本實用新型涉及電子裝置的散熱裝置，更具體地說，涉及一種電子裝置及其屏蔽蓋散熱裝置。

背景技術(shù)：

通信產(chǎn)品上有很多發(fā)熱量大的芯片，需要在芯片表面增加導(dǎo)熱介質(zhì)與結(jié)構(gòu)件(如外殼或散熱器等)接觸散熱；同時為了避免和減小信號干擾，很多芯片又需要設(shè)計在屏蔽蓋內(nèi)部。

一般情況下，安裝了屏蔽蓋后，由于屏蔽蓋的遮擋，所以無法在芯片表面直接采取散熱措施。為了能既滿足芯片散熱又滿足芯片屏蔽的要求，需要在屏蔽蓋與芯片直接填充有一定預(yù)壓力的導(dǎo)熱介質(zhì)。

對于量產(chǎn)的產(chǎn)品，PCB上面焊接的屏蔽蓋需要采用自動化作業(yè)進(jìn)行焊接。而在屏蔽蓋內(nèi)設(shè)計具有一定預(yù)壓力的導(dǎo)熱墊，則導(dǎo)致自動化焊接的問題。在自動化作業(yè)過程中，屏蔽蓋需要通過SMT的方式進(jìn)行焊接，當(dāng)屏蔽蓋與芯片之間有導(dǎo)熱介質(zhì)時(如導(dǎo)熱墊)，可能會導(dǎo)致屏蔽蓋與PCB之間無法緊密接觸從而影響焊接效果。另外，由于導(dǎo)熱介質(zhì)具有一定的預(yù)壓力，壓力會傳遞到芯片上。在SMT焊接過程中，芯片管腳受力影響(尤其是BGA的芯片)，會導(dǎo)致管腳焊接不良(如管腳連錫等)。

普通的屏蔽蓋內(nèi)部放置導(dǎo)熱墊，焊接困難。所以如果只能采用人工手工焊接。既影響生產(chǎn)效率，也無法保障焊接質(zhì)量。因此，需要一種有效方法解決屏蔽蓋內(nèi)具有一定壓力的導(dǎo)熱介質(zhì)滿足自動化焊接的問題。

另外，也可以用分體式屏蔽蓋來實現(xiàn)，即將屏蔽蓋分成上蓋及底座兩個部分。底座焊接在PCB上，在上蓋上粘貼導(dǎo)熱墊，然后再蓋在底座上，解決芯片屏蔽及屏蔽蓋內(nèi)部散熱。分體式屏蔽蓋，無法實現(xiàn)全部自動組裝，增加組裝流程；并且分體式屏蔽蓋要求具有一定的設(shè)計高度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型要解決的技術(shù)問題在于，提供一種改進(jìn)的電子裝置及其屏蔽蓋散熱裝置。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種屏蔽蓋散熱裝置，包括用于罩設(shè)到芯片上的屏蔽蓋和設(shè)置在所述屏蔽蓋內(nèi)側(cè)用于壓合到芯片上的導(dǎo)熱介質(zhì)；

所述屏蔽蓋上包括由記憶金屬形成、并可隨溫度變化在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換的變形部；

所述變形部在所述第一狀態(tài)時的溫度為對所述屏蔽蓋貼片時所需的溫度，所述變形部在所述第一狀態(tài)時，所述導(dǎo)熱介質(zhì)與所述芯片分離；

所述變形部在所述第一狀態(tài)時的溫度高于所述變形部在所述第二狀態(tài)時的溫度，所述變形部在所述第二狀態(tài)時，讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)壓合到所述芯片上，將所述芯片上的熱量向外導(dǎo)出。

優(yōu)選地，所述屏蔽蓋包括頂壁以及由所述頂壁周圈向一側(cè)延伸伸出的側(cè)壁，所述導(dǎo)熱介質(zhì)設(shè)置在所述頂壁的側(cè)面，且位于與所述側(cè)壁延伸方向相同的一側(cè)。

優(yōu)選地，所述變形部包括沿所述側(cè)壁的周圈設(shè)置的側(cè)變形位。

優(yōu)選地，所述側(cè)變形位包括沿所述側(cè)壁的周圈向所述屏蔽蓋內(nèi)側(cè)內(nèi)凹設(shè)置的第一變形位；

所述變形部在所述第一狀態(tài)時，所述第一變形位伸展讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)向遠(yuǎn)離所述芯片方向移動；

所述變形部在所述第二狀態(tài)時，所述第一變形位恢復(fù)向所述屏蔽蓋內(nèi)側(cè)內(nèi)凹，讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)靠近所述芯片以壓合到所述芯片上。

