1.一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，包括真空腔體，設(shè)置在真空腔體上的抽真空系統(tǒng)，設(shè)置在真空腔體內(nèi)的靶系統(tǒng)，將離子引導(dǎo)到靶系統(tǒng)上的離子源系統(tǒng)，其特征在于，所述離子源系統(tǒng)包括設(shè)置在真空腔體內(nèi)的放電室(9)，設(shè)置在放電室(9)上的引出電極(10)；所述引出電極(10)為多孔，均勻分布在放電室(9)的一周的側(cè)壁；所述靶系統(tǒng)包括位于真空腔體內(nèi)且圍繞放電室(9)一周的側(cè)壁設(shè)置的靶件(11)，與靶件(11)連接的負(fù)高壓電源(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述離子源系統(tǒng)還包括微波發(fā)生器(1)，一端與微波發(fā)生器(1)連接，另一端延伸到放電室(9)內(nèi)的波導(dǎo)(4)，設(shè)置在波導(dǎo)(4)上的微波調(diào)諧器(3)，與波導(dǎo)(4)連接的環(huán)形器(2)，通過(guò)連接管與放電室(9)連通的氘氣瓶(7)，設(shè)置在真空腔體上或真空腔體外的陶瓷絕緣體(8)，以及設(shè)置真空腔體外且用于產(chǎn)生作用于放電室(9)的磁場(chǎng)的永磁體(12)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述永磁體(12)為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，該環(huán)狀結(jié)構(gòu)的永磁體(12)套接在陶瓷絕緣體(8)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述離子源系統(tǒng)上還設(shè)置有低電位循環(huán)水裝置(5)，該低電位循環(huán)水裝置(5)出水口通過(guò)水管與放電室(9)的入水口相連，放電室(9)的出水口通過(guò)水管與微波發(fā)生器(1)的入水口相連，微波發(fā)生器(1)的出水口通過(guò)水管與環(huán)形器(2)的入水口相連，環(huán)形器(2)的出水口通過(guò)水管與低電位循環(huán)水裝置(5)的入水口相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述靶系統(tǒng)包括用于固定靶件(11)的上法蘭(15)，該靶件(11)頂端固定在上法蘭(15)下方；所述離子源系統(tǒng)還包括用于固定放電室(9)的下法蘭(18)，該放電室(9)固定在下法蘭(18)上方；所述陶瓷絕緣體(8)位于上法蘭(15)與下法蘭(18)之間，且該陶瓷絕緣體(8)、上法蘭(15)與下法蘭(18)之間固定后形成真空腔體，該下法蘭(18)上設(shè)置有抽真空孔，該真空腔體通過(guò)抽真空系統(tǒng)抽真空后形成高真空室(19)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述靶系統(tǒng)還包括固定在上法蘭(15)上方且與負(fù)高壓電源(13)連接的高壓端蓋板(14)，該高壓端蓋板(14)通過(guò)不銹鋼圓柱固定在上法蘭(15)上，該負(fù)高壓電源(13)通過(guò)不銹鋼圓柱與連接在上法蘭(15)上的靶件(11)連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述靶系統(tǒng)還包括高電位循環(huán)水裝置(16)，該高電位循環(huán)水裝置(16)的出水口通過(guò)水管與靶件(11)入水口相連，靶件(11)的出水口通過(guò)水管與高電位循環(huán)水裝置(16)的入水口相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述抽真空系統(tǒng)包括用于抽取真空腔體內(nèi)氣體的分子泵(20)，以及通過(guò)管道(21)連接在分子泵(20)上的干泵(22)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述管道(21)為波紋管。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于中子俘獲治療的中子發(fā)生器，其特征在于，所述陶瓷絕緣體(8)、放電室(9)和靶件(11)同軸設(shè)置，陶瓷絕緣體(8)、放電室和靶件(11)均為筒狀結(jié)構(gòu)，靶件(11)位于陶瓷絕緣體(8)內(nèi)，放電室(9)位于靶件(11)內(nèi)，永磁體(12)位于真空腔體外。