本實用新型涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種防止可控硅被擊穿的可控硅保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

在家用電子產(chǎn)品中，當(dāng)繼電器在進(jìn)行通斷操作時，負(fù)載兩端加載在繼電器上的峰值電壓可以達(dá)到220V的5～10倍，很容易造成繼電器的損壞，從而影響電氣的使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型要解決的技術(shù)問題是：提供一種克服通斷電時電路中峰值電壓過高造成的繼電器損壞的可控硅保護(hù)電路。

為實現(xiàn)上述目的，所述可控硅保護(hù)電路包括：可控硅、與所述可控硅分別并聯(lián)的繼電器及電阻器；所述電阻器為壓熱敏電阻；當(dāng)所述繼電器受控斷開或閉合動作時，可控硅先導(dǎo)通，此時壓熱敏電阻起到分壓作用，從而防止所述可控硅被擊穿。

其中，當(dāng)所述繼電器持續(xù)處于閉合狀態(tài)時，可控硅處于斷開狀態(tài)。

其中，所述閾值電壓小于所述可控硅的擊穿電壓。

其中，所述可控硅接入在市電網(wǎng)絡(luò)中，且所述擊穿電壓為600V，所述閾值電壓為500V。

本實用新型在繼電器兩端并聯(lián)可控硅，通過在繼電器動作前利用閉合的可控硅作為緩沖防止繼電器損壞，同時為了提高可控硅的使用安全性，增加壓熱敏電阻對可控硅進(jìn)行分壓，可以防止可控硅被擊穿。本實用新型的結(jié)構(gòu)相對簡單，成本比較低，實用性強。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本實用新型的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本實用新型的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本實用新型可控硅保護(hù)電路原理圖。

附圖標(biāo)號說明：

R、電阻器；K、繼電器；TR、可控硅；RC、后級電路。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本實用新型所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本實用新型的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

本實用新型提供了一種可控硅保護(hù)電路，其中利用可控硅在繼電器進(jìn)行開或關(guān)的時進(jìn)行緩沖，防止對后級電路造成損壞，同時采用壓熱敏電阻對可控硅進(jìn)行分壓，保護(hù)可控硅不被高壓擊穿，從而達(dá)到提供一種可以消除電路中繼電器觸發(fā)瞬間高壓對電路的影響，同時保證可控硅使用安全的目的。

請參閱圖1，具體的，本實用新型提供的可控硅保護(hù)電路包括：可控硅TR、與所述可控硅TR分別并聯(lián)的繼電器K及電阻器R；所述電阻器R為壓熱敏電阻；當(dāng)所述繼電器K受控斷開或閉合動作時，可控硅TR先導(dǎo)通，此時壓熱敏電阻R起到分壓作用，從而防止所述可控硅TR被擊穿。

進(jìn)一步的，為了保證可控硅TR不被擊穿，所述壓熱敏電阻R的工作電壓小于所述可控硅TR的擊穿電壓。

其中更具體的，可控硅TR的擊穿電壓為600V，即當(dāng)繼電器K打開或者關(guān)閉的瞬間，可控硅TR上的電壓超過600V時，可控硅TR就會被擊穿；為了防止可控硅TR被擊穿，優(yōu)選的采用壓熱敏電阻R的工作電壓為500V，即，當(dāng)壓熱敏電阻R兩端的電壓達(dá)到500V時，壓熱敏電阻R的開始工作，從而對可控硅TR進(jìn)行分壓，防止可控硅TR電壓超過600V，達(dá)到保護(hù)可控硅TR的目的。

在本實施方式中，當(dāng)繼電器K處于持續(xù)的閉合狀態(tài)時，可控硅TR處于斷開狀態(tài)，此時相當(dāng)于并沒有并聯(lián)可控硅，這樣繼電器K的后級電路RC處于正常工作狀態(tài)。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍。