示，在第3工序中，在金屬薄膜6之上設(shè)置光致抗蝕劑10。

作為光致抗蝕劑10，可列舉出例如負(fù)型或者正型的光致抗蝕劑等，優(yōu)選列舉出負(fù)型的光致抗蝕劑。另外，作為光致抗蝕劑10，例如含有干膜抗蝕劑(dfr)。

另外，光致抗蝕劑10能夠使第4工序(參照?qǐng)D2c)中的光(例如、紫外線等)局部地透過(guò)，具體而言，光致抗蝕劑10的使紫外線透過(guò)的透過(guò)率例如是10％以上，優(yōu)選是20％以上，另外，例如是60％以下，優(yōu)選是50％以下。

在金屬薄膜6之上配置上述的光致抗蝕劑10。

此時(shí)，使用例如平板等按壓(日文：押し付ける)干膜抗蝕劑。因此，光致抗蝕劑10的上表面成為平坦面。

對(duì)于光致抗蝕劑10的厚度x，沒(méi)有特別限定，例如是10μm以上，另外，例如是50μm以下，優(yōu)選是30μm以下。

1－7.第4工序

如圖2c和圖6a所示，在第4工序中，將光掩模13配置成光致抗蝕劑10中的預(yù)定部分12被遮光，隔著光掩模13對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光。

預(yù)定部分12是在第4工序中應(yīng)該被遮光的部分。另外，如參照?qǐng)D3a和圖6b那樣，預(yù)定部分12是在第5工序中應(yīng)該被去除的部分。而且，如參照?qǐng)D3b和圖6b的假想線那樣，預(yù)定部分12也是在第6工序中在光致抗蝕劑10的開(kāi)口部16(后述)中應(yīng)該設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7(要填充)的部分。

預(yù)定部分12在沿著厚度方向投影時(shí)包含于平坦面17。另一方面，光致抗蝕劑10中的除了預(yù)定部分12以外的部分在沿著厚度方向投影時(shí)包括傾斜面18。預(yù)定部分12在沿著厚度方向投影時(shí)具有與第1導(dǎo)體圖案4偏移的部分，該部分與第1導(dǎo)體圖案4之間的偏移量(左右方向的間隔)例如是1μm以上，優(yōu)選是5μm以上，另外，例如是300μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

光掩模13具有能夠使來(lái)自上側(cè)的光向下方透光的透光部分14和能夠使來(lái)自上側(cè)的光相對(duì)于下方遮光的遮光部分15。

在第4工序中，將光掩模13配置成：使遮光部分15與預(yù)定部分12相對(duì)、透光部分14與光致抗蝕劑10中的除了預(yù)定部分12以外的部分相對(duì)。遮光部分15在沿著厚度方向投影時(shí)包含于平坦面17。透光部分14在沿著厚度方向投影時(shí)包含傾斜面18。

此外，將光掩模13以與光致抗蝕劑10隔開(kāi)間隔地相對(duì)的方式配置于光致抗蝕劑10的上側(cè)?；蛘?，在圖2c和圖6a雖未圖示，但也能夠使光掩模13與光致抗蝕劑10的上表面接觸。

由此，以光致抗蝕劑10中的預(yù)定部分12被遮光的方式配置光掩模13。另外，以光致抗蝕劑10中的除了預(yù)定部分12以外的部分可透光的方式配置光掩模13。

接下來(lái)，在第4工序中，隔著光掩模13對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光。

為了對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光，從配置于光掩模13的上方的光源向光掩模13照射光。光的波長(zhǎng)例如是100nm以上，優(yōu)選是350nm以上，另外，例如是800nm以下，優(yōu)選是450nm以下。照射(曝光)量例如是100mj/cm²以上且是800mj/cm²以下。

