技術(shù)特征：

1.橋電容為整數(shù)值的電容電阻三段式逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括：第一位段電容陣列、第二位段電容陣列和第三位段電阻陣列，

所述第二位段電容陣列包括電容陣列和冗余電容C_X，通過第一橋電容C_B1將所述第一位段電容陣列與所述第二位段電容陣列相連接；

通過第二橋電容C_B2將所述第二位段電容陣列與所述第三位段電阻陣列相連接；其中，所述第一橋電容所述第二橋電容C_B2的大小為一個(gè)單位電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，

N比特的逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器由M比特的第一位段電容陣列、I比特的第二位段電容陣列和L比特的第三位段電阻陣列組成，其中，N＝M+I+L+1，N為大于1的正整數(shù)，M為大于1的正整數(shù)，I為大于1的正整數(shù)，L為大于1的正整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，

所述第一位段電容陣列中的電容與相應(yīng)的電容之間的關(guān)系為：

C_M+I-1＝2C_M+I-2＝2²C_M+I-3＝…＝2^M-1C_I，C_I＝C₀，其中，C₀為電容單位,M為大于1的正整數(shù)，I為大于1的正整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，

所述第二位段電容陣列中的電容與相應(yīng)的電容之間的關(guān)系為：

C_I-1＝2C_I-2＝2²C_I-3＝…＝2^I-1C₀，其中，C₀為單位電容，I為大于1的正整數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，在所述第二位段電容陣列的公共節(jié)點(diǎn)接入反向二極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述反向二極管的負(fù)端與所述第二位段電容陣列的公共節(jié)點(diǎn)相連接，所述反向二極管的正端接地。