本實(shí)用新型涉及LED驅(qū)動(dòng)電路領(lǐng)域，特別涉及驅(qū)動(dòng)芯片和高壓功率MOS雙芯片封裝的LED驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，具體是指一種恒流LED驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中LED驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用范圍是非常廣泛的，其種類也非常繁多。其中，中國專利文獻(xiàn)1(CN201210540481.6，實(shí)用新型名稱：利用并聯(lián)高壓MOS管控制的LED驅(qū)動(dòng)電路)公開了一種利用并聯(lián)高壓MOS管控制的LED驅(qū)動(dòng)電路，主要解決現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路無法兼顧成本低，效率高，功率因數(shù)高的問題。如圖1所示，它包括整流橋，控制電路，N串負(fù)載Z₁～Z_n，N個(gè)高壓MOS管和N個(gè)電壓基準(zhǔn)電路:整流橋用于對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行全波整流，N串負(fù)載單組串聯(lián)連接，并跨接于整流橋與第N個(gè)高壓MOS管的漏極:相鄰兩串負(fù)載的公共端分別連接到對(duì)應(yīng)高壓MOS管的漏極；N個(gè)高壓MOS管的柵極分別連接N個(gè)電壓基準(zhǔn)，其源極相連，并連接到控制電路:控制電路通過檢測負(fù)載電流調(diào)節(jié)高壓MOS管的源極電壓，以控制高壓MOS管的工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)對(duì)接入電路負(fù)載的調(diào)節(jié)。該實(shí)用新型具有外圍器件少、壽命長、效率和功率因數(shù)高的優(yōu)點(diǎn)，可直接集成于載有LED串的訂板之上。

中國專利文獻(xiàn)2(CN201610307576.1，實(shí)用新型名稱：一種雙端恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片)公開了另一種雙端恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片，如圖2所示，包括電源供電模塊10、恒流模塊50、過溫調(diào)節(jié)模塊30、芯片輸入端口70和芯片輸出端口80；芯片輸入端口連接芯片外部LED燈組的負(fù)極，芯片輸出端口用于連接芯片外部電路的接地端。恒流模塊包括驅(qū)動(dòng)電路模塊20、功率管60和電流控制模塊40，驅(qū)動(dòng)電路模塊連接功率管和電流控制模塊，用于采樣功率管上的驅(qū)動(dòng)電流大小，并根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流控制功率管的導(dǎo)通狀態(tài)。該實(shí)用新型能夠根據(jù)芯片的溫度對(duì)LED的電流進(jìn)行實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)地調(diào)節(jié)，采用雙端結(jié)構(gòu)，將限流電路集成在芯片內(nèi)部，簡化了LED電流控制芯片的結(jié)構(gòu)，降低了成本，方便電路連接。

然而，如何在電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡單、成本低的前提下，進(jìn)一步地解決恒流LED驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)品適用范圍過小的問題成為本領(lǐng)域一個(gè)亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種電路結(jié)構(gòu)簡單、適用大功率場合、制造成本較低、工作性能穩(wěn)定可靠、適用范圍較為廣泛的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本實(shí)用新型的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路具有如下構(gòu)成：

所述的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路，包括一體封裝的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊和功率MOS芯片模塊，其主要特點(diǎn)是，所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊具有低壓供電端VDD、漏端Drain、接地端GND和柵端GD，所述的低壓供電端VDD通過穩(wěn)壓電容接地，所述的接地端GND通過電阻接地，所述的功率MOS芯片模塊的漏極、源極和柵極分別與所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊漏端Drain、接地端GND和柵端GD一一對(duì)應(yīng)連接，所述的漏端Drain為所述的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。

所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊內(nèi)置有高壓啟動(dòng)電路單元，所述的高壓啟動(dòng)電路單元包括JFET場效應(yīng)管、第一高壓功率MOS管，所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊中還包括低壓控制電路單元，所述的JFET場效應(yīng)管的柵極接地，所述的JFET場效應(yīng)管與所述的第一高壓功率MOS管共漏極且接于所述的漏端Drain。所述的JFET場效應(yīng)管的源極依次通過所述的低壓控制電路單元、低壓供電端VDD與所述的穩(wěn)壓電容相連接。所述的第一高壓功率MOS管的柵極和源極均與所述的低壓控制電路單元相連接，所述的第一高壓功率MOS管的柵極接于所述的柵端GD，且所述的第一高壓功率MOS管的源極接于所述的接地端GND。

所述的JFET場效應(yīng)管為N溝道JFET場效應(yīng)管。

所述的第一高壓功率MOS管為第一NMOS管。

所述的功率MOS芯片模塊中包括第二高壓功率MOS管。所述的第二高壓功率MOS管的漏極接于所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊的漏端Drain，所述的第二高壓功率MOS管的柵極接于所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊的柵端GD，且所述的第二高壓功率MOS管的源極接于所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊的接地端GND。

所述的功率MOS芯片模塊中包括的第二高壓功率MOS管為第二NMOS管。

采用了所述的實(shí)用新型的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路，由于其中使用了自帶高壓啟動(dòng)電路的低壓驅(qū)動(dòng)芯片，使得輸出電流更穩(wěn)定，可靠性更高，同時(shí)又使用低壓驅(qū)動(dòng)芯片與功率MOS芯片進(jìn)行雙芯片封裝，從而大大簡化了電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)，節(jié)約了制造成本，并使得產(chǎn)品能夠適用于大功率場合，產(chǎn)品的適用范圍大大增加。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的低壓驅(qū)動(dòng)芯片的供電電路原理圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的另一種LED驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)原理圖。

圖3為本實(shí)用新型的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路的整體電路原理示意圖。

附圖標(biāo)記

AC 橋堆整流機(jī)

