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表面貼石英晶體諧振器生產(chǎn)中非接觸式噴膠系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):11862253閱讀:225來(lái)源:國(guó)知局
表面貼石英晶體諧振器生產(chǎn)中非接觸式噴膠系統(tǒng)的制作方法與工藝

本實(shí)用新型屬于電子元器件領(lǐng)域,尤其涉及表面貼石英晶體諧振器生產(chǎn)中非接觸式噴膠系統(tǒng)。



背景技術(shù):

石英晶體諧振器又稱為石英晶體,俗稱晶振,是利用石英晶體的壓電效應(yīng)而制成的諧振元,與半導(dǎo)體器件和阻容元件一起使用,便可構(gòu)成石英晶體振蕩器。

石英晶片,以下簡(jiǎn)稱為晶片,它可以是正方形、矩形或圓形等,在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,表面貼石英晶體諧振器是通過(guò)導(dǎo)電膠將石英晶片上的電極和基座進(jìn)行電連接,通過(guò)導(dǎo)電膠,石英晶片固定在基座上,并且石英晶片上的副電極也通過(guò)導(dǎo)電膠進(jìn)行涂覆。

但是目前,表面貼裝石英晶體諧振器一直采用接觸式點(diǎn)膠工藝。具體采用的是:利用氣壓將點(diǎn)膠針管內(nèi)的導(dǎo)電膠推出;將單一基座吸在同一高度的平臺(tái)上進(jìn)行點(diǎn)膠;點(diǎn)膠設(shè)備必須加裝校準(zhǔn)平臺(tái)和激光測(cè)距裝置,保證點(diǎn)膠針管安裝位置一致和針頭點(diǎn)膠高度一致性。

不論是接觸式點(diǎn)膠工藝還是表面貼石英晶體諧振器的整板加工都存在很多不足。

接觸式點(diǎn)膠工藝存在的問題:

1、對(duì)點(diǎn)膠高度敏感度高,針頭距離點(diǎn)膠平臺(tái)過(guò)高,膠點(diǎn)出膠尖,膠點(diǎn)偏??;針頭距離點(diǎn)膠平臺(tái)過(guò)低,膠點(diǎn)攤開,膠點(diǎn)偏大;影響產(chǎn)品電參數(shù)不良,嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品失效。

2、接觸式點(diǎn)膠的膠量控制由氣壓和時(shí)間決定,點(diǎn)膠時(shí)需要穩(wěn)定的氣壓。

3、基座腔體邊緣與基座點(diǎn)膠平臺(tái)距離小,如膠點(diǎn)靠近腔體邊緣,會(huì)碰撞針頭。

4、接觸式點(diǎn)膠,點(diǎn)膠針管、針頭由氣缸或電機(jī)控制,點(diǎn)膠時(shí)間主要為Z方向上下運(yùn)動(dòng)時(shí)間,針頭上下移動(dòng)導(dǎo)致噴膠效率過(guò)低。

表面貼石英晶體諧振器的整板加工存在問題:

1、基座整板是由陶瓷大板燒結(jié)而成,翹曲度技術(shù)規(guī)格為構(gòu)成整板的單只基座最大值為0.05mm;整板最大值為0.35mm;整板上各基座點(diǎn)膠平臺(tái)的高度差超過(guò)0.05mm。

2、用于裝載單個(gè)基座的整板工裝,翹曲度技術(shù)規(guī)格最大值為0.05mm,加上單只基座的翹曲度,整板上各基座點(diǎn)膠平臺(tái)的高度差超過(guò)0.05mm。

由以上論述可知,如果用傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠工藝點(diǎn)基座整板或裝載在工裝上的單只基座,無(wú)法保證平臺(tái)上的膠點(diǎn)直徑,個(gè)別基座甚至無(wú)膠點(diǎn)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型提供的表面貼石英晶體諧振器生產(chǎn)中非接觸式噴膠系統(tǒng),解決了傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠在基座整板點(diǎn)膠不良的問題,通過(guò)基座的移動(dòng)進(jìn)行噴膠,無(wú)需調(diào)整點(diǎn)膠高度,保證每個(gè)基座左右點(diǎn)膠平臺(tái)上涂布膠點(diǎn)直徑一致、外觀合格的導(dǎo)電膠,以固定晶片與基座,噴膠效率高于點(diǎn)膠的效率。

