本申請涉及電路板生產技術領域,尤其涉及一種電路板。
背景技術:
在多層電路板生產中,尤其是包括引腳比較密集的芯片,如包括CPU(Central Processing Unit,中央處理器)的電路板中,常開設通孔實現(xiàn)信號傳遞,通孔貫通各層板,包括地層,通孔將表層的信號傳遞至其它各層。
然而,芯片的引腳比較多且密集,若每一個引腳均通過通孔傳遞信號,需要開設的通孔數量極多,造成在地層的通孔面積太大,地層不連續(xù),帶來信號完整性問題,當遇到ESD(Electro-Static discharge,靜電釋放)問題時,靜電得不到快速釋放,會影響系統(tǒng)的正常工作。
技術實現(xiàn)要素:
本申請?zhí)峁┝艘环N電路板,能夠使靜電快速釋放,保證系統(tǒng)的可靠性。
本申請的提供了一種電路板,包括基板和第一導電件,所述基板包括器件層、信號層和地層,所述器件層、所述信號層及所述地層層疊設置,且所述信號層位于所述器件層與所述地層之間,所述器件層設有多個焊盤;所述基板設有盲孔,所述盲孔自所述器件層延伸至所述信號層,所述第一導電件設于所述盲孔內,至少一個所述焊盤通過所述第一導電件與所述信號層電導通。
優(yōu)選地,還包括第二導電件,所述基板還設有通孔,所述通孔貫穿所述器件層、所述信號層和所述地層,所述第二導電件設于所述通孔內,至少一個所述焊盤通過所述第二導電件與所述信號層或者所述地層電導通。
優(yōu)選地,所述器件層包括第一絕緣子層、第二絕緣子層和表層連接線,所述第一絕緣子層和所述第二絕緣子層層疊設置,所述表層連接線設于所述第一絕緣子層與所述第二絕緣子層之間;所述第一導電件位于所述盲孔的開口端的一端和所述第二導電件在所述器件層的一端通過所述表層連接線與各自對應的所述焊盤電導通。
優(yōu)選地,所述表層連接線包括音頻線、射頻線、高速信號線。
優(yōu)選地,所述信號層包括第三絕緣子層、第四絕緣子層和內部連接線,所述第三絕緣子層和所述第四絕緣子層層疊設置,所述內部連接線位于所述第三絕緣子層與所述第四絕緣子層之間;至少一個所述第一導電件位于所述盲孔的底端的一端和至少一個所述第二導電件位于所述信號層的一段通過所述內部連接線電導通。
優(yōu)選地,所述地層包括第五絕緣子層、第六絕緣子層和地層連接線,所述第五絕緣子層和所述第六絕緣子層層疊設置,所述地層連接線位于所述第五絕緣子層與所述第六絕緣子層之間,至少一個所述第二導電件位于所述地層的一段通過所述地層連接線與所述地層電導通。
優(yōu)選地,所述基板還包括混合層,所述混合層包括地區(qū)域和信號區(qū)域,所述混合層位于所述地層遠離所述信號層的一側,且與所述地層層疊設置;所述通孔還貫通所述混合層,所述地區(qū)域與所述地層通過所述通孔內的所述第二導電件電導通。
優(yōu)選地,至少一個所述焊盤通過所述通孔內的所述第二導電件與所述信號區(qū)域電導通。
優(yōu)選地,還包括CPU,所述CPU位于所述器件層遠離所述信號層的一側,所述CPU包括多個引腳,每個所述引腳與一個所述焊盤連接,部分所述引腳通過所述焊盤與所述第一導電件電導通,其余部分通過所述焊盤與所述第二導電件電導通;與所述引腳電導通的所述第一導電件所在的所述盲孔在所述器件層的投影,位于所述CPU在所述器件層的投影的內部,與所述引腳電導通的所述第二導電件所在的所述通孔在所述器件層的投影位于所述CPU在所述器件層的投影的外部。
優(yōu)選地,與所述通孔電導通的所述引腳中,至少有一個通過所述第二導電件與所述信號層或者信號區(qū)域電導通。
本申請?zhí)峁┑募夹g方案可以達到以下有益效果:
本申請所提供的電路板,通過盲孔的設置,且盲孔內設有第一導電件,能夠使器件層有的焊盤與信號層通過第一導電件電導通,從而減少電路板的通孔數量,降低對地層的破壞,更好地保證地層的完整性,在遇到ESD問題時,使靜電快速釋放,保證系統(tǒng)的可靠性。
應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的,并不能限制本申請。