C1、C2 電容

JFET N溝道JFET場效應(yīng)管

VDD 低壓供電端

Drain 漏端

MN1 第一高壓功率MOS管

MN2 第二高壓功率MOS管

GD 柵端

D 漏極

G 柵極

S 源極

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說明。

請(qǐng)參閱圖3所示，其為本實(shí)用新型的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路的整體原理示意圖，所述的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路包括低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊和功率MOS芯片模塊，所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊用于為電路內(nèi)部其他模塊供電；所述功率MOS芯片模塊用于與驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行雙芯片封裝，增加產(chǎn)品的適用性。

低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊包括高壓啟動(dòng)電路單元、低壓供電端VDD、漏端Drain、接地端GND和柵端GD，所述的低壓供電端VDD通過穩(wěn)壓電容接地，所述的接地端GND通過電阻接地，所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊中還包括低壓控制電路單元。所述的高壓啟動(dòng)電路單元包括JFET場效應(yīng)管、第一高壓功率MOS管，所述的JFET場效應(yīng)管的柵極接地，所述的JFET場效應(yīng)管與所述的第一高壓功率MOS管共漏極且接于所述的漏端Drain，所述的JFET場效應(yīng)管的源極依次通過所述的低壓控制電路單元、低壓供電端VDD與所述的穩(wěn)壓電容相連接，所述的第一高壓功率MOS管的柵極和源極均與所述的低壓控制電路單元相連接，所述的第一高壓功率MOS管的柵極接于所述的柵端GD，且所述的第一高壓功率MOS管的源極接于所述的接地端GND。所述的JFET場效應(yīng)管為N溝道JFET場效應(yīng)管。所述的第一高壓功率MOS管為第一NMOS管。

其中，所述的低壓控制電路單元的功能是控制JEFT給電容C2充放電，使得VDD電壓恒定，并且控制功率管MN1和MN2的導(dǎo)通和關(guān)斷，使得流過LED的電流恒定，該低壓控制電路單元中的各個(gè)元器件均工作在低壓狀態(tài)上，整個(gè)電路均處于低壓工作模式下。同時(shí)，該低壓控制電路單元為現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)LED驅(qū)動(dòng)的常規(guī)功能電路，因而在此不再贅述。

同時(shí)，所述的功率MOS芯片模塊包括的漏極、源極和柵極，所述漏極、源極和柵極分別與所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊漏端Drain、接地端GND和柵端GD一一對(duì)應(yīng)連接。所述的功率MOS芯片模塊還包括第二高壓功率MOS管，所述的第二高壓功率MOS管的漏極接于所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊的漏端Drain，所述的第二高壓功率MOS管的柵極接于所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊的柵端GD，且所述的第二高壓功率MOS管的源極接于所述的低壓驅(qū)動(dòng)芯片模塊的接地端GND。所述的第二高壓功率MOS管為第二NMOS管。

所述的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路的具體工作過程具體如下：

(1)交流電壓輸入經(jīng)橋堆整流機(jī)電容C1濾波后形成直流電壓；

(2)N溝道JFET場效應(yīng)管通過芯片內(nèi)低壓控制電路單元向VDD連接的電容C2充電，并通過內(nèi)部控制將VDD電壓穩(wěn)定在一定值，從而產(chǎn)生一個(gè)精準(zhǔn)的電壓值作為芯片的低壓電源；

(3)所述的驅(qū)動(dòng)芯片可以單芯片封裝，適用于小功率場合，也可以和功率MOS芯片一起進(jìn)行雙芯片封裝，功率MOS的漏極D、柵極G、源極S引腳分別和驅(qū)動(dòng)芯片的漏端Drain、柵端GD和接地端GND，綁在一起，封裝后的電路有三個(gè)引腳漏端Drain、低壓供電端VDD和接地端GND，適用于大功率場合；由于N溝道JFET場效應(yīng)管和功率MOS管的漏端相連，兩個(gè)器件的耐壓值都要求比較高，器件實(shí)現(xiàn)上用JEFT和高壓功率MOS管合成在一起的高壓器件，這樣兩個(gè)器件公用漏區(qū)面積，從而節(jié)省了版圖面積；

(4)適用于小功率時(shí)，系統(tǒng)正常工作時(shí)，第一NMOS管MN1導(dǎo)通，電感L儲(chǔ)能，電感電流升高，電流流過功率管MN1和Rcs，低壓控制電路單元通過檢測CS引腳電壓和MN1柵極電壓變化，實(shí)現(xiàn)功率管的開關(guān)控制。

(5)適用于大功率時(shí)，系統(tǒng)正常工作時(shí)，第一NMOS管MN1導(dǎo)通，電感L儲(chǔ)能，電感電流升高，電流同時(shí)流過功率管MN1和MN2，最后通過Rcs流向接地端GND，低壓控制電路單元通過檢測CS引腳電壓和柵端GD電壓變化，實(shí)現(xiàn)功率管的開關(guān)控制。

采用了所述的實(shí)用新型的恒流LED驅(qū)動(dòng)電路，由于其中使用了自帶高壓啟動(dòng)電路的低壓驅(qū)動(dòng)芯片，使得輸出電流更穩(wěn)定，可靠性更高，同時(shí)又使用低壓驅(qū)動(dòng)芯片與功率MOS芯片進(jìn)行雙芯片封裝，從而大大簡化了電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)，節(jié)約了制造成本，并使得產(chǎn)品能夠適用于大功率場合，產(chǎn)品的適用范圍大大增加。

在此說明書中，本實(shí)用新型已參照其特定的實(shí)施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本實(shí)用新型的精神和范圍。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說明性的而非限制性的。