為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供表面貼石英晶體諧振器生產(chǎn)中非接觸式噴膠系統(tǒng),其特殊之處在于:包括基座整板1、晶片4、噴膠系統(tǒng),其中,基座整板1以及貼裝在基座整板1上的晶片4均位于噴膠系統(tǒng)中噴嘴7的下方。

進(jìn)一步地,基座整板1為陶瓷大板,在陶瓷大板上設(shè)置有按矩陣排布連接的結(jié)構(gòu)單元,每個(gè)結(jié)構(gòu)單元為一個(gè)獨(dú)立的單體基座1-1。

進(jìn)一步地,基座整板1為整板工裝,整板工裝上設(shè)有按矩陣排布的空位,每個(gè)空位內(nèi)放置有一個(gè)單體基座1-1。

進(jìn)一步地,還包括用于檢測(cè)基座整板內(nèi)各個(gè)單體基座位置及單體基座噴膠狀態(tài)的視覺系統(tǒng)I、用于檢測(cè)晶片正位的視覺系統(tǒng)II。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,其有益之處在于:本實(shí)用新型用于表面貼石英晶體諧振器的整板加工。由于整板內(nèi)的每個(gè)單體基座點(diǎn)膠平臺(tái)高度相對(duì)誤差大,采用非接觸式噴膠工藝替代傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠工藝,解決了傳統(tǒng)點(diǎn)膠工藝加工整板基座膠點(diǎn)直徑一致性差的問題。采用噴膠工藝加工整板,無(wú)需傳統(tǒng)針頭點(diǎn)膠工藝所必須的Z軸運(yùn)動(dòng)。噴膠效率比點(diǎn)膠效率提高3倍以上。

本實(shí)用新型利用非接觸式噴膠,固定晶片與基座的表面貼石英晶體諧振器的生產(chǎn)工藝操作簡(jiǎn)單,性價(jià)比遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的接觸式點(diǎn)膠設(shè)備,主要體現(xiàn)在如下幾點(diǎn):

1、利用非接觸式噴膠,解決了傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠在基座整板點(diǎn)膠不良的問題。

2、由于噴膠工藝中,無(wú)需調(diào)整點(diǎn)膠高度,因此對(duì)員工的操作技能要求低,易于操作。

3、噴膠過(guò)程節(jié)省了傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠針頭上下運(yùn)動(dòng)時(shí)間,提高了上膠的效率。

4、直接對(duì)基座整板進(jìn)行噴膠,相對(duì)于傳統(tǒng)對(duì)單個(gè)基座逐一點(diǎn)膠,噴膠設(shè)備體積變小,性價(jià)比遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的接觸式點(diǎn)膠設(shè)備。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型基座整板示意圖一;

圖2是本實(shí)用新型基座整板示意圖二;

圖3是本實(shí)用新型單體基座示意圖;

圖4是本實(shí)用新型單體基座噴膠后狀態(tài)示意圖,

圖5是本實(shí)用新型噴膠系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

標(biāo)記說(shuō)明:1、基座整板,1-1、單體基座,2、左平臺(tái),3、右平臺(tái),4、晶片,5、副電極,6、導(dǎo)電膠,7、噴嘴。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖1至附圖5,給出本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式,用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。

本實(shí)用新型中的噴膠裝置包括基座整板1、晶片4、噴膠系統(tǒng),其中,基座整板1以及貼裝在基座整板1上的晶片4均位于噴膠系統(tǒng)中噴嘴7的下方。

關(guān)于用于表面貼石英晶體諧振器的基座整板,在本實(shí)用新型中基座整板包括兩種形式:1、在陶瓷大板上通過(guò)加工成按矩陣排布連接的結(jié)構(gòu)單元,每個(gè)結(jié)構(gòu)單元作為一個(gè)獨(dú)立的單體基座,由此形成的陶瓷大板作為本實(shí)用新型的基座整板;2、由單體基座碼放在一個(gè)整板工裝內(nèi)作為本實(shí)用新型的基座整板。