[1]于是，照射到遮光部分15的光a被遮光部分15遮光，未到達(dá)預(yù)定部分12。

[2]另一方面，在厚度方向上照射到與透光部分14的平坦面17相對(duì)的部分的光b朝向下方透過(guò)透光部分14，到達(dá)光致抗蝕劑10的上表面，接下來(lái)，進(jìn)入光致抗蝕劑10內(nèi)。接下來(lái)，光b的一部分朝向下方透過(guò)光致抗蝕劑10，由金屬薄膜6的上表面反射。也就是說(shuō)，生成反射光b’。此時(shí)，反射光b’朝向上方，因此，朝向上方透過(guò)光致抗蝕劑10。

[3]另一方面，在厚度方向上照射到透光部分14的與傾斜面18相對(duì)的部分的光c朝向下方透過(guò)透光部分14，到達(dá)光致抗蝕劑10的上表面，接下來(lái)，進(jìn)入光致抗蝕劑10內(nèi)。接下來(lái)，光c的一部分朝向下方透過(guò)光致抗蝕劑10，由金屬薄膜6的上表面反射。也就是說(shuō)，生成反射光c’。此時(shí)，反射光c’朝向斜上方寬度方向一側(cè)。反射光c’的角度與上述的補(bǔ)角y相對(duì)應(yīng)，因此，能夠縮小入射光c與反射光c’的夾角θ1。因此，反射光c’朝向預(yù)定部分12的情況受到抑制，反射光c’的大部分實(shí)質(zhì)上朝向上方。因而，反射光c’朝向上方透過(guò)光致抗蝕劑10中的除了預(yù)定部分12以外的部分。

[4]由此，在第4工序中，在對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光時(shí)，減少由金屬薄膜6的位于傾斜面18之上的部分反射而朝向預(yù)定部分12的光。

1－8.第5工序

如圖3a和圖6b所示，在第5工序中，將光致抗蝕劑10的被光掩模13遮光的預(yù)定部分12去除。

具體而言，首先，根據(jù)需要對(duì)曝光后的光致抗蝕劑10進(jìn)行加熱(曝光后加熱)。

接下來(lái)，利用顯影液對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行顯影。由此，一邊將光致抗蝕劑10中的除了預(yù)定部分12以外的部分保留，一邊僅將預(yù)定部分12去除。也就是說(shuō)，在光致抗蝕劑10中，形成與預(yù)定部分12相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部16。開(kāi)口部16沿著厚度方向貫通光致抗蝕劑10。

由此，使金屬薄膜6的與預(yù)定部分12相對(duì)應(yīng)的部分、也就是說(shuō)使金屬薄膜6的面對(duì)開(kāi)口部16的部分暴露。

之后，根據(jù)需要，利用加熱使光致抗蝕劑10固化。

1－9.第6工序

如圖3b和圖6b的假想線所示，在第6工序中，在金屬薄膜6的從光致抗蝕劑10暴露的部分之上設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7。

第2導(dǎo)體圖案7一體地具有沿著前后方向延伸的多個(gè)第2配線26(圖3b中，僅圖示單個(gè))和與多個(gè)第2配線26各自的前后兩端部連接的第2端子(未圖示)。第2配線26在例如剖視時(shí)具有左右方向長(zhǎng)度(寬度)比上下方向長(zhǎng)度(厚度)長(zhǎng)的大致矩形形狀。

第2導(dǎo)體圖案7具有在沿著厚度方向投影時(shí)與第1導(dǎo)體圖案4偏移的部分，該部分的偏移量(左右方向的間隔)例如是1μm以上，優(yōu)選是5μm以上，另外，例如是300μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

第2導(dǎo)體圖案7由與第1導(dǎo)體圖案4相同的導(dǎo)體材料形成。

第2導(dǎo)體圖案7的尺寸被適當(dāng)設(shè)定。第2導(dǎo)體圖案7的厚度例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是20μm以下，優(yōu)選是12μm以下。第2配線26的寬度例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是200μm以下，優(yōu)選是100μm以下。另外，相鄰的第2配線26之間的間隔例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是200μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

