本實用新型涉及一種可控硅投切開關(guān)觸發(fā)電路，更具體地說，它涉及一種三相可控硅觸發(fā)電路。

背景技術(shù)：

目前在電力補償系統(tǒng)中，廣泛使用可控硅、同步開關(guān)這幾種電容投切開關(guān)對電容進行投切，為了使電容投入無浪涌沖擊電流，必須保證開關(guān)在接通時開關(guān)兩端的電壓過零準確，這就要求主回路開關(guān)兩端的電壓過零檢測電路的檢測準確和抗干擾能力強。其中，在可控硅投切開關(guān)中設(shè)置有執(zhí)行電路，該執(zhí)行電路包括可控硅觸發(fā)電路和可控硅，對于可控硅觸發(fā)電路的電壓過零準確性要求更高。但是現(xiàn)有的可控硅觸發(fā)電路在對電容進行投切時，常常伴有浪涌沖擊電流，影響整個電力補償系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種三相可控硅觸發(fā)電路，能夠控制可控硅在電壓過零時接通，電流過零點斷開，不產(chǎn)生合閘涌流，提高整個電力補償系統(tǒng)的穩(wěn)定性他。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了如下技術(shù)方案：

一種三相可控硅觸發(fā)電路，包括電源模塊、控制器和與控制器連接的三個相同的可控硅觸發(fā)電路，可控硅觸發(fā)電路均包括：

過零觸發(fā)光耦組件，包括串聯(lián)的第一過零觸發(fā)光耦和第二過零觸發(fā)光耦，所述第一過零觸發(fā)光耦的第1管腳連接于電源模塊，第2管腳連接于第二過零觸發(fā)光耦的第1管腳，第二過零觸發(fā)光耦的第2管腳與控制器的引腳連接；

分壓電路，用于分擔流經(jīng)第一過零觸發(fā)光耦和第二過零觸發(fā)光耦的第6管腳到第4管腳的電壓，所述分壓電路的兩端分別連接第一過零觸發(fā)光耦和第二過零觸發(fā)光耦的第6管腳和第4管腳；

輸出電路，用于與可控硅連接，包括與第一過零觸發(fā)光耦的第6管腳連接的第一陰極端口和第一控制極端口，以及與第二過零觸發(fā)光耦的第4管腳連接的第二陰極端口和第二控制極端口；

阻容吸收電路，用于防止可控硅誤觸發(fā)，連接于所述第一陰極端口和第二陰極端口。

進一步的，所述分壓電路包括與第一過零觸發(fā)光耦的第6管腳和第4管腳連接的電阻R1，以及與第二過零觸發(fā)光耦的第6管腳和第4管腳連接的電阻R2。

進一步的，所述輸出電路還包括電阻R3、電阻R4、電阻R5，其中，電阻R3的一端連接于第一過零觸發(fā)光耦的第6管腳，另一端連接于第一控制極端口和電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接于第一控制極端口；電阻R5的一端連接于第二過零觸發(fā)光耦的第4管腳，另一端連接于第二控制極端口。

進一步的，所述阻容吸收電路包括電容C1和電阻R6，所述電容C1的一端連接于第一陰極端口，另一端連接于電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接于第二陰極端口。

進一步的，所述可控硅包括第一可控硅和第二可控硅，所述第一可控硅的陽極連接于第二陰極端口，陰極連接于第一陰極端口，控制極連接于第一控制極端口；第二可控硅的陽極連接于第一陰極端口，陰極連接于第二陰極端口，控制極連接于第二控制極端口。

進一步的，所述控制器采用型號為STC12C5406AD的單片機。

進一步的，所述第一過零觸發(fā)光耦和第二過零觸發(fā)光耦均采用MOC3063。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點是：

1、串聯(lián)設(shè)置了第一過零觸發(fā)光耦和第二過零觸發(fā)光耦來達到分壓的作用，二來能夠控制可控硅在電壓過零時接通，電流過零點斷開，不產(chǎn)生合閘涌流；

2、阻容吸收電路的設(shè)置，可防止可控硅陽極電壓上升率過高而誤觸發(fā)，起緩沖作用。

附圖說明

圖1為本實用新型的可控硅觸發(fā)電路的原理圖；

圖2為可控硅的電路原理圖；

圖3為控制器的電路原理圖。

附圖標記：1、過零觸發(fā)光耦組件；2、分壓電路；3、輸出電路；4、阻容吸收電路。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型進行詳細描述。

一種三相可控硅觸發(fā)電路，參照圖1至圖3，包括電源模塊、控制器和與控制器連接的三個相同的可控硅觸發(fā)電路。其中，電源模塊為控制器可控硅觸發(fā)電路供電，控制器采用型號為STC12C5406AD的單片機。