噴膠工藝中,設(shè)置有兩套視覺系統(tǒng),視覺系統(tǒng)I用于對(duì)晶片位置角度矯正,視覺系統(tǒng)II用于對(duì)基座整板的識(shí)別和矯正,也可以通過(guò)設(shè)置一套視覺系統(tǒng)同時(shí)對(duì)晶片和基座整板進(jìn)行識(shí)別和矯正,在本實(shí)用新型中利用兩套視覺系統(tǒng)進(jìn)行說(shuō)明具體的噴膠工藝。

本實(shí)用新型對(duì)基座整板上按M*N矩陣排布連接的單體基座的噴膠工藝進(jìn)行說(shuō)明,M、N的初始值均為1,M、N均為非零自然數(shù),M為行數(shù)且M的最大值為矩陣的行數(shù),N為列數(shù)且N的最大值為矩陣的列數(shù),即1≤M≤行數(shù),1≤N≤列數(shù),對(duì)于基座整板上的每個(gè)單體基座采用aMN表達(dá),aMN是位于基座整板第M行第N列的單體基座。

在噴下膠時(shí),基座整板中的每個(gè)單體基座的左右平臺(tái)依次位于噴嘴正下方,在噴上膠時(shí),每個(gè)單體基座上方的晶片副電極位于噴嘴正下方,在本實(shí)用新型中晶片即為石英晶體諧振器。噴膠系統(tǒng)為現(xiàn)有技術(shù)中的常用裝置,本實(shí)用新型不對(duì)噴膠系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的描述。在本實(shí)用新型中,還可以在噴上膠時(shí),當(dāng)前單體基座上方的晶片副電極以及下一個(gè)單體基座的左右平臺(tái)依次位于噴嘴正下方。在本實(shí)用新型中視覺系統(tǒng)I、視覺系統(tǒng)II在使用時(shí),將晶片移動(dòng)至視覺系統(tǒng)I正下方,用于對(duì)晶片位置角度矯正,將基座整板移動(dòng)至視覺系統(tǒng)II正下方,用于對(duì)基座整板的識(shí)別、矯正以及噴膠狀態(tài)檢測(cè)。

實(shí)施例1

在本實(shí)施例中,選擇基座整板上位于第1行第1列的單體基座完成噴下膠、上片、噴上膠的過(guò)程后,再對(duì)基座整板上剩下的全部單體基座完成同樣的過(guò)程,最終基座整板完成噴膠過(guò)程。

在整個(gè)噴膠工藝進(jìn)行之前,先進(jìn)行以下準(zhǔn)備步驟:

步驟1、將未進(jìn)行噴膠的基座整板放置在基座整板提籠內(nèi)等待提?。?/p>

步驟2、晶片放置在晶片提籠內(nèi)等待提??;

步驟3、把攪好的銀膠注入噴膠閥中,確認(rèn)噴膠閥是否能正常吐膠;

步驟4、根據(jù)晶片位置調(diào)整放晶片的高度,根據(jù)膠點(diǎn)大小位置調(diào)整噴膠時(shí)間和噴膠位置;

步驟5、吸取晶片,視覺系統(tǒng)I識(shí)別并角度矯正,合格品移置等待基座整板位置;

步驟6、與步驟5同時(shí),基座整板移動(dòng)到視覺系統(tǒng)II識(shí)別整板內(nèi)各個(gè)單體基座位置。

待準(zhǔn)備階段完畢后,對(duì)基座整板進(jìn)行噴膠,具體包括有以下步驟:

S1、噴下膠:將基座整板移動(dòng)至噴射閥處噴射下膠,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板中位于第1行第1列的單體基座a11的左右平臺(tái)上;

S2、上片:吸嘴從晶片提籠內(nèi)吸取晶片,通過(guò)吸嘴的旋轉(zhuǎn)電機(jī)和視覺系統(tǒng)I進(jìn)行晶片位置角度矯正;同時(shí),將基座整板移至視覺系統(tǒng)II識(shí)別噴膠狀態(tài),噴膠合格后,將吸嘴吸取的晶片放置在位于基座整板第1行第1列已噴射下膠的單體基座a11內(nèi);