為了在金屬薄膜6之上設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7，可使用從金屬薄膜6供電的電解鍍。

第2導(dǎo)體圖案7能夠與位于其下的金屬薄膜6一體化。

1－10.工序(iv)

如圖3c所示，在工序(iv)中，將光致抗蝕劑10去除。

具體而言，將光致抗蝕劑10利用例如濕蝕刻去除。

1－11.工序(v)

如圖4a所示，在工序(v)中，將金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對(duì)應(yīng)的部分去除。

具體而言，利用例如剝離將金屬薄膜6的位于光致抗蝕劑10之下的部分去除。

1－12.工序(vi)

如圖4b所示，在工序(vi)中，以包覆第2導(dǎo)體圖案7的第2配線26且使第2端子(未圖示)暴露的圖案設(shè)置覆蓋絕緣層9。

由此，獲得如下帶電路的懸掛基板1，該帶電路的懸掛基板1具有金屬支承基板2、在金屬支承基板2之上設(shè)置的基底絕緣層3、在基底絕緣層3之上設(shè)置的第1導(dǎo)體圖案4、在基底絕緣層3之上設(shè)置并包覆第1導(dǎo)體圖案4的中間絕緣層5、在中間絕緣層5之上配置的金屬薄膜6以及第2導(dǎo)體圖案7、在中間絕緣層5之上設(shè)置且包覆金屬薄膜6以及第2導(dǎo)體圖案7的覆蓋絕緣層9。在該帶電路的懸掛基板1中，金屬薄膜6與第2導(dǎo)體圖案7一體化，具體而言，金屬薄膜6也可以視作第2導(dǎo)體圖案7的一部分。

1－13.第1實(shí)施方式的作用效果

在參照?qǐng)D7a的比較例1的、帶電路的懸掛基板1的制造方法中，在第1工序中，只要中間絕緣層5的厚度t1與第1導(dǎo)體圖案4的厚度t0之比(t1/t0)被設(shè)定成小于上述的下限，補(bǔ)角y’就超過(guò)上述的范圍。因此，在第4工序中，如圖7a所示，在厚度方向上照射到與透光部分14的傾斜面18相對(duì)的部分的光c(入射光c)與在此處生成的反射光c’的夾角θ2變得比較大。因此，反射光c’朝向斜上方寬度方向一側(cè)、朝向預(yù)定部分12的情況沒(méi)有受到抑制，就對(duì)預(yù)定部分12進(jìn)行照射(曝光)。在該情況下，如圖7b所示，在第5工序中，無(wú)法將預(yù)定部分12去除，因此，無(wú)法使金屬薄膜6暴露。這樣一來(lái)，在第6工序的電解鍍中，無(wú)法可靠地設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7，因此，產(chǎn)生第2導(dǎo)體圖案7的斷路等形狀不良。

另一方面，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1的制造方法，在第4工序中，如圖2c和圖6a所示，在對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光時(shí)，減少由金屬薄膜6的位于傾斜面18之上的部分反射而朝向預(yù)定部分12的光，因此，在第5工序中，如圖3a和圖6b所示，將光致抗蝕劑10的預(yù)定部分12可靠地去除，在第6工序中，如圖3b和圖6b的假想線所示，能夠可靠地形成第2導(dǎo)體圖案7。也就是說(shuō)，與日本特開(kāi)2014－127216號(hào)公報(bào)不同，能夠一邊以較高的自由度設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7，一邊抑制第2導(dǎo)體圖案7的形成不良。

其結(jié)果，能夠獲得連接可靠性優(yōu)異的帶電路的懸掛基板1。

另外，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1的制造方法，在比(t1/t0)是上述的下限以上的情況下，上述的補(bǔ)角y是上述的上限值以下，因此，能夠縮小入射光c與由金屬薄膜6的對(duì)應(yīng)于傾斜面18的部分反射的反射光c’的夾角θ1。因此，能夠使反射光c’實(shí)質(zhì)上朝向上方，其結(jié)果，在第4工序中，如圖2c和圖6a所示，能夠使朝向預(yù)定部分12的反射光c’可靠地減少。