優(yōu)選地，所述側(cè)變形位包括沿所述側(cè)壁的周圈向所述屏蔽蓋外側(cè)外凸設(shè)置的第二變形位；

所述變形部在所述第一狀態(tài)時，所述第二變形位伸展讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)向遠(yuǎn)離所述芯片方向移動；

所述變形部在所述第二狀態(tài)時，所述第二變形位恢復(fù)向所述屏蔽蓋外側(cè)外凸，讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)靠近所述芯片以壓合到所述芯片上。

優(yōu)選地，所述變形部包括設(shè)置在所述頂壁上、且在所述導(dǎo)熱介質(zhì)的外圈設(shè)置的頂變形位。

優(yōu)選地，所述頂變形位沿所述導(dǎo)熱介質(zhì)的外圈向所述屏蔽蓋內(nèi)側(cè)內(nèi)凹設(shè)置；和/或，所述頂變形位沿所述導(dǎo)熱介質(zhì)的外圈向所述屏蔽蓋外側(cè)外凸設(shè)置；

所述變形部在所述第一狀態(tài)時，所述頂變形位伸展讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)向遠(yuǎn)離所述芯片方向移動；

所述變形部在所述第二狀態(tài)時，所述變形位恢復(fù)向所述屏蔽蓋內(nèi)側(cè)內(nèi)凹或向所述屏蔽蓋外側(cè)外凸，讓所述導(dǎo)熱介質(zhì)靠近所述芯片以壓合到所述芯片上。

優(yōu)選地，所述屏蔽蓋整體為記憶材料，所述變形部為在所述屏蔽蓋上彎折形成。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱介質(zhì)為可壓縮的導(dǎo)熱部件。

本實用新型還提供一種電子裝置，包括所述的屏蔽蓋散熱裝置。

實施本實用新型的電子裝置及其屏蔽蓋散熱裝置，具有以下有益效果：本實用新型的屏蔽蓋散熱裝置利用記憶金屬在不同溫度可以保持不同形狀的特性，在貼片時溫度較高，屏蔽蓋在第一狀態(tài)讓導(dǎo)熱介質(zhì)不會壓合芯片，在貼片完成后，溫度降低，屏蔽蓋在第二狀態(tài)讓導(dǎo)熱介質(zhì)壓合芯片為芯片進(jìn)行散熱，提升了散熱效果，同時還不會影響到正常的貼片工藝，保證了生產(chǎn)效率。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是本實用新型實施例中的屏蔽蓋散熱裝置的變形部在第一狀態(tài)時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是第一實施例中的變形部在第二狀態(tài)時，第一變形位變形讓導(dǎo)熱介質(zhì)壓合到芯片時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是第二實施例中的變形部在第二狀態(tài)時，第二變形位變形讓導(dǎo)熱介質(zhì)壓合到芯片時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是第三實施例中的變形部在第一狀態(tài)時，頂變形位變形讓導(dǎo)熱介質(zhì)遠(yuǎn)離芯片時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是第三實施例中的變形部在第二狀態(tài)時，頂變形位變形讓導(dǎo)熱介質(zhì)壓合到芯片時的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了對本實用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本實用新型的具體實施方式。

如圖1所示，本實用新型一個優(yōu)選實施例中的電子裝置包括PCB板1、貼片在PCB板1上的芯片2、罩設(shè)到芯片2上的屏蔽蓋3以及設(shè)置在屏蔽蓋3內(nèi)側(cè)用于壓合到芯片2上的導(dǎo)熱介質(zhì)4，屏蔽蓋3貼片焊接到PCB板1上，對芯片2進(jìn)行屏蔽。導(dǎo)熱介質(zhì)4依靠屏蔽蓋3的抵壓壓合到芯片2上，將芯片2的熱量向外傳遞，屏蔽蓋3和導(dǎo)熱介質(zhì)4組成對芯片2散熱的散熱裝置。

結(jié)合圖1、圖2所示，優(yōu)選地，屏蔽蓋3上包括由記憶金屬形成、并可隨溫度變化在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換的變形部31。進(jìn)一步地，為了方便加工，屏蔽蓋3整體為記憶材料變形部為在屏蔽蓋3上彎折形成。

變形部31在第一狀態(tài)時的溫度為對屏蔽蓋3貼片時所需的溫度，變形部31在第一狀態(tài)時，導(dǎo)熱介質(zhì)4與芯片2分離。變形部31在第一狀態(tài)時的溫度高于變形部31在第二狀態(tài)時的溫度，變形部31在第二狀態(tài)時，讓導(dǎo)熱介質(zhì)4壓合到芯片2上，將芯片2上的熱量向外導(dǎo)出。