S3、噴上膠:將基座整板返回噴射閥處噴射上膠,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板上單體基座a12的左右平臺(tái)以及已放置晶片的單體基座a11的晶片副電極上;

S4、根據(jù)步驟S1至步驟S3噴涂方法,按預(yù)先設(shè)定的順序完成基座整板上其余單體基座的噴膠。

在本實(shí)施例中步驟S4中預(yù)先設(shè)定的順序?yàn)椋瑢?duì)基座整板上的單體基座一個(gè)一個(gè)的完成噴射工藝,先對(duì)當(dāng)前單體基座執(zhí)行噴下膠、上片,之后,在噴上膠過(guò)程中對(duì)下一個(gè)單體基座執(zhí)行噴下膠及當(dāng)前單體基座噴上膠。

利用矩陣來(lái)表示,具體為:

S41、在步驟S1中選取單體基座aMN作為當(dāng)前噴射目標(biāo),對(duì)單體基座aMN完成步驟S1噴下膠、步驟S2上片,之后在步驟S3中對(duì)單體基座aMN完成噴上膠、單體基座aM,N+1完成噴下膠;

S42、依次重復(fù)步驟S1至S3,交替循環(huán),直到N取值為矩陣的列數(shù),此時(shí)對(duì)單體基座aM,N+1完成步驟S1噴下膠、步驟S2上片,單體基座aM,N+1為該行最后一個(gè)位置,在步驟S3中對(duì)單體基座aM,N+1完成噴上膠,在對(duì)單體基座aM+1,N完成噴下膠;此時(shí)步驟S3中噴下膠的單體基座aM+1,N中M取值為M+1,N值從1開始依次取值至矩陣的列數(shù);

S43、每次當(dāng)前N取值為矩陣的列時(shí),對(duì)當(dāng)前單體基座完成步驟S1至S2后,當(dāng)前M取值自動(dòng)執(zhí)行加1,N值從1開始依次取值至矩陣的列數(shù),依次重復(fù)步驟S41至S43,交替循環(huán),直到M取值大于行數(shù)時(shí),完成整個(gè)基座整板上的噴射過(guò)程。

在步驟S1中的噴膠方式具體是指通過(guò)非接觸式的方式進(jìn)行噴膠取代傳統(tǒng)接觸式的點(diǎn)。在本實(shí)用新型中將傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠工藝中使用的點(diǎn)膠針管、點(diǎn)膠針頭以及激光測(cè)距系統(tǒng)由噴膠系統(tǒng)替代,噴膠系統(tǒng)的構(gòu)成主要有:1、利用多層堆疊式壓電陶瓷微動(dòng)器作為控制裝置的噴膠閥門;2、噴嘴底座;3、撞針;4、入料防溢墊圈;5、止付螺絲以及固定環(huán)。

撞針0.25ms可完成一個(gè)完整周期,進(jìn)而達(dá)到超微量導(dǎo)電膠噴射到基座整板的每個(gè)單體基座左右平臺(tái)上,由于膠量一致,膠點(diǎn)的直徑受噴膠高度影響極小,所以一致性好;1秒鐘可噴射1000Hz,且具有瞬間加速度的能力,以達(dá)到超高速度的撞擊,從而保證了膠點(diǎn)輪廓一致性和粘接強(qiáng)度;噴射時(shí)間遠(yuǎn)小于整板由程序脈沖控制做X、Y運(yùn)動(dòng)時(shí)間,且無(wú)上下運(yùn)動(dòng)時(shí)間,因此非接觸式噴膠效率遠(yuǎn)高于接觸式點(diǎn)膠效率。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的噴涂工藝類似于實(shí)施例1,待準(zhǔn)備階段所做的工作,以及噴膠閥的噴膠位置、噴膠工藝均和實(shí)施例1一致,僅僅在噴涂順序上有所區(qū)別。