1－14.變形例

中間絕緣層5的傾斜面18與第1導(dǎo)體圖案4的棱線部23相對(duì)應(yīng)，但也能夠是，如圖8a所示，傾斜面18不與第1導(dǎo)體圖案4相對(duì)應(yīng)，僅通過(guò)作為絕緣層的一個(gè)例子的基底絕緣層3具有多個(gè)厚度t3和t4，基底絕緣層3形成傾斜面18。

也就是說(shuō)，如圖8b所示，該帶電路的懸掛基板1依次具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、金屬薄膜6和第2導(dǎo)體圖案7以及覆蓋絕緣層9(參照?qǐng)D4a)，不具有第1導(dǎo)體圖案4和中間絕緣層5。

根據(jù)該變形例，也能夠起到與第1實(shí)施方式同樣的作用效果。

另外，列舉帶電路的懸掛基板1作為本發(fā)明的配線電路基板的第1實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但也能夠形成為例如不具有金屬支承基板2的撓性配線電路基板。在該情況下，撓性配線電路基板具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導(dǎo)體圖案4、中間絕緣層5、金屬薄膜6、第2導(dǎo)體圖案7以及覆蓋絕緣層9，但并未圖示。

2.第2實(shí)施方式

在第2實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)件和工序標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。

第2實(shí)施方式的制造方法除了第1實(shí)施方式的制造方法的各工序之外，如參照?qǐng)D9a和圖9b那樣，還具有使至少傾斜面18粗糙化的第7工序。

第7工序可在設(shè)置中間絕緣層5的第1工序之后且在設(shè)置金屬薄膜6的第2工序之前實(shí)施。也就是說(shuō)，在第2實(shí)施方式中，依次實(shí)施工序(i)～第1工序、第7工序、第2工序～工序(vi)。

也就是說(shuō)，在該方法中，利用工序(i)～第1工序各工序分別設(shè)置金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導(dǎo)體圖案4以及中間絕緣層5。

另一方面，在第2實(shí)施方式中，在第1工序中，對(duì)于中間絕緣層5的補(bǔ)角y，與第1實(shí)施方式不同，并沒(méi)有限定。另外，中間絕緣層5的厚度t1和厚度t2也并不限定于第1實(shí)施方式的數(shù)值。具體而言，對(duì)于中間絕緣層5的厚度t1，例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，另外，也可以是，例如是20μm以下，優(yōu)選是15μm以下。

在第1工序之后的第7工序中，如參照?qǐng)D9a那樣，使包含傾斜面18在內(nèi)的中間絕緣層5的整個(gè)上表面、或者、僅使傾斜面18粗糙化。

為了使至少傾斜面18粗糙化，可使用例如等離子體處理、例如采用了堿性溶液的化學(xué)蝕刻處理、例如、噴砂、濕噴丸、刷子研磨、拋光研磨等研磨處理、例如壓花加工等凹凸處理等。優(yōu)選使用等離子體處理。

對(duì)于傾斜面18的算術(shù)平均粗糙度ra(jisb0601－1994)，例如是0.05μm以上，優(yōu)選是0.2μm以上，另外，例如是1μm以下，優(yōu)選是0.6μm以下。傾斜面18的算術(shù)平均粗糙度ra可根據(jù)例如使用了激光顯微鏡進(jìn)行的表面觀察而計(jì)算出。

傾斜面18的算術(shù)平均粗糙度ra只要是上述的下限以上，就能夠使由金屬薄膜6中的與傾斜面18相對(duì)應(yīng)的部分反射的反射光c’朝向預(yù)定部分12的光量減少。另一方面，傾斜面18的算術(shù)平均粗糙度ra只要是上限以下，就能夠?qū)嵤┓€(wěn)定的鍍覆形成。

