本實(shí)用新型涉及控制器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種取消可控硅RC吸收回路的控制器。
背景技術(shù):
目前,隨著科技發(fā)展,各種產(chǎn)品不斷交替更換,而人們對產(chǎn)品的要求也越來越高,原本功能單一的產(chǎn)品項(xiàng)目已經(jīng)不得不淘汰,現(xiàn)有市場上控制器采用普通可控硅RC吸收電路的質(zhì)量和功能已經(jīng)不能滿足人們的需要,如圖3所示,可控硅RC吸收電路占一定體積,且市場反饋RC電路有很大比例不良,采用高抗可控硅SCR模塊,驅(qū)動方式合理,保護(hù)到位,無需附加RC吸收電路,因此根據(jù)市場需要,亟需一款可控硅RC吸收回路的控制器來彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn),而提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案:
本實(shí)用新型公開了一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主體、紅外線發(fā)射裝置和可控硅控制器內(nèi)殼,所述可控硅控制器主體上表面安裝有開關(guān)鍵,且開關(guān)鍵右側(cè)安裝有模式鍵,所述可控硅控制器主體上表面安裝有顯示器裝置,且顯示器裝置下方安裝有工作指示燈裝置,所述可控硅控制器主體下方安裝有蓄電池裝置,所述可控硅控制器主體內(nèi)部安裝有可控硅控制器內(nèi)殼,所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有紅外線發(fā)射裝置,所述紅外線發(fā)射裝置下方安裝有數(shù)據(jù)連接線裝置,所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有高抗可控硅SCR模塊,所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有處理器裝置,所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有主板固定裝置。
優(yōu)選的,所述高抗可控硅SCR模塊為三端雙向可控硅開關(guān)。
優(yōu)選的,所述蓄電池裝置左側(cè)上方安裝有時間加鍵。
優(yōu)選的,所述蓄電池裝置右側(cè)上方安裝有時間減鍵。
優(yōu)選的,所述開關(guān)鍵下方安裝有溫度加鍵。
優(yōu)選的,所述模式鍵下方安裝有溫度減鍵。
本實(shí)用新型中,主要采用三端雙向的高抗可控硅SCR模塊,無需附加RC吸收電路,從而避免的常規(guī)情況下使用RC吸收電路所導(dǎo)致的電路成本過高、品質(zhì)不良率高等缺點(diǎn),采用高抗可控硅SCR模塊,驅(qū)動方式合理,保護(hù)到位,無需附加RC吸收電路,控制器反饋更加流暢,增加其運(yùn)行速度提升控制器整體的質(zhì)量,在可控硅控制器內(nèi)部安裝有主板固定裝置,可以有效的控制內(nèi)部零件的松緊性,使其更加牢固、安全,在可控硅控制器內(nèi)部上方安裝有紅外線發(fā)射裝置,能輕松的使用控制器來遙控物品,方便快捷。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器的外部結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本實(shí)用新型提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器未取消RC吸收回路的電路圖;
圖4為本實(shí)用新型提出的高抗可控硅SCR模塊取消RC吸收電路后的電路圖。
圖中:1可控硅控制器主體、2開關(guān)鍵、3溫度加鍵、4時間加鍵、5顯示器裝置、6工作指示燈裝置、7模式鍵、8溫度減鍵、9時間減鍵、10蓄電池裝置、11紅外線發(fā)射裝置、12數(shù)據(jù)連接線裝置、13高抗可控硅SCR模塊、14可控硅控制器內(nèi)殼、15主板固定裝置、16處理器裝置。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。
參照圖1-2,本實(shí)用新型公開了一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主體1、紅外線發(fā)射裝置11和可控硅控制器內(nèi)部14,可控硅控制器主體1上表面安裝有開關(guān)鍵2,且開關(guān)鍵2右側(cè)安裝有模式鍵7,可控硅控制器主體1上表面安裝有顯示器裝置5,且顯示器裝置5下方安裝有工作指示燈裝置6,可控硅控制器主體1下方安裝有蓄電池裝置10,可控硅控制器主體1內(nèi)部安裝有可控硅控制器內(nèi)殼14,可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有紅外線發(fā)射裝置11,紅外線發(fā)射裝置11下方安裝有數(shù)據(jù)連接線裝置12,可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有高抗可控硅SCR模塊13,可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有處理器裝置16,可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有主板固定裝置15,蓄電池裝置10左側(cè)上方安裝有時間加鍵4,蓄電池裝置10右側(cè)上方安裝有時間減鍵9,開關(guān)鍵2下方安裝有溫度加鍵3,模式鍵7下方安裝有溫度減鍵8。
參照圖4,本實(shí)施例中的高抗可控硅SCR模塊13為三端雙向可控硅開關(guān)。
工作原理:當(dāng)使用該可控硅RC吸收回路的控制器時,先將電池安放進(jìn)蓄電池裝置10里,保持可控硅控制器主體1的通電狀態(tài),好隨時工作,拿起可控硅控制器主體1點(diǎn)擊開關(guān)鍵2,可控硅控制器主體1正常運(yùn)行,可點(diǎn)擊模式鍵7來選擇適應(yīng)的模式,此時可點(diǎn)擊溫度加鍵3、溫度減鍵8、時間加鍵4、時間減鍵9通過紅外線發(fā)射裝置11來進(jìn)行調(diào)節(jié),控制是否進(jìn)行中可通過工作指示燈裝置6來進(jìn)行判斷,如失效應(yīng)采取修補(bǔ)措施,可在顯示器裝置5中觀看運(yùn)行狀態(tài),運(yùn)行該可控硅RC吸收回路的控制器時,主板固定裝置15起到了固定作用,為了避免晃動而引起的機(jī)械故障和不適,運(yùn)行時紅外線發(fā)射裝置11連接數(shù)據(jù)連接線裝置12通電發(fā)射紅外線作為信號,在可控硅控制器內(nèi)殼14的高抗可控硅SCR模塊13,當(dāng)發(fā)放指令時高抗可控硅SCR模塊13迅速處理信息,反饋速率極高,把信息迅速傳輸?shù)教幚砥餮b置16上,經(jīng)處理將信號發(fā)射出去,通過高抗可控硅SCR模塊13取消RC吸收回路,可杜絕RC損壞所帶來的品質(zhì)問題,給整機(jī)品質(zhì)提供保證。
以上所述,僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。