在本實(shí)施例中,對(duì)基座整板上的每個(gè)單體基座先進(jìn)行步驟S1噴下膠,之后對(duì)每個(gè)單體基座再進(jìn)行步驟S2上片,最后對(duì)每個(gè)單體基座進(jìn)行步驟S3噴上膠,具體為:

S1、分別對(duì)基座整板上的每個(gè)單體基座依序按照噴下膠步驟完成噴下膠:

將基座整板移動(dòng)至噴射閥處噴射下膠,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板中每個(gè)單體基座的左右平臺(tái)上;

S2、分別對(duì)基座整板上的每個(gè)單體基座依序完成上片:

吸嘴依次吸取晶片,通過(guò)吸嘴的旋轉(zhuǎn)電機(jī)和視覺系統(tǒng)進(jìn)行晶片位置角度矯正;放置在基座整板已噴射下膠的每個(gè)單體基座內(nèi);

S3、分別對(duì)基座整板上的每個(gè)單體基座依序完成噴上膠:

將基座整板返回噴射閥處,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板內(nèi)步驟S2完成的每個(gè)單體基座的晶片副電極上。

在本實(shí)施例中,每個(gè)步驟中的動(dòng)作都是對(duì)基座整板上的單體基座按照預(yù)定的順序,依序進(jìn)行。噴下膠、上片、噴上膠時(shí)選取單體基座的順序均相同,以步驟S1噴下膠說(shuō)明預(yù)先設(shè)定的順序。

在本實(shí)施例中噴下膠預(yù)先設(shè)定的順序?yàn)?,?duì)基座整板上的單體基座一個(gè)一個(gè)的完成噴射下膠工藝,利用矩陣來(lái)表示,具體為:

1、在步驟S1中選取單體基座aMN作為當(dāng)前噴射目標(biāo),對(duì)單體基座aMN完成步驟S1噴下膠,之后M取當(dāng)前值,N自動(dòng)加1,對(duì)單體基座aM,N+1執(zhí)行噴下膠,直到N取值為矩陣的列數(shù),此時(shí)第M行的單體基座均完成噴下膠;

2、對(duì)當(dāng)前的M值自動(dòng)加1,此時(shí),M為M+1,N值從1開始依次取值至矩陣的列數(shù),對(duì)單體基座aM+1,N完成噴下膠;

3、每次當(dāng)前N取值為矩陣的列時(shí),對(duì)當(dāng)前第M行的單體基座完成噴下膠,當(dāng)前M取值自動(dòng)執(zhí)行加1,N值從1開始依次取值至矩陣的列數(shù),依次重復(fù)步驟1至3,交替循環(huán),直到M取值大于行數(shù)時(shí),完成整個(gè)基座整板上的噴下膠過(guò)程。

對(duì)基座整板上的貼片、噴上膠的順序均和噴下膠的順序一致,也可以采用不同的順序,但一定要有規(guī)律性,而這些規(guī)律均屬于編程控制,本實(shí)施例不再一一列舉,僅通過(guò)本實(shí)施例提供的順序做一下示例性的說(shuō)明。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的噴涂工藝類似于實(shí)施例1,待準(zhǔn)備階段所做的工作,以及噴膠閥的噴膠位置、噴膠工藝均和實(shí)施例1一致,僅僅在噴涂順序上有所區(qū)別。

在本實(shí)施例中,選定基座整板上多個(gè)單體基座,這些多個(gè)單體基座可以在基座整板上呈區(qū)域劃分,也可以在基座整板上零散分布,但是對(duì)于呈區(qū)域的有利用實(shí)現(xiàn)控制,因此采用呈區(qū)域劃分的方式進(jìn)行說(shuō)明。

對(duì)基座整板上當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座先進(jìn)行步驟S1噴下膠,之后對(duì)當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座再進(jìn)行步驟S2上片,最后對(duì)當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座進(jìn)行步驟S3噴上膠,具體為:

S1、分別對(duì)基座整板上當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座依序按照噴下膠步驟完成噴下膠:

將基座整板移動(dòng)至噴射閥處噴射下膠,對(duì)于在基座整板中選定的多個(gè)單體基座,導(dǎo)電膠按噴膠方式依序噴射在多個(gè)單體基座中每個(gè)單體基座的左右平臺(tái)上;