在第7工序之后的第2工序中，如參照?qǐng)D9a那樣，將金屬薄膜6設(shè)置于中間絕緣層5的包含粗糙化后的傾斜面18的上表面。

在金屬薄膜6的與傾斜面18相對(duì)的部分，下表面與傾斜面18的粗糙化面(凹凸面)相對(duì)應(yīng)，另外，上表面對(duì)應(yīng)于與傾斜面18的粗糙化面(凹凸面)同樣的粗糙化面(凹凸面)。也就是說(shuō)，金屬薄膜6的與傾斜面18相對(duì)的部分的厚度如上述那樣極薄，因此，具有與傾斜面18同樣的粗糙化面(凹凸面)、具體而言，具有與傾斜面18同樣的算術(shù)平均粗糙度ra。

如參照?qǐng)D9b那樣，在第2工序之后，利用第3工序～第6工序以及工序(iv)～工序(vi)各工序，設(shè)置光致抗蝕劑10，接下來(lái)，隔著光掩模13對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光，接下來(lái)，使預(yù)定部分12暴露，接下來(lái)，設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7，將光致抗蝕劑10以及金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對(duì)應(yīng)的部分去除，之后，設(shè)置覆蓋絕緣層9。

并且，在第4工序中，如參照?qǐng)D9a那樣，光c在金屬薄膜6中進(jìn)行漫反射(散射)，因此反射光c’的光量在預(yù)定部分12相對(duì)地減少。因此，使朝向預(yù)定部分12的光量減少。

此外，在該帶電路的懸掛基板1中，如參照?qǐng)D9b和圖4b那樣，具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導(dǎo)體圖案4、中間絕緣層5、金屬薄膜6、第2導(dǎo)體圖案7以及覆蓋絕緣層9，中間絕緣層5的至少傾斜面18具有粗糙化面(凹凸面)。

并且，該第2實(shí)施方式在第1工序之后且在第2工序之前還具有使至少傾斜面粗糙化的第7工序，因此，能夠使光在金屬薄膜6的與粗糙化后的傾斜面18相對(duì)應(yīng)的部分散射。因此，如圖9a所示，能夠使朝向預(yù)定部分12的光可靠地減少。

3.第3實(shí)施方式

在第3實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式相同的構(gòu)件和工序，標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。

第3實(shí)施方式的制造方法除了第1實(shí)施方式的制造方法的各工序之外，還具有使金屬薄膜6的相對(duì)于波長(zhǎng)為365nm的光的反射率為25％以下的第8工序。

第8工序在第2工序之后且在第3工序之前實(shí)施。也就是說(shuō)，在第3實(shí)施方式中，依次實(shí)施工序(i)～第2工序、第8工序、第3工序～工序(vi)。

也就是說(shuō)，在該方法中，利用工序(i)～第2工序各工序分別設(shè)置金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導(dǎo)體圖案4、中間絕緣層5以及金屬薄膜6。

另一方面，在第3實(shí)施方式中，在第1工序中，對(duì)于中間絕緣層5的補(bǔ)角y，與第1實(shí)施方式不同，沒(méi)有限定。另外，中間絕緣層5的厚度t1和厚度t2也并不限定于第1實(shí)施方式的數(shù)值。具體而言，對(duì)于中間絕緣層5的厚度t1，例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，另外，也可以是，例如是20μm以下，優(yōu)選是15μm以下。

在第2工序之后的第8工序中，為了使金屬薄膜6的反射率為25％以下，利用加熱使金屬薄膜6氧化。由此，如參照?qǐng)D10a那樣，氧化金屬層19形成于金屬薄膜6的表面。在金屬薄膜6由銅形成的情況下，通過(guò)對(duì)金屬薄膜6進(jìn)行加熱，由氧化銅形成的氧化金屬層19形成于金屬薄膜6(銅薄膜)的表面。于是，氧化金屬層19具有黑色，因此，能夠使金屬薄膜6的反射率為25％以下。