附圖說明
圖1為本申請所提供的電路板一種具體實施例的結構示意圖;
圖2為本申請所提供的電路板一種具體實施例基板的爆炸視圖;
圖3為本申請所提供的電路板一種具體實施例的俯視圖。
附圖標記:
1-基板;
11-器件層;
111-焊盤;
112-表層連接線;
12-信號層;
121-內部連接線;
13-地層;
14-混合層;
141-混合層連接線;
15-盲孔;
16-通孔;
2-CPU;
21-引腳。
此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分,示出了符合本申請的實施例,并與說明書一起用于解釋本申請的原理。
具體實施方式
下面通過具體的實施例并結合附圖對本申請做進一步的詳細描述。文中所述“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”均以附圖中的放置狀態(tài)為參照。
如圖1-3所示,本申請實施例提供了一種電路板,包括基板1和第一導電件,基板1包括器件層11、信號層12和地層13,器件層11、信號層12及地層13層疊設置,且信號層12位于器件層11與地層13之間,器件層11設有多個焊盤111;基板1設有盲孔15,盲孔15自器件層11延伸至信號層12,即不穿透地層13,第一導電件設于盲孔15內,即每一個盲孔15內均設有第一導電件,第一導電件可以為貼合于盲孔15內壁的金屬膜,其工藝可以為化學腐蝕,也可以為涂覆或者電鍍,第一導電件也可以為導電條或者導電棒,第一導電件貫穿盲孔15,至少一個焊盤111通過第一導電件與信號層12電導通,通常盲孔15的內壁貼合金屬膜,被盲孔15穿過的各層均能夠與第一導電件電導通。
上述實施例通過盲孔15的設置,且在盲孔15內設有第一導電件,能夠使器件層11中有的焊盤111與信號層12通過第一導電件電導通,從而減少電路板的通孔16的數量,降低對地層13的破壞,更好地保證地層13的完整性,在遇到ESD問題時,使靜電快速釋放,保證系統(tǒng)的可靠性。
基板1還包括混合層14,混合層14包括地區(qū)域和信號區(qū)域,混合層14位于地層13遠離信號層12的一側,且與地層13層疊設置,在此方案中,盲孔15僅延伸至信號層12,即在盲孔15沿基板1的厚度方向的投影的位置,地層13、混合層14未被破壞,仍完整。通過增加混合層14,既可以增加基板1的接地面積,進而盡快釋放靜電,又能夠增加走線的面積,方便線路設計。
上述實施例還包括第二導電件,基板1還設有通孔16,通孔16貫穿器件層11、信號層12和地層13,在包括混合層14的實施例中,通孔16還貫穿混合層14,第二導電件設于通孔內,即每一個通孔16內均設有第二導電件,第二導電件可以為貼合于通孔16內壁的金屬膜,其工藝可以為化學腐蝕,或者涂覆、電鍍,第二導電件也可以為導電條或者導電棒,第二導電件貫穿通孔16,至少一個焊盤111通過第二導電件與信號層12或者地層13電導通,通常通孔16的內壁貼合金屬膜,被通孔16貫穿的各層均能夠與第二導電件電導通。在包含混合層14的實施例中,地區(qū)域與地層通過通孔16內的第二導電件電導通,至少一個焊盤111通過通孔16內的第二導電件與信號區(qū)域電導通。通過增設通孔16,采用通孔16與盲孔15的組合方式,由于通孔的加工工藝簡單,既能夠保證地層13或者混合層14盡可能的完整性,又能夠降低生產成本。
上述實施例中的器件層11包括第一絕緣子層、第二絕緣子層和表層連接線112,第一絕緣子層和第二絕緣子層層疊設置,表層連接線112設于第一絕緣子層與第二絕緣子層之間;盲孔15的開口端和通孔16在器件層11的一端通過表層連接線112與各自對應的焊盤111電導通,即第一導電件位于盲孔15的開口端的一端或者第二導電件位于器件層11的一端通過表層連接線112與各自對應的焊盤111電導通,如圖2所示。盲孔15的開口與通孔16的開口端(包括在器件層的一端和地層的一端或者混合層的一端)周圈設有焊錫,焊錫與第一導電件或者第二導電件電導通,通過增加表層連接線112將焊盤111與盲孔15的開口端或者通孔16在器件層11的一端電導通,以實現(xiàn)焊盤111與第一導電件或者第二導電件的電導通,能夠防止盲孔15或者通孔16周圍的空間狹小,造成焊盤111擁擠,甚至互相導通。當然,焊盤111也可以直接與盲孔15的開口端或者通孔16的開口連接。