S2、分別對(duì)基座整板上當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座依序完成上片:

對(duì)于在基座整板中選定的多個(gè)單體基座,吸嘴依序吸取晶片,通過(guò)吸嘴的旋轉(zhuǎn)電機(jī)和視覺系統(tǒng)進(jìn)行晶片位置角度矯正,依序放置在基座整板已噴射下膠的多個(gè)單體基座內(nèi);

S3、分別對(duì)基座整板上當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座依序完成噴上膠:

對(duì)于在基座整板中選定的多個(gè)單體基座,將基座整板返回噴射閥處,導(dǎo)電膠按噴膠方式依序噴射在基座整板內(nèi)步驟S2完成的多個(gè)單體基座的晶片副電極上。

之后,換至下一個(gè)選定區(qū)域,重復(fù)步驟S1至步驟S2完成當(dāng)前選定區(qū)域的整個(gè)噴膠過(guò)程,依次交替,直到基座整板上的全部單體基座都完成噴膠過(guò)程。

在本實(shí)施例中,在當(dāng)前選定區(qū)域的多個(gè)單體基座的噴下膠、上片、噴上膠時(shí)選取單體基座的順序類似實(shí)施例2中的順序規(guī)則,在本實(shí)施例中M、N的取值均在當(dāng)前選定區(qū)域內(nèi)進(jìn)行,詳細(xì)的操作參見實(shí)施例2。

關(guān)于本實(shí)施例中不同區(qū)域的切換,即完成上一個(gè)區(qū)域的整個(gè)噴膠過(guò)程后,換至下一個(gè)區(qū)域的時(shí)候,也是通過(guò)M、N的取值來(lái)切換,切換的時(shí)間點(diǎn)為當(dāng)前區(qū)域的最后一個(gè)單體基座完成噴上膠,下一個(gè)區(qū)域的第一個(gè)單體基座準(zhǔn)備噴下膠,具體切換順序參見實(shí)施例1中上一個(gè)單體基座完成噴上膠,下一個(gè)單體基座準(zhǔn)備噴下膠的規(guī)則。

實(shí)施例4

本實(shí)施例的噴涂工藝類似于實(shí)施例1,待準(zhǔn)備階段所做的工作,以及噴膠閥的噴膠位置、噴膠工藝均和實(shí)施例1一致,僅僅在噴涂順序上有所區(qū)別。

在本實(shí)施例中,選定基座整板上某一行的所有單體基座,對(duì)于當(dāng)前行上的每個(gè)單體基座,例如對(duì)基座整板第M行第N列上的每個(gè)單體基座先進(jìn)行步驟S1噴下膠,之后對(duì)每個(gè)單體基座再進(jìn)行步驟S2上片,最后對(duì)每個(gè)單體基座進(jìn)行步驟S3噴上膠,具體為:

S1、對(duì)基座整板中第M行第N列的每個(gè)單體基座依序按照噴下膠步驟完成噴下膠:

S11、噴下膠:將基座整板移動(dòng)至噴射閥處噴射下膠,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板中第M行第N列每個(gè)單體基座的左右平臺(tái)上;

S12、上片:吸嘴吸取晶片,通過(guò)吸嘴的旋轉(zhuǎn)電機(jī)和視覺系統(tǒng)1進(jìn)行晶片位置角度矯正;放置在基座整板已噴射下膠的第M行第N列每個(gè)單體基座內(nèi);

S13、噴上膠:將基座整板返回噴射閥處,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板內(nèi)步驟S12完成的第M行第N列每個(gè)單體基座的晶片副電極上;

S2、按照S1的步驟對(duì)基座整板上的其余行上的每個(gè)單體基座依序完成整個(gè)噴膠過(guò)程。

關(guān)于本實(shí)施例中對(duì)于第M行第N列的每個(gè)單體基座的噴下膠、上片、噴上膠時(shí)選取單體基座的順序類似實(shí)施例2中的順序規(guī)則,在本實(shí)施例中不再詳細(xì)敘述,詳細(xì)的操作參見實(shí)施例2。