對(duì)于金屬薄膜6的加熱溫度，例如是150℃以上，優(yōu)選是170℃以上，另外，例如是300℃以下，優(yōu)選是190℃以下。

對(duì)于氧化金屬層19的厚度，例如是1nm以上，優(yōu)選是5nm以上，另外，例如是100nm以下，優(yōu)選是30nm以下。

另外，如圖11參照那樣，金屬薄膜6的反射率隨著金屬薄膜6的厚度的增加而減少，在厚度為10nm左右變得極小，之后，若厚度增加，則反射率也增加。而且，金屬薄膜6的反射率在厚度為50nm左右變得極大，之后，若厚度增加，則反射率也逐漸減少。

如參照?qǐng)D10a那樣，在第8工序之后，在第3工序中，在氧化金屬層19的上表面設(shè)置光致抗蝕劑10。

之后，在第4工序中，如圖10a所示，以光致抗蝕劑10中的預(yù)定部分12被遮光的方式配置光掩模13，隔著光掩模13對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行曝光。

此時(shí)，由于金屬薄膜6的反射率是上述的上限以下，因此，依次透過(guò)了透光部分14和光致抗蝕劑10的光成為具有相對(duì)少的光量的反射光(反射光的生成變少)。因此，能夠使朝向預(yù)定部分12的光可靠地減少。

如參照?qǐng)D10b那樣，之后，在第5工序中，使氧化金屬層19暴露。

之后，將氧化金屬層19去除。為了將氧化金屬層19去除，利用例如酸性水溶液對(duì)金屬薄膜6的表面進(jìn)行清洗。由此，僅將氧化金屬層19去除。也就是說(shuō)，縮小金屬薄膜6的表面電阻值。

之后，利用第6工序～工序(vi)各工序設(shè)置第2導(dǎo)體圖案7，將光致抗蝕劑10以及金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對(duì)應(yīng)的部分去除，之后，設(shè)置覆蓋絕緣層9。

此外，在該帶電路的懸掛基板1中，沒(méi)有殘留氧化金屬層19。

并且，根據(jù)第3實(shí)施方式，在第2工序之后且在第3工序之前還具有使金屬薄膜的相對(duì)于波長(zhǎng)為365nm的光的反射率為25％以下的第8工序，因此，能夠使朝向預(yù)定部分12的反射光可靠地減少。

4.第4實(shí)施方式

在第4實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式～第3實(shí)施方式相同的構(gòu)件和工序，標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。

在第4實(shí)施方式中，如參照?qǐng)D12a那樣，在第3工序中，傾斜面18與平坦面17的夾角α的補(bǔ)角y(度)和光致抗蝕劑10的厚度x(μm)滿足下述式子。

y≤－3x+70

將滿足上述的式子的補(bǔ)角y和厚度x的范圍表示在圖13中。

光致抗蝕劑10的厚度x是金屬薄膜6的上表面的與中間絕緣層5的平坦面17相對(duì)的部分與光致抗蝕劑10的上表面之間的距離。

在光致抗蝕劑10的厚度x比較厚的情況下，與第1實(shí)施方式同樣地以補(bǔ)角y變得較小的方式設(shè)定。另一方面，在光致抗蝕劑10的厚度x比較薄的情況下，與第1實(shí)施方式不同，容許補(bǔ)角y變得比較大。

具體而言，在光致抗蝕劑10的厚度x是15μm的情況下，補(bǔ)角y例如是30度以下，優(yōu)選是28度以下，更優(yōu)選是25度以下。在光致抗蝕劑10的厚度x是10μm的情況下，補(bǔ)角y例如是40度以下，優(yōu)選是38度以下，更優(yōu)選是35度以下。在光致抗蝕劑10的厚度x是5μm的情況下，補(bǔ)角y例如是60度以下，優(yōu)選是57度以下，更優(yōu)選是55度以下。