其中,表層連接線112包括音頻線、射頻線、高速信號線,以方便相應器件的連接,減少信號干擾。
上述各實施例的信號層12包括第三絕緣子層、第四絕緣子層和內部連接線121,第三絕緣子層和第四絕緣子層層疊設置,內部連接線121位于第三絕緣子層與第四絕緣子層之間;至少一個即一個或者多個第一導電件位于盲孔15的底端的一端和至少一個第二導電件位于信號層12的一段通過內部連接線121電導通,具體地,由于第一導電件貫通盲孔15,第二導電件貫通通孔16,內部連接線121的一端穿過盲孔15的內壁與第一導電件位于盲孔15底端的一端電導通,內部連接線121的另一端穿過通孔16位于信號層12的一段的內壁,與第二導電件位于信號層12的一段電導通,如圖2所示。通過增加內部連接線121能夠防止盲孔15或者通孔16周圍的空間狹小,造成焊盤111擁擠,甚至互相導通。當然,第一導電件也可以直接穿過盲孔15的內壁,第二導電件穿過通孔16位于信號層12的一段的內壁,二者的穿出端直接電導通。
上述各實施例的地層13包括第五絕緣子層、第六絕緣子層和地層連接線,第五絕緣子層和第六絕緣子層層疊設置,地層連接線位于第五絕緣子層與第六絕緣子層之間,至少一個,即一個或者多個第二導電件位于地層13的一段通過地層連接線與地層13電導通,即地層連接線穿過通孔16位于地層13的一段的內壁與第二導電件電導通,進而使與該通孔16連接的焊盤111接地,起到釋放靜電或者接地的作用,通常地層連接線為一銅層,以方便多個焊盤111通過第二導電件與地層13電導通。
包括混合層14的實施例中,混合層14包括第七絕緣子層、第八絕緣子層及混合層連接線141,混合連接線141設于第七絕緣子層和第八絕緣子層之間,且設于地區(qū)域或者信號區(qū)域,其中設于地區(qū)域時,其與盲孔15、通孔16或者焊盤111的連接方式與地層連接線的設置方式相同,設于信號區(qū)域時,其與盲孔15、通孔16或者焊盤111的連接方式與內部連接線121的設置方式相同,請參考上述論述。
上述各實施例中,電路板還包括芯片,芯片設有引腳21,尤其引腳21比較密集的芯片,如CPU2,參見圖1、3所示,CPU2位于器件層11遠離信號層12的一側,CPU2包括多個引腳21,每個引腳21與一個焊盤111連接,部分引腳21通過焊盤111與第一導電件電導通,即部分引腳21通過與其對應的焊盤111和盲孔15的開口端電導通,其余部分通過焊盤111與第二導電件電導通,即其余部分引腳21通過與其對應的焊盤111與通孔16位于器件層11的一端電導通;與引腳21電導通的盲孔15在器件層11的投影位于CPU2在器件層11的投影的內部,與引腳21電導通的通孔16在器件層11的投影位于CPU2在器件層的投影的外部,即CPU2的各引腳21中,部分通過盲孔15與信號層12電導通,部分通過通孔16與信號層12、地層13及混合層14中的至少一者通過通孔16電導通,其中,通過通孔16電導通的引腳21中,至少有一個,即一個、兩個或者更多個引腳21通過通孔16與信號層12或者信號區(qū)域電導通,以實現(xiàn)信號線的布線。且通孔16位于CPU2的外部區(qū)域,盲孔15位于CPU2的內部區(qū)域。由于CPU2內部區(qū)域的焊盤111走線受外周通孔16的限制,采用盲孔15直接將信號引至信號層12,再進行走線,方便整個電路板的布線。
以上所述僅為本申請的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本申請,對于本領域的技術人員來說,本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本申請的保護范圍之內。