以A相的可控硅觸發(fā)電路為例，該電路包括串聯(lián)的第一過零觸發(fā)光耦U1和第二過零觸發(fā)光耦U2，第一過零觸發(fā)光耦U1和第二過零觸發(fā)光耦U2均采用MOC3063，其內(nèi)部設(shè)置有過零檢測模塊，在收到輸入端的控制信號時，并不能馬上開啟雙向可控硅模塊，而是等到過零后才觸發(fā)雙向可控硅進行導(dǎo)通，一來能夠起到分壓的作用，能夠安全可靠的觸發(fā)可控硅，二來使得三相分開控制，在觸發(fā)可控硅時具有更多選擇，更重要的是能夠在合閘時電壓過零準確。第一過零觸發(fā)光耦U1的第1管腳連接于電源模塊，第2管腳連接于第二過零觸發(fā)光耦U2的第1管腳，第二過零觸發(fā)光耦U2的第2管腳與控制器的引腳連接，并在第一過零觸發(fā)光耦U1的第6管腳和第4管腳之間連接了用于分壓的電阻R1，同樣的，在第二過零觸發(fā)光耦U2的第6管腳和第4管腳之間連接了用于分壓的電阻R2。

另外，與第一過零觸發(fā)光耦U1的第6管腳連接有輸出電路3，輸出電路3包括電阻R3、電阻R4、電阻R5、第一陰極端口A_K1、第一控制極端口A_G1、第二陰極端口A_K2和第二控制極端口A_G2，其中，電阻R3的一端連接于第一過零觸發(fā)光耦U1的第6管腳，另一端連接于第一控制極端口A_G1和電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接于第一控制極端口A_G1；電阻R5的一端連接于第二過零觸發(fā)光耦U2的第4管腳，另一端連接于第二控制極端口A_G2；而可控硅包括第一可控硅SCR1和第二可控硅SCR2，第一可控硅SCR1的陽極連接于第二陰極端口A_K2，陰極連接于第一陰極端口A_K1，控制極連接于第一控制極端口A_G1；第二可控硅SCR2的陽極連接于第一陰極端口A_K1，陰極連接于第二陰極端口A_K2，控制極連接于第二控制極端口A_G2。

另外，第一陰極端口A_K1和第二陰極端口A_K2之間設(shè)置了用于防止可控硅誤觸發(fā)的阻容吸收電路4，該阻容吸收電路4包括電容C1和電阻R6，所述電容C1的一端連接于第一陰極端口A_K1，另一端連接于電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接于第二陰極端口A_K2。當可控硅關(guān)斷時，其陽極電壓上升過高會引起誤觸發(fā)，該阻容吸收電路4的設(shè)置起到了緩沖作用。

該可控硅觸發(fā)電路的工作原理:

當控制器發(fā)出的信號為低電平信號，且檢測到第一陰極端口A_K1和第二陰極端口A_K2間的電壓出現(xiàn)零點時，第一過零觸發(fā)光耦U1和第二過零觸發(fā)光耦U2的第4管腳和第6管腳均導(dǎo)通，電阻R1和電阻R2被短路，因此電流流經(jīng)第一過零觸發(fā)光耦U1和第二過零觸發(fā)光耦U2內(nèi)部，當?shù)谝魂帢O端口A_K1的電壓高于第二陰極端口A_K2的電壓時，第一控制極端口A_G1和第二控制極端口A_G2均為高電位，第一可控硅SCR1和第二可控硅SCR2的控制極都有觸發(fā)電流，且第二可控硅SCR2的陽極大于陰極，第二可控硅SCR2導(dǎo)通；當?shù)诙帢O端口A_K2的電壓高于第一陰極端口A_K1的電壓時，第一可控硅SCR1的陽極大于陰極，第一可控硅SCR1導(dǎo)通。

當控制器發(fā)出的信號為高電平信號時，第一過零觸發(fā)光耦U1和第二過零觸發(fā)光耦U2的第4管腳和第6管腳均斷開，電流流經(jīng)電阻R1和電阻R2，此時，當?shù)谝魂帢O端口A_K1的電壓高于第二陰極端口A_K2的電壓時，第一控制極端口A_G1處于高電平，第二控制極端口A_G2處于低電平，此時，第一可控硅SCR1的控制極有觸發(fā)電流，但是此時第一陰極端口A_K1的電壓高于第二陰極端口A_K2的電壓，第一可控硅SCR1處于反向截止狀態(tài)，這時第一可控硅SCR1不觸發(fā)；當?shù)诙帢O端口A_K2的電壓高于第一陰極端口A_K1的電壓時，類似與上述情況，不在贅述。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，本實用新型的保護范圍并不僅局限于上述實施例，凡屬于本實用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實用新型的保護范圍。應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理前提下的若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。