這樣一來(lái)，如參照?qǐng)D12a那樣，在第4工序中，例如，在金屬薄膜6的與傾斜面18相對(duì)應(yīng)的部分中，即使生成朝向斜上方寬度方向一側(cè)的反射光c’，反射光c’也僅朝向位于光致抗蝕劑10的預(yù)定部分12的上方的上方部分(空間)z，朝向光致抗蝕劑10的預(yù)定部分12的情況受到抑制。

因此，如圖12b所示，在第5工序中，能夠?qū)㈩A(yù)定部分12可靠地去除。

并且，在該第4實(shí)施方式中，補(bǔ)角y(度)與光致抗蝕劑的厚度x(μm)滿足上述式子，因此，能夠使來(lái)自金屬薄膜6的反射光c’朝向位于比預(yù)定部分12靠上方的位置的上方部分(空間)z。其結(jié)果，能夠使朝向預(yù)定部分12的反射光c’可靠地減少。

此外，中間絕緣層5的厚度t1和厚度t2并不限定與第1實(shí)施方式的數(shù)值。具體而言，對(duì)于中間絕緣層5的厚度t1，例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，另外，也可以是，例如是20μm以下，優(yōu)選是15μm以下。

5.變形例

能夠?qū)⑸鲜龅牡?～第4實(shí)施方式適當(dāng)組合。

【實(shí)施例】

以下，示出實(shí)驗(yàn)例、實(shí)施例以及比較例，進(jìn)一步具體地說(shuō)明本發(fā)明。此外，本發(fā)明并不限定于任何實(shí)驗(yàn)例、實(shí)施例以及比較例。另外，能夠?qū)⒃谝韵碌挠涊d中所用的配合比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等具體的數(shù)值替代成在上述的“具體實(shí)施方式”中記載的、與它們相對(duì)應(yīng)的配合比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等該記載的上限(定義為“以下”、“小于”的數(shù)值)或下限(定義為“以上”、“超過(guò)”的數(shù)值)。

實(shí)施例1(與第1實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

如圖1a所示，首先，準(zhǔn)備了由厚度為20μm的不銹鋼形成的金屬支承基板2(工序(i))。

如圖1b所示，接下來(lái)，在金屬支承基板2之上設(shè)置了由厚度為10μm的聚酰亞胺形成的基底絕緣層3(工序(ii))。

如圖1c所示，接下來(lái)，在基底絕緣層3之上設(shè)置了由銅形成的第1導(dǎo)體圖案4(工序(iii))。第1導(dǎo)體圖案4的厚度是9μm。第1配線21的寬度是20μm。

如圖1d所示，接下來(lái)，以包覆第1導(dǎo)體圖案4的方式在基底絕緣層3之上設(shè)置由聚酰亞胺形成的中間絕緣層5(第1工序)。厚度t1是15μm，厚度t2是12μm。傾斜面18與平坦面17的夾角α是168度，補(bǔ)角y是12度。

如圖2a所示，接下來(lái)，利用濺射法在中間絕緣層5之上設(shè)置了由厚度為30nm的鉻薄膜和厚度為70μm的銅薄膜構(gòu)成的金屬薄膜6(第2工序)。

如圖2b所示，接下來(lái)，在金屬薄膜6之上設(shè)置了光致抗蝕劑10(第3工序)。光致抗蝕劑10的厚度是20μm。

如圖2c和圖6a所示，接下來(lái)，以光致抗蝕劑10中的預(yù)定部分12被遮光的方式配置光掩模13(第4工序)。具體而言，將光掩模13配置成：遮光部分15與預(yù)定部分12相對(duì)、透光部分14與光致抗蝕劑10中的除了預(yù)定部分12以外的部分相對(duì)。

接下來(lái)，隔著光掩模13對(duì)光致抗蝕劑10進(jìn)行了曝光(第4工序)。

如圖3a和圖6b所示，接下來(lái)，利用顯影將光掩模10的預(yù)定部分12去除、使金屬薄膜6的與預(yù)定部分12相對(duì)應(yīng)的部分暴露(第5工序)。