關(guān)于本實(shí)施例中對(duì)于不同行之間的切換,即從第M行第N列切換至第M+1行第N列的規(guī)則,參考實(shí)施例1中上一個(gè)單體基座完成噴上膠,下一個(gè)單體基座準(zhǔn)備噴下膠的規(guī)則。之后對(duì)于第M+1行第N列的操作規(guī)則參考實(shí)施例2。

實(shí)施例5

本實(shí)施例的噴涂工藝類似于實(shí)施例1,待準(zhǔn)備階段所做的工作,以及噴膠閥的噴膠位置、噴膠工藝均和實(shí)施例1一致,僅僅在噴涂順序上有所區(qū)別。

在本實(shí)施例中,對(duì)于噴涂順序類似于實(shí)施例4,將實(shí)施例中的先對(duì)每行的所有單體基座進(jìn)行噴涂工藝替換為先對(duì)每列的所有單體基座進(jìn)行噴涂工藝。

選定基座整板上某一列的所有單體基座,對(duì)于當(dāng)前列上的每個(gè)單體基座,例如對(duì)基座整板第M行第N列上的每個(gè)單體基座先進(jìn)行步驟S1噴下膠,之后對(duì)每個(gè)單體基座再進(jìn)行步驟S2上片,最后對(duì)每個(gè)單體基座進(jìn)行步驟S3噴上膠,具體為:

S1、對(duì)基座整板中位于同一列的單體基座依序按照噴下膠步驟完成噴下膠:

S11、噴下膠:將基座整板移動(dòng)至噴射閥處噴射下膠,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板中同一列單體基座的左右平臺(tái)上;

S12、上片:吸嘴吸取晶片,通過(guò)吸嘴的旋轉(zhuǎn)電機(jī)和視覺系統(tǒng)1進(jìn)行晶片位置角度矯正;放置在基座整板已噴射下膠的同一列單體基座內(nèi);

S13、噴上膠:將基座整板返回噴射閥處,導(dǎo)電膠按噴膠方式噴射在基座整板內(nèi)步驟S12完成的同一列單體基座的晶片副電極上;

S2、按照S1的步驟對(duì)基座整板其余列上的每個(gè)單體基座依序完成整個(gè)噴膠過(guò)程。

關(guān)于本實(shí)施例中對(duì)于第M行第N列的每個(gè)單體基座的噴下膠、上片、噴上膠時(shí)選取單體基座的順序類似實(shí)施例2中的順序規(guī)則,在本實(shí)施例中不再詳細(xì)敘述,詳細(xì)的操作參見實(shí)施例2。

關(guān)于本實(shí)施例中對(duì)于不同列之間的切換,即從第M行第N列切換至第M行第N+1列的規(guī)則,參考實(shí)施例1中上一個(gè)單體基座完成噴上膠,下一個(gè)單體基座準(zhǔn)備噴下膠的規(guī)則。之后對(duì)于第M行第N+1列的操作規(guī)則參考實(shí)施例2。

對(duì)于本實(shí)用新型中的不同的噴涂順序中采用的噴涂工藝均類似于實(shí)施例1,而噴涂順序都是根據(jù)人為的規(guī)則通過(guò)程序來(lái)實(shí)現(xiàn),比如按斜線、角度、圓心環(huán)繞等方式,在本實(shí)用新型中不可能窮舉,僅通過(guò)以上實(shí)施例來(lái)多整個(gè)噴涂進(jìn)行說(shuō)明。除了以上實(shí)施例中采用的基座整板,本實(shí)用新型的整個(gè)噴涂工藝,還可以應(yīng)用在多個(gè)單體基座碼入整板工裝內(nèi),再放置到基座提籠內(nèi)待噴膠,整個(gè)噴涂工藝也是相同的,只是基座整板的形式發(fā)生變化,但是基座整板上單體基座也是呈矩陣式排列,具體噴涂順序及過(guò)程參見本實(shí)用新型的實(shí)施例。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。

此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述,但并非每個(gè)實(shí)施方式包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案,說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體,各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合,形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。

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