變形部31在第一狀態(tài)時的溫度可為對貼片過程中的某一特定溫度或溫度段，變形部31在第二狀態(tài)時的溫度通常為用戶正常使用電子設(shè)備時的溫度，可以讓用戶在使用時保持導(dǎo)熱介質(zhì)4始終壓合到芯片2上。利用記憶金屬在不同溫度可以保持不同形狀的特性，在貼片時溫度較高，屏蔽蓋在第一狀態(tài)讓導(dǎo)熱介質(zhì)不會壓合芯片，在貼片完成后，溫度降低，屏蔽蓋在第二狀態(tài)讓導(dǎo)熱介質(zhì)壓合芯片為芯片進(jìn)行散熱，提升了散熱效果，同時還不會影響到正常的貼片工藝，保證了生產(chǎn)效率。

在一些實施例中，屏蔽蓋3包括頂壁32以及由頂壁32周圈向一側(cè)延伸伸出的側(cè)壁33，導(dǎo)熱介質(zhì)4設(shè)置在頂壁32的側(cè)面，且位于與側(cè)壁33延伸方向相同的一側(cè)。優(yōu)選地，導(dǎo)熱介質(zhì)4為可壓縮的導(dǎo)熱部件，讓壓合到芯片2后，有一定的變形，保持對芯片2壓緊。導(dǎo)熱部件通常為導(dǎo)熱墊，即可導(dǎo)熱，又能被壓縮，在其他實施例中，導(dǎo)熱介質(zhì)4也可為其他易導(dǎo)熱的部件。

優(yōu)選地，變形部31包括沿側(cè)壁33的周圈設(shè)置的側(cè)變形位，在變形前后帶動頂壁32和導(dǎo)熱介質(zhì)4遠(yuǎn)離和靠近芯片2。

結(jié)合圖1、圖2所示，，在第一實施例中，側(cè)變形位包括沿側(cè)壁33的周圈向屏蔽蓋3內(nèi)側(cè)內(nèi)凹設(shè)置的第一變形位311。變形部31在第一狀態(tài)時，第一變形位311伸展讓導(dǎo)熱介質(zhì)4向遠(yuǎn)離芯片2方向移動；變形部31在第二狀態(tài)時，第一變形位311恢復(fù)向屏蔽蓋3內(nèi)側(cè)內(nèi)凹，讓導(dǎo)熱介質(zhì)4靠近芯片2以壓合到芯片2上。

結(jié)合圖1、圖3所示，在第二實施例中，，側(cè)變形位也可包括沿側(cè)壁33的周圈向屏蔽蓋3外側(cè)外凸設(shè)置的第二變形位312。變形部31在第一狀態(tài)時，第二變形位312伸展讓導(dǎo)熱介質(zhì)4向遠(yuǎn)離芯片2方向移動；變形部31在第二狀態(tài)時，第二變形位312恢復(fù)向屏蔽蓋3外側(cè)外凸，讓導(dǎo)熱介質(zhì)4靠近芯片2以壓合到芯片2上。

結(jié)合圖4、圖5所示，在第三實施例中，變形部31也可包括設(shè)置在頂壁32上、且在導(dǎo)熱介質(zhì)4的外圈設(shè)置的頂變形位313。頂變形位313沿導(dǎo)熱介質(zhì)4的外圈向屏蔽蓋3內(nèi)側(cè)內(nèi)凹設(shè)置；或者，頂變形位313也可為沿導(dǎo)熱介質(zhì)4的外圈向屏蔽蓋3外側(cè)外凸設(shè)置。當(dāng)然，頂變形位313也可同時包括以上兩種方式。

當(dāng)變形部31在第一狀態(tài)時，頂變形位313伸展讓導(dǎo)熱介質(zhì)4向遠(yuǎn)離芯片2方向移動。當(dāng)變形部31在第二狀態(tài)時，變形位恢復(fù)向屏蔽蓋3內(nèi)側(cè)內(nèi)凹或向屏蔽蓋3外側(cè)外凸，讓導(dǎo)熱介質(zhì)4靠近芯片2以壓合到芯片2上。

在其他實施例中，第一變形位311、第二變形位312、頂變形位313可以同時設(shè)置也可分別設(shè)置，也可組合設(shè)置，能保證變形部31在第一狀態(tài)時，導(dǎo)熱介質(zhì)4遠(yuǎn)離芯片2，在第二狀態(tài)時壓合到芯片2上即可。

優(yōu)選地，變形部31的第一變形位311、第二變形位312、頂變形位313均為彎折形成，在其他實施例中，也可為沖壓形成的弧形結(jié)構(gòu)。

可以理解地，上述各技術(shù)特征可以任意組合使用而不受限制。

以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。