如圖3b和圖6b的假想線所示，接下來(lái)，利用從金屬薄膜6供電的電解銅鍍覆，在金屬薄膜6的從光致抗蝕劑10暴露的部分之上設(shè)置了第2導(dǎo)體圖案7(第6工序)。第2導(dǎo)體圖案7的厚度是9μm。第2配線26的寬度是20μm。

如圖3c所示，接下來(lái)，利用蝕刻將光致抗蝕劑10去除(工序(iv))。

如圖4a所示，接下來(lái)，利用剝離將金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對(duì)應(yīng)的部分去除(工序(v))。

如圖4b所示，接下來(lái)，以包覆第2導(dǎo)體圖案7的方式在中間絕緣層5之上設(shè)置了由厚度為5μm的聚酰亞胺形成的覆蓋絕緣層9(工序(vi))。

由此，獲得了帶電路的懸掛基板1。

在第2導(dǎo)體圖案7沒(méi)有觀察到斷路等形成不良。

實(shí)施例2(與第1實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在圖1d所示的第1工序中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成12μm，將厚度t2變更成8μm，而且，將角度α變更成160度，將補(bǔ)角y變更成20度，除此以外與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了處理。

在第2導(dǎo)體圖案7稍微觀察到形成不良。

比較例1

在圖1d所示的第1工序中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成6μm，將厚度t2變更成5μm，而且，將角度α變更成150度，將補(bǔ)角y變更成30度，除此以外與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了處理。

在第2導(dǎo)體圖案7觀察到形成不良且完全的斷路部位。

實(shí)驗(yàn)例1(與第3實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在實(shí)施例1中，對(duì)第2工序后的金屬薄膜6進(jìn)行加熱而形成了厚度為10nm的氧化銅。

另外，準(zhǔn)備了將氧化銅的厚度變更后的樣品。

而且，計(jì)算出上述的各樣品的對(duì)波長(zhǎng)為365nm的光的反射率相對(duì)于不進(jìn)行加熱而沒(méi)有形成氧化銅的金屬薄膜6(坯料)對(duì)波長(zhǎng)為365nm的光的反射率的比例(樣品的反射率/坯料的反射率)。

將其結(jié)果表示在圖11。

實(shí)施例3(與第4實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在圖1d所示的第1工序中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成8μm，將厚度t2變更成6μm，而且，將角度α變更成152度，將補(bǔ)角y變更成28度。另外，在圖2b所示的第2工序中，將光致抗蝕劑10的厚度變更成15μm。除此以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了處理。

在第2導(dǎo)體圖案7沒(méi)有觀察到斷路等形成不良。

實(shí)施例4(與第4實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在圖1d所示的第1工序中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成5μm，將厚度t2變更成3μm，而且，將角度α變更成142度，將補(bǔ)角y變更成38度。另外，在圖2b所示的第2工序中，將光致抗蝕劑10的厚度變更成10μm。除此以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了處理。

在第2導(dǎo)體圖案7沒(méi)有觀察到斷路等形成不良。

實(shí)施例5(與第4實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在圖1d所示的第1工序中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成3μm，將厚度t2變更成1μm，而且，將角度α變更成123度，將補(bǔ)角y變更成57度。另外，在圖2b所示的第2工序中，將光致抗蝕劑10的厚度變更成5μm。除此以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了處理。

在第2導(dǎo)體圖案7沒(méi)有觀察到斷路等形成不良。

將實(shí)施例1～5和比較例1的中間絕緣層5的厚度和角度、光致抗蝕劑10的厚度、評(píng)價(jià)記載在表1中。

【表1】

此外，作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式提供了上述發(fā)明，但這只不過(guò)是例示，并不進(jìn)行限定性解釋。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚的本發(fā)明的變形例包含于權(quán)